JPH01273248A - 磁性層間の交換結合力が制御されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁性層間の交換結合力が制御されたオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を使用した後、消去することができ、新たな
情報を記録することができるというユニークな利点のた
めに、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　１
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＦ
ｅ、　ＴｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録層
は一般に同心円状又はらせん状のトラックを成しており
、このトラックの上に情報が記録される。ここで、本明
細書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又
は「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ）　Ｊの何れか一方を、
「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべ
き情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き
」の磁化を有するビフ）　（Ｂ＋）と、「逆Ａ向き」の
磁化を有するビット（Ｂ、）の２つの信号で記録される
。これらのビットＢｌ、Ｂｏは、デジタル信号の１．Ｏ
の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般
には記録されるトランクの磁化は、記録前に強力な外部
磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる
。この処理は初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）と呼ばれ
る。その上でトランクに「Ａ向き」の磁化を有するピッ
）　（Ｂｌ）を形成する。情報は、このビット（Ｂｌ）
の有無及び／又はビット長によって記録される。

−く１」」１成１す１１： ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録再生層に直径が１μｍ以下のビットを形成すること
により情報が記録される。光学的記録においては、理論
的に約１０”ビット／−までの記録密度を達成すること
ができる。何故ならば、レーザビームはその波長とほと
んど同じ位に小さい直径を有するスボ−／　）にまで凝
＠　（ｃｏｎｃｅｎ　ｔｒａ　ｔｅ）することが出来る
からである。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
ｉ！磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する
。そうすると局部的に加熱された部分の保磁力ＨＣ（ｃ
ｏｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小
さくなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈ
ｂ）の向きに並ぶ、こうして逆に磁化されたビットが形
成される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｃの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨＣを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
を存しており翫そこでは磁化（Ｍ）はゼロになる。逆に
この温度付近でＨｃが非常に大きくなり、その温度から
外れるとＨｃが急激に低下する。この低下したＨＣは、
比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負がされる。

つまり、記録が可能になる。この記録プロセスはＴ　ｅ
ａ。、書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない、要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｃを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｃを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ）を
印加すれば、記録は可能である。

再生夏振理： 第３図は、光磁気効果に基づ（情報再生の原理を示す、
光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（にｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆ４ｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一θに度傾けた面に垂直にセントしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射された
光はアナライザーを透過することができない、それに対
して「Ａ向き」に磁化されたピント（Ｂｌ）から反射さ
れた光は、（ｓｉｎ２θｋ）！を乗じた分がアナライザ
ーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）
は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）よりも明る
（見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させ
る。このディテクターからの電気信号は、記録された情
報に従って変調されるので、情報が再生されるのである
。

ところで、従来、キュリー点が低くて記録が容易で、し
かも保磁力が高くて保存安定性が高（、その上θｋが大
きくて再生（読み出し）時のＣ／Ｎ比が高い１つの磁性
材料を見い出すことは困難で、そのため必要な機能を分
離して２つの異なる磁性材料を積層した多層光磁気記録
媒体が提案された（特開昭５７−７８６５２号）、この
記録媒体は、垂直磁化可能な低キユリー点を有する高保
磁力層と垂直磁化可能な、高キュリー点を有する低保磁
力層との２層膜からなり、該高保磁力層と低保磁力層と
は互いに交換結合しているものである。そのため低キユ
リー点を有する高保磁力層で情報の記録と保存を行ない
、記録された情報は低保磁力層に転写されるので、高キ
ュリー点を有し、かつθにの大きな低保磁力層で情報の
読み出しを行なうのであその後、第１層を記録層、第２
層を記録補助層とし、両層の交換結合力σ。と、キュリ
ー点、保磁力の違いを利用した光変調だけによるオーバ
ーライト可能な多層光磁気記録媒体が発明され、特許出
願された（特開昭６２−１７５９４８号）、以下、この
出願を「先願」と引用する。尚、先願明細書では交換結
合力σ８を界面磁壁エネルギーと称している。

〔先願発明の説明〕

先願発明のオーバーライトは、光だけを変調し、記録磁
界は変調しない、磁界を高速度で変調させることは困難
である。つまり、記録に使用するレーザービームは、記
録すべき情報に従いパルス状に変調される。しかし、こ
のこと自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記
録すべき２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調
する手段は既知の手段である０例えば、ＴＨＥ　　ＢＥ
ＬＬＳＹＳＴＥＭ　　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　　ＪＯＵＲ
ＮＡＬ、Ｖｏｌ、６２（１９８３）。

１９２３−１９３６に詳しく記載されている。

先願発明のオーバーライトで特徴的なことの１つは、ビ
ーム強度の高レベルと低レベルである。

即ち、ビーム強度が高レベルの時に、記録磁界（Ｈｂ）
により記録補助層（第２層）の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ
向き」に反転（ｒｅｖ６ｒｓｅ）させ、この第２Ｎの「
逆Ａ向き」磁化によって記録層（第１層）に「逆Ａ向き
」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成す
る。ビーム強度が低レベルの時は、記録補助層の「Ａ向
き」磁化によって記録再生層に「Ａ向き」磁化〔又は「
逆Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成する。ビームは
「近接した２本のビーム」とし、先行ビームを低レベル
で点灯して原則として変調せず、それにより常に逆Ａ向
き〔又はＡ向き」〕のビピッを形成し、□つまり、これ
で前の情報が消去される一□次いで、後行ビームを高レ
ベルと前記低レベルと同等又はそれよりも低い基底レベ
ル（ゼロレベルを含む）との間で情報に従いパルス変調
することにより、高レベルのときにのみＡ向き〔又は逆
Ａ向き」〕のビピッを形成し、これにより記録すること
をしてもよい。

ビーム強度 情報信号の例　　　１１１００１１１１０００いずれに
せよ、必要な高レベルと低レベルと場合により基底レベ
ルが与えられれば、前述の文献等に記載された変調手段
を部分的に１ぎ正するだけで、ビーム強度を上記の如く
変調することは、当業者にとって容易である。

尚、ここでは、「Ａ向き」は、磁性層に対して上向き又
は下向きの何れか一方を意味し、他方は「逆Ａ向き」と
称される。

また、ここでは、　　　　　はΔΔΔ　という表現は、
先に〔〕の外の○○○を読んだときには、以下の　　　
　　はΔΔΔ〕のときにも、〔〕の外の○Ｏ○を読むこ
とにする。それに対して先に○○Ｏを読まずに〔〕内の
ΔΔΔの方を選択して読んだときには、以下のΩΩΩ」
又抜ＡＡＡ）のときにも０００を読まずに〔〕内のΔΔ
Δを読むものとする。

このようにオーバーライト可能な媒体は、垂直磁気異方
性を有する少なくとも２層の磁性層からなり、第１層が
記録層で第２層が記録補助層からなる。

媒体は、第１実施態様と第２実施態様とに大別される。

いずれの実施態様においても、記録媒体は、多層構造を
有し、この構造は次のように分けられる。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記録
再生層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保
磁力が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。いず
れも垂直磁化膜からなる。

なお、第１層と第２層ともに、それ自体多層膜から構成
されていてもよい。

第１実施態様では、第１層の保磁力をＨＣＩ、第２層の
それをＨｃｚ、第１層のキュリー点をＴ、い第２層のそ
れをＴｃ、、室温をＴｍ、低レベルのレーザービームを
照射した時の記録媒体の温度をＴＬ、高レベルのレーザ
ービームを照射した時のそれをＴＨ１第１層が受ける結
合磁界をＨ，い第２層が受ける結合磁界をＨｌｌとした
場合、記録媒体は、下記の式ｌを満足し、そして室温で
式２〜５を満足する。

