JPH04130672A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04130672A JPH04130672A JP2252352A JP25235290A JPH04130672A JP H04130672 A JPH04130672 A JP H04130672A JP 2252352 A JP2252352 A JP 2252352A JP 25235290 A JP25235290 A JP 25235290A JP H04130672 A JPH04130672 A JP H04130672A
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- JP
- Japan
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- semiconductor film
- film
- electrode
- semiconductor
- films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分計
本発明は、複数の光起電力素子を電気的に直列接続した
形態の集積型の光起電力装置の製造方法に関する。
形態の集積型の光起電力装置の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
集積型の光起電力装置は、所定の光起電力を得るべく、
複数の光起電力素子を電気的に直列接続している。この
ような光起電力装置において、レーザビームを用いて光
起電力素子の分割及び接続を行う方法が、特開昭６２−
３３４７７号公報により提案されている。
複数の光起電力素子を電気的に直列接続している。この
ような光起電力装置において、レーザビームを用いて光
起電力素子の分割及び接続を行う方法が、特開昭６２−
３３４７７号公報により提案されている。
この製造方法によれば、まず、ガラス等の透明基板上に
、複数の透明なｌｉ電極膜を所定の隣接間隔部を隔てて
分割配置し、各第１電極膜の側縁近傍に沿って隣接間隔
部と平行に、隣接間隔部に近い側から帯状の導電部材及
び絶縁部材を形成する。
、複数の透明なｌｉ電極膜を所定の隣接間隔部を隔てて
分割配置し、各第１電極膜の側縁近傍に沿って隣接間隔
部と平行に、隣接間隔部に近い側から帯状の導電部材及
び絶縁部材を形成する。
次に、第１電極膜、導電部材及び絶縁部材の表面を含ん
で基板の略全面に、半導体膜及び第２電極膜を積層形成
した後、導電部材及び絶縁部材と対向する各位置で、第
２電極膜上から導電部材及び絶縁部材に達するようにレ
ーザビーム、電子ビーム等のエネルギービームが照射す
る。
で基板の略全面に、半導体膜及び第２電極膜を積層形成
した後、導電部材及び絶縁部材と対向する各位置で、第
２電極膜上から導電部材及び絶縁部材に達するようにレ
ーザビーム、電子ビーム等のエネルギービームが照射す
る。
以上の方法により、半導体膜及び第２電極膜の分割を行
うと共に、第２電極膜と第１電極膜とを電気的に接続し
、１足って、隣り合う光起電力素子を電気的に接続する
ものである。
うと共に、第２電極膜と第１電極膜とを電気的に接続し
、１足って、隣り合う光起電力素子を電気的に接続する
ものである。
二の方法によれば、発電に直接関係する半導体膜の微細
加工が可能であるため、半導体膜の面積を最大限に大き
くすることができ、装置の出力特性を向上させることが
できる。
加工が可能であるため、半導体膜の面積を最大限に大き
くすることができ、装置の出力特性を向上させることが
できる。
（ハ）発明が解決しようとする課題
ところで、上述の技術において、導電部材の部分におけ
るレーザ光は、スポット上に離散的に照射される。従っ
て、第１電極膜と第２電極との電気的接続が離散配置さ
れたスポット部分に限られ、接続抵抗が大きくなる。
るレーザ光は、スポット上に離散的に照射される。従っ
て、第１電極膜と第２電極との電気的接続が離散配置さ
れたスポット部分に限られ、接続抵抗が大きくなる。
また、上述の方法によれば、時間経過と共に、出力特性
が大きく低下するという問題が発生している。
が大きく低下するという問題が発生している。
更に、各光起電力素子の分割のみならず、各光起電力素
）の電気的な直列接続、即ち第１＠極膜と第２＠極膜の
ｔ気的接続をも、レーザビームの照射により行っている
が、現在のところ、上述のように精密にレーザビームを
照射するためのレーザ装置は高価である。更に、２回の
レーザビームの照射に伴うレーザ装置の消費エネルギー
ら増大し、従って、光起電力装置の製造コストが高くな
る。
）の電気的な直列接続、即ち第１＠極膜と第２＠極膜の
ｔ気的接続をも、レーザビームの照射により行っている
が、現在のところ、上述のように精密にレーザビームを
照射するためのレーザ装置は高価である。更に、２回の
レーザビームの照射に伴うレーザ装置の消費エネルギー
ら増大し、従って、光起電力装置の製造コストが高くな
る。
（二ン課題を解決するための手段
本発明の光起電力装置の製造方法は、
基板の絶縁表面の複数の光電変換領域毎に、第１電極膜
