JPH0314261A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH0314261A
JPH0314261A JP1151271A JP15127189A JPH0314261A JP H0314261 A JPH0314261 A JP H0314261A JP 1151271 A JP1151271 A JP 1151271A JP 15127189 A JP15127189 A JP 15127189A JP H0314261 A JPH0314261 A JP H0314261A
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JP
Japan
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resin
substrate
chip
metal cap
contact
Prior art date
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Pending
Application number
JP1151271A
Other languages
English (en)
Inventor
Masae Minamizawa
正栄 南澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH0314261A publication Critical patent/JPH0314261A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、ICチップを搭載し、[も・1脂封止された
[Cパソリーシにより+14成された1′ 導体装置に
関し、 耐湿性と放熱性とを合わせ持ったICのパンケージを提
供することを目的とし、 ピン8を設けた基板1と、 該基板lの面上であって、該リートピン8を設けた面上
ル:1、反対の面上に設i)たチップ2と、該チップ2
の表面に設りた保護Iり3と、該基板Iの該チップ2側
の面トてあって、該チップ2の周りに設りられた壁11
と、 第1の面か該保護膜3と接し、第2の面が該壁11と接
しているように設りられた第1の金属ギ中ノブ4と、 該第1の金属−1−トップ4に接し、該4%l)反1を
包めこむ第2の金属キャップ5とを有し、該金属=1−
千ップ4と壁11との間を樹脂4:・1止した第1の樹
脂封止領域と、該W1反2と該ダム41との間を樹脂封
止した第2の樹脂目止領域とをイするように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ICチップを搭載し、樹脂封止されたICパ
ッケージにより構成された半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
第2図は、従来のプラスチックピングリフlアレイ (
PCA)型パッケージの構成を示す断面図である。
図のように、ピン25か下向きに形成されたカラスエポ
キシ基板21上に、チップ22を搭載して樹脂24によ
って封止し、金属キャップ23を被せたものである。I
MI Ilr 2 /l L;l、予めチップ220)
周りに形成されたダi−2Eiの内側に流し込んで固め
て形成する。
ところが、第2図のような+74成のパンケージでは、
図示したように金属キャップ23と基板21との隙間へ
から外界の水分が浸入し、樹脂24を伝って千ノブ22
に到達し7、Icの篩1湿性を、7tj化させてしまう
。これは、樹脂用+1−領域か金属キャップ23内たL
Jで、チップ22と外界との距離か短いため、比較的容
易に千ノブ22まで水分が到達してし月;うたぬである
また、チップ22と金111;キャップ23との間にあ
るのは樹脂24なので、チップ22で発生した熱が金属
−1−中ノブ23まで伝導しにくく、放熱性が悪かった
そごで、耐湿性を向干させたパンケージとして、第N3
図に示されるようなパッケージがある。
これ心:1、第2図′ζホしたパッケージの周りを、さ
らにもう−1lrC4ろ・j脂27て覆って、金属−1
−ヤング28を被−1たものである。樹脂をニー屯にす
ることにより、樹脂封止領域が広くなって、水分の浸入
経路が第2図に示したパンケージに比べて長くなり、ま
た2重に封止され′ζいるので、耐湿性が向上する。
また、放熱性を向トさせたパッケージとしで、第4図に
示されるようなパッケージがある。
これは、ピン25か形成されている側の基板21の下側
に千ツブ22を形成し、基板21に埋めこまれた金属キ
ャップ29を介して放熱フィン30に熱を逃がすもので
ある。
このように、チップ22を基板21の下側に形成するの
ば、ヂンブ22の表面に直接金属ギャップ29が接触す
ると、チップ22が金属ギャップ29から直接機械的シ
ョック等を受け、チップ22の表面に形成された素子が
破損してしまうからである。
(発明が解決しようとする課題〕 ところか、第3図のような構成では、2重の樹脂の中に
