JPH03141200A - ＳｉＣウイスカーの製造方法 - Google Patents
ＳｉＣウイスカーの製造方法Info
- Publication number
- JPH03141200A JPH03141200A JP27821389A JP27821389A JPH03141200A JP H03141200 A JPH03141200 A JP H03141200A JP 27821389 A JP27821389 A JP 27821389A JP 27821389 A JP27821389 A JP 27821389A JP H03141200 A JPH03141200 A JP H03141200A
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- Japan
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- sic
- diameter
- whiskers
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- whisker
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、２μｍ以上の直径を有する径大タイプのＳｉ
Ｃウィスカーを円滑に製造する方法に関する。
Ｃウィスカーを円滑に製造する方法に関する。
（従来の技術〕
ＳｉＣの針状単結晶で構成されるウィスカーは、比強度
、比弾性率、耐熱性、化学的安定性等の卓越した性能特
性を備えることから各種のプラスチック、金属あるいは
セラミックスの複合強化材として有用されている。
、比弾性率、耐熱性、化学的安定性等の卓越した性能特
性を備えることから各種のプラスチック、金属あるいは
セラミックスの複合強化材として有用されている。
このうち、破壊靭性に乏しいセラミックス材の複合強化
は、近時の重要な研究開発の課題とされている。セラミ
ックスに対するウィスカーの？！［合化は、＆ｇ織内部
に分散したウィカーがセラミックス体に発生するクラン
クの成長を停止または抑ｉｔ’ｌ＋し、クラックの進行
方向を屈曲させて応力集中を緩和し、あるいはウィスカ
ーの引き抜き作用でクランク先端でのエネルギーを吸収
する等の機構を介して破壊靭性の向上を図る目的でおこ
なわれるものであるが、これらセラミックスの高靭化に
はウィスカーとして直径の大きい径大性状のものを複合
させることが効果的であるとされている（Ｐ。
は、近時の重要な研究開発の課題とされている。セラミ
ックスに対するウィスカーの？！［合化は、＆ｇ織内部
に分散したウィカーがセラミックス体に発生するクラン
クの成長を停止または抑ｉｔ’ｌ＋し、クラックの進行
方向を屈曲させて応力集中を緩和し、あるいはウィスカ
ーの引き抜き作用でクランク先端でのエネルギーを吸収
する等の機構を介して破壊靭性の向上を図る目的でおこ
なわれるものであるが、これらセラミックスの高靭化に
はウィスカーとして直径の大きい径大性状のものを複合
させることが効果的であるとされている（Ｐ。
Ｆ、Ｂｅｃｈａｒ、 ”１ｎｔｅｒ−ｎａｔｉｏｎ
ａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ＷｈｉＳｋ
ｅｒ ａｎｄ Ｆｉｂｅｒ Ｔｏ−ｕｇｈｅｎｅｄ−Ｃ
ｅｒａｍｉｃｓ” １９８８（６）］。
ａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ＷｈｉＳｋ
ｅｒ ａｎｄ Ｆｉｂｅｒ Ｔｏ−ｕｇｈｅｎｅｄ−Ｃ
ｅｒａｍｉｃｓ” １９８８（６）］。
また、ウィスカーは微細な針状繊維形態を呈するため、
人体の呼吸器系に吸入された場合には肺の中に残留し易
く、呼吸器障害を起こす危険性が指摘されており、この
障害危険性はウィスカー径との関係が強く、とくに直径
２μｍ未満の性状において危険性が大きいと報告されて
いる（Ｆａｓｅｒｕｎｄ Ｗｈｉｓｋｅｒｖｅｒｓｔ
ａｒｋｔｅ Ｋｅｒａｍｉｓｃｈｅ Ｗｅｒｋｓｔ