を分割配置する工程と、 これら第１電極膜の隣接間隔部に沿って、各第１電極膜
の一端に導電部材を形成する工程と、上記第１電極膜が
配置された上記基板の絶縁表面の略全面に、半導体膜を
形成する工程と、上記半導体膜の露出面の導電部材と対
向する部分に、エネルギービームを照射して、その部分
の半導体膜を除去して上記導電部材を露出させる工程と
、 上記第１電極膜と対向するように、上記導電部材の露出
部分を含んで上記半導体膜りに第２＠極膜を分割配置す
る工程と、 を備えたことを特徴とする。
を分割配置する工程と、 これら第１電極膜の隣接間隔部に沿って、各第１電極膜
の一端に導電部材を形成する工程と、上記第１電極膜が
配置された上記基板の絶縁表面の略全面に、半導体膜を
形成する工程と、上記半導体膜の露出面の導電部材と対
向する部分に、エネルギービームを照射して、その部分
の半導体膜を除去して上記導電部材を露出させる工程と
、 上記第１電極膜と対向するように、上記導電部材の露出
部分を含んで上記半導体膜りに第２＠極膜を分割配置す
る工程と、 を備えたことを特徴とする。
（ホ）作用
本発明によれば、半導体膜トに分割配置される第２ｔ１
％ｉ膜は、予めエネルギービームを照射することにより
半導体膜から露出された導電部材を介して、第１電極膜
と電気的に接合される。
％ｉ膜は、予めエネルギービームを照射することにより
半導体膜から露出された導電部材を介して、第１電極膜
と電気的に接合される。
また、半導体膜は、エネルギービームの照射により、導
電部材を露出させると同時に分割される。
電部材を露出させると同時に分割される。
（へ）実施例
第１図乃至第３図は本発明の製造方法を工程順に示す断
面図である。
面図である。
第１図に示す工程において、ガラス、耐熱性プラスチッ
ク等の透光性材料またはステンレス等の表面に絶縁処理
が施された可撓性材料等からなる基板ｌの表面に、複数
の第１電極！ｉ２ａ、２ｂ、２Ｃが分割配置される。こ
れら第１電極膜２ａ、２ｂ、２Ｃは、基板１が透光性材
料からなる場きには、酸化錫（ＳｎＯ３）、酸化インジ
ウム錫（Ｉ Ｔ Ｏ−）等の透光性導電酸化物（ＴＣＯ
）から形成され、基板ｌが可撓性材料からなる場合には
、アルミニウム（ＡＩ）、銀（Ａｇ）等の低抵抗金属か
らなる。
ク等の透光性材料またはステンレス等の表面に絶縁処理
が施された可撓性材料等からなる基板ｌの表面に、複数
の第１電極！ｉ２ａ、２ｂ、２Ｃが分割配置される。こ
れら第１電極膜２ａ、２ｂ、２Ｃは、基板１が透光性材
料からなる場きには、酸化錫（ＳｎＯ３）、酸化インジ
ウム錫（Ｉ Ｔ Ｏ−）等の透光性導電酸化物（ＴＣＯ
）から形成され、基板ｌが可撓性材料からなる場合には
、アルミニウム（ＡＩ）、銀（Ａｇ）等の低抵抗金属か
らなる。
続いて、これら第１ ｔ ｅｉ ＠ ２ａ、２ｂ、２Ｃ
の隣接間隔部に沿う一端上に、帯状の導電部材３が形成
される。導電部材３としては、Ａｇ粉末を主成分として
含むＡｇペースト等からなる金属ペーストが使用され、
これをスクリーン印刷手法により高さ約ＨＪμｍでパタ
ーニングした後、５５０℃の温度で焼成することにより
形成される。
の隣接間隔部に沿う一端上に、帯状の導電部材３が形成
される。導電部材３としては、Ａｇ粉末を主成分として
含むＡｇペースト等からなる金属ペーストが使用され、
これをスクリーン印刷手法により高さ約ＨＪμｍでパタ
ーニングした後、５５０℃の温度で焼成することにより
形成される。
更に、第１電極膜２ａ、２ｂ、２Ｃ及び導電部材３を、
覆うように、膜厚４０００〜７０００人程度の半導体膜
４が形成される。この半導体膜４は、膜面に平行なｐｎ
、 ｐｉｎ等の半導体接合を有する非晶質シリコン（ａ
−５ｉ）、非晶質シリコンカーバイド（ａ−５ｉＣ）等
から形成される。
覆うように、膜厚４０００〜７０００人程度の半導体膜
４が形成される。この半導体膜４は、膜面に平行なｐｎ
、 ｐｉｎ等の半導体接合を有する非晶質シリコン（ａ
−５ｉ）、非晶質シリコンカーバイド（ａ−５ｉＣ）等
から形成される。
第２図に示す工程において、導電部材３が位置するとこ
ろの半導体膜４上から、レーザビーム、電子ビーム等の
エネルギビームカリ＜１射されて、半導体膜４が、個々
の半導体膜４ａ、４ｂ、４Ｃに分割されると共に、導電
部材３が３０〜１ Ｆ１０μｍの幅で露出される。
ろの半導体膜４上から、レーザビーム、電子ビーム等の
エネルギビームカリ＜１射されて、半導体膜４が、個々
の半導体膜４ａ、４ｂ、４Ｃに分割されると共に、導電
部材３が３０〜１ Ｆ１０μｍの幅で露出される。
エネルギービームとしては、波長１（１６μｍを有する
＼ｄ ： ’＋’ＡＧレーザが好適である。
＼ｄ ： ’＋’ＡＧレーザが好適である。
最後に、第３図に示す工程において、半導体膜４ａ、４
ｂ、４ｃ上に、膜厚４ ＯｒＪ ０人−２ｕｗ程度の第
２電極膜５ａ、５ｂ、５Ｃが、バターニング形成される
。第２電極膜５ａ、５ｂ、５Ｃ：よ、基板ｌが透光性材
料からなる場合、真空蒸着やスバ！夕等により形成され
たアルミニウム（〜ｌ）、銀（、輸）等の低抵抗金属、
または印刷及び焼成のより形成された導電ペーストから
なり、基板ｌが可撓性材料からなる場１、酸化錫（ＳＩ
