JPH03145191A - 回路基板の電極 - Google Patents
回路基板の電極Info
- Publication number
- JPH03145191A JPH03145191A JP1283863A JP28386389A JPH03145191A JP H03145191 A JPH03145191 A JP H03145191A JP 1283863 A JP1283863 A JP 1283863A JP 28386389 A JP28386389 A JP 28386389A JP H03145191 A JPH03145191 A JP H03145191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- resistance
- low resistance
- circuit board
- adhesion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は回路基板の電極に関し、特に、電子部品の突起
電極と密着性良く接続され、接続部の接続不良が発生せ
ず、かつ、その接続部の抵抗が低い回路基板の電極に関
する。
電極と密着性良く接続され、接続部の接続不良が発生せ
ず、かつ、その接続部の抵抗が低い回路基板の電極に関
する。
(従来の技術)
絶縁性基板上に配線が形成された回路基板であって、I
C等の電子部品が搭載されるものは、電子部品の突起電
極と該配線とを接続するための電極を回路基板上に有し
ている。従来の回路基板の電極は、金属又はITO(I
ndium Tin0xide)等の導電性材料のう
ちの一種類の材料からなる。電極と電子部品の突起電極
とは、導電性接着剤によって接続されている。
C等の電子部品が搭載されるものは、電子部品の突起電
極と該配線とを接続するための電極を回路基板上に有し
ている。従来の回路基板の電極は、金属又はITO(I
ndium Tin0xide)等の導電性材料のう
ちの一種類の材料からなる。電極と電子部品の突起電極
とは、導電性接着剤によって接続されている。
(発明が解決しようとする課H)
しかしながら、上述の従来技術においては、以下上述べ
る問題点があった。
る問題点があった。
電極が金属からなる場合、回路基板の電極と電子部品の
突起電極との接続部に於いて、抵抗は低いが、密着性が
悪いという問題がある。このため、接続部で断線又は接
続不良が発生したりすることがある。また、電極がIT
Oからなる場合、接続部の密着性は良いが、抵抗が高い
という問題がある。このときの抵抗値は、電極が金属で
あるときの抵抗値の10倍以上の大きさである。このた
め、接続部での電圧降下が大きくなり、それによってI
Cの誤動作等が発生しやすくなる。
突起電極との接続部に於いて、抵抗は低いが、密着性が
悪いという問題がある。このため、接続部で断線又は接
続不良が発生したりすることがある。また、電極がIT
Oからなる場合、接続部の密着性は良いが、抵抗が高い
という問題がある。このときの抵抗値は、電極が金属で
あるときの抵抗値の10倍以上の大きさである。このた
め、接続部での電圧降下が大きくなり、それによってI
Cの誤動作等が発生しやすくなる。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、その目的とするところは、電子部品の突起電極と密着
性良く接続され、接続部の接続不良が発生せず、かつ、
その接続部の抵抗が低い回路基板の電極を提供すること
にある。
、その目的とするところは、電子部品の突起電極と密着
性良く接続され、接続部の接続不良が発生せず、かつ、
その接続部の抵抗が低い回路基板の電極を提供すること
にある。
(課題を解決するための手段)
本発明は、電子部品の突起電極が導電性接着剤を介して
#MII!される回路基板の電極であって、該電極は第
一の材料からなる第一の部分と第二の材料からなる第二
の部分とを有しており、該第一の材料は導電性を有して
おり、該第一の材料の抵抗は該第二の材料の抵抗よりも
小さく、該第二の材料の該突起電極に対する密着性は該
第一の材料の該突起電極に対する密着性よりも高く、そ
のことにより上記目的が達成される。
#MII!される回路基板の電極であって、該電極は第
一の材料からなる第一の部分と第二の材料からなる第二
の部分とを有しており、該第一の材料は導電性を有して
おり、該第一の材料の抵抗は該第二の材料の抵抗よりも
小さく、該第二の材料の該突起電極に対する密着性は該
第一の材料の該突起電極に対する密着性よりも高く、そ
のことにより上記目的が達成される。
また、前記第一の材料はMoであることが好ましい。
また、前記第二の材料はITOであることが好ましい。
(実施例)
以下に本発明を実施例について説明する第1図は実施例
の要部を示す斜視図である。回路基板(不図示)上の配
線40の端部に於て、配線40とIC等の電子部品の突
起電極とを接続するための電極lOが設けられている。
