JPH03148856A

JPH03148856A - リードフレームの製造方法

Info

Publication number: JPH03148856A
Application number: JP1288173A
Authority: JP
Inventors: Kenji Osawa; 健治大沢; Akira Kojima; 明小島; Hideyuki Takahashi; 秀幸高橋
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1989-11-06
Filing date: 1989-11-06
Publication date: 1991-06-25
Anticipated expiration: 2013-09-17
Also published as: JP2797542B2; US5221428A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】以下の順序に従って本発明を説明する。

Ａ、産業上の利用分野８、発明の概要０、従来技術［第８図１０、発明が解決しようとする問題点［第９図］Ｅ、問題
点を解決するための手段Ｆ、作用６、実施例［第１図乃至第７図］ａ、第１の実施例［第１図、第２図］５、第２の実施例［第３図乃至第５図］Ｃ，第３の実施
例［第６図１ｄ、第４の実施例［第７図］Ｈ５発明の効果（Ａ、産業上の利用分野）本発明はリードフレームの製造方法、特に微細なインナ
ーリード等ＩＣとの接続部を有しつつ充分な機械的強度
を有する新規なリードフレームの製造方法に関する。

（Ｂ−発明の概要》本発明は、リードフレームの製造方法において、ＩＣとの微細な接続部を有しつつ充分な機械的強度を有
するリードフレームを得るために、エッチングストップ
層を金属層で挟んだ三層構造のリードフレーム材の両面
にフォトレジスト膜を選択的に形成し、該フォトレジス
ト膜をマスクとして両面を選択的にエッチングし、その
後、上記エッチングストップ層の不要部分を除去するも
のである。

（Ｃ，従来技術）［第８図］ＩＣ，ＬＳＩの高集積化に伴いピン数が増加し、そのた
め、リードフレームの特にインナーリードの微細化が必
要となる。

ところで、従来においてリードフレームは金属板を金型
によりプレス打抜き加工する方法により製造する場合が
多かったが、この方法によれば０−３ｍｍ以下のピッチ
のパターンの形成が難しく、６０ビン以上のＩＣ用リー
ドフレームには適用することが難しいといえる。

そこで、第８図（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように両面から
のエッチングよりリードフレームを製造する方法がビン
数の多いＩＣに用いるリードフレームに適用されるよう
になっている。

先ず、銅Ｃｕ系又は４２合金（Ｆｅ−Ｎｉ）系の板状の
リードフレーム材（板厚例えば０゜１５〜０．２５μｍ
）ａの両面にフォトレジスト膜すを形成し、該フォトレ
ジスト膜すを露光、現像する。第８図（Ａ）は現像後の
状態を示す。両面のフォトレジスト膜すは全く同じ形状
を有し且つ互いに重なり合うように位置決めされている
。

次に、フォトレジスト膜すをマスクとして金属板ａをそ
の両面から例えば塩化第２鉄を用いてエッチングするこ
とによりバターニングする。同図（Ｂ）はエッチング終
了後の状態を示す断面図である。

その後、同図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト膜す
を除去する。

これによりリードフレームができる。

（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）［第９図１ところで、第８図に示したリードフレームの製造方法に
よれば、サイドエッチング現象があるので、リードピッ
チをリードフレーム材の板厚以下にすることは困難であ
る。

というのは、エッチング液によってのエッチングには必
ず板の厚さ方向のエッチングだけではなく横方向へのエ
ッチング、即ちサイドエッチングが生じる。そして、そ
のサイドエッチング量Ｗ［第８図（Ｂ）、（Ｃ）参照］
はエッチング深さの約２７３倍になる。ここでサイドエ
ッチング量Ｗというのはエッチングされた部分の片側に
おけるものであり、リードピッチを考える場合エッチン
グ部分の左右両側のサイドエッチング量がどれだけある
かが問題である。そして、その左右両側のエッチング量
は、エッチング深さ×（２／３）×２となる。かかるサ
イドエッチング量が大きくなるとリードピッチの最小限
の値が大きくなるのである。従って、リードピッチを小
さくできるようにするには、サイドエッチング量が小さ
くなるようにする必要があり、サイドエッチング量を小
さくするにはエッチング深さを浅くする必要がある。そ
して、この場合、エッチング深さはリードフレーム材の
厚さによって決まる。具体的にはリードフレーム材の厚
さの２分の１がエッチング深さとなる。