Ｔ　＠＜　Ｔ　ｃ　ｔ　４　Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃ＊ｆｌ
ｄ　Ｔ　Ｎ　−−−−−−−−−−−−−−−−−一式
ＩＨｃ＋＞Ｈｃｚ”　ＩＨＣ＋￥Ｈｍ　ｔ　Ｉ　−−−
−−−−＝−＝−＝−式２ＨＣＩ＞Ｈ□　−・・・−・
−・−・−・−・−・−・−・−・−・−・・−・−−
−一−・−・−・・式３Ｈｃ＊＞Ｈ□−−−一−−・−
−−−−−−・−・・−・−・−・−・−・−−−−−
−−・−凹曲式４Ｈｃ＊＋　Ｈｃｚ＜　ＩＨｉｎｉ、　
ｌ　＜　Ｈ（１±Ｈ＠　ｌ’−”−’式５上記式中、符
号「郊」は、等しいか又はほぼ等しいことを表す、また
上記式中、複合士、；については、上段が後述するＡ　
（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であ
り、下段は後述するＰ（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒
体の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタイプに
属する。

つまり１．保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次
の如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそ
れを表す。

Ｔ　Ｌ　　　　　　　　Ｔ　Ｎ 従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Ｈｉｎｉ
、）を印加すると、式５によれば、第１層の磁化の向き
は反転せずに第２層の磁化のみが反転する。そこで、記
録前に媒体に初期補助磁界（Ｈｉｎｉ、）を印加すると
、第２層のみを「Ａ向き」□ここではｒＡ向き」を便宜
的に本明細書紙面において上向きの矢ｔで示し、「逆Ａ
向き」を下向きの矢↓で示す□に磁化させることができ
る。そして、Ｈｉｎｉ、がゼロになっても、式４により
、第２層の磁化膜は再反転せずにそのまま保持される。

初期補助磁界（Ｈｉｎｉ、）により第２層のみが、記録
直前まで「Ａ向き」電に磁化されている状態を概念的に
表すと、次のようになる。

ここで、第１層における磁化の向き０は、それまでに記
録されていた情報を表わす、以下の説明においては、向
きに関係がないので、以下Ｘで示す、そして、上記の表
を簡単のために、次のように表す、　。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴＨに上昇させる。すると、Ｔ、Ｉはキュリー
点Ｔｃ＋より高温度なので第１層の磁化は消失してしま
う、更にＴＨはキュリー点ＴＣ付近なので第２層の磁化
も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に応じて
「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ）を印加
する。記録磁界（Ｈｂ）は、媒体自身からの浮遊磁界で
もよい。

説明を簡単にするために「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ
）を印加したとする。媒体は移動しているので、照射さ
れた部分は、レーザービームから直ぐに遠ざかり、空気
で冷却される。Ｈｂの存在下で、媒体の温度が低下する
と、第２層の磁化は、Ｈｂに従い、反転されて「逆Ａ向
き」の磁化となる（状態２Ｍ）− そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴｃＩより少し
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合）力のために、第１層の磁化の向きは
、第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体
に応じて８　（Ｐタイプの媒体の場合）又は？　（Ａタ
イプの媒体の場合）が生じる。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。ＴＬはキュリー点ＴＣＩ付近なので
第１層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点Ｔｃｚよりは低温であるので第２層の磁化は消失し
ない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、不要であるが、高速度
（短時間）でＨｂをＯＮ、ＯＦＦすることは不可能であ
る。従って、止むを得ず高温サイクルのときのままにな
っている。

しかし、ＨＣｌはまだ大きいままなので、Ｈｂによって
第２層の磁化が反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、空気で冷却される。冷却が進むと、再び第１
層の磁化が現れる。

現れる磁化の向きは、磁気的結合力のために第２層の磁
化の向きの影響を受ける。その結果、媒体によって？　
（Ｐタイプの場合）又は８　（Ａタイプの場合）の磁化
が出現する。この磁化は室温でも変わらない。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうであ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化？又は８を有するビットが形成される。つ
まり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サイ
クル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に
変調することによりオ、−パーライトが可能となる。

ヱｌコ１１■１λ敬金 なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒
体は回転される。そのため、記録された部分（ビット）
は、１回転する間に再びＨｉｎｉ、の作用を受け、その
結果、第２Ｎの磁化は元の「Ａ向き」電に揃えられる。

しかし、室温では、第２層の磁化の影響が第１層に及ぶ
ことはなく、そのため記録された情報は保持される。

そこで、第１層に直線偏光を照射すれば、その反射光に
は情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同
様に情報が再生される。

このような第１層及び第２Ｎを構成する垂直磁化膜は、
■補償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性体及
びフェリ磁性体、並びに■補償温度、キュリー点の双方
を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる群
から選択される。

以上の説明は、キュリー点を利用した第１実施態様の説
明である。それに対して第２実施態様は室温より高い所
定の温度に於いて低下したＨｃをを利用するものである
。第２実施態様は、第１実施態様に於けるＴ’ｃｔの代
わりに第１層が第２Ｊｉに磁気結合される温度Ｔ’ｓ＋
を使用し、ＴＣｌの代わりに第２層がＨｂで反転する温
度Ｔ３２を使用すれば、第１実施態様と同様に説明され
る。

第２実施！ａ様では、第１層の保磁力をＨＣＩ、第２層
のそれをＨｃｘ、第１層が第２Ｊ１に磁気的に結合され
る温度をＴ１．とし、第２層の磁化がＨｂで反転する温
度をＴ、２、室温をＴＩ、低レベルのレーザービームを
照射した時の媒体の温度をＴＬ、高レベルのレーザービ
ームを照射した時のそれをＴ、Ｉ、第曹層が受ける結合
磁界をＨ１ｌ＋、第２Ｎが受ける結合磁界を）Ｉｏｔと
した場合、記録媒体は、下記式６を満足し、かつ室温で
式７〜１０を満足するものである。

Ｔ　＊　＜　Ｔ　ｓ　＋　ｚＴ　Ｌ　＜　Ｔ　＊　ｔ　
郊Ｔ　、　−−−−−−−、、、、−、、−式６Ｈｃ＋
　＞　Ｈｃｇ　＋　ｌ　ＨＤＩ　＋　ＨＣ！ｌ　−−−
−−−−−−−−−−・−式７Ｈｃ＋　＞　Ｈｏ＋　　
−・−・−・・・−・−・−・−・−・−・−・−・−
−−−−−・・−・・・・・・−・・・−式８ＨＣ１＞
　ＨＤ　Ｚ−−−’−−””−−−”−−’−”−−”
””−−−−−一式９Ｈｃｚ＋　ＨＤ！＜　１ｌｌｉｎ
＋、　１＜　Ｈ，、±Ｈ、、−−−−−一式１０上記式
中、複合上、苓については、上段が後述するＡ　（ａｎ
ｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下
段は後述するＰ　（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の
場合である。

第１、第２実施態様ともに、第１層、第２層の双方が遷
移金属（例えばＦｅ、　Ｃｏ）−重希土類金属（例えば
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙその他）合金組成から選択された非晶
質フェリ磁性体である記録媒体が好ましい。

第１層と第２１！Ｉの双方とも、遷移金属（ｔｒａｎｓ
ｉｔｉｏｎ　　ｍｅｔａｌ）−重希土類金属（ｈｅａｖ
ｙｒａｒｅ　　ｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ）合金組成か
ら選択された場合には、各合金としての外部に現れる磁
化の向き及び大きさは、合金内部の遷移金属原子（以下
、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の向き及び大きさ
と重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す）のスピンの向
き及び大きさとの関係で決まる０例えばＴＭのスピンの
向き及び大きさを点線のベクトル↑で表わし、ＲＥのス
ピンのそれを実線のベクトル↑で表し、合金全体の磁化
の向き及び大きさを二重実線のベクトル？で表す、この
とき、ベクトル官はベクトル↑とベクトル↑との和とし
て表わされる。ただし、合金の中では７ＭスピンとＲＥ
スピンとの相互作用のためにベクトル↑とベクトル↑と
は、向きが必ず逆になっている。従って、己と↑との和
或いは↓と↑との和は、両者の強度が等しいとき、合金
のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れる磁化の大きさ
はゼロ）になる、このゼロになるときの合金組成は補償
組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ　）と呼ばれる。それ以外の組成のときには、合金は
両スピンの強度差に等しい強度を有し、いずれか大きい
方のベクトルの向きに等しい向きを有するベクトル（？
又は８）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる０例えば↑↓は？と
なり、↑↓は８となる。

