JPH03150454A - オゾン検出装置 - Google Patents
オゾン検出装置Info
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- JPH03150454A JPH03150454A JP28980589A JP28980589A JPH03150454A JP H03150454 A JPH03150454 A JP H03150454A JP 28980589 A JP28980589 A JP 28980589A JP 28980589 A JP28980589 A JP 28980589A JP H03150454 A JPH03150454 A JP H03150454A
- Authority
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- Japan
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- thin film
- oxide semiconductor
- metal oxide
- gas sensor
- heater
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
この発明はオゾンの検出に関する。この発明のオゾン検
出装置は、例えば複写機等の高圧放電回路から発生した
オゾンの検出や、オゾン型脱臭器の制御等に用いる。
出装置は、例えば複写機等の高圧放電回路から発生した
オゾンの検出や、オゾン型脱臭器の制御等に用いる。
［従来技術］
特公昭５３−４３，３２０号は、金属酸化物半導体ガス
センサを高温域と低温域とに交互に加熱し、低温域の出
力から一酸化炭素を検出することを開示している。この
技術は出願人らにより実用化されており、用いられてい
るセンサはバルク型あるいは厚膜型のもので、時定数が
長いため温度変化の周期も長い。時定数として問題にな
るのは冷却時の時定数で、一般に２０〜３０秒以上であ
る。温度変化の周期は通常１５０秒程程度、高温域が６
０秒程度、低温域が９０秒程度である。
センサを高温域と低温域とに交互に加熱し、低温域の出
力から一酸化炭素を検出することを開示している。この
技術は出願人らにより実用化されており、用いられてい
るセンサはバルク型あるいは厚膜型のもので、時定数が
長いため温度変化の周期も長い。時定数として問題にな
るのは冷却時の時定数で、一般に２０〜３０秒以上であ
る。温度変化の周期は通常１５０秒程程度、高温域が６
０秒程度、低温域が９０秒程度である。
この技術は低温域で高い感度を示すカスであれば、任意
のガスの検出に用いられるはずであるが、実際には一酸
化炭素の検出にのみ用いられ、他のガスの検出には用い
られていない。
のガスの検出に用いられるはずであるが、実際には一酸
化炭素の検出にのみ用いられ、他のガスの検出には用い
られていない。
［発明の課題］
この発明の課題は以下の点にある。
（１） オゾンを高感度で検出すること、（２）検出
に要するデッドタイムを短縮すること。
に要するデッドタイムを短縮すること。
［発明の構成］
この発明では、金属酸化物半導体の薄膜を高温域と低温
域とに交互に周期的に加熱し、低温域の出力からオゾン
を検出する。用いるガスセンサは、ヒータに金属酸化物
半導体の薄膜を積層したもの（特許請求の範囲第１項）
、あるいは耐熱絶縁性の薄膜上にヒータと金属酸化物半
導体の薄膜とを設けたもの（特許請求の範囲第２項）と
する。
域とに交互に周期的に加熱し、低温域の出力からオゾン
を検出する。用いるガスセンサは、ヒータに金属酸化物
半導体の薄膜を積層したもの（特許請求の範囲第１項）
、あるいは耐熱絶縁性の薄膜上にヒータと金属酸化物半
導体の薄膜とを設けたもの（特許請求の範囲第２項）と