従って、リードフレーム材の板厚と最小にできるリード
ピッチは第９図に示すような関係になり、リードピッチ
を小さくするにはリードフレーム材の板厚を薄くする必
要があるのである。

しかしながら、リードフレーム材の板厚を薄くするとリ
ードフレームの機械的強度が弱くなるので、リードフレ
ーム材の板厚を薄くすることに限界があり、実際上はリ
ードピッチを０゜２２ｍｍ以下にすることは極めて困難
ないし不可能であったのである。

にも拘らず、ＩＣの高集積化はリードピッチを０．２２
ｍｍ以下にすることを要求しているのである。

そのため、先ずリードフレーム材のリードピッチを小さ
くする必要のある部分、具体的にはインナーリードの特
に先端部分が形成される領域を選択的エッチングにより
薄肉化し、その後、リードフレームをバターニングする
ためのエッチングを行うというリードフレームの製造方
法も実施されることがある。

しかしながら、このような方法によれば選択的エッチン
グ工程を２回必要とし、製造工数が多くなる。というの
は、選択的エッチングにはフォトレジスト膜に対しての
露光、現像という面倒な写真工程が必要であり、このよ
うな面倒な工程を２回も繰返すことは著しい工数の増大
、コスト増を招くからである。

また、エッチングにはエッチング条件の微細な違いによ
りエッチング深さに狂いが生じ易いという問題があるの
で、インナーリードの特に先端部分が形成される領域を
薄肉化するとき、エッチング過剰によりその領域が薄く
なり過ぎたり、更に消失してしまったりすることがあり
、厚さが不安定で品質が安定しない。これは無視できな
い問題となり、実用的であるとはいい難い。

また、ポリイミドテープの表面に薄肉の銅箔パターンを
形成したものをリードフレームの代りに用いることも試
みられたが、ポリイミドテープの材料費が非常に高価で
あり、コスト増を招く。また、加工に非常に難しい技術
を必要とし、機械的強度も不充分であった。

本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、ＩＣとの微細な接続部を有しつつ充分な機械的強
度を有する新規なリードフレームの製造方法を提供する
ことを目的とする。

（Ｅ、問題点を解決するための手段）本発明リードフレームの製造方法は上記問題点を解決す
るため、エッチングストップ層を金属層で挟んだ三層構
造のリードフレーム材の両面にフォトレジスト膜を選択
的に形成し、該フォトレジスト膜をマスクとして両面の
フォトレジスト膜をエッチングし、その後、上記エッチ
ングストップ層の不要部分を除去することを特徴とする
特＊Ｆ、作用）本発明リードフレームの製造方法によれば、エッチング
ストップ層の一方の側の金属層をエッチングすることに
よりリードフレームの母材を形成し、他方の側の金属層
をエッチングすることによりＩＣとの接続部を形成する
ことができる。そして、両金属層間にはエッチングスト
ップ層が介在するので両金属層は互いに独立したパター
ンに形成される。

従って、リードフレームの母材となる金属層を必要な機
械的強度が得られるような厚さとし、ＩＣとの接続部と
なる金属層を該接続部に要求される微細さに応じた厚さ
く薄さ）にすることにより、ＩＣとの微細な接続部と充
分な機械的強度を有するリードフレームを得ることがで
きるのである。

（Ｇ、実施例）［第１図乃至第７図］以下、本発明リードフレームの製造方法を図示実施例に
従って詳細に説明する。

（ａ、第１の実施例）［第１図、第２図１第１図（Ａ）
乃至（Ｅ）は本発明リードフレームの製造方法の一つの
実施例を工程順に示す断面図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は
その実施例を工程順に示す斜視図である。

