JPH03148591A - イメージ加熱装置 - Google Patents
イメージ加熱装置Info
- Publication number
- JPH03148591A JPH03148591A JP28845589A JP28845589A JPH03148591A JP H03148591 A JPH03148591 A JP H03148591A JP 28845589 A JP28845589 A JP 28845589A JP 28845589 A JP28845589 A JP 28845589A JP H03148591 A JPH03148591 A JP H03148591A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spheroidal
- microwave discharge
- sample
- discharge plasma
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば半導体材料などの結晶成長に使用さ
れるイメージ炉のイメージ加熱装置の改良に関するもの
である。
れるイメージ炉のイメージ加熱装置の改良に関するもの
である。
第４図は例えば個体物理ＶＯＬＩ４． Ｎａ １Ｇ、
１９７９．６３３頁から６４０頁に示された従来のイメ
ージ加熱装置を示す断面図である。図において、（１）
は回転楕円体の反射面を内側に有する回転梢円鏡、 （
＋１）は回転楕円鏡（１）の第１の焦点位匠に設置され
光（９）を発光するハロゲンやキセノンランプ等の光源
、■はこの光源ＯＤに電力を供給するためのワイヤ■経
由接続された電源、（８）Ｉよ回転楕円鏡（１）の第２
焦点に置かれた試料である。
１９７９．６３３頁から６４０頁に示された従来のイメ
ージ加熱装置を示す断面図である。図において、（１）
は回転楕円体の反射面を内側に有する回転梢円鏡、 （
＋１）は回転楕円鏡（１）の第１の焦点位匠に設置され
光（９）を発光するハロゲンやキセノンランプ等の光源
、■はこの光源ＯＤに電力を供給するためのワイヤ■経
由接続された電源、（８）Ｉよ回転楕円鏡（１）の第２
焦点に置かれた試料である。
従来のイメージ加熱装置は以上のように構成されていた
ので、光源から発光した光は回転楕円鏡（１）で反射し
て試料（８）の表面に集光する。従って試料【８）の温
度を上昇させ溶融して結晶の製作を行うことが出来ろ。
ので、光源から発光した光は回転楕円鏡（１）で反射し
て試料（８）の表面に集光する。従って試料【８）の温
度を上昇させ溶融して結晶の製作を行うことが出来ろ。
ところが、光源にハロゲンやキセノンランプを使うため
光源の発光領域が５■醜程度と小さいので試料（８）の
表面で小さな像を結ぶ。このため温度勾配がきつくなっ
て試料（８１にクラックが入るという課題があった。こ
のため従来のイメージ加熱装置；よ焦点をぼかす機構を
取り付けたり、アフターヒータを取り付けて乙の課題に
対応していた。しかし、これらの機構を取り付けること
は非常に炉の操作性を悪くし大きな課題となっていた。
光源の発光領域が５■醜程度と小さいので試料（８）の
表面で小さな像を結ぶ。このため温度勾配がきつくなっ
て試料（８１にクラックが入るという課題があった。こ
のため従来のイメージ加熱装置；よ焦点をぼかす機構を
取り付けたり、アフターヒータを取り付けて乙の課題に
対応していた。しかし、これらの機構を取り付けること
は非常に炉の操作性を悪くし大きな課題となっていた。
乙の発明は上記のような課題を解決するためになされた
ものであり、光源を球状のマイクロ波放電プラズマラン
プとして試料（８）の表面の温度勾配を小さくするもの
である。
ものであり、光源を球状のマイクロ波放電プラズマラン
プとして試料（８）の表面の温度勾配を小さくするもの
である。
この発明に係わる双楕円マイクロ波放電プラズマランプ
イメージ加熱装置は光源にマイクロ波放電プラズマラン
プを用いるものである。
イメージ加熱装置は光源にマイクロ波放電プラズマラン
プを用いるものである。
〔作 用］
この発明におけるマイクロ波放電プラズマランプは光源
の形状が球状であるため第２焦点における光の分布を均
一なものに出来るから、温度勾配を緩くしてクラックの
発生を防止する。
の形状が球状であるため第２焦点における光の分布を均
一なものに出来るから、温度勾配を緩くしてクラックの
発生を防止する。
息下、この発明の一実施例による双椿円マイクロ波放電
イメージ加熱装置を図について説明する。
イメージ加熱装置を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による双楕円マイクロ波放
電イメージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は回転
楕円鏡、（りはガラスや透光性セラミックで出来た中空
の玉の内部Ｃこカリュウム等の元素を封じ込みマイクロ
波加熱でプラズマ発光を行い光（９）を放出するマイク
ロ波放電プラズマランプ。
電イメージ加熱装置の構成を示す断面図で（１）は回転
楕円鏡、（りはガラスや透光性セラミックで出来た中空
の玉の内部Ｃこカリュウム等の元素を封じ込みマイクロ
波加熱でプラズマ発光を行い光（９）を放出するマイク
ロ波放電プラズマランプ。
１３）（よ熱伝導性の高いセラミックを棒状に加工して
作った支持具、（４）は円盤状の周縁を回転楕円１２）
１）の内側に接して取り付けられた電波連蔽板、（５）
は回転楕円鏡【１）の端部と電波遮蔽板（４）で形成さ
れた空洞共振器、（６）は回転楕円鏡（１）の端部に間
けられた穴に取り付けられた導波管、（７）は導波管（
６）の他端に取り付けられる高周波発信器、（８）は回
転楕円鏡（１１の共有焦点である第２焦点に置かれる棒
状の試料、（ロ）は導波管（６１と回転楕円鏡（１）の
接点に開けられた窓である。
作った支持具、（４）は円盤状の周縁を回転楕円１２）
１）の内側に接して取り付けられた電波連蔽板、（５）
は回転楕円鏡【１）の端部と電波遮蔽板（４）で形成さ
れた空洞共振器、（６）は回転楕円鏡（１）の端部に間
けられた穴に取り付けられた導波管、（７）は導波管（