する。
検出回路としては、ガスセンサのヒータにヒータ電源を
接続し、金属酸化物半導体薄膜には負荷抵抗と検出電源
とを直列に接続する。ここでタイマを設けて、ヒータ電
源の出力を周期的に変化させ、金属酸化物半導体の薄膜
の温度を高温域と低温域とに交互に周期的に変化させる
。そしてＡ／Ｄコンバータにより低温域でのガスセンサ
の出力を取り出し、これを基にオゾンを検出する。ガス
センサの出力としては、負荷抵抗への出力やガスセンサ
に現れる印加電圧、あるいはこれらを分圧したものを用
いる。
接続し、金属酸化物半導体薄膜には負荷抵抗と検出電源
とを直列に接続する。ここでタイマを設けて、ヒータ電
源の出力を周期的に変化させ、金属酸化物半導体の薄膜
の温度を高温域と低温域とに交互に周期的に変化させる
。そしてＡ／Ｄコンバータにより低温域でのガスセンサ
の出力を取り出し、これを基にオゾンを検出する。ガス
センサの出力としては、負荷抵抗への出力やガスセンサ
に現れる印加電圧、あるいはこれらを分圧したものを用
いる。
薄膜型のガスセンサを高温域と低温域とに交互に加熱す
ると、低温域でオゾンへの高い感度が生しる。薄膜型に
変えバルク型や厚膜型のガスセンサを用いると、オゾン
が易分解性のガスであるため、金属酸化物半導体の内部
へ仏教する過程で分解し、感度が低下する。
ると、低温域でオゾンへの高い感度が生しる。薄膜型に
変えバルク型や厚膜型のガスセンサを用いると、オゾン
が易分解性のガスであるため、金属酸化物半導体の内部
へ仏教する過程で分解し、感度が低下する。
ヒータに金属酸化物半導体の薄膜を積層したガスセンサ
や、耐熱絶縁性の薄膜にヒータと金属酸化物半導体の薄
膜を設けたガスセンサは、熱時定数が短い。このため検
出周期を短縮し、デッドタイムを縮めることができる。
や、耐熱絶縁性の薄膜にヒータと金属酸化物半導体の薄
膜を設けたガスセンサは、熱時定数が短い。このため検
出周期を短縮し、デッドタイムを縮めることができる。
［実施例］
第１図にオゾンの検出結果を示す。図の出力Ｖｏｕｔは
ガスセンサの負荷抵抗（３００にΩ）への出力を表し、
図中の表示はオゾン濃度を表す。
ガスセンサの負荷抵抗（３００にΩ）への出力を表し、
図中の表示はオゾン濃度を表す。
この結果は、第２図のＳｎＯ２系ガスセンサを０゜１秒
間高温域（３５０〜４００°Ｃ）に加熱し、４゜９秒間
低温域（１５０〜２００°Ｃ）に加熱した際のものであ
る。図の上部の点線は高温域での出力（高温域の終了付
近の出力）を、下部の点線は低温域での出力（低温域の
終了付近の出力）を表す。
間高温域（３５０〜４００°Ｃ）に加熱し、４゜９秒間
低温域（１５０〜２００°Ｃ）に加熱した際のものであ
る。図の上部の点線は高温域での出力（高温域の終了付
近の出力）を、下部の点線は低温域での出力（低温域の
終了付近の出力）を表す。
この結果での、ガスセンサの抵抗値（金属酸化物半導体
薄膜の抵抗値）並びにオゾンへの感度を表１に示す。
薄膜の抵抗値）並びにオゾンへの感度を表１に示す。
０ （空気中） ３２〜 ３８
０、ｌｐｐｍ ２１０− ２３０ ６
− ７０．３ｐｐｍ １０００−１１００
２２８−３６１ｐｐ ４６００〜４８０
０ １２０〜１４０＊結果は低温域の出力から算出
、抵抗値は図での定常値を表示、オゾン感度はオゾン導
入直前の空気中の抵抗値とオゾン中の抵抗値の比を表す
。
− ７０．３ｐｐｍ １０００−１１００
２２８−３６１ｐｐ ４６００〜４８０
０ １２０〜１４０＊結果は低温域の出力から算出
、抵抗値は図での定常値を表示、オゾン感度はオゾン導
入直前の空気中の抵抗値とオゾン中の抵抗値の比を表す
。
表１の結果を見ると、オゾンへの感度は高く、ｌｐｐｍ
のオゾンに対しては１００倍以上の感度が得られ、０．
ｌｐｐｍでも６〜７倍の感度が得られる。０．１〜ｌｐ
ｐｍの範囲で金属酸化物半導体の抵抗値はオゾン濃度に