ある合金組成の７ＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○Ｏリッチ例えばＲ
Ｅリッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、ＴＭクリンチ組成とＲ
Ｅリッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第
１層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、媒体全
体としては、種類を次の４象限に分類することができる
。先に述べたＰタイプはＩ象限と■象限に属するもので
あり、Ａタイプは■象限と■象限に属するものである。

ＲＥリッチ（第１層） ＴＭクリンチ第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す、〕一方、
温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリー点（
保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無限大に
増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成がある
。この無限大のときに相当する温度は補償温度（Ｔｃ０
＊ｐ、　）と呼ばれる。

補償温度は、ＴＭクリンチ合金組成においては、室温か
らキュリー点の間には存在しない、室温より下にある補
償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、こ
の明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存在
するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
“媒体は４つのタイプに分類される。第１象限の媒体は
、４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについて
、「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書（と、次
の通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太線
は第２Ｎのそれである。

タコニ乙り 保磁力 保磁力 ｍ乙１ 保磁力 保磁力 ここで、第１層と第２層の両方についてＲＥリンチかＴ
Ｍリッチかで分け、かつ補償温度を持つか持たないかで
分けると、記録媒体は次の９クラスに分類される。

第１表 第１表（ｙＥき） ここで第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ・
夏象限・タイプ１）に属する特定の媒体隘１を例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体Ｎａｌは、次式１１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。なお、細線は第１Ｎのグラフを示し、太線は第２
層のグラフを示す。

１’　ｃｏａｗ＋　１’１’　Ｃ０ＩＩＩ１．を室温Ｔ
いで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式１２
である。この媒体陽１は式１２を満足する。

式１２： ％式％ ＨＣｍ：第２層の保磁力 Ｍ、、：第１層の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　ｓ＋ａｇｎｅｔｉｚａｔｉ
ｏｎ）ＭＳｔ：第２層の飽和磁気モーメント ｔＩ　：第１層の膜厚 Ｃ２：第２層の膜厚 σユ　；界面磁壁エネルギー（交換結合力）（ｉｎｔｅ
ｒｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）このとき、
Ｈｉｎｉ、の条件式は、式１５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２Ｎの磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。

それでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件
は、式１３〜１４で示される。この媒体Ｎｌｌは式１３
〜１４を満足する。

σ１ ２Ｍ５＋ｔ＋ σ− 式１４：　　Ｈｃｚ　＞□ ２ＭＳＭＳｔ 式１５： ％式％ 室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式１５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑↓）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１
）。

この状Ｌｉｌは記録直前まで保持される。ここでは記録
磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
Ｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２Ｈ）
。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴＣ６＠ｅ、ｔより少し高い温度に
なったとき、ＲＥＳＴＭの各スピンの方向は変わらない
が、強度の大小関係が逆転する（↑９−↑↓）、そのた
め、第２層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」集の磁化にな
る（状ｎ：１１＋）−しかし、この温度ではＨｃ！がま
だ大きいので、↑Ｈｂによって第２層の磁化が反転され
ることはない、さらに温度が上昇し、Ｔ、になると、第
２層の温度はほぼキュリー点Ｔｃ！となり、その磁化も
消失する（状態４Ｍ）。

この状態４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣＩより少し下がると、第２Ｎに磁化が
生じる。この場合、↑Ｈｂによって？（↓↑）の磁化が
生じる（状ａ５ｇ）、Ｌかし、温度はまだＴｃｌより高
いので第１層には磁化は現れない。

そして、媒体の温度が更に下がり、Ｔｃａａｐ１ｇ以下
になると、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが
、強度の大小関係が逆転する（ｄ−↓↑）。

その結果、合金全体の磁化は反転し、ｔから「逆Ａ向き
」８になる（状態６、）。

この状ａ６．Ｉでは媒体の温度はＴＣＩより高いので第
１層の磁化はまだ消失したままである。また、その温度
でのＨｏは大きいので第２Ｍの磁化８は、↑Ｈｂで反転
することはない。

そして、更に温度が低下してＴ’ｃｔより少し下がると
、第１層に磁化が出現する。そのとき第２Ｎからの交換
結合力がＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑
）を揃えるように働く、そして、第１層の温度はＴ　ｅ
　６１ｊ　＊Ｈ＋以上なので７Ｍスピンの方が大きく、
そのため第１層には−っまり↑の磁化が出現する。この
状態が状Ｌｉ７ＩＩである。

媒体の温度がこの状態７．Ｉのときの温度から更に低下
して、Ｔ　Ｃ６１１Ｄ　Ｈ＋以下になると、第１層のＲ
Ｅスピンと７Ｍスピンの強度の大小関係の逆転が起こる
（　↓↑→↓↑　）、その結果、８の磁化が出現する（
状態８Ｍ）。

そして、やがて媒体の温度は状態８．のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状
Ｌｉ　８　Ｈが保持される。こうして、「逆Ａ向き」の
ビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は第１ｒＭのキュ
リー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する（
状態２Ｌ）。

この状ＪＧ　２　Ｌに於いてレーザービームのスボッＤ
Ｉ域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２ＮのＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（↑）　、Ｔ
Ｍスピン同士（↓）を゛揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち８の磁化が記録磁界↑
Ｈｂに打ち勝って出現する（状態３Ｌ）、この状態の温
度はＴ、。、ｌ、１以上なので７Ｍスピンの方が大きい
。

媒体温度が更にＴ　ｃｏ。１以下に冷えると高温サイク
ルと同様に第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小関
係が逆転する（　↑↓−↑ヤ　）。その結果、第１層の
磁化は市となる（状態４Ｌ）。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」電のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ２）に属する特定の媒体隠２を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体隘２は、次式１６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

ＴＬ　ＴＣ，、、、Ｔに 室温Ｔえで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層の磁化のみが反転する条件は、
式１７である。この媒体１ｈ２は式１７を満足する。　
式１７： ％式％ ただし、）ＩＣＩ：第１層の保磁力 Ｈｃｔ：第２層の保磁力 Ｍ□、：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳｔ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式２０で示される。

Ｈｉｎｔ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式１８
〜１９で示される。この媒体阻２は式１８〜１９を満足
する。

式１８：　　　　Ｈｃ＋＞□ ２Ｍｉ＋Ｌ＋ σ− 式１９：　　　　Ｈｃｔ　＞ ２ＭＳ□ｔ！ 式２０： ％式％ 室温で式１７〜１９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２０の条件を満足する旧
ｎ１．により例えば「Ａ向き」？（↑↓）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１）
。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
ｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２Ｍ）
。

さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が第２層のＴ　（ｏ　＠　Ｐ　（１！より少し
高い温度になったとき、ＲＥ％ＴＭの各スピンの方向は
変わらないが、強度の大小関係が逆転する（↑↓−↑↓
）、そのため、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き１
番の磁化になる（状１１ｉ３．　）　。

しかし、この温度ではＨｃｌがまだ大きいので、↑Ｈｂ
によって第２層の磁化が反転されることはない、さらに
温度が上昇し、Ｔ、になると、第２層の温度はほぼキュ
リー点Ｔ’ｃｇとなり、その磁化は消失する（状態４Ｎ
）。

この状Ｂ４Ｈにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴＣＩより少し下がる・と、第２層に磁化
が生じる。この場合、↑Ｈｂによって？（↓↑）の磁化
が生じる。しかし、温度はまだＴｃ１より高いので第１
層には磁化は現れない、この状態が状態５１１である。