の要部を示す斜視図である。回路基板(不図示)上の配
線40の端部に於て、配線40とIC等の電子部品の突
起電極とを接続するための電極lOが設けられている。
なお、第1図に示す電極10と同様の構造を有する複数
の電極が、回路基板上に形成された所定パターンを有す
る配線40の所定位置に設けられている。
の電極が、回路基板上に形成された所定パターンを有す
る配線40の所定位置に設けられている。
電極10は、導電性の高い第一の材料からなる第一の部
分と密着性の高い第二の材料からなる第二の部分とを有
している。第一の部分は低抵抗部20であり、第二の部
分は低抵抗部20上に形成された密着部30である。低
抵抗部20は電子部品の突起ii極と電極10との間を
低抵抗で電気的に接続するための部分であり、密着部3
0の材料よりも抵抗の低い材料によって形成されている
。
分と密着性の高い第二の材料からなる第二の部分とを有
している。第一の部分は低抵抗部20であり、第二の部
分は低抵抗部20上に形成された密着部30である。低
抵抗部20は電子部品の突起ii極と電極10との間を
低抵抗で電気的に接続するための部分であり、密着部3
0の材料よりも抵抗の低い材料によって形成されている
。
抵抗の低い第一の材料として、例えば、Mo1T五等の
金属は好適である。一方、密着部30は電子部品の突起
電極と電極10との間を密着性良く接続するための部分
であり、低抵抗部20よりも密着性の良い材料によって
形成されている。密着性の良い第二の材料として、例え
ば、fToが好適である。本実施例の密着部30の平面
視形状は、第1図に示すように、ストライブ状である。
金属は好適である。一方、密着部30は電子部品の突起
電極と電極10との間を密着性良く接続するための部分
であり、低抵抗部20よりも密着性の良い材料によって
形成されている。密着性の良い第二の材料として、例え
ば、fToが好適である。本実施例の密着部30の平面
視形状は、第1図に示すように、ストライブ状である。
次に、本実施例の作製方法について第2図を用いて説明
する。まず、回路基板となるガラス製絶縁基板1上に、
第一の材料としてMoをスパッタリング法により堆積し
、Mo膜(膜厚的300OA)2を形成した(第2図(
a))。
する。まず、回路基板となるガラス製絶縁基板1上に、
第一の材料としてMoをスパッタリング法により堆積し
、Mo膜(膜厚的300OA)2を形成した(第2図(
a))。
次に、Mo膜膜上上7オトレジスト3をスピンコードに
より塗布し、所定温度に加熱してフォトレジスト3を硬
化させた後、フォトレジスト3の所定領域を露光し、現
像することによりフォトレジスト3を所定形状にバター
ニングした(第2図(b))。このフォトレジスト3の
パターンは、Mo膜2からなる配線40及び低抵抗部2
oのパターンを決めるものであり、回路基板の用途に応
じて設計される。
より塗布し、所定温度に加熱してフォトレジスト3を硬
化させた後、フォトレジスト3の所定領域を露光し、現
像することによりフォトレジスト3を所定形状にバター
ニングした(第2図(b))。このフォトレジスト3の
パターンは、Mo膜2からなる配線40及び低抵抗部2
oのパターンを決めるものであり、回路基板の用途に応
じて設計される。
フォト1/シスト3を再び加熱硬化させた後、バターニ
ングされたフォトレジスト3をマスクとしてMo膜2を
エツチングすることにより、Mo膜2をバターニングし
、配線4oと電極IQの低抵抗部20とを形成したく第
2図(C))。この後、フォトレジスト3を除去した。
ングされたフォトレジスト3をマスクとしてMo膜2を
エツチングすることにより、Mo膜2をバターニングし
、配線4oと電極IQの低抵抗部20とを形成したく第
2図(C))。この後、フォトレジスト3を除去した。
次に、絶縁基板1上全面に、第二の材料としてITOを
スパッタリング法により堆積し、ITO膜(膜厚約20
00大)4を形成した(第2図(d))。
スパッタリング法により堆積し、ITO膜(膜厚約20
00大)4を形成した(第2図(d))。
170M44上にフォトレジスト5をスピンコードによ
り塗布し、所定温度に加熱してフォトレジスト5を硬化
させた後、フォト1/シスト5の所定領域部分を露光し
、現像することによりフォトレジスト5を所定形状にバ
ターニングした(第2図(e))。このフォトレジスト
5のパターンは、ITO膜4からなる密着部30のパタ
ーンを決めるものであり、本実施例では、低抵抗部20
上にストライブ状に形成された。
り塗布し、所定温度に加熱してフォトレジスト5を硬化
させた後、フォト1/シスト5の所定領域部分を露光し
、現像することによりフォトレジスト5を所定形状にバ
ターニングした(第2図(e))。このフォトレジスト
5のパターンは、ITO膜4からなる密着部30のパタ
ーンを決めるものであり、本実施例では、低抵抗部20
上にストライブ状に形成された。
フォトレジスト5を再び加熱硬化させた後、パターニン