より放物線的に変化し、オゾン濃度への依存性は１次よ
りも高い。この結果０．１ ｐｐｍ程度のオゾンを検出
することは容易で、高温域の出力がオゾンに余り依存し
ないことを利用してガスセンサ出力の変動を補償すると
、０．ｌｐｐｍ以下のオゾンも検出できる。
のオゾンに対しては１００倍以上の感度が得られ、０．
ｌｐｐｍでも６〜７倍の感度が得られる。０．１〜ｌｐ
ｐｍの範囲で金属酸化物半導体の抵抗値はオゾン濃度に
より放物線的に変化し、オゾン濃度への依存性は１次よ
りも高い。この結果０．１ ｐｐｍ程度のオゾンを検出
することは容易で、高温域の出力がオゾンに余り依存し
ないことを利用してガスセンサ出力の変動を補償すると
、０．ｌｐｐｍ以下のオゾンも検出できる。
検出の周期は５秒で、この内完全なデッドタイムとなる
高温域の時間は０．１秒である。低温域の時間を短縮す
ると、１周期１秒以下の検出も可能である。
高温域の時間は０．１秒である。低温域の時間を短縮す
ると、１周期１秒以下の検出も可能である。
検出原理について説明すると、高温域への加熱は吸着し
たオゾンや水蒸気を脱離させ、ガスセンサをその都度初
期化することにある。高温域への加熱は、金属酸化物半
導体を活性化し、低温域でのオゾンの吸着を容易にする
作用ももっている。
たオゾンや水蒸気を脱離させ、ガスセンサをその都度初
期化することにある。高温域への加熱は、金属酸化物半
導体を活性化し、低温域でのオゾンの吸着を容易にする
作用ももっている。
高温域に必要な時間の下限は、ガスセンサの加熱時の熱
時定数約１０ｍ５ｅｃより短い。低温域での作用は、オ
ゾンを吸着させて抵抗値を変化させることにある。これ
に必要な時間は１秒〜ＩＯ秒程度で、時間を長くする程
オゾン感度は増加するが、同時に水蒸気への感度も増加
する。１周期５秒との条件は、このような点から定めた
ものである。
時定数約１０ｍ５ｅｃより短い。低温域での作用は、オ
ゾンを吸着させて抵抗値を変化させることにある。これ
に必要な時間は１秒〜ＩＯ秒程度で、時間を長くする程
オゾン感度は増加するが、同時に水蒸気への感度も増加
する。１周期５秒との条件は、このような点から定めた
ものである。
高温域や低温域の温度は用いた金属酸化物半導体薄膜（
Ｓｎ０２単味）に応して定めたもので、低温域の温度は
室温でも良い。高温域を３５０〜４００℃としたのは、
これ以上の温度では低温域でエタノール等の雑ガスへの
感度が発現するためで、第１図の条件の場合低温域でも
高温域でもエタノール等の雑ガスへの感度はほとんどな
い。
Ｓｎ０２単味）に応して定めたもので、低温域の温度は
室温でも良い。高温域を３５０〜４００℃としたのは、
これ以上の温度では低温域でエタノール等の雑ガスへの
感度が発現するためで、第１図の条件の場合低温域でも
高温域でもエタノール等の雑ガスへの感度はほとんどな
い。
第１図には表れていないが、ガスセンサの出力は安定で
、ドリフトは小さい。センサの抵抗は、３５０〜４００
℃に連続加熱する場合も、１５０〜２００°Ｃに連続加
熱する場合も安定ではなく、放置したセンサの使用を再
開するとドリフトが生じる。室温に放置したセンサを連
続加熱すると、センサ抵抗は高抵抗側に数日程度の間ド
リフトする。その大きさは最初の１日で３５０〜４００
°Ｃ程度ではＩＯ倍程度、１５０〜２００°Ｃでは数倍
である。しかし実施例の使用条件ではドリフトは見られ
ない。例えば０．６Ｖ１０．２Ｖの条件では、使用開始
１０分後の高温側の空気中の抵抗値は約１０にΩ、１日
後の抵抗も約１０にΩであった。
、ドリフトは小さい。センサの抵抗は、３５０〜４００
℃に連続加熱する場合も、１５０〜２００°Ｃに連続加
熱する場合も安定ではなく、放置したセンサの使用を再
開するとドリフトが生じる。室温に放置したセンサを連
続加熱すると、センサ抵抗は高抵抗側に数日程度の間ド