ｏｆｆｅＳｙｍｐｏｓｕｉｕｍ ｉｎ Ｗａｇｅｎ、４
．Ｎｏｖ、１９８６）。
人体の呼吸器系に吸入された場合には肺の中に残留し易
く、呼吸器障害を起こす危険性が指摘されており、この
障害危険性はウィスカー径との関係が強く、とくに直径
２μｍ未満の性状において危険性が大きいと報告されて
いる（Ｆａｓｅｒｕｎｄ Ｗｈｉｓｋｅｒｖｅｒｓｔ
ａｒｋｔｅ Ｋｅｒａｍｉｓｃｈｅ Ｗｅｒｋｓｔ
ｏｆｆｅＳｙｍｐｏｓｕｉｕｍ ｉｎ Ｗａｇｅｎ、４
．Ｎｏｖ、１９８６）。
このようなことから、少なくとも２μｍの直径を有する
径大ウィスカーの開発がセラミックスの高靭化および人
体に対する安全性の面から強く要請されている。
径大ウィスカーの開発がセラミックスの高靭化および人
体に対する安全性の面から強く要請されている。
発明者らは、上記の要請に答えるための径大ＳｉＣウィ
スカーを製造する方法として、直径０゜３〜１．５μｍ
、長さ１０〜１００μｍの性状を有するβ結晶型を主体
とするＳｉＣウィスカーを、非酸化性雰囲気中で１８０
０〜２２００°Ｃの温度に熱処理する昇華再結晶による
径大化手段を既に提案した（特願平１−１７１６４０号
）。
スカーを製造する方法として、直径０゜３〜１．５μｍ
、長さ１０〜１００μｍの性状を有するβ結晶型を主体
とするＳｉＣウィスカーを、非酸化性雰囲気中で１８０
０〜２２００°Ｃの温度に熱処理する昇華再結晶による
径大化手段を既に提案した（特願平１−１７１６４０号
）。
〔発明が解決しようとする課題］
上記した先行技術は、以下のような知見に基づいて開発
されたものである。
されたものである。
通常、ＳｉＣウィスカーは非酸化性雰囲気下で１７００
°Ｃ以上の温度に長時間保持すると昇華再結晶を生じて
粒状化するが、結晶形態がβ型とα型とでは昇華再結晶
後の生成物が異なる現象を呈する。すなわち、β型のＳ
ｉＣウィスカーは径が太くなりながら長さ方向に切れて
粒状化が進行する（アスペクト比が比較的大きな値を保
ちながら粒状化する）のに対し、α型ＳｉＣウィスカー
では直接的に球状に近い粒状物の形で再結晶する。
°Ｃ以上の温度に長時間保持すると昇華再結晶を生じて
粒状化するが、結晶形態がβ型とα型とでは昇華再結晶
後の生成物が異なる現象を呈する。すなわち、β型のＳ
ｉＣウィスカーは径が太くなりながら長さ方向に切れて
粒状化が進行する（アスペクト比が比較的大きな値を保
ちながら粒状化する）のに対し、α型ＳｉＣウィスカー
では直接的に球状に近い粒状物の形で再結晶する。
この際、再結晶する粒子の径は熱処理温度が高いほど、
また保持時間が長いほど大きくなる。したがって、昇華
再結晶によって径大化を実現させるためにはβ型主体の
結晶形態をもつＳｉＣウィスカーを対象とすることが有
効となる。
また保持時間が長いほど大きくなる。したがって、昇華
再結晶によって径大化を実現させるためにはβ型主体の
結晶形態をもつＳｉＣウィスカーを対象とすることが有
効となる。
本発明は、引続く研究においてＳｉＣウィスカーの昇華
再結晶化過程で特定性状のＳｉＣ粉末を混在させた状態
でも径大化が効果的に進行することを確認して開発に至
ったものである。したがって、本発明の目的は前記先行
技術と同様に昇華再結晶手段を用いて直径２μｍ以上の
ＳｉＣウィスカーを効率よく得るための製造方法を提供
するところにある。
再結晶化過程で特定性状のＳｉＣ粉末を混在させた状態
でも径大化が効果的に進行することを確認して開発に至
ったものである。したがって、本発明の目的は前記先行
技術と同様に昇華再結晶手段を用いて直径２μｍ以上の
ＳｉＣウィスカーを効率よく得るための製造方法を提供
するところにある。
」二足の目的を達成するための本発明によるＳ１Ｃウイ
スカーの１３！造方法は、直径０．３〜１．５μｍ、長
さ１０〜１００μｍの性状を有するβ結晶型主体のＳｔ
Ｃウィスカー原ｆ４を少なくとも３０重量！！６の比率
で粒径１μｍ以下もしくは（１１１）回折線の半（，１
５幅０．１８ｄｅｇ以上のＳｉＣ粉末と混合し、該混合
物を非酸化性雰囲気中で１８００〜２２００℃の温度に