（Ａ）第１図に示すように三層構造の金属板をリードフ
レーム材ｌとして用意する。該リードフレーム材ｌは、
エッチングストップ層（厚さ２〜３０ｇｍ）２を、４２
合金あるいは銅合金からなる例えば１００〜２５０μｍ
程度の厚い金属層３と銅箔からなる１０〜５０ｇｍ程度
の薄い金属層４によってサンドイッチ状に挟んだ三層構
造を有している。厚い金属層３はアウターリードとなっ
て機械的強度を確保するためのものであるのに対して、
薄い金属層４はインナーリードとなるものであり、微細
なパターンを形成できるように薄く形成されているので
ある。

エッチングストップ層２は金属層３，４に対するエッチ
ング液、例えばＨａ　Ｏｘ　／Ｈｚ　５０４系のエッチ
ング液にエッチングされない金属であるアルミニウムが
材料として選ばれ、後において金属層３と４の互いに一
方に対するエッチングによって他方がエッチングされる
ことを阻む役割を果たす。

（Ｂ）次に、第１図（Ｂ）に示すように金属層３及び金
属層４の表面にフォトレジスト膜５ａ及び５ｂを選択的
に形成する。厚い金属層３表面に形成されたフォトレジ
スト膜５ａはリードフレームのインナーリード以外の部
分を構成するパターンを有し、薄い金属層４の表面に形
成されたフォトレジスト膜５ｂはインナーリード及びガ
イドホール６近辺等肉厚を特に厚くすべ−き部分を成す
パターンを有している。尚、フォトレジスト膜５の開口
部の幅は通常最小ｌＯ〜２０μｍにするが、ガイドホー
ル６近辺等厚肉部分に関してはサイドエッチング量を考
慮にいれて開口幅を設定する必要がある。

（Ｃ）次に、Ｈ，Ｑ、／Ｈ，Ｓｏ４系のエッチング液を
スプレー装置に投入し２Ｋｇ／ｃｍ”の圧力にてリード
フレーム材１の厚い金属層３の表面に対してエッチング
液のスプレー照射を３分間照射する。すると、第１図（
Ｃ）に示すように金属層３が選択的にエッチングされリ
ードフレームの母体たるアウターリードフが形成される
。

（０）次に、上記エッチング液のスプレー照射を２Ｋｇ
／ａｍ”の圧力にて２分間薄い金属層４の表面に行う。

すると、第１図（Ｄ）に示すように金属層４が選択的に
エッチングされ、インナーリード８と、ガイドホール６
の形成された厚肉部９が形成される。金属層４が例えば
厚さ１８μｍの銅箔の場合、実際に約４０３ｍピッチの
インナーリード８．８、・・・を形成することが可能で
あり、著しく微細化することができ、ビン数の増加の要
請に応えることができる。

その後、溶剤によってフォトレジスト膜５ａ、５ｂを除
去する。このフォトレジスト膜５ａ、５ｂ除去後の状態
を示す斜視図が第２図（Ａ）である。

（Ｅ）次いで、例えばアルカリ溶液（Ｎａ。

ＣＯｓ　、ＮａＯＨ又はＫＯＨ）によりエッチングスト
ップ層２を除去する。これによって、第１図（Ｅ）に示
すように、金属層３と金属層４のエッチング後に残存す
る部分の間にのみエッチングストップ層２が残存し、そ
れ以外のエッチングストップ層２は除去された状態にな
り、リードフレームが完成する。第２図（Ｂ）はリード
フレーム完成後の状態を示す。

尚、必要に応じてリードフレームの表面を錫、金、半田
（鉛１０％、錫９０％）等により全面的ないし部分的に
メッキするようにしても良い。この場合、アルミニウム
からなるエッチングストップ層２の残存部分の表面はメ
ッキしにくいのでメッキ前に亜鉛Ｚｎ置換をして活性化
してメッキ性を良くしてお（ことが好ましい。