そして、媒体の温度が更に下がり、”　ｅ　Ｏ＠　Ｐ　
ＨＺ以下になると、ＲＥＳＴＭの各スピンの方向は変わ
らないが、強度の大小関係が逆転する（ｄ−↓ｆ）。

その結果、合金全体の磁化は反転して古から「逆Ａ向き
」８になる（状Ｌｉ６Ｈ）− この状ｃ４６Ｈでは媒体の温度はＴ’ｃ＋より高いので
第１層の磁化はまだ消失したままである。また、その温
度でのＨＣｌは大きいので第２層の磁化が↑Ｈｂで反転
することはない。

そして、更に温度が低下してＴＣＩより少し下がると、
第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交換結
合力がＲＥスピン同士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑）
を揃えるように働（、そのため第１層には↓↑つまり８
の磁化が出現する。この状態が状態７Ｈである。

そして、やがて媒体の温度は状［７，のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＭＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は↑Ｈｂによって反転されることなく、状
Ｌｉ　７　Ｍが保持される。こうして、「逆Ａ向き」の
ビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
Ｔ、Ｌに上昇させる。そうすると、Ｔ、は第１Ｉのキュ
リー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する（
状態２Ｌ）。

この状態２．に於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃ＋より少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。つまり、ＲＥスピン同士（Ｔ）　、Ｔ
Ｍスピン同士（己）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち電の磁化が出現する（
状態３Ｌ）。

この状Ｌｉ　３　ｔは媒体温度が更に低下しても変化が
ない。その結果、第１Ｎには、「Ａ向き」のビットが形
成される。

次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体ｌｌ＆１３を例に
とり、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体嵐３は、次式２１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

ＴＣＯｌｌ、、、Ｔ、　　　　　　　Ｔ。

室温Ｔえで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２２
である。この媒体隘３は式２２を満足する。

式２２： ％式％ ただし、Ｈｃｌ：第１層の保磁力 Ｈｃｚ：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳ、：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 ｔｔ　：第２層の膜厚 σ０　：界面磁壁エネルギー このとききＨｉｎｉ、の条件式は、式２５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２３
〜２４で示される。この媒体隘３は式２３〜２４を満足
する。

σ− ２Ｍ、、　ｔ　。

σ− 式２４：　　　）（ｅ！＞□ ２　ＭＳｚ　ｔ　ｚ 式２５： ％式％ 室温で式２２〜２４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式２５の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑↓）に揃えられ
る。このとき、第璽層は記録状態のままで残る（状１１
）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔ’
ｃｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２．
Ｉ）。

さらにビームの照射が続き、媒体の温度がＴ、となると
、Ｔ工は第２層のＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化も
消失する（状態３Ｍ）。

この状ａ３．においてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃｔより少し下がると、第２層に磁化が
生じる。この場合、↓Ｈｂによって８（↓↑）の磁化が
生じる。しかし、温度はまだＴｃ１より高いので第１層
には磁化は現れない、この状態が状！ＩＭ４Ｍである。

更に、媒体温度が低下してＴＣＩより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交
換結合力により第１層に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同
士（↓）　、ＴＭスピン同士（↑）を揃える力が働く、
この場合、媒体温度はまだＴ　ｅａ□、１以上にあるの
で、ＴＭスピンの方がＲＥスピンより大きくなる（１丁
）。その結果、第２層には電の磁化が出現する（状Ｍ５
Ｎ）。

この状Ｌ３ｉ５＋＋の温度から、媒体温度が更に低下し
てＴｃ１１１１．１以下になると、第１層のＴＭスピン
とＲＥスピンの強度の大小関係が逆転する（、？−↓↑
）、そのため、第１層の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８
の磁化になる（状態６Ｎ）。

そして、やがて媒体の温度は状Ｌｉ６．Ｉのときの温度
から室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きい
ので第１Ｎの磁化は、安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨｃｌは大きいので、
その磁化は↓Ｈｂによって反転されることはない（状態
２Ｌ）。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット’ｆｉ
ｌ域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、つまりＲＥスピン同士（↑）、ＴＭス
ピン同士（＄）を揃える力が動り。

その結果、第１層には、↑↓即ち３の磁化が出現する。

この場合、温度はＴ　ＣＯｍｐ＋　１以上なので７Ｍス
ピンの方が大きくなる（状態３．）。

媒体温度が更にＴＣ６ａＤ、＋以下に冷えると高温サイ
クルと同様に第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小
関係が逆転する（　↑↓−↑、）、その結果、第１層の
磁化は↓Ｈｂに打ち勝って電となる（状Ｇ４Ｌ）。

この状Ｌｉ　４　ｔは媒体温度が室温まで下がっても保
持される。その結果、「Ａ向き」官のビット形成が完了
する。

次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・Ｉ
象限・タイプ４）に属する特定の媒体ｌｌ＆１４を例に
とり、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体磁４は、次式２６； ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　Ｌ　　　　　　Ｔ　Ｍ 室温Ｔｙｒで第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎ＋。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２７
である。この媒体阻４は式２７を満足する。

式２７： ％式％ ただし、Ｈ６１：第１層の保磁力 Ｈｃｚ：第２層の保磁力 Ｍｚ、：第１層の飽和磁気モーメント ＭＢ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σ０　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎ＋、の条件式は、式３ｏで示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式２８
〜２９で示される。この媒体陶４は式２８〜２９を満足
する。

式２８：　　　Ｈｃ＋＞□ ２　ＭＳ、　ｔ　。

式２９：　　　Ｈｃｚ＞□ ２Ｍ１ｚｔ寡 式３０： ％式％ 室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３０の条件を満足するＨ
ｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑、）に揃えられ
る。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状態１
）。

この状Ｂ１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを！射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
１にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状ｇ２ｗ）
。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、にな
ると、第２層の温度Ｔ、Ｉはキュリー点ＴＣｔにほぼ等
しいので、その磁化も消失する。これが状態３Ｈである
。

この状ａ３ｇにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃ！より少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↓↑）の磁化
が出現する。しかし、温度はＴ、１より高いので第１層
には磁化が現れない、この状態が状態４Ｍである。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴｃＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑
）を揃えるように働く、そのため第１層には↓↑つまり
８の磁化が出現する。この状態が状態５．Ｉである。

そして、やがて媒体の温度は状ＪＬｉ　５　Ｍのときの
温度から室温まで低下する。室温での）Ｉｃ＋は十分に
大きいので第１Ｎの磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点Ｔｃ１を越えているので、その磁化は消失する。こ
の状態では、Ｈ０２はまだ十分に大きいので、第２層の
磁化？は↓Ｈｂで反転することはない。この状態が状態
２Ｌである。

この状！１Ｉ３ｉ２Ｌにおいてレーザービームのスポッ
ト領域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ。

ＴＭスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、つまり交換結合力はＲＥスピン同士（
↑）　、ＴＭスピン同士（↓）を揃えるように働く、そ
の結果、第１１ｉには、を即ち嘗の磁化が↓Ｈｂに打ち
勝って出現する。この状態が状Ｂ３Ｌである。

この状Ｂ３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」宮のビット形成が完了する。

次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ３）に属する特定の媒体隘５を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体隘５は次式３１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　（ＩＩＩＩＰ、Ｉ　Ｔ　Ｌ　　　　　　　Ｔ　Ｈ室
ｉＴっで第１層の磁化が初期補助磁界Ｈｉｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３２
である。この媒体−５は式３２を満足する。

式３２： ただし、）（Ｃ１：第１層の保磁力 Ｈｃ！：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍｏ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 、ｔ２　；第２層の膜厚 σ０　：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式３５で示される。

Ｈ４ｎ１．が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式３３
〜３４で示される。この媒体隘５は式３３〜３４を満足
する。