６）の他端に取り付けられる高周波発信器、（８）は回
転楕円鏡（１１の共有焦点である第２焦点に置かれる棒
状の試料、（ロ）は導波管（６１と回転楕円鏡（１）の
接点に開けられた窓である。
また第２図はマイクロ波放電ランプ（２）の付近の構成
を説明する図である。
を説明する図である。
図において、空洞共振器（５）に高周波発信器（７）か
ら２ＧＨｚ等の高周波数で数ＫＷのマイクロ波電力が導
波管（６１経由印加される。空洞共振器（５１に収納さ
れたマイクロ波放電プラズマランプ（２）はプラズマ発
光を生じて強大な光を発する。この光は回転楕円鏡（１
）の内面で反射し第２焦点の試料（８）へ集光される。
ら２ＧＨｚ等の高周波数で数ＫＷのマイクロ波電力が導
波管（６１経由印加される。空洞共振器（５１に収納さ
れたマイクロ波放電プラズマランプ（２）はプラズマ発
光を生じて強大な光を発する。この光は回転楕円鏡（１
）の内面で反射し第２焦点の試料（８）へ集光される。
ここで試料（８）が高熱となって溶融される。
試料（８）を回転しながらゆっくり引き上げて行くと結
晶が成長する。
晶が成長する。
しイクロ波放電プラズマランプ（２）の発光スペクトラ
ムは試料（８）の吸光率の最も高い波長である近赤外領
域に集中しているのでキセノンランプ等に比較して非常
に高い加熱効率を得る乙とが出来る。
ムは試料（８）の吸光率の最も高い波長である近赤外領
域に集中しているのでキセノンランプ等に比較して非常
に高い加熱効率を得る乙とが出来る。
次に、この発明の他の実施例を第３図に示す。
図においてＱｌは回転楕円鏡（１）の第１焦点側にコツ
プ状の電波遮蔽板の開放側周縁部を接触させて空洞共振
器（５）を形成する。
プ状の電波遮蔽板の開放側周縁部を接触させて空洞共振
器（５）を形成する。
この他の実施例でｇよ、コツプ状の空洞共振Ｎ（５）の
内部にマイクロ波放電ランプ（２］を置き発光させる。
内部にマイクロ波放電ランプ（２］を置き発光させる。
以上のように、乙の発明によればマイクロ波放電プラズ
マランプの宛先が球状であるため試料の温度勾配を緩め
、クラックの発生を防止し、発光スペクトラムが近赤外
領域に集中しているので加熱効率を高く出来る。
マランプの宛先が球状であるため試料の温度勾配を緩め
、クラックの発生を防止し、発光スペクトラムが近赤外
領域に集中しているので加熱効率を高く出来る。
また。この発明に係わる別の実施例においては。
空洞共振器をコツプ状にしているため回転楕円鏡の形状
や大きさに影響されず、同一のマイクロ波放電ランプを
様々な回転楕円鏡に対応させる事が出来る。また。試料
に合わせてマイクロ波放電ランプの形状や発光スペクト
ラムを変えるため交換を容易に行う乙とができ材料の処
理に非常に有効な手段となる。
や大きさに影響されず、同一のマイクロ波放電ランプを
様々な回転楕円鏡に対応させる事が出来る。また。試料
に合わせてマイクロ波放電ランプの形状や発光スペクト
ラムを変えるため交換を容易に行う乙とができ材料の処
理に非常に有効な手段となる。
例えば、従来不可能となっていたガラスのイメージ加熱
が可能となる。
が可能となる。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図；よ
マイクロ波放電ランプの構成を説明する図。 第３図２よこの発明の別の実施例を示す断面図、第４図
は別の実施例によるマイクロ波放電ランプの構成を説明
する図、第５図は従来のイメージ加熱装置を示す断面図
である。 図において、（１）は回転楕円鏡、（２）はマイクロ波
放電プラズマランプ、（３）は支持具、（４１は電波遮
蔽板、（５）は空洞共振！、（６）は導波管、【７）は
高周波発信膠、（８）は試料、（９１は光、 Ｑｌはコ
ツプ状電波遮蔽板、０１）はキセノンランプ、＠は電源
、■はワイヤ。 （至）は窓である。 −なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
マイクロ波放電ランプの構成を説明する図。 第３図２よこの発明の別の実施例を示す断面図、第４図
は別の実施例によるマイクロ波放電ランプの構成を説明
する図、第５図は従来のイメージ加熱装置を示す断面図
である。 図において、（１）は回転楕円鏡、（２）はマイクロ波
放電プラズマランプ、（３）は支持具、（４１は電波遮
蔽板、（５）は空洞共振！、（６）は導波管、【７）は
高周波発信膠、（８）は試料、（９１は光、 Ｑｌはコ
ツプ状電波遮蔽板、０１）はキセノンランプ、＠は電源
、■はワイヤ。 （至）は窓である。 −なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）回転楕円体の反射面を内側に有する第１の回転楕
円鏡と、この第１の回転楕円鏡の第２焦点を共有する第
２の回転楕円鏡と、双方の第１焦点に置かれたマイクロ
波放電プラズマランプと、これらのマイクロ波放電プラ
ズマランプを支持する支持具と、双方の回転楕円鏡の第
１焦点側端部において、その内面に円周状の縁が接する
ように取り付けられた円盤状の電波遮蔽板と、この電波
遮蔽板と回転楕円鏡とで形成された空洞共振器に高周波
電流を注入する高周波発信器を各々備えたことを特徴と
する双楕円マイクロ波放電イメージ加熱装置。 - （２）回転楕円体の反射面を内側に有する第１の回転楕
円鏡と、この第１の回転楕円鏡の第２焦点を共有する第
２の回転楕円鏡と、双方の第１焦点に置かれたマイクロ
波放電プラズマランプと、これらのマイクロ波放電プラ
ズマランプを支持する支持具と、双方の回転楕円鏡の側
端部の第１焦点に置かれたマイクロ波放電プラズマラン
プと、これらのマイクロ波放電プラズマランプを支持す
る支持具と、上記双方の楕円鏡の第１焦点側端部におい
て、その内面に円周状の縁が接するように取り付けられ
た断面コの字状のカップ型に形成された電波遮蔽板と、
この電波遮蔽板と楕円鏡とで形成された空洞共振器の中
にマイクロ波放電プラズマランプを収納することを特徴