また、上記例では選択的エッチング終了後のフォトレジ
スト膜５ａ、５ｂの剥離と、エッチングストップ層２の
除去とを別々に行っていたが、アルカリ溶液を用いて同
時に行うようにしても良い、また、レジスト除去の際に
超音波を加えるとレジスト除去がやり易くなる。。

本リードフレームの製造方法によれば、リードフレーム
材ｌの金属層３をリードフレームの母材（アウターリー
ド）として充分な機械的強度を確保するに必要な厚さに
、金属層４を微細なインナーリード８，８、・・・をエ
ッチングにより形成できるような薄さにすることができ
る。というのは、金属層３・４間にエッチングストップ
層２が介在しているので金属層３．４に対して独立して
エッチングすることができるからである。

従って、充分な機械的強度を有しつつインナーリードが
微細なリードフレームを得ることができる。尚、独立し
てエッチングすることは、エッチングを別々の工程で行
うことを言うのではなく、金属層３に対するエッチング
が金属４に対して影響を及ぼさず、又はその逆の関係に
対しても影響を及ぼさないことを意味するものである。

そして、金属Ｎ３に対するエッチングと金属層４に対す
るエッチングを同時に行うことも可能である。

（ｂ、第２の実施例）　【第３図乃至第５図１第３図（
Ａ）、（Ｂ）は本発明リードフレームの製造方法の第２
の実施例を工程順に示す断面図、第４図はバンブが形成
された状態を示す斜視図である。

本実施例はエッチングストップ層２によってインナーリ
ード８，８、・・・の先端部表面にバンブな形成するも
のである。

（Ａ）リードフレーム材ｌの金属層３．４に対する選択
的エッチングを終えフォトレジスト膜５ａ、５ｂを除去
した後、エッチングストップ層２のバンブを形成すべき
部分をフォトレジスト膜１０により第３図（Ａ）に示す
ようにマスクする。

（Ｂ）その後、エッチングストップ層２をアルカリ溶液
により除去する。すると、各フォトレジスト膜１０下に
バンブ１１が形成されることになる。そして、その後そ
のフォトレジスト膜１０を除去する。第３図（Ｂ）及び
第４図はフォトレジスト膜１０除去後の状態を示すもの
である。

本リードフレームの製造方法によれば、第１の実施例の
場合のように機械的強度が充分で且つインナーリード８
が微細なリードフレームを得ることができるだけでなく
、インナーリード８にバンブ１１を形成することができ
る。

第５図（Ａ）、（Ｂ）は第３図（Ａ）、（Ｂ）に示した
リードフレームの製造方法の変形例を示すものである。

第３図（Ａ）、（Ｂ）に示したリードフレームの製造方
法はエッチングストップ層２の各インナーリード８．８
、・・・の先端部上秤あたる位置に円形のバンブ１１を
形成するものであり、従ってフォトレジスト膜１０，１
０、・・・は各インナーリード８．８、・・・の先端部
上に独立して存在するように形成しなければならなかっ
た。そのため、露光の位置合せ精度を相当に高くしなけ
ればならなかった。

そこで、フォトレジスト膜１０の形成位置の精度がさほ
ど高くなくてもバンブ１１．１１、・・・を形成できろ
ようにしようとするのが本変形例なのである。

（Ａ）金属層３．４に対するエッチング及びそのエッチ
ングの際にマスクとしたフォトレジスト膜の除去を終え
た後、第５図（Ａ）に示すように、エッチングストップ
層２上に口字状にフォトレジスト膜１０を形成する。該
フォトレジスト膜１０は各インナーリード８．８．・・
・の先端部上にあたる各位置をよぎるように形成される
。