リフトする。その大きさは最初の１日で３５０〜４００
°Ｃ程度ではＩＯ倍程度、１５０〜２００°Ｃでは数倍
である。しかし実施例の使用条件ではドリフトは見られ
ない。例えば０．６Ｖ１０．２Ｖの条件では、使用開始
１０分後の高温側の空気中の抵抗値は約１０にΩ、１日
後の抵抗も約１０にΩであった。
同様に低温側の抵抗値は１０分後が３０〜４０にΩ、１
日後も３０〜４０にΩであつに。
日後も３０〜４０にΩであつに。
用いたガスセンサを第２図に示す。このガスセンサ２は
公知で、（特開昭６３−１０９．３５８号に記載）、ヒ
ータ４の表面にアルミナの絶縁膜６（膜厚１μｍ弱）を
介して、単味の５ｎ０２薄膜８（膜厚約０．５μｍ）を
積層したものである。
公知で、（特開昭６３−１０９．３５８号に記載）、ヒ
ータ４の表面にアルミナの絶縁膜６（膜厚１μｍ弱）を
介して、単味の５ｎ０２薄膜８（膜厚約０．５μｍ）を
積層したものである。
１０１２は金電極である。ヒータ４には、直径１３μｍ
のＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金線（スエーデンカンタル社製の
カンタル線、カンタルは登録商標）を用いた。ヒータ４
の材質や線径は任意である。
のＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金線（スエーデンカンタル社製の
カンタル線、カンタルは登録商標）を用いた。ヒータ４
の材質や線径は任意である。
アルミナの絶縁膜６はＳｎＯ２薄膜８とヒータ４とを絶
縁し、同時にヒータ材料による５ｎ０２薄膜８の汚染を
防止する。アルミナ絶縁膜６は、アルミナゾルを塗布し
熱分解して設けた。ヒータ４に白金等の貴金属材料を用
いる場合、ＳｎＯ，薄膜８の汚染の可能性が小さいため
、アルミナ絶縁膜６を設けなくても良い。この場合ヒー
タ４を電極の一方に兼用することができる。ＳｎＯ，薄
膜８は、２−エチルヘキサン酸Ｓｎのブタノール溶液を
アルミナ絶縁膜６上に塗布し、５００°Ｃで熱分解して
形成した。アルミナ絶縁膜６はＳｉＯ□やＺｒＯ２等の
膜に変えても良く、ＳｎＯ２薄膜８はｒｎ２０３やＺｎ
Ｏ等の薄膜に変えても良い。
縁し、同時にヒータ材料による５ｎ０２薄膜８の汚染を
防止する。アルミナ絶縁膜６は、アルミナゾルを塗布し
熱分解して設けた。ヒータ４に白金等の貴金属材料を用
いる場合、ＳｎＯ，薄膜８の汚染の可能性が小さいため
、アルミナ絶縁膜６を設けなくても良い。この場合ヒー
タ４を電極の一方に兼用することができる。ＳｎＯ，薄
膜８は、２−エチルヘキサン酸Ｓｎのブタノール溶液を
アルミナ絶縁膜６上に塗布し、５００°Ｃで熱分解して
形成した。アルミナ絶縁膜６はＳｉＯ□やＺｒＯ２等の
膜に変えても良く、ＳｎＯ２薄膜８はｒｎ２０３やＺｎ
Ｏ等の薄膜に変えても良い。
＝９
ガスセンサ２は、薄膜状の金属酸化物半導体８を用いる
ため、オゾンへの感度が高い。厚膜やバルク状の金属酸
化物半導体を用いると、金属酸化物半導体の内部への拡
散の過程でオゾンが分解し、オゾン感度が低下する。
ため、オゾンへの感度が高い。厚膜やバルク状の金属酸
化物半導体を用いると、金属酸化物半導体の内部への拡
散の過程でオゾンが分解し、オゾン感度が低下する。
ガスセンサ２の第２の特徴は、熱時定数が短いことにあ
る。ガスセンサ２では、ＳｎＯ，薄膜８とヒータ４との
間隔が短いため、熱時定数が小さい。このため検出周期
を短縮することができる。
る。ガスセンサ２では、ＳｎＯ，薄膜８とヒータ４との
間隔が短いため、熱時定数が小さい。このため検出周期
を短縮することができる。
ガスセンサ２の放熱時の熱時定数は３０ｍ５ｅｃ程度、
加熱時の熱時定数はそれ以下である。これに対して厚膜
型やバルク型のガスセンサの熱時定数は、通常数十秒程
度である。
加熱時の熱時定数はそれ以下である。これに対して厚膜