熱処理することを構成上の特徴とするものである。
スカーの１３！造方法は、直径０．３〜１．５μｍ、長
さ１０〜１００μｍの性状を有するβ結晶型主体のＳｔ
Ｃウィスカー原ｆ４を少なくとも３０重量！！６の比率
で粒径１μｍ以下もしくは（１１１）回折線の半（，１
５幅０．１８ｄｅｇ以上のＳｉＣ粉末と混合し、該混合
物を非酸化性雰囲気中で１８００〜２２００℃の温度に
熱処理することを構成上の特徴とするものである。
ＳｉＣウィスカーの製造技術には、Ｓ ｉ Ｃｆ、、Ｓ
ｉ ＨＣｊ！、、（ＣＨ３）４ Ｓ ｉのような分解
性けい素化合物をＣＨ４、Ｃ，Ｈ，、ＣＣＬなどの炭材
成分と気相反応させる方法、Ｓｉｎ、を含む固形状のけ
い素源原料とカーボン粉末を混合するか、例えば籾殻炭
のようにこれら成分を複合的に含有する物質を加熱反応
させる方法などがあるが、本発明の原料となるＳｉＣウ
ィスカーは特にこれら製造履歴に影響されることはなく
、いずれの方法によって製造されたものであっても差し
支えない 性状として直径０．３〜１．５μｍ１長さ１０〜１００
μｍのＳｉＣウィスカーを原料とする理由は、この範囲
のアスペクト性状を備えるＳｉＣウィスカーが昇華再結
晶による径大化の効果が最も顕五に現出するからである
。また、ＳｉＣウィスカーの結晶系は、β結晶型主体の
ものを選定する必要があり、この要件を外れると目的と
する径大化はできなくなる。β結晶型を主体にするとは
、ＳｉＣウィスカーの結晶形が全てβ型か、α／β混在
型であってもβ型が支配的な形態を指すが、ｌｆｉ層欠
陥密度が低いものほど少ない粒状物含有量で径大化が進
行する。好適なβ−５ｉＣウイスカーの結晶特性は、下
式によるα度が２０以下で、（１１１）回折線の半価幅
が０．１４ｄｅｇ以下である。
ｉ ＨＣｊ！、、（ＣＨ３）４ Ｓ ｉのような分解
性けい素化合物をＣＨ４、Ｃ，Ｈ，、ＣＣＬなどの炭材
成分と気相反応させる方法、Ｓｉｎ、を含む固形状のけ
い素源原料とカーボン粉末を混合するか、例えば籾殻炭
のようにこれら成分を複合的に含有する物質を加熱反応
させる方法などがあるが、本発明の原料となるＳｉＣウ
ィスカーは特にこれら製造履歴に影響されることはなく
、いずれの方法によって製造されたものであっても差し
支えない 性状として直径０．３〜１．５μｍ１長さ１０〜１００
μｍのＳｉＣウィスカーを原料とする理由は、この範囲
のアスペクト性状を備えるＳｉＣウィスカーが昇華再結
晶による径大化の効果が最も顕五に現出するからである
。また、ＳｉＣウィスカーの結晶系は、β結晶型主体の
ものを選定する必要があり、この要件を外れると目的と
する径大化はできなくなる。β結晶型を主体にするとは
、ＳｉＣウィスカーの結晶形が全てβ型か、α／β混在
型であってもβ型が支配的な形態を指すが、ｌｆｉ層欠
陥密度が低いものほど少ない粒状物含有量で径大化が進
行する。好適なβ−５ｉＣウイスカーの結晶特性は、下
式によるα度が２０以下で、（１１１）回折線の半価幅
が０．１４ｄｅｇ以下である。
α度＝（Ｈ＋ Ｘ ２／ Ｎ２ ） Ｘ １００但し、
ＨｌはＸ線回折でＣｕＫαをｋｆＡ源としたときの２０
約３３．６ｄｅｇに出る回折線強度、Ｈ，は同３５．６
ｄｅｇに出る回折線強度である。
ＨｌはＸ線回折でＣｕＫαをｋｆＡ源としたときの２０
約３３．６ｄｅｇに出る回折線強度、Ｈ，は同３５．６
ｄｅｇに出る回折線強度である。
上記性状のＳｉＣウィスカー原料に混合するＳｉＣ粉末
は、粒径ｌＩｊｍ以下の微粉末もしくは（１１１）回折
線の半価幅０．１８ｄｅｇ以上の欠陥密度が高い性状の
ものとする。この粒１）が１μｍを上廻り、また（１１
１）回折線半価幅が０．１８ｄｅｇ未浦になると昇華原
子に転化する比率が減少し、粒状物として残留する量が
増大する結果を招く。
は、粒径ｌＩｊｍ以下の微粉末もしくは（１１１）回折
線の半価幅０．１８ｄｅｇ以上の欠陥密度が高い性状の
ものとする。この粒１）が１μｍを上廻り、また（１１
１）回折線半価幅が０．１８ｄｅｇ未浦になると昇華原
子に転化する比率が減少し、粒状物として残留する量が