σ− ２Ｍ、、　ｔ　。

σＷ 式３４：　　Ｈｃｚ＞□ ＭＳｚｔｚ 式３５： ％式％ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに弐３５の条件を満足する旧
ｎ４．により例えば［Ａ向きＪ？（↓７）に揃えられる
。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状Ｌｉ１
）。

この状Ｌｉ１は記録直前まで保持される。ここでは、記
録磁界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点Ｔｃ
ｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状態２Ｎ）
。

さらにビームの照射が続くと、媒体の温度がＴＨとなる
と、ＴＭはＴｃｌにほぼ等しいので、第２層の磁化も消
失する（状態３Ｍ）。

この状Ｌ１３いにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体の温度がＴｃｌより少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓）Ｉｂのために↓（↑′、）の
磁化が出現する。しかし、温度はＴｃｌより高いので第
１Ｎには磁化が現れない、この状態が状態４Ｎである。

更に、媒体温度が低下してＴｅｌより少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化が交
換結合力により層重に及ぶ。その結果、ＲＥスピン同士
（↑）、ＴＭスピン同士（：、）を揃える力が働く、こ
の場合、媒体温度はまだＴ。。１．４以上にあるので、
７Ｍスピンの方がＲＥスピンより太き（なる（↑′、）
、その結果、第２層には８の磁化が出現する（状態５□
）。

この状Ｌｉ５ＩＩの温度から、媒体温度が更に低下して
Ｔ　ＣＯ＠　ｔ　Ｈ１以下になると、第１層の７Ｍスピ
ンとＲＥスピンの強度の大小関係が逆転する（↑↓−↑
↓）、そのため、第１層の磁化が反転し、「Ａ向き」電
の磁化になる（状態６エ）。

そして、やがて媒体の温度は状態６エのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨｃｌは十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨｃｔは大きいので、
第２層の磁化は↓Ｈｂによって反転されることはない（
状Ｌｉ２Ｌ）。

この状Ｂ２Ｌでビームの照射が終了すると、媒体温度は
降下し始める。媒体温度がＴｃｔより少し下がると、第
２層のＲＥ、７Ｍスピン（ｄ）の影響が交換結合力によ
り第１層の各スピンに及ぶ。

−）マＪｌ）ＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（
↑）を揃える力が働く、その結果、第１層には、↓゛即
ち電の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。

この場合、温度はＴｅ　Ｏ＠　７１　＊　７以上なので
７Ｍスピンの方が大きくなる（状態３Ｌ）。

媒体温度が更にＴｅ０１１ＤＨ１以下に冷えると高温サ
イクルト同様に第１ＮのＲＥスピンとＴＭスピンとの大
小関係が逆転する（　、↑−↓−）。その結果、第１層
の磁化はａとなる（状Ｌｉ４Ｌ）。

この状Ｂ４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８０ビツト形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体光６を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体光６は、次式３６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ露　　　　　ＴＣＩＴＣｔ Ｔ　Ｌ　　　　　Ｔ　Ｎ 室温”ｒｔで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎＬにより
反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３７である
。この媒体磁６は式３７を満足する。

式３７： ただし、Ｈｃ＋：第１層の保磁力 Ｈｃｔ：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳｔ：第２層の飽和磁気モーメント ｔｌ　：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σＷ、：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、弐４０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、弐３８
〜３９で示される。この媒体隘６は式３８〜３９を満足
する。

式３８：　　　Ｈｃ＋＞□ ２ＭＳ＋ｔ＋ σ８ 式３９：　　　Ｈｃｚ　＞□ ＭＳｔｔｔ 弐４０： ２ＭＳｚｔｇ　　　　　　　　　　　　　　　２Ｍ！＋
ｔ＋室温で式３７〜３９の条件を満足する記録媒体の第
２層の磁化は、記録の直前までに式４０の条件を満足す
るＨｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（ｔ）に揃えら
れる。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状Ｂ
１）。

この状Ｂ１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　’）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、Ｔ、は第１層のキュリー点Ｔｃ
１にほぼ等しいので、その磁化は消失する（状＆２Ｈ）
− ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、にな
ると、第２層の温度Ｔ＋＋はＴｃｇにほぼ等しいので、
その磁化も消失する。これが状態３Ｎである。

この状Ｌｉ５Ｈにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴ’ｃｔより少し下がると、第２層の磁化
が出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑二）の磁
化が出現する。しかし、温度はＴＣＩより高いので第１
層には磁化が現れない、この状態が状態４Ｎである。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴＣＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層からの交
換結合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭスピン同士（↓
）を揃えるように働く、そのため第１層には↑↓つまり
電の磁化が↓Ｗｂに打ち勝って出現する。この状態が状
８５．である。

そして、やがて媒体の温度は状ａ５．のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＭＣＩは十分に大きいので
第１Ｍの磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」電のビット形成が完了する。

□低温サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、Ｔ、は第１層のキュリ
ー点Ｔｅｌにほぼ等しいので、その磁化は消失する。こ
の状態では、Ｉ（ｃｚはまだ十分に大きいので、第２層
の磁化官は↓Ｈｂで反転することはない、この状態が状
態２Ｌである。

この状ｌＬｉ２Ｌにおいてレーザービームのスポット領
域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（。二）の影響が交攬結合力により第１層の
各スピンに及ぶ。交換結合力はＲＥスピン同士（↓）、
ＴＭスピン同士（↑）を揃えるように働く、その結果、
ｔｉｌｌには、↓↑即ち器の磁化が出現する。この状態
が状ＪＬｉ　３　Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のビット形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体隘７を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体１ｌｋＬ７は、次式４１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　ｔ　　　　　Ｔ　ｎ 室温ＴＩＩで第１Ｎの磁化が初期補助磁界器ｎｉ。

により反転せずに第２Ｎのみが反転する条件は、式４２
である。この媒体魚７ば式４２を満足する。

式４２： ％式％ ただし、Ｈｃ＋：第１層の保磁力 Ｈｃｚ：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント Ｍ３！：第２層の飽和磁気モーメント 【ｌ　：第１層の膜厚 ｔ２　：第２層の膜厚 σ８　：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式４５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。それでも第
２層の磁化が再度反転せずに保持される条件は、弐４３
〜４４で示される。この媒体隘７は式４３〜４４を満足
する。

σ− 式４３：　　Ｈｃ＋＞□ ２　ＭＳ＋　ｔ　＋ 式４４：　　　Ｈｃｘ　＞−□ ２Ｍ、、ｔ。

式４５： ％式％ 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４５の条件を満足するＩ
ｔ　ｉ　ｎ　ｉ　、により例えば「Ａ向き」？（！？）
に揃えられる。このとき、第１層は記録状態のままで残
る（状態１）。

この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第１層のキュリー点ＴＣ
Ｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状Ｂ２　Ｋ
）。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴ、にな
ると、第２層の温度Ｔ８はキュリー点Ｔ’ｃｚにほぼ等
しいので、その磁化も消失する。これが状Ｆｌｉｉ３□
である。

この状態３Ｍにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｅｌより少し下がると、第２Ｎの磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↑↓）の磁化
が出現する。しかし、温度はまだＴｅｌより高いので第
１層には磁化が現れない、この状態が状Ｂ４Ｎである。

そして、媒体温度が更に下がり、ＴｃＩより少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２１１（↑′
、）からの交換結合力がＲＥスピン同士（↑）、ＴＭス
ピン同士（↓）を揃えるように働く、そのため第１層に
は↑↓つまり８の磁化が出現する。この状態が状Ｌｉ　
５　ｍである。

そして、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「逆Ａ向き」８のビット形成が完了す□低温
サイクル□ 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣ１にほぼ等しいので、その磁化は消失する。こ
の状態では、Ｈｃｔはまだ十分に大きいので、第２Ｎの
磁化古は↓Ｈｂで反転することはない、この状態が状Ｂ
２ｔである。