型やバルク型のガスセンサの熱時定数は、通常数十秒程
度である。
ガスセンサはアルミナ等の基板にＰｔ、ＲｕＯ２等のヒ
ータ膜を設け、その上部に金属酸化物半導体の薄膜を積
層したものでも良い。この場合ヒータと金属酸化物半導
体薄膜との間隔は僅かで、ヒータを発熱させると金属酸
化物半導体は直ちに加熱される。一方ヒータの発熱時間
を例えば１秒以下、好ましくは３０〜３００ｍ５ｅｃ程
度と短くす０ ると、基板が昇温する前に高温域が終了する。このため
加熱終了後ヒータは直ちに基板により冷却され、金属酸
化物半導体も冷却される。これらの結果、このようなガ
スセンサでも熱時定数が短い薄膜型のガスセンサを得る
ことができる。
ータ膜を設け、その上部に金属酸化物半導体の薄膜を積
層したものでも良い。この場合ヒータと金属酸化物半導
体薄膜との間隔は僅かで、ヒータを発熱させると金属酸
化物半導体は直ちに加熱される。一方ヒータの発熱時間
を例えば１秒以下、好ましくは３０〜３００ｍ５ｅｃ程
度と短くす０ ると、基板が昇温する前に高温域が終了する。このため
加熱終了後ヒータは直ちに基板により冷却され、金属酸
化物半導体も冷却される。これらの結果、このようなガ
スセンサでも熱時定数が短い薄膜型のガスセンサを得る
ことができる。
第３図、第４図に、熱時定数の短い薄膜型ガスセンサの
他の例を示す。図において２０はガスセンサ、２２はＳ
ｉＯ□等の耐熱絶縁性の薄膜で、例えば厚さ１μｍ１幅
２０μｍ程度のものを用いる。５ｉ０２の薄膜２２は、
Ｓｉ等の基板２４上に設け、アンダーカットエンチング
等により設けた空洞部上にブリッジとして存在する。２
６，２８はヒータ薄膜、３０．３２は一対の電極、３４
はＳｎＯ２やＩｒ＋２０３、ＺｎＯ等の金属酸化物半導
体の薄膜である。ガスセンサ２０は、第２図のガスセン
サ２と等価である。
他の例を示す。図において２０はガスセンサ、２２はＳ
ｉＯ□等の耐熱絶縁性の薄膜で、例えば厚さ１μｍ１幅
２０μｍ程度のものを用いる。５ｉ０２の薄膜２２は、
Ｓｉ等の基板２４上に設け、アンダーカットエンチング
等により設けた空洞部上にブリッジとして存在する。２
６，２８はヒータ薄膜、３０．３２は一対の電極、３４
はＳｎＯ２やＩｒ＋２０３、ＺｎＯ等の金属酸化物半導
体の薄膜である。ガスセンサ２０は、第２図のガスセン
サ２と等価である。
第５図に、第１図のデータのサンプリング条件を示す。
検出周期は５秒で、０．１秒間だけヒータ４に０，６Ｖ
の電圧を加え、他は０．２Ｖのヒータ電圧とする。０．
６Ｖや０．２Ｖの電源を得るの１− が困難な場合、ヒータ電源を例えば５Ｖとし、これを短
いパルス列として加え実効的に同じ電力を加えても良い
。０．６Ｖのヒータ電源は、出力５■でデユーティ比１
．４４％の電源と等価である。
の電圧を加え、他は０．２Ｖのヒータ電圧とする。０．
６Ｖや０．２Ｖの電源を得るの１− が困難な場合、ヒータ電源を例えば５Ｖとし、これを短
いパルス列として加え実効的に同じ電力を加えても良い
。０．６Ｖのヒータ電源は、出力５■でデユーティ比１
．４４％の電源と等価である。
温度変化に伴ってセンサ出力は図の下部のように変化す
る。実線に空気中での出力を、破線にオゾン中の出力を
示す。そしてこの出力を高温域の終了時付近（ｐ、点）
と、低温域の終了時付近（ｐ２点）でサンプリングし、
プロットしたものが第１図である。
る。実線に空気中での出力を、破線にオゾン中の出力を
示す。そしてこの出力を高温域の終了時付近（ｐ、点）
と、低温域の終了時付近（ｐ２点）でサンプリングし、
プロットしたものが第１図である。
第６図に、検出回路を示す。４０は検出電源、４２．４
４は電源で、４６．４８はそのスイッチ、５０は負荷抵
抗である。電源４２．４４とスイッチ４６４８を組み合
わせて、ヒータ４の電源とする。５２は信号処理用のマ
イクロコンピュータで、Ａ／Ｄコンバータ５４と、タイ