増大する結果を招く。
なお、ＳｉＣ粉末の結晶形はα型よりβ型の方が正常な
径大化を与えることができる。
径大化を与えることができる。
混合割合は、前記性状のＳｉＣ粉末に対してＳｉＣウィ
スカー原料が少なくとも３０重量％を占める比率になる
ように設定することが重要で、ＳｉＣウィスカーの混合
比率が３０重量％未満の場合には粒状物の残留量が大幅
に増大する。
スカー原料が少なくとも３０重量％を占める比率になる
ように設定することが重要で、ＳｉＣウィスカーの混合
比率が３０重量％未満の場合には粒状物の残留量が大幅
に増大する。
また、上記のＳＩＣ粉末に代えてＳｉＣウィスカー原料
よりも（１１１）回折線の大きい（積層欠陥密度大）Ｓ
ｉＣウィスカーを混合することもよく、この場合にも同
等の径太ＳｉＣウィスカーに転化させることができる。
よりも（１１１）回折線の大きい（積層欠陥密度大）Ｓ
ｉＣウィスカーを混合することもよく、この場合にも同
等の径太ＳｉＣウィスカーに転化させることができる。
ＳｉＣウィスカーとＳｉＣ粉末の混合物は、Ｎ２ガス、
Ａｒガスあるいは真空のような非酸化性雰囲気中で１８
００〜２２００°Ｃの温度域で熱処理する。熱処理の時
間は、０．２〜４時間で足りる。この際、処理温度が１
８００℃を下廻ると直径２μｍ以上に径大化するために
長時間が必要となって実用的でなくなり、また２２００
°Ｃを越えるとＳｉＣの気化が激しくなって重量減少を
促し、収率の低下を招く。
Ａｒガスあるいは真空のような非酸化性雰囲気中で１８
００〜２２００°Ｃの温度域で熱処理する。熱処理の時
間は、０．２〜４時間で足りる。この際、処理温度が１
８００℃を下廻ると直径２μｍ以上に径大化するために
長時間が必要となって実用的でなくなり、また２２００
°Ｃを越えるとＳｉＣの気化が激しくなって重量減少を
促し、収率の低下を招く。
本発明のプロセスでは、熱処理過程において積層欠陥密
度の低いβ型ＳｉＣウィスカー原料は種として機能し、
粒子径が小さく、欠陥密度が高いＳｉＣ粉末もしくはＳ
ｉＣウィスカーは昇華原子の供給源としての機能を果た
す。すなわち、ＳＩＣウィスカー中に混在するＳｉＣ粉
末等は、熱を受けて昇華再結晶を伴ないながら大粒化す
る。この段階で、積層欠陥等で挟まれた微細結晶子や小
粒径の粒子は他の箇所に比べて界面エネルギーが高く不
安定な状態となるため、容易に昇華する。
度の低いβ型ＳｉＣウィスカー原料は種として機能し、
粒子径が小さく、欠陥密度が高いＳｉＣ粉末もしくはＳ
ｉＣウィスカーは昇華原子の供給源としての機能を果た
す。すなわち、ＳＩＣウィスカー中に混在するＳｉＣ粉
末等は、熱を受けて昇華再結晶を伴ないながら大粒化す
る。この段階で、積層欠陥等で挟まれた微細結晶子や小
粒径の粒子は他の箇所に比べて界面エネルギーが高く不
安定な状態となるため、容易に昇華する。
昇華した原子は、種となる安定なβ−３ｉＣウイスカー
の表面に析出して円滑に径大化を進行させる。
の表面に析出して円滑に径大化を進行させる。
このような機構作用が連続してＳｉＣウィスカーの効率
的な径大化が実現するが、本発明の混合比率はかの要件
を満たすことにより粒状物残留量が低く重量）Ｂ失が少
ない条件での径大化が可能となる。
的な径大化が実現するが、本発明の混合比率はかの要件
を満たすことにより粒状物残留量が低く重量）Ｂ失が少
ない条件での径大化が可能となる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例１
直径１．０μｍ、長さ５０μｍのアスペクト性状を有し
、α度０．５、（１１１）回折線の半価幅が０．１３７
５ｄｅｇのβ結晶型を主体とするＳｉＣウィスカー原料
〔東海カーボン■製、“トーカウィスカーＳ−４００°
゛〕と、粒径１μｍ以下、（１１１）回折線半価幅０．
３１２５ｄｅｇのβ結晶型のＳｉＣ粉末を用い、ＳｉＣ
ウィスカー原料をＳｉＣ粉末に対し１０〜９０重景％（
内削）の範囲で設定された比率で混合した。
、α度０．５、（１１１）回折線の半価幅が０．１３７