この状Ｌｉ２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域
から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃ１より少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↓↑）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、交換結合力はＲＥスピン同士（↓）、
ＴＭスピン同士（↑）を揃えるように働く、その結果、
第１層には１．↑即ちｔの磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出
現する。この状態が状態３Ｌである。

この状ＪＬｉ　３　Ｌは媒体温度が室温まで下がっても
保持される。その結果、「Ａ向き」電のビット形成が完
了する。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する特定の媒体隘８を例にとり、
オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体−８は、次式４６： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

Ｔ　Ｌ　　Ｔ　ｃｓｍｅ、　ｔ　Ｔ　１４室温Ｔｌｌで
第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４７
である。この媒体磁８は室温で式４７を満足する０式４
７： ただし、Ｈｃ＋　：第曹層の保磁力 Ｈｃｔ：第２層の保磁力 Ｍ８．：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳ！：第２ＦＪの飽和磁気モーメントｔ１　：第１層
の膜厚 ｔｔ　：第２層の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、Ｈｉｎｉ、の条件式は、式５０で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２層の磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。

それでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件
は、式４８〜４９で示される。この媒体阻８は式４８〜
４９を満足する。

σ− ２Ｍ、、　ｔ　。

σ８ 式４９：　　　ＨＣｌ＞　− ２Ｍ１１ｔｚ 式５０： ％式％ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５０の条件を満足する１
ｌｉｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑、）に揃えら
れる。このとき、第１層は記録状態のままで残る（状Ｂ
ｌ）。

この状６１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Ｈｂ　）は↑の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、Ｔ、は第１１１ｇのキュリー点
ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状ａ２
Ｎ）− さらにビームの照射が続き、媒体温度がＴｃｏ＊ｐ、ｚ
より少したかくなると、ＲＥスピン（↑）及びＴＭスピ
ン（Ｊ）の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転、
する（↑↓　−↑↓）。その結果、第２層の磁化は反転
して「逆Ａ向き」８となる。この状態が状態３゜である
。

しかし、この温度ではＨｃ−’まだ大きいので、第２層
の磁化ａは↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、そのため媒体温度が更に上昇
してＴＨになったとする。すると、Ｔ８はＴＣｌにほぼ
等しいので、第２層の磁化も消失する（状Ｂ４Ｎ）。

この状ａ、ｔ、＋においてレーザービームのスポット領
域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴＣｌより少し下がると、第２Ｎに磁化が生
じる。この場合、↑Ｈｂにより？（，７）の磁化が出現
する。しかし、温度はまだＴｅｌより高いので、第１層
には磁化が現れない。この状態が状態５Ｈである。

さらに媒体温度が低下してＴｃａａｐ＋１より少し下が
ると、ＲＥスピン（ｔ）及び７Ｍスピン（↑）の向きは
変わらずに、強度の大小関係が逆転する（、↑　−↓↑
　）、その結果、第２Ｎの磁化は反転して「逆Ａ向き」
８となる。この状態では、）ｌｅｔは既に相当大きくな
っているので第２層の磁化８は↑Ｈｂにより反転される
ことはない、そして、温度はまだＴ、１より高いので第
１層の磁化はまだ現れない、この状態が状態６Ｈである
。

更に、媒体温度が低下してＴｃ１より少し下がると、第
１層にも磁化が出現する。この場合、第２層の磁化（↓
↑）が交換結合力により第１層に及ぶ。

その結果、ＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同士（↑
）を揃える力が働く、その結果、第１層には４ｉ（？）
の磁化が出現する（状態７８）。

そして、やがて媒体の温度は状！７　Ｎのときの温度か
ら室温まで低下する。室温でのＨＣＩは十分に大きいの
で第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」官のビット形成が完了する。

□低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する。し
かし、この温度ではまだ第２層のＨｃｔは大きいので、
その磁化は↑Ｈｂによって反転されることはない（状態
２Ｌ）−この状Ｂ２Ｌにおいてレーザービームのスボッ
ＤＩ域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（７４）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、つまりＲＥスピン同士（↑）、ＴＭス
ピン同士（↓）を揃える力が働く。

その結果、第１層には、↑↓即ち↓の磁化が↑Ｈｂに打
ち勝って出現する。この状態が状Ｂ３ｔである。

この状Ｂ３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」８のビット形成が完了する
。

次に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ４）に属する特定の媒体１ｋｇＧ例にとり
、オーバーライトの原理について詳細に説明する。

この媒体嵐９は、次式５１： ％式％ の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。

室温ＴＩＩで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式５２
である。この媒体嵐９は式５２を満足する。

式５２： ただし、ＨＣＩ：第１層の保磁力 Ｈ４：第２層の保磁力 ＭＳ、：第１層の飽和磁気モーメント ＭＳｔ：第２層の飽和磁気モーメント ｔＩ　：第１層の膜厚 ｔよ　：第２層の膜厚 σｗ　：界面磁壁エネルギー このとき、旧ｎ１．の条件式は、式５５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、反転した第２Ｎの磁化は交換
結合力により第１層の磁化の影響を受ける。

それでも第２層の磁化が再度反転せずに保持される条件
は、式５３〜５４で示される。この媒体磁９は式５３〜
５４を満足する。

式５３：　　　ＨＣＩ＞□ ２ＭＳ＋ｔ＋ σ豐 式５４：　　　Ｈｃｔ＞□ ＭＳｔｊｚ 式５５： ％式％ 室温で式５２〜５４の条件を満足する記録媒体の第２Ｎ
の磁化は、記録の直前までに式５５の条件を満足するＩ
ｆ　ｉｎ　ｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑↓）に揃
えられる。このとき、第菖層は記録状態のままで残る（
状Ｂ１）。

この状！■は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Ｈｂ　）は↓の向きに印加される。

□高温サイクル□ そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をＴＬに上昇させると、ＴＬは第冒層のキュリー点ＴＣ
Ｉにほぼ等しいので、その磁化は消失する（状ａ２＊＞
− ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴににな
ると、第２層の温度Ｔ、ＩはＴｃｔにほぼ等しいので、
第２層の磁化も消失する。これが状態３、Ｉである。

この状！／Ｊ４３Ｎにおいてレーザービームのスボ、ト
領域から外れると、媒体の温度は低下し始める。

媒体の温度がＴｃｚより少し下がると、第２層の磁化が
出現する。この場合、↓Ｈｂのために８（↓↑）の磁化
が出現する。しかし、この温度はまだＴｃｌより高いの
で第１層には磁化は現れない、この状態が状ＪＬｉ　４
　Ｍである。

そして、媒体温度が更に下がり、Ｔｃ１より少し下がる
と、第１層に磁化が出現する。そのとき第２層（ト）か
らの交換結合力がＲＥスピン同士（↓）、ＴＭスピン同
士（↑）を揃えるように働く。そのため第１層には、↑
つまり電の磁化が↓Ｈｂに打ち勝って出現する。この状
態が状態５Ｎである。

そして、やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から
室温まで低下する。室温でのＭＣＩは十分に大きいので
第１層の磁化は安定に保持される。

こうして、「Ａ向き」↑のビット形成が完了する。

□低温サイクル 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。そうすると、ＴＬは第１層のキュリ
ー点ＴＣＩにほぼ等しいので、その磁化は消失する。こ
の状態では、Ｈ０！はまだ十分に大きいので、第２層の
磁化ｔは↓Ｈｂで反転することはな、い、この状態が状
５１．ｔである。

この状態２Ｌにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度が’ｒｃ＋より少し下がると、第２層のＲＥ。

７Ｍスピン（↑↓）の影響が交換結合力により第１層の
各スピンに及ぶ、交換結合力はＲＥスピン同士（↑）　
、ＴＭスピン同士（↓）を揃えるように働く、その結果
、第１１ｉには、↑↓即ち６の磁化が出現する。この状
態が状ｓ３Ｌである。