グされたフォトレジストSをマスクとして、ITO膜4
をエツチングすることにより、ITo膜4をパターニン
グし、電極10の密着部30を形成した(第2図(f)
)。この後、フォトレジスト5を除去し、本実施例の回
路基板を作製した。
グされたフォトレジストSをマスクとして、ITO膜4
をエツチングすることにより、ITo膜4をパターニン
グし、電極10の密着部30を形成した(第2図(f)
)。この後、フォトレジスト5を除去し、本実施例の回
路基板を作製した。
回路基板上には、突起電極を有するIC等の各f!電子
部品が搭載される。電子部品の突起電極と電極10とは
導電性接着剤によって接続される。
部品が搭載される。電子部品の突起電極と電極10とは
導電性接着剤によって接続される。
電子部品の突起電極と電極10との間の密着性はストラ
イブ状の密着部30によって向上する。また、電子部品
の動作時に於て、電流は密着部30が形成されていない
領域の低抵抗部20を主に流れるため、突起電極と電極
10との間の接続抵抗は低い。
イブ状の密着部30によって向上する。また、電子部品
の動作時に於て、電流は密着部30が形成されていない
領域の低抵抗部20を主に流れるため、突起電極と電極
10との間の接続抵抗は低い。
このように本実施例によれば、回路基板の電極10と電
子部品の突起電極とが密着性良く接続され、かつ、その
接続部の抵抗は低抵抗である。従って、接続部の断線又
は接続不良が発生することがないことに加えて、接続部
の抵抗が低いため、接続部での電圧降下によるICの誤
動作等が防止される。
子部品の突起電極とが密着性良く接続され、かつ、その
接続部の抵抗は低抵抗である。従って、接続部の断線又
は接続不良が発生することがないことに加えて、接続部
の抵抗が低いため、接続部での電圧降下によるICの誤
動作等が防止される。
密着部30の形状は、上記実施例のストライブ状に限ら
れない。電極10の表面に於て電子部品の突起電極が接
着される面に、低抵抗部20と密着部30とが実質的に
交互に配された形状であれば、優れた密着性と低い接続
抵抗を実現できる。
れない。電極10の表面に於て電子部品の突起電極が接
着される面に、低抵抗部20と密着部30とが実質的に
交互に配された形状であれば、優れた密着性と低い接続
抵抗を実現できる。
第3図に示す同心円状、或は第4図に示す市松模様状の
形状は、密着部30の形状として好適である。
形状は、密着部30の形状として好適である。
また、上記の何れの実施例も、Moからなる低抵抗部2
0上にITOからなる密着部3oが形成されたものであ
るが、第5図に示すように、絶縁基板1上のITOから
なる密着部30上にMoからなる低抵抗部20が形成さ
れたものであっても良い。この低抵抗部20の形状は、
電極10の表面に於て電子部品の突起電極が接着される
面に、低抵抗部20と密着部30とが実質的に交互に配
された形状であれば良い。低抵抗部20の形状としては
、第1図、第3図又は第4図に示す実施例の密着部30
と同様の形状が好適である。第5図に示す実施例では、
配線40は低抵抗部20と同じ材料(Mo)を用いて低
抵抗部20と一体的に形成されている。
0上にITOからなる密着部3oが形成されたものであ
るが、第5図に示すように、絶縁基板1上のITOから
なる密着部30上にMoからなる低抵抗部20が形成さ
れたものであっても良い。この低抵抗部20の形状は、
電極10の表面に於て電子部品の突起電極が接着される
面に、低抵抗部20と密着部30とが実質的に交互に配
された形状であれば良い。低抵抗部20の形状としては
、第1図、第3図又は第4図に示す実施例の密着部30
と同様の形状が好適である。第5図に示す実施例では、
配線40は低抵抗部20と同じ材料(Mo)を用いて低
抵抗部20と一体的に形成されている。
第6図に示す実施例は、ITOからなる密着部30上に
Moからなる低抵抗部20が形成されたものである。配
線40はITOを用いて密着部30と一体的に形成され
ている。配線40はITOからなるため、Moからなる
他の実施例の配線よりも高抵抗である。
Moからなる低抵抗部20が形成されたものである。配
線40はITOを用いて密着部30と一体的に形成され
ている。配線40はITOからなるため、Moからなる
他の実施例の配線よりも高抵抗である。
第7図に示す実施例は、低抵抗部20と同じ材料(Mo
)からなる配線40が、ITOからなる密着部30上に
低抵抗部20と同時に形成されたものである。配[40
は低抵抗部20と異なる材料を用いて低抵抗部20と別
々に形成されたものであっても良い。配線40は密着部
30を介して絶縁基板1に接着されているため、配線4
0と絶縁基板1との密着性は高い。
)からなる配線40が、ITOからなる密着部30上に
低抵抗部20と同時に形成されたものである。配[40
は低抵抗部20と異なる材料を用いて低抵抗部20と別
々に形成されたものであっても良い。配線40は密着部