５ｄｅｇのβ結晶型を主体とするＳｉＣウィスカー原料
〔東海カーボン■製、“トーカウィスカーＳ−４００°
゛〕と、粒径１μｍ以下、（１１１）回折線半価幅０．
３１２５ｄｅｇのβ結晶型のＳｉＣ粉末を用い、ＳｉＣ
ウィスカー原料をＳｉＣ粉末に対し１０〜９０重景％（
内削）の範囲で設定された比率で混合した。
混合は、ＳｉＣウィスカーとＳｉＣ粉末を水とともにジ
ューサーミキサーに入れ、２分間攪拌したのちｉ＋！過
し、１２０°Ｃの温度で乾燥する方法でおこなった。
ューサーミキサーに入れ、２分間攪拌したのちｉ＋！過
し、１２０°Ｃの温度で乾燥する方法でおこなった。
ついで、この混合物を黒鉛ルツボに詰め、Ｎ２ガス雰囲
気中で２０００°Ｃの温度で熱処理した。
気中で２０００°Ｃの温度で熱処理した。
各熱処理後の形状、粒状物の状況、重量減少などの結果
を対比して表１に示した。
を対比して表１に示した。
表 １
−のＳｉＣウィスカー原料を５０重量％の比率で混合し
た。混合方法は実施例１と同一とした。
た。混合方法は実施例１と同一とした。
表２
表１の結果から、ＳｉＣウィスカーの混合比率が３０重
量％以上の要件を満たす本発明の例では直径２μｍ以上
の径大ＳｉＣウィスカーが少ない粒状物含有量ならびに
重量減少下に得られることが認められる。これに対し、
ＳｉＣウィスカーの混合比率が１０重里％の比較例では
、粒状物が極めて多く残留し、重量ｉ７＆少率も多い。
量％以上の要件を満たす本発明の例では直径２μｍ以上
の径大ＳｉＣウィスカーが少ない粒状物含有量ならびに
重量減少下に得られることが認められる。これに対し、
ＳｉＣウィスカーの混合比率が１０重里％の比較例では
、粒状物が極めて多く残留し、重量ｉ７＆少率も多い。
実施例２
表２に示した性状を有する市販のＳｉＣ粉末（１）〜（
３）および直径０．５μｍ、長さ４０μｍ１α度７のβ
型ＳｉＣウィスカー（４）に、実施例１と同各混合物を
実施例１と同一条件で熱処理し、生成物の性状等を表３
に示した。
３）および直径０．５μｍ、長さ４０μｍ１α度７のβ
型ＳｉＣウィスカー（４）に、実施例１と同各混合物を
実施例１と同一条件で熱処理し、生成物の性状等を表３
に示した。
表３
は、重ｉｌ減少が若干高いが粒状物の少ない径太ＳｉＣ
ウィスカーが得られる。これに対し、（３）の例はＳｉ
Ｃ粉末の粒径および（１１１）回折線半価幅が本発明の
特定範囲を外れるため粒状物および重置減少率が増大し
ている。また、（４）はＳｉＣ粉末に代えて原料ＳｉＣ
ウィスカーよりも（１１１）回折線半価幅が大きなＳｉ
Ｃウィスカーを使用した本発明例であり、粒状物の残留
量は稍多（みられるものの重Ｆｒｔ減少が少ない状態で
径大化が可能になることを示している。
ウィスカーが得られる。これに対し、（３）の例はＳｉ
Ｃ粉末の粒径および（１１１）回折線半価幅が本発明の
特定範囲を外れるため粒状物および重置減少率が増大し
ている。また、（４）はＳｉＣ粉末に代えて原料ＳｉＣ
ウィスカーよりも（１１１）回折線半価幅が大きなＳｉ
Ｃウィスカーを使用した本発明例であり、粒状物の残留
量は稍多（みられるものの重Ｆｒｔ減少が少ない状態で
径大化が可能になることを示している。
（発明の効果〕
以上のとおり、本発明に従えば特定性状のＳｉＣ粉末ま
たはＳｉＣウィスカーを混在させた状態での簡易な熱処
理によって、直径が２μｍ以上の径大ＳｉＣウィスカー
を低位の粒状物含有量ならびに重ＩＮ少下に製造するこ
とができる。
たはＳｉＣウィスカーを混在させた状態での簡易な熱処
理によって、直径が２μｍ以上の径大ＳｉＣウィスカー
を低位の粒状物含有量ならびに重ＩＮ少下に製造するこ
とができる。
したがって、セランミクス強化用として好適であり、人
体に対する障害性のないＳｉＣウィスカーの供給が可能
となる。
体に対する障害性のないＳｉＣウィスカーの供給が可能
となる。
手続補正書（自発）
平成１年１２月１４日
■、事件の表示
平成１年特許願第２７８２１３号
２、発明の名称
ＳｉＣウィスカーの製造方法
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都港区北青山−丁目２番３号名称 東海