（Ｂ）その後、エッチングストップ層２を除去する。す
ると、フォトレジスト膜１０下の各インナーリード８，
８、・・・の先端部上にあたる位置にエッチングストッ
プ層からなる（つまり、本例ではアルミニウムからなる
）矩形状のバンブ１１．１１、　　・・・が形成される
。その後、フォトレジスト膜ｌＯを除去する。第５図（
Ｂ）はフォトレジスト膜１０除去後の状態を示す。

（ｃ−第３の実施例）［第６図］第６図（Ａ）、（Ｂ）は本発明リードフレームの製造方
法の第３の実施例を工程順に示す斜視図である。

（Ａ）金属層３．４に対するエッチング及びそのエッチ
ングの際にマスクとしたフォトレジスト膜を除去した後
、エツチングストツプ層２のアウターリード形成側の面
に第６図（Ａ）に示すように樹脂からなる補強材１２を
形成する。該補強材１２は、微細なるが故に機械的強度
が弱く曲ってショートしたりきれたりし易いインナーリ
ードを補強するためのものである。

（８）その後、エッチングストップ層２を除去する。す
ると、第６図（Ｂ）に示すように補強材１２はエッチン
グストップ層２の各残存部を介して各インナーリード８
．８、・・・と固定された状態になり、インナーリード
８．８．・・・の曲り、ショートを阻む。従って、リー
ドフレームの信頼度を著しく向上させることができる。

尚、補強材１２をインナーリード８．８、・・・の表面
に形成するようにしても良い。即ち、補強材１２はエッ
チングストップ層２の除去前においてインナーリード表
面と、エッチングストップ層２のアウターリード側の面
のどちらに形成しても良い。

（ｃｌ第４の実施例）［第７図］第７図（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明リードフレームの製造
方法の第４の実施例を工程順に示す断面図である。本実
施例は、リードフレーム材１の一方の金属層４によって
バンブな形成するものであり、これの技術的背景を述べ
ると次のとおりである。

従来、バンプ付きリードフレームは、厚肉の銅等の金属
箔をエッチングしてリードフレーム化し、その後各バン
ブを形成すべき部分をマスクして他をハーフエッチング
し、更にレジストでバンブ以外の部分をマスクしてバン
ブに金メッキする方法で製造することがあった。

しかし、この方法によればハーフエッチングのためのマ
スクであるフォトレジスト膜は１回のエッチングを終え
た後の凹凸のあるところに形成するので、形成が非常に
難しく、設計通りにすることが困難である。また、ハー
フエッチングにおけるエッチング深さのコントロールが
非常に難しい−しかも、レジスト写真工程が３回も必要
となるので製造コストも非常に大きくなる。

また、転写バンブ方式によりインナーリードにバンブな
形成する方法もあった。転写バンブ方式は、ガラス板等
の基板の表面に全面的に錫等の導電層を例えば蒸着によ
り形成し、該導電層の表面にフォトレジスト膜を選択的
に形成し、その後、バンブとなる金をメッキにより導電
層のマスクされていない部分上に形成し、談合メッキ層
を別に形成したリードフレームのインナーリード先端部
に熱圧着により転写するというものである。

しかしながら、この方法によれば、金メッキ層を形成し
た基板側とリードフレーム側との位置合せが難しいので
、バンプ位置にずれが生じ易い６また、数多くある金メ
ッキ層の中にはリードフレームに転写されないものがあ
り、無バンブ不良が生じ易い町また、メッキ膜厚のコン
トロールが難しいので、バンブの厚さにバラツキが生じ
易かった。特に高速電気メッキによれば電界強度のバラ
ツキにより中央部で薄く周辺部で厚くなる傾向があるの
でバンブの厚さにバラツキが生じることは避は得ない。

本リードフレームの製造方法はこのような問題が生じな
いようにすべく案出されたものなのである。

（Ａ）第７図（Ａ）に示すように、三層構造のリードフ
レーム材１を用意する。２はアルミニウムからなるエッ
チングストップ層（厚さ２〜３０μｍ）、３はリードフ
レーム本体となる金属層（厚さｌＯ〜ｌｏｏｕｍ）で、
銅からなる。