この状態３Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」息のビット形成が完了する
。

〔発明が解決しようとする課題〕

磁性層の寿命を高めるには、成膜を高真空中で行なう必
要がある。

しかしながら、本発明者の実験によると、第１層と第２
１１を順序は問わないが高真空中で連続成膜すると、用
いる材料によっては磁性層間の交換結合力σＷが大きく
なり過ぎることがある。

ところで、オーバーライト可能な媒体では、第１層の情
報が初期化された第２層の磁化によって消去されないよ
うにするために σ− 式３：Ｈｃ、＞□ ２ＭＳ＋ｔｌ を満足することが必要であり、また初期化された第２層
の磁化が第１層の磁化により反転させられないために、 σ− 式４　：　Ｈｃｔ〉□ ２Ｍ＊ｚｔｔ を満足する必要がある。従って、交換結合力σ。

が大き過ぎる場合、保磁力ＨＣと飽和磁気モーメン）Ｍ
Ｓは磁性層の材料で決定されていまうので、膜厚ｔを大
きくしなければならない。

しかし、第１層、第２層の合計膜厚ｔ１Ｎが厚くなると
、磁性層の熱容量が増加するので、記録時にレーザービ
ームを照射して媒体の温度をＴ、Ｉ又はＴＬに上昇させ
る時、レーザービームのパワーを大きくしなければなら
ず、照射効率が悪いという問題を生む。

従って、本発明の目的は、先願発明のオーバーライト可
能な光磁気記録媒体に限らず、第１層を記録層、第２層
を記録補助層とし、両層の交換結合力σ。と、キュリー
点と、保持力の違いを利用した光変調だけによる全ての
オーバーライト可能な多層光磁気記録媒体において、交
換結合力σ−が大き過ぎる場合、全体の膜厚を増加させ
ずに、適当な手段によって目的とするオーバーライト可
能な光磁気記録媒体を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

そこで、交換結合力σＷそのものを、磁性層の材料によ
らず下方修正（制？！ＩＩ）できる手段について鋭意研
究の結果、第１層、第２層に比べて、飽和磁気モーメン
トＭＳと保磁力Ｈ，との積が小さな磁性体からなる第３
層を、第１Ｎと第２Ｎとの間に挿入することにより、σ
８を制御できることを実験的に見い出し、本発明を成す
に至った。

従って、本発明は、第１層、第２層に比べて、Ｍ、・Ｈ
ｃ積が小さな磁性体からなる第３層を、第１層と第２層
との間に挿入することにより交換結合力σ。を所定の値
に制御し、それにより、オーバーライトが可能になるか
又はオーバーライトを可能にするための全体の膜厚が低
下した、オーバーライト可能な光磁気記録媒体を提供す
る。

〔作用〕

本発明において、第１層、第２層間に働く交換結合力σ
。は、第３層の組成及び／又は膜厚により制御すること
ができる。

交換結合力σ−の大きさは、２つの磁性層の界面付近に
磁壁が形成されたときの、その単位面積当たりに貯えら
れるエネルギーの大きさである。

その大きさは、２つの磁性層に用いる磁性体の組成によ
り大きく変化する。

本発明者は、先に実験により、２つの磁性層のうち少な
くとも一方にＭ、・ＨＣ積の比較的小さな磁性層を用い
ると、σ０が小さくなることを発見した。従って、この
ようなＭ３　・ＨＣ積の小さな磁性層を、それよりＭ、
・Ｈ６積の大きな磁性層からなる第１１１、第２層の眉
間に挿入し、第１層、第２層を交換結合させることによ
り両層を間接的に結合させた場合、磁壁はＭ３　・ＨＣ
積の小さな磁性層と第１層又は第２層との界面付近に形
成されるため、そこに貯えられるエネルギーは、挿入し
ない場合に比べ、小さくなると予想される。

第３層の膜厚は、■σＷが小さくなったこと以外は全体
を２層膜と２みなす近似が意味を持つようにする目的、
■全体の膜厚を余り厚くしないようにする目的から、両
層に比べて十分に薄いことが好ましく、実際上、第１層
、第２層のいずれの膜厚に対しても、ｌ／４程度以下が
好ましい。従って、−ｍには、第３層の膜厚は、２０〜
ｓｏｏ人である。

第３層は、特に遷移金属（Ｆｅ、　Ｇｏ等）−重希土類
（Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｈｏ、　Ｄｙ等）合金組成を主成分
とすることが好ましい、この組成に更に非磁性元素例え
ばＳｌ、Ｇｅ５Ｔｈｓ　Ｃｒ５Ｃｕｓ　Ｉｎｓ　Ｎｚな
どの１種又は２種以上を添加するとσ。が低下する。

また、第、３層は、遷移金属−重希土類合金の窒化物で
もよい。

σ−の低下は、第３層の組成（非磁性元素の種類及び添
加量を含め）及び膜厚により、変わるので、実際の第３
層の設計は、必要とする所定の交換結合力σ１に応じた
ものを予備実験により確がめておくべきである。この予
備実験自身は、当業者であれば、容易であろう。

以下、参考例及び実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。

〔実施例１〕 ３元のＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
厚さ１．２ｍｍ＋　、直径２００ｍｍのディスク状ガラ
ス基板を該装置の真空チャンバー内にセントする。

真空チャンバー内を一旦５　Ｘｌ０−’Ｐａまで排気し
た後、アルゴンガスを導入し、Ａｒガス圧を２×１０−
　’　Ｐａに保持しながら、成膜速度約３人／秒で、ス
パッタリングを行なう。

最初にターゲットとしてＴｂｔｒ＜ＦｅｑｓＣｏ？＞ｑ
ｑ金合金注：添字の数字は、原子％）を用い、基板上に
膜厚ｔ＋−５００人のＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜からなる
第１Ｎ（記録Ｎ）を形成する。

続いて、真空状態を保持したままターゲットとしてＤＹ
ｚｉ（Ｆｅ６゜Ｃｏ４゜）、４合金を用いて第１層の上
に膜厚ｔｓ−１００人のＤｙＦｅＣｏ系垂直磁化膜から
なる第３層（σ１制御７１）を形成する。

最後に、真空状態を保持したまま、 Ｔｂ＊＊（ＦｅｓｏＣｏｔｏ）ｔａ合金ターゲットとＤ
Ｆｚｉ（ＦｅｈｏＣｏ＊＊）ｔａ合金ターゲットの同時
スパッタリングにより、第３層の上に膜厚ｔ！−１４０
０人のＴｂＤｙＦｅＣｏ系垂直磁化膜からなる第２層（
記録補助層）を形成する。

こうして製造したクラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する２層光磁気記録媒体について、磁気特
性を下記第２表に示す。

第２表 ＊　Ｉ　Ｔｂｇ＋（Ｆｅｗ２ＣＯｔ）ｙ＊＊　２　（Ｔ
ｂ＋Ｊｙｓｓ）ｔｓ（ＦｅｉｙＣｏ３ｓ）？ｓ第２表（
続き） この媒体では、見掛は上、第３層と第２層は、１つの層
のように振る舞うので、以下の説明では、第３層と第２
層とを合わせて第２″層で表す。この第２−層の室温で
の磁気特性を示すと、次の通りである。

膜厚ｔｇｓ−１０００人 ＭＳＢ　　　　−１０２ｅｍｕ　　／ｃｃＨＣ！ｍ　　
　＝　　２５６０　０゜ そして、第１層と第２１層との間に働くσＷは、３．３
ｅｒｇ／−であった。

この媒体は、クラス８に属するので、この媒体が室温で
満たすべき条件は、式４７： ％式％ 式４９：　ＨＣｌ、　＞□ ２Ｍ５ｇ５　　　ｔｚｗ 式５０： であり、各式を計算すると、 式４７：左辺−１０，０００＞右辺−９１９２式４８：
左辺−１０，０００＞右辺−８２５０式４９：左辺−２
５６０＞右辺−１６１８となり各式を満足している。