チップ22か埋込まれた形になるので、第2し1に示し
たバノノノーシに比べ、放熱性が悪くス(っでしまう問
題かあ、、た。
また、第4図の、J、うな1114成では、チップ21
がピン25と同し基板21の下側に形成されているため
、ピン25か邪+rtになって、樹脂」′・1止領域を
第3図で示したパ、ノノ−−ジのように広く形成するこ
とか−(さl(かった。(jfg 、っ′(、耐湿性に
おいて第2図で示した4’f7i成のパッケージとほと
んど変わらないものとなってし、まう問題かあ、った。
この31、うに、第3し1のような構成のパンゲージに
して、耐湿性を向−にさ・lようとすると放熱性が悪く
なり、第4図のような構成のパッケージにし−(、放熱
性を向−にさ−lようとすると耐湿性が悪くなるといっ
た、お互い相いれない問題があった。
従って本発明は、耐湿性と放熱性とを合わせ持ったIC
のパッケージを提供することを目的とする。
〔詞!題を解決するための手段] (j 上記「1的を達成するために本発明シ;1、ピン8を設
it ;7.:、!吉1反1と、該基板1の面上であっ
て、該リートピン8を設りた面とは反対の面−l−に設
りたチップ2と、該チップ2の表面に設LJた保護11
り3と、該基板1の該チップ2側の面上であって、該千
ノブ2の周りに設けられた壁11と、 第1の面が該保護膜3と接し、第2の面か該壁11と接
しているように設りられた第1の金属−1−ヤソブ4と
、 該第1の金属キャップ4に接し、該基板1を包みこむ第
2の金属キャップ5とを有し、該金属キャップ4と壁1
1との間を樹脂封止した第1の樹脂封止領域と、該基板
2と該ダム1■との間を樹脂封止した第2の樹脂:l)
J正領域とを有ずろように半導体装置のパッケージを構
成する。
〔作用〕
本発明では第1図に示すように、放熱フィン9に接続さ
れた金属キャップ5を保護膜3を介して基板10)−1
−側のチップ2と接ずろようにし”(いるので、放熱性
を向にさ一口ることができる。金属キャップ5υ、l、
保;((膜3を介してチップ2と接しているので、千ノ
ブ2の表面の素子に加わる(;(械的ソElンクI31
和らげられ、素子が破損することはない また、’f−ツブ2が、ピン8か形成されたのとは反対
側の千ツブ2の−1−側に形成されているので、第3図
に示した+1へ成のパッケージと同様に、樹脂↑、j市
領域を広くとることができ、耐湿性を向」二さ−Uるこ
とかできろ。
従って、第1図のような構成のICパ、ケージは、放熱
性と耐湿性とが両方とも優れている。
(実施例〕 第1図(a)、(b)に、本発明の一実施例のICパッ
ケージの断面図を示す。(a)は、ICパッケージの断
面図を示し、()))は、ICパッケージの」二面図を
示す。
同に示したように本発明では、カラスエポキシ基板1の
下側にピン8を設DJ、その反対側の基板1の」−例に
チップ2を搭載する。千ツブ2の表面には、厚さ5μm
のポリイミドの保護膜3か形成され、ごの保護膜3に接
して企1i1キートンプ4がチップ2」二に設けられて
いる。
金属キャップ4の下面は、ワイヤ10かチップ2に接続
された領域以外で、なるべく広い■11積てチップ2と
接するようする。また、その−1−面は、チップ2の周
囲を囲むように基板1に接着されたガラスエポキシ製の
ダム11に接するようにずろ。
そして、ダム11と金属キャップ4との間に形成された
樹脂6て、第1の樹脂封止1iJ(域を形成する。
ダム11が金属キャップ4を支える形になるので、チッ
プ2の表面に過大な応力が加わることかなく、水分の浸
入も防くことができる。なお、ダム11の形状は、千ツ
ブ2の周囲を囲む環状の他に、支柱状にしてもよい。
さらに、この第1の樹脂封止領域の外側で、金属キャッ
プ4に接する金属キャップ5.ダJ、11及び基板1の
間に樹脂7を形成し、第2の樹脂]:・11F領域を形
成ずろ。
ごのように、2重の楯・1脂月十領域によって、外Wか
らの水分の浸入を防いでいる。
また、金属キャップ5の七には放熱フィンが設GJられ
、チップ2で発生した熱を2つの金属キャップを介して
伝導さ1!放熱し7ていイ)。チップ2と金属キャップ
4との間に&J:、 IIs!厚51tmのポリイミド
のイ呆護11%% 3かあるか、月當Qこン)すいもの
なので熱伝導にはほとんど影口し7ない。しかし、金属
キャップ4からの機械的ショックを和らげるのにば1−
分な厚さである。な、幻、圓示しなかったが、放熱フィ
ンにG、1送風手段等により風を送り、効率良く放熱フ
ィンの熱を逃がし2やる。
次に以」二のようなパッケージを形成する方法を説明す
る。
まず、ピン8を下側に形成した基板1の上側の面に、保
護膜3を形成したチップ2をダイ心]りする。そして、
このチップ2を囲むように、チップ2の周囲の基板2十
に、ガラスエ、1沁1−シによリタムとよばれる壁を形
成する。ダム]]とチンプ2との間は樹脂6で充1眞さ
れるのだが、樹脂6は、予めこの空間にはまる形に仮硬
化させたものを埋込む。
次に、樹脂6で挟まれるテンプ2上に金属キャップ4を
載置し、加熱して樹脂を本硬化させろ。
加熱により樹脂は、まんべんなく隙間に広がり、ダム1