４はベンプ及びガイドホール形成部分となる金属層（厚
さ１０〜５０μｍ）である。金属層３と４はエッチング
ストップ層２をサンドイッチ状に挟んでいる。

（Ｂ）次に、同図（Ｂ）に示すように、金属層３．４の
表面にフォトレジスト膜５ａ、５ｂを選択的に形成する
。金属層３をマスクするフォトレジスト膜５ａはリード
フレーム本体を成すパターンを有し、フォトレジスト膜
５ｂはバンブ１１及びガイドホール近傍部分となるパタ
ーンを有する。

（Ｃ）次に、同図（Ｃ）に示すようにフォトレジスト膜
５ａ、５ｂをマスクとして金属層３．４を同時にエッチ
ングする。エッチング液としてはＨ！　０．７Ｈ２Ｓｏ
、系のものを用いる。すると、金属層３のエッチングに
よってはリードフレーム本体が形成され、金属層４のエ
ッチングによってバンプ１１及びガイドホール６近傍部
分が形成される。

その後、フォトレジスト膜５ａ、５ｂを除去する。

尚、本実施例においては両面に対するエッチングを同時
に行っていたが、第１の実施例の場合のように順次に行
うような態様で実施しても良い。

（Ｄ）その後、同図（Ｄ）に示すようにエッチングスト
ップ層２を除去する。これによりバンブ付きリードフレ
ームができあがる。

このようなバンブ１１は金メッキされたうえでＩＣの電
極パッドとアルミウム・金共晶合金を介して接続される
ことになる。しかし、異方性導電シートを使用するよう
にしても良い。このようにすれば金メッキは不要となり
、熱圧着により接続されることになる。

本リードフレームの製造方法によれば、リードフレーム
材のバターニングのための写真工程はｌ工程で済むので
、コストの低減を図ることができる。そして、フォトレ
ジスト膜は平坦な金属層表面に形成することができるの
で、写真工程がやり易く、リードフレームの形状、バン
ブの位置、形状を設計通りにすることができる。しかも
、バンブの厚さはメッキにより形成する場合と異なり、
一定にすることができ、また−、バンブとインナーリー
ドとの接着力はリードフレーム材形成の際にエッチング
ストップ層と金属層とを強く接着することにより非常に
強くすることができ、剥れが生じる虞れがないようにす
ることができる。

しかして、安定した高信頼度のバンブ付きリードフレー
ムを得ることができる。

（Ｈ，発明の効果）以上に述べたように、請求項（１）の本発明リードフレ
ームの製造方法は、エッチングストップ層を金属層で挟
んだ三層構造のリードフレーム材の両面にフォトレジス
ト膜を選択的に形成し、該フォトレジスト膜をマスクと
して両面のフォトレジスト膜をエッチングし、その後、
上記エッチングストップ層の不要部分を除去するこ尼を
特徴とするものである。

従って、請求項（１）のリードフレームの製造方法によ
れば、エッチングストップ層の一方の側の金属層をエッ
チングすることによりリードフレームの母材を形成し、
他方の側の金属層をエッチングすることによりＩＣとの
接続部を形成することができる。そして、両金属層間に
はエッチングストップ層が介在するので両金属層は互い
に独立したパターンに形成される。従って、リードフレ
ームの母材となる金属層を必要な機械的強度が得られる
ような厚さとし、ＩＣとの接続部となる金属層を該接続
部に要求される微細さに応じた厚さにすることにより、
ＩＣとの微細な接続部と充分な機械的強度を有するリー
ドフレームを得ることができる。

次に、請求項（２）のリードフレームの製造方法は、請
求項（１）のリードフレームの製造方法において他方の
金属層をインナーリードとしたことを特徴とするもので
ある。