マ５６、演算論理ユニット５８、オゾン中でのガスセン
サ出力の標準値を記憶させたＲＯＭ６０、データ記憶用
のＲＡＭ６２とを有し、出力側には表示回路６４を接続
する。タイマ５６は例えば５秒周期で動作２ し、０．１秒間スイッチ４６をオンさせ、他はスイッチ
４８をオンさせる。またスイッチ４８のオフ直前に、負
荷抵抗５０への出力をＡ／Ｄ ：ｌ：Ｉンノくり５４に
読み込ませる。負荷抵抗５０への出力に変えて、センサ
２への印加電圧をセンサ出力としても良い。Ａ／Ｄ変換
した出力をＲＡＭ６２に記憶させ、ＲＯＭ６０に記憶し
た標準出力と比較して、オゾン濃度を求める。求めたオ
ゾン濃度は表示回路６４で表示する。
４は電源で、４６．４８はそのスイッチ、５０は負荷抵
抗である。電源４２．４４とスイッチ４６４８を組み合
わせて、ヒータ４の電源とする。５２は信号処理用のマ
イクロコンピュータで、Ａ／Ｄコンバータ５４と、タイ
マ５６、演算論理ユニット５８、オゾン中でのガスセン
サ出力の標準値を記憶させたＲＯＭ６０、データ記憶用
のＲＡＭ６２とを有し、出力側には表示回路６４を接続
する。タイマ５６は例えば５秒周期で動作２ し、０．１秒間スイッチ４６をオンさせ、他はスイッチ
４８をオンさせる。またスイッチ４８のオフ直前に、負
荷抵抗５０への出力をＡ／Ｄ ：ｌ：Ｉンノくり５４に
読み込ませる。負荷抵抗５０への出力に変えて、センサ
２への印加電圧をセンサ出力としても良い。Ａ／Ｄ変換
した出力をＲＡＭ６２に記憶させ、ＲＯＭ６０に記憶し
た標準出力と比較して、オゾン濃度を求める。求めたオ
ゾン濃度は表示回路６４で表示する。
なおオゾン濃度の算出には、低温域での金属酸化物半導
体薄膜８の抵抗値と高温域での抵抗値との比等を用いて
も良く、用途に応じた種々の７（・ンクグラウンド補正
ができる。
体薄膜８の抵抗値と高温域での抵抗値との比等を用いて
も良く、用途に応じた種々の７（・ンクグラウンド補正
ができる。
［発明の効果１
この発明では、
（１）オゾンを高感度で検出し、
（２）かつ検出に要するデッドタイムを短くすることが
できる。
できる。
第１図は、実施例でのオゾン検出結果を示す特３
性図である。
第２図は、用いたガスセンサの要部斜視図である。
第３図は変形例のガスセンサの要部平面図、第４図はそ
のＴＶ−ＩＶ方向断面図である。 第５図は、実施例での検出信号のサンプリングを示す波
形図である。 第６図は実施例の回路図である。 図において、 ２，２０ ガスセンサ、４．２６，
２８ ヒータ、 ６ 絶縁膜、８．３４ 金属酸
化物半導体薄膜、 ４０ 検出電源、 ４２，４４ ヒータ電源、４６．
４８ スイッチ、 ５０ 負荷抵抗、５２ マイク
ロコンピュータ、 ５４ Ａ／Ｄコンバータ、５６ タイマ、６０ Ｒ
ＯＭ、 ６２ ＲＡＭ。 ６４ 表示回路。
のＴＶ−ＩＶ方向断面図である。 第５図は、実施例での検出信号のサンプリングを示す波
形図である。 第６図は実施例の回路図である。 図において、 ２，２０ ガスセンサ、４．２６，
２８ ヒータ、 ６ 絶縁膜、８．３４ 金属酸
化物半導体薄膜、 ４０ 検出電源、 ４２，４４ ヒータ電源、４６．
４８ スイッチ、 ５０ 負荷抵抗、５２ マイク
ロコンピュータ、 ５４ Ａ／Ｄコンバータ、５６ タイマ、６０ Ｒ
ＯＭ、 ６２ ＲＡＭ。 ６４ 表示回路。
Claims (2)
- （１）ヒータに金属酸化物半導体の薄膜を積層したガス
センサと、 ガスセンサのヒータに接続したヒータ電源と、金属酸化
物半導体の薄膜に直列に接続した検出電源と負荷抵抗と
、 ヒータ電源の出力を周期的に変化させて、金属酸化物半
導体薄膜の温度を高温域と低温域とに周期的に変化させ
るためのタイマと、 負荷抵抗あるいは金属酸化物半導体へのガスセンサ出力
を、タイマからの信号に基づいて、金属酸化物半導体の
薄膜が低温域にある期間内にＡ／Ｄ変換するためのＡ／