1と金属キャップ4とチップ2と基板1とで形成されろ
空間を封止し、第1の樹脂1.・1止領域が形成される
この後、同様にして金属キャップ5とダム11と基板1
とで形成される領域に、仮硬化させた樹脂7を充填した
後、金属キャップ5をかふ・Uて加熱して樹脂7.を硬
化させ、第2の樹脂封止領域を形成する。なお、放熱フ
ィンは、金属キャップ5に予め付しjておく。
以上のように形成したパッケージは、樹脂封止領域が2
重になっているため、外界から水分が浸入しにくく、か
つチップが2つの金属キャップを介して放熱フィンに接
しているので放熱性が良い。
〔効果〕
以上説明した。1、うに本発明によれば、樹脂封止領域
を2重に形成しているので、耐湿性に優れ、かつチップ
で発生した熱を金属ギャップを介して逃がしてやるので
、放熱性がよく、耐湿性と放熱性の両方で優れた効果を
奏する。
従って、本発明は耐湿性と放熱性に優れたICを提供す
ることができ、ICの信頼性を向上させるのに寄与する
とごろが大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)は、本発明の一実施例のパンケー
ジの断面図及び」−面ばてあり、第2図〜第4図は、従
来のパッケージの断面図である。 1・・・基板     2・・・チップ3・・・保護膜
    4・・・金属キャップ5・・金属キャップ 6
・・・樹脂 7・・・樹脂     8・・ピン 9・・・放熱フィン  10・・・ワイヤ1 2 11・・・ダム

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ピン(8)を設けた基板(1)と、 該基板(1)の面上であって、該リードピン(8)を設
    けた面とは反対の面上に設けたチップ(2)と、 該チップ(2)の表面に設けた保護膜(3)と、該基板
    (1)の該チップ(2)側の面上であって、該チップ(
    2)の周りに設けられた壁(11)と、 第1の面が該保護膜(3)と接し、第2の面が該壁(1
    1)と接しているように設けられた第1の金属キャップ
    (4)と、 該第1の金属キャップ(4)に接し、該基板(1)を包
    みこむ第2の金属キャップ(5)とを有し、 該金属キャップ(4)と壁(11)との間を樹脂封止し
    た第1の樹脂封止領域と、該基板(2)と該ダム(11
    )との間を樹脂封止した第2の樹脂封止領域とを有する
    ことを特徴とする半導体装置。
JP1151271A 1989-06-13 1989-06-13 半導体装置 Pending JPH0314261A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0528291A3 (en) * 1991-08-08 1994-05-11 Sumitomo Electric Industries Semiconductor chip module and method for manufacturing the same
JPH06177288A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Nec Corp 半導体装置
US5455457A (en) * 1990-11-27 1995-10-03 Nec Corporation Package for semiconductor elements having thermal dissipation means

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5455457A (en) * 1990-11-27 1995-10-03 Nec Corporation Package for semiconductor elements having thermal dissipation means
EP0528291A3 (en) * 1991-08-08 1994-05-11 Sumitomo Electric Industries Semiconductor chip module and method for manufacturing the same
US5525835A (en) * 1991-08-08 1996-06-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor chip module having an electrically insulative thermally conductive thermal dissipator directly in contact with the semiconductor element
JPH06177288A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Nec Corp 半導体装置

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