30を介して絶縁基板1に接着されているため、配線4
0と絶縁基板1との密着性は高い。
なお、上記何れの実施例に於ても、MoO20びI T
O4膜はスパッタリング法によって形成されたものであ
るが、他の方法、例えば、電子ビーム蒸着法を用いて形
成されたものであっても良い。
O4膜はスパッタリング法によって形成されたものであ
るが、他の方法、例えば、電子ビーム蒸着法を用いて形
成されたものであっても良い。
また、電極10は、第一の材料からなる第一の部分と第
二の材料からなる第二の部分以外に、他の材料からなる
一つ以上の部分を有していても良い。この他の材料が導
電性の高いものであれば、この部分は低抵抗部20と同
様に機能する。また、この他の材料が密着性の高いもの
であれば、この部分は密着部30と同様に機能する。
二の材料からなる第二の部分以外に、他の材料からなる
一つ以上の部分を有していても良い。この他の材料が導
電性の高いものであれば、この部分は低抵抗部20と同
様に機能する。また、この他の材料が密着性の高いもの
であれば、この部分は密着部30と同様に機能する。
(発明の効果)
このように本発明によれば、IC等の電子部品の突起電
極と回路基板の電極とが密着性良く接続されるので、接
続部での接続不良が発生することがない。また、該接続
部の抵抗は低抵抗であるので、該接続部での電圧降下に
よる【Cの誤動作等が防止される。
極と回路基板の電極とが密着性良く接続されるので、接
続部での接続不良が発生することがない。また、該接続
部の抵抗は低抵抗であるので、該接続部での電圧降下に
よる【Cの誤動作等が防止される。
4 の な 1
第1図は本発明の実施例を示す斜視図、第2図(a)〜
(f)はその実施例の作製方法を説明するための断面図
、第3図は他の実施例を示す平面図、第4図は更に他の
実施例を示す平面図、第5図は更に他の実施例を示す断
面図、第6図は更に他の実施例を示す断面図、第7図は
更に他の実施例を示す断面図である。
(f)はその実施例の作製方法を説明するための断面図
、第3図は他の実施例を示す平面図、第4図は更に他の
実施例を示す平面図、第5図は更に他の実施例を示す断
面図、第6図は更に他の実施例を示す断面図、第7図は
更に他の実施例を示す断面図である。
l・・・絶縁基板、2・・・Mo膜、3・・・フォトレ
ジスト、4・・・ITO膜、5””フォトレジスト、1
0・・・電極、20・・・低抵抗部、30・・・密着部
、40・・・配線。
ジスト、4・・・ITO膜、5””フォトレジスト、1
0・・・電極、20・・・低抵抗部、30・・・密着部
、40・・・配線。
以上
Claims (3)
- 1.電子部品の突起電極が導電性接着剤を介して接続さ
れる回路基板の電極であって、 該電極は第一の材料からなる第一の部分と第二の材料か
らなる第二の部分とを有しており、該第一の材料は導電
性を有しており、該第一の材料の抵抗は該第二の材料の
抵抗よりも小さく、該第二の材料の該突起電極に対する
密着性は該第一の材料の該突起電極に対する密着性より
も高い、 回路基板の電極。 - 2.前記第一の材料はMoである請求項1に記載の回路
基板の電極。 - 3.前記第二の材料はITOである請求項1又は2に記
載の回路基板の電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283863A JPH03145191A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 回路基板の電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283863A JPH03145191A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 回路基板の電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145191A true JPH03145191A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17671151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1283863A Pending JPH03145191A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 回路基板の電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03145191A (ja) |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP1283863A patent/JPH03145191A/ja active Pending
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