また、式５０において、 左辺−４１７８＜ｌ　ｌ１ｉｎｉ、　ｌ　＜右辺−１８
，２５０であるから、例えばＨｉｎｉ、　＝５０００　
０ｅとすることで式５０が満足される。

従って、この媒体は、先願発明に従いオーバーライトが
可能である。

〔比較例〕

次に比較のために、第３層を設けない外は実施例と同様
にして２層光磁気記録媒体を製造した。

但し、第２１層の膜厚は、第２ｍ層と同じ１０００人と
同一にした。

この媒体の磁気特性を下記第３表に示す。

第３表 ＊　　Ｉ　　　　Ｔｂｉ＋（Ｆ４１ｑｉＣＯｙ）？ｑ＊
　２　（Ｔｂ＋ＪＶｓ３）ｉｓ（ＦｅｂｙＣｏｓｓ）ｙ
ｓそこで、実施例と同様に式４７〜４９を計算すると、
（ａ）式４７：左辺＝１０，０００＞右辺＝１４，７０
０（ｂ）式４８：左辺−１０，０００＞右辺−１２，０
００（ｃ）式４９：左辺−２，７００＞右辺−３、００
０となり、式４７〜式４９の全てが満足されていない。

従って、この媒体は、第１層に影響を与えずに第２層だ
けを初期化することは不可能であり、オーバーライトは
できない。

この磁性材料のままでオーバーライトを可能にするには
、式４８を満足させるために膜厚１．を１１１２人より
厚くしなければならず、かつ式４７を満足させるために
膜厚１．を７５０人より厚くしなければならない。

室温の変化や外部からの漏れ磁界等に対する安全を見込
むと１、全体の膜厚を２０００Å以下にしてオーバーラ
イト可能な媒体を設計することは困難であり、従って、
実施例に比べ全体の膜厚が３３％以上厚くなる。

〔参考例１・・−・−＊＝−ライト可能な光磁気記録装
置〕この装置は記録専用であり、その全体構成を第４図
（概念図）に示す。

この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （ｂ）初期補助磁界Ｈｉｎｉ、印加手段２２（Ｃ）レー
ザービーム光源２３； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
ットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒体
温度Ｔ、ｌを与える高レベルと、（２）他方のピントを
形成させるのに適当な媒体温度ＴＬを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段２４； （ｅ）記録磁界Ｈｂ印加手段２５：からなる。

手段２２として、ここでは、ｆｌｉｎｔ、　＝５０００
０ｅで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用し、
手段２５として、ここでは、Ｈｂ　＝３０００ｓの永久
磁石を使用する。

手段２２と２５は、ディスク状記録媒体２０の半径方向
の長さに相当する長さを有する棒状のものである。　こ
の手段２２と２５は、本記録装置に固定して設置し、光
源２３を含むピックアップと共に移動させることはしな
いことにする。

〔参考例２−・・−オーバーライ）光磁気記録〕参考例
１の記録装置ｆｆ１（第４図参照）を使用して光磁気記
録を実施する。まず、回転手段２１で実施例の記録媒体
（クラス８）２０を８．５　ｍ／秒の一定線速度で移動
させる。その媒体２０に対し、レーザービームを照射す
る。このビームは、手段２４により高レベル時：　８．
８　ｍＷ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）、低レベル時：　４．２
　ｍｌｌ　（ｏｎ　ｄｉｓｋ）の出力がでるように調整
されている。そしてビームは、手段２４により情報に従
いパルス状に変調される。ここでは、記録すべき情報を
周波数Ｉ　ＭＨｚの信号とした。従って、ビームを周波
数Ｉ　ＭＩＬｚで変調させながら媒体２０に照射した。

これにより、Ｉ　ＭＨｚの信号が記録されたはずである
。別の光磁気再生装置で再生すると、Ｃ／Ｎ比は５４ｄ
Ｂであり、記録されていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２　
ＭＨｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、Ｃ／Ｎ比−５２ｄＢで新
たな情報が再生された。エラー発生率は、１０−Ｓ〜ｌ
Ｏ−＆であった。このとき、Ｉ　ＭＨｚの信号（前の情
報）は全（現れなかった。

この結果、オーバーライトが可能であることが判った。

なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時：　Ｔ
Ｎ−２２０℃、低レベル時：ＴＬ禦１２０℃に達する。

それに対して、比較例の媒体は、同様に記録したところ
オーバーライトが不可能であった。

〔発明の効果〕

以上のとおり、交換結合力σ１が大きく、そのため全体
の膜厚を極めて厚（しなければオーバーライトが不可能
な多層光磁気記録媒体において、第１層、第２層の組成
を変えることなく、本発明に従い所定の第３層を挿入す
ることにより、その膜厚及び組成に応じて交換結合力σ
。を所定の値に制御でき、その結果、全体の膜厚を極め
て厚くすることなく、オーバーライトが可能になる。

そのため、低いビーム強度で媒体をＴＮ及びＴＬに昇温
できるので、見方を変えれば、書き込み時の媒体感度が
向上したと言える。

また、逆に第１層、第２層の組成設計の幅が広がり、実
用化の上で多大の福音が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例にかかるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、先願発明にかかるオーバーライト可能な光磁
気記録装置の主要部を説明する概念図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ・・・・−・−・−レーザービーム ｔ、ｐ−・−・−・・直線偏光 Ｂ　、−・・−ｒＡ向き」磁化を有するビットＢ、−・
−・−・「逆Ａ向き」磁化を有するビットｌ−・−・・
−・−・・記録層（第１層）２−・−・・−記録補助層
（第２層） Ｓ−・−・−・・一基板 ２０・−・−・−・オーバーライト可能な光磁気記録媒
体２１−・−−一−−記録媒体を回転させる回転手段２
２−・−・−・初期補助磁界Ｈｉｎｉ、印加手段２３・
−−−−−−・レーザービーム光源２４−・−・−・−
記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（１）ｒ
Ａ向き」磁化を有するピント又は「逆Ａ向き」磁化を有
するビットの何れか一方を形成するのに適当な温度を媒
体に与える高レベルと、（２）他方のビットを形成する
のに適当な温度を媒体に与える低レベルとの間でパルス
状に変調する手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　垂直磁気異方性を有する少なくとも２つの磁性層が
   積層されており、その第１層を記録層とし第２層を記録
   補助層とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体に於
   いて、 第１層、第２層に比べて、飽和磁気モーメントＭ＿Ｓと
   保磁力Ｈ＿Ｃとの積が小さい磁性体層からなる第３層を
   、第１層と第２層との間に配設することにより、第１層
   、第２層間に働く交換結合力σ＿Ｗを所定の値に制御し
   たことを特徴とする記録媒体。 ２　前記第３層の厚さが２０〜５００Åであることを特
   徴とする請求項第１項記載の記録媒体。 ３　前記第３層が、遷移金属−重希土類合金を主成分と
   して含むことを特徴とする請求項第１項記載の記録媒体
   。 ４　前記第３層が、遷移金属−重希土類合金組成にＳｉ
   、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｉｎ又はＮ＿２のいずれか
   １種又は２種以上を添加してなる組成を有することを特
   徴とする請求項第１項記載の記録媒体。 ５　前記媒体が、媒体平面に対して上向き又は下向きの
   何れか一方を「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」とすると
   き、 記録の直前までに、第２層の磁化のみが初期補助磁界Ｈ
   ｉｎｉ、により「Ａ向き」に揃えられ、高レベルのレー
   ザービームを照射した時は、記録磁界により第２層の「
   Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転させ、この第２層の
   「逆Ａ向き」磁化によって第１層に「逆Ａ向き」磁化〔
   又は「Ａ向き」磁化〕を有するビットが形成され、低レ
   ベルのレーザービームを照射した時は、第２層の「Ａ向
   き」磁化によって第１層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ
   向き」磁化〕を有するビットが形成されるオーバーライ
   ト可能な媒体であることを特徴とする請求項第１項記載
   の記録媒体。