Ｄコンバータと、 Ａ／Ｄ変換したガスセンサ出力から、オゾンを検出する
ための手段とを設けた、オゾン検出装置。 - （２）耐熱絶縁性の薄膜上にヒータと金属酸化物半導体
の薄膜とを設けたガスセンサと、ガスセンサのヒータに
接続したヒータ電源と、金属酸化物半導体の薄膜に直列
に接続した検出電源と負荷抵抗と、 ヒータ電源の出力を周期的に変化させて、金属酸化物半
導体薄膜の温度を高温域と低温域とに周期的に変化させ
るためのタイマと、 負荷抵抗あるいは金属酸化物半導体へのガスセンサ出力
を、タイマからの信号に基づいて、金属酸化物半導体の
薄膜が低温域にある期間内にＡ／Ｄ変換するためのＡ／
Ｄコンバータと、 Ａ／Ｄ変換したガスセンサ出力から、オゾンを検出する
ための手段とを設けた、オゾン検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28980589A JP2919874B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | オゾン検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28980589A JP2919874B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | オゾン検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150454A true JPH03150454A (ja) | 1991-06-26 |
| JP2919874B2 JP2919874B2 (ja) | 1999-07-19 |
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ID=17747995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28980589A Expired - Fee Related JP2919874B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | オゾン検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2919874B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102043001A (zh) * | 2009-10-22 | 2011-05-04 | 株式会社科学技术分析中心 | 气体浓度检测方法及用于此的气体浓度检测装置 |
| JP2021132480A (ja) * | 2020-02-20 | 2021-09-09 | 株式会社日立製作所 | 電動機システム及び放電検出方法 |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP28980589A patent/JP2919874B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102043001A (zh) * | 2009-10-22 | 2011-05-04 | 株式会社科学技术分析中心 | 气体浓度检测方法及用于此的气体浓度检测装置 |
| JP2021132480A (ja) * | 2020-02-20 | 2021-09-09 | 株式会社日立製作所 | 電動機システム及び放電検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2919874B2 (ja) | 1999-07-19 |
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