とする双楕円マイクロ波放電イメージ加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28845589A JPH0694989B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | イメージ加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28845589A JPH0694989B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | イメージ加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148591A true JPH03148591A (ja) | 1991-06-25 |
| JPH0694989B2 JPH0694989B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=17730434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28845589A Expired - Lifetime JPH0694989B2 (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | イメージ加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0694989B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04130082A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 単結晶成長装置 |
| CN102186303A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-09-14 | 四川大学 | 微波功率共焦合成装置 |
| WO2013043589A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Lemke James U | Passive noninvasive tomography |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP28845589A patent/JPH0694989B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04130082A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 単結晶成長装置 |
| CN102186303A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-09-14 | 四川大学 | 微波功率共焦合成装置 |
| WO2013043589A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Lemke James U | Passive noninvasive tomography |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0694989B2 (ja) | 1994-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5070277A (en) | Electrodless hid lamp with microwave power coupler | |
| CA1258993A (en) | Method of and device for coating the inside of tubes | |
| US5113121A (en) | Electrodeless HID lamp with lamp capsule | |
| US7362054B2 (en) | Plasma lamp with dielectric waveguide | |
| KR101580217B1 (ko) | 고형 유전체 도파로를 구비한 마이크로파 광원 | |
| EP0457242B1 (en) | Electrodeless HID lamp with microwave power coupler | |
| KR910002396B1 (ko) | 석영유리관의 가열방법 | |
| JPH03148591A (ja) | イメージ加熱装置 | |
| JPH04190088A (ja) | イメージ加熱装置 | |
| JPH03148592A (ja) | イメージ加熱装置 | |
| US5420390A (en) | Image heating apparatus using a microwave discharge plasma lamp | |
| JP2002203523A (ja) | 無電極放電ランプ装置 | |
| JPH0268486A (ja) | イメージ加熱装置 | |
| JPH0647014Y2 (ja) | イメージ加熱装置 | |
| KR102054759B1 (ko) | 반도체 구동 플라즈마 램프 시스템 | |
| JP2001338620A (ja) | 無電極放電灯点灯装置 | |
| JPH04292784A (ja) | 円盤型プラズマイメージ加熱装置 | |
| EP0470677B1 (en) | An image heating apparatus using a microwave discharge plasma lamp | |
| JPS6121397B2 (ja) | ||
| EP0066860A2 (en) | A temperature-controlled, metal-vapor discharge lamp | |
| JPH0388790A (ja) | 赤外線加熱単結晶製造装置 | |
| JP3178368B2 (ja) | 高周波無電極放電ランプ光反射器と高周波無電極放電ランプ装置 | |
| JPS62163383A (ja) | レ−ザ発振装置 | |
| JP2002164188A (ja) | マイクロ波無電極放電ランプ装置 | |
| SU1513541A1 (ru) | Источник света |