カーボン株式会社 取締役社長 伊 藤 國二部 ４、代理人 〒１７１ ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 （１）明細書第７頁、１２行目の「・・・２θ約３３．
６ｄＢに出る・・・」を「・・・２θ約３３．５ｄｅｇ
に出る・・・」に補正する。
カーボン株式会社 取締役社長 伊 藤 國二部 ４、代理人 〒１７１ ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 （１）明細書第７頁、１２行目の「・・・２θ約３３．
６ｄＢに出る・・・」を「・・・２θ約３３．５ｄｅｇ
に出る・・・」に補正する。
（２）明細書第８頁、１〜２行目の「なお、ＳｉＣ粉末
の・・・与えることができる。」を削除する。
の・・・与えることができる。」を削除する。
（３）明細書１２頁、１６行目、表３のＳｉＣ粉末の種
類（３）の重量減少ｒ７．３ Ｊをｒ２．８ Ｊに補正
する。
類（３）の重量減少ｒ７．３ Ｊをｒ２．８ Ｊに補正
する。
（４）明細書１３頁、３〜４行目の「および重量減少率
」を削除する。
」を削除する。
以
上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、直径０．３〜１．５μｍ、長さ１０〜１００μｍの
性状を有するβ結晶型主体のＳｉＣウィスカー原料を少
なくとも３０重量％の比率で粒径１μｍ以下もしくは（
１１１）回折線の半価幅０．１８ｄｅｇ以上のＳｉＣ粉
末と混合し、該混合物を非酸化性雰囲気中で１８００〜
２２００℃の温度に熱処理することを特徴とするＳｉＣ
ウィスカーの製造方法。 ２、ＳｉＣウイスカー原料が、α度２０以下、（１１１
）回折線の半価幅０．１４ｄｅｇ以下である請求項１記
載のＳｉＣウィスカーの製造方法。 ３、ＳｉＣ粉末に代えてＳｉＣウィスカー原料よりも（
１１１）回折線の半価幅が大きいＳｉＣウィスカーを混
合する請求項１記載のＳｉＣウィスカーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27821389A JPH03141200A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | ＳｉＣウイスカーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27821389A JPH03141200A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | ＳｉＣウイスカーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141200A true JPH03141200A (ja) | 1991-06-17 |
| JPH0517200B2 JPH0517200B2 (ja) | 1993-03-08 |
Family
ID=17594178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27821389A Granted JPH03141200A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | ＳｉＣウイスカーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141200A (ja) |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP27821389A patent/JPH03141200A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0517200B2 (ja) | 1993-03-08 |
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