従って、請求項（２）のリードフレームの製造方法によ
れば、インナーリードが微細で、機械的強度が充分なリ
ードフレームの製造方法を得ることができる。

次に、請求項（３）のリードフレームの製造方法は、請
求項（２）のリードフレームの製造方法において、金属
層のエッチング後エツチングストップ層の不要部分の除
去前に、インナーリードな補強する補強材を形成するこ
とを特徴とするものである。

従って、請求項（３）のリードフレームの製造方法によ
れば、補強材によって微細なインナーリードな補強する
ことができる。依って、インナーリードの曲り、折れ、
ショートなどを防止することができ、不良率の低減を図
ることができる。

次に、請求項（４）のリードフレームの製造方法は、請
求項（１）のリードフレームの製造方法において、他方
の金属層をバンブとしたことを特徴とするものである。

従って、請求項（４）のリードフレームの製造方法によ
れば、写真工程が一回しかない簡単な工程で厚さが一定
のバンブな強い接着力で安定に形成することができ、高
信頼度、低コストのバンプ付きリードフレームを提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明リードフレームの製造方法の
第１の実施例を説明するためのもので、第１図（Ａ）乃
至（Ｅ）は実施例を工程順に示す断面図、第２図（Ａ）
、（Ｂ）は同じく斜視図、第３図及び第４図は本発明リ
ードフレームの製造方法の第２の実施例を説明するため
のもので、第３図（Ａ）、（Ｂ）は実施例を工程順に示
す断面図、第４図ばバンブ形成後の状態を示す斜視図。第５図（Ａ）、（Ｂ）は第３図及び第４図に示したリー
ドフレームの製造方法の一つの変形例を工程順に示す断
面図、第６図（Ａ）、（Ｂ）は本発明リードフレームの
製造方法の第３の実施例を工程順に示す斜視図、第７図
（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明リードフレームの製造方法の
第４の実施例を工程順に示す断面図、第８図（Ａ）乃至
（Ｃ）はリードフレームの製造方法の一つの従来例を工
程順に示す断面図、第９図は発明が解決しようとする問
題点を説明するためのリードフレーム板厚・リードピッ
チ相関図である。　　　符号の説明ｌ・・・リードフレーム材、２・・・エッチングストップ層、３・・・リードフレームの母材となる金属層、４・・・
ＩＣとの接続部となる金属層。７・・・リードフレームの母材（アウターリード）、８・・・ＩＣとの接続部（インナーリード）、１１・◆
・バンブ（ＩＣとの接続部）、１２・・・補強材。出　願　人　　ソニー株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）金属からなるエッチングストップ層を金属層によ
りサンドイッチ状に挟んだ三層構造のリードフレーム材
を用意し、上記リードフレーム材の表面にフォトレジスト膜を選択
的に形成し、該フォトレジスト膜をマスクとして金属層
をエッチングすることをリードフレーム材の両面に対し
て同時又は順次に行い、その後、上記エッチングストッ
プ層の不要部分を除去することを特徴とするリードフレームの製造方法
（２）フォトレジスト膜をマスクとする両面の金属層を
エッチングすることにより一方の金属層をリードフレー
ムの母材とし、他方の金属層をインナーリードとすることを特徴とする請求項（１）に記載のリードフレーム
の製造方法
（３）フォトレジスト膜をマスクとする両面の金属層を
エッチングした後エッチングストップ層の不要部分を除
去する前に、インナーリードを補強する補強材を形成す
ることを特徴とする請求項（２）に記載のリードフレーム
の製造方法
（４）金属からなるエッチングストップ層を金属層によ
りサンドイッチ状に挟んだ三層構造のリードフレーム材
を用意し、上記リードフレーム材の表面にフォトレジスト膜を選択
的に形成し、該フォトレジスト膜をマスクとして金属層
をエッチングすることをリードフレーム材の両面に対し
て同時又は順次に行うことによりー方の金属層をリード
フレームの母材として、他方の金属層をバンプとし、その後、上記エッチングストップ層の不要部分を除去す
ることを特徴とするリードフレームの製造方法