ＩＯ−）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透光性導電
酸化物（ＴＣＯ）から形成される。
ｂ、４ｃ上に、膜厚４ ＯｒＪ ０人−２ｕｗ程度の第
２電極膜５ａ、５ｂ、５Ｃが、バターニング形成される
。第２電極膜５ａ、５ｂ、５Ｃ：よ、基板ｌが透光性材
料からなる場合、真空蒸着やスバ！夕等により形成され
たアルミニウム（〜ｌ）、銀（、輸）等の低抵抗金属、
または印刷及び焼成のより形成された導電ペーストから
なり、基板ｌが可撓性材料からなる場１、酸化錫（ＳＩ
ＩＯ−）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透光性導電
酸化物（ＴＣＯ）から形成される。
このようにして製造される光起電力装置と、上述の従来
の方法によって製造される光起電力装置との出力特性を
比較すると、本発明によれば、特に、曲線因子が改善さ
れ、最大出力においても、従来のものより３ ％向」ニ
した。
の方法によって製造される光起電力装置との出力特性を
比較すると、本発明によれば、特に、曲線因子が改善さ
れ、最大出力においても、従来のものより３ ％向」ニ
した。
更に、１５０℃の高温中で４０時間放置−だ場合の最大
出力の変化を測定した処、従来にあっては、初期の出力
の９６．４’＜。まで低下するのに対し、本発明によれ
ば、出力の低下は９７．９％に止まる。
出力の変化を測定した処、従来にあっては、初期の出力
の９６．４’＜。まで低下するのに対し、本発明によれ
ば、出力の低下は９７．９％に止まる。
二の結果、本発明によれば、装置の信頼性が向上する。
（ト）発明の効果
本発明によれば、半導体膜上に分割配置される第２電極
膜は、予めエネルギービームを照射することにより半導
体膜から露出された導電部材を介して、連続的に第１電
極膜と電気的に接合されるので、接続抵抗が大きくなら
ず、出力特性を向上させることができる。
膜は、予めエネルギービームを照射することにより半導
体膜から露出された導電部材を介して、連続的に第１電
極膜と電気的に接合されるので、接続抵抗が大きくなら
ず、出力特性を向上させることができる。
また、本発明によれば、信頼性を向上させることができ
る。
る。
更に、半導体膜は、エネルギービームの照射により、導
電部材を露出させると同時に分割することによって、微
細な加工を行うことができるので、有効受光面積が大き
くなる。
電部材を露出させると同時に分割することによって、微
細な加工を行うことができるので、有効受光面積が大き
くなる。
第１図乃至第３図は本発明の製造方ｊ去をｔ程順に示す
断面図である。
断面図である。
Claims (1)
- （１）基板の絶縁表面の複数の光電変換領域毎に、第１
電極膜を分割配置する工程と、 これら第１電極膜の隣接間隔部に沿って、各第１電極膜
の一端に導電部材を形成する工程と、上記第１電極膜が
配置された上記基板の絶縁表面の略全面に、半導体膜を
形成する工程と、上記半導体膜の露出面の導電部材と対
向する部分に、エネルギービームを照射して、その部分
の半導体膜を除去して上記導電部材を露出させる工程と
、 上記第１電極膜と対向するように、上記導電部材の露出
部分を含んで上記半導体膜上に第２電極膜を分割配置す
る工程と、 を備えたことを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252352A JPH04130672A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252352A JPH04130672A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04130672A true JPH04130672A (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=17236098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252352A Pending JPH04130672A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04130672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020188778A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社 東芝 | 光電変換素子とその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2252352A patent/JPH04130672A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020188778A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社 東芝 | 光電変換素子とその製造方法 |
| JPWO2020188778A1 (ja) * | 2019-03-19 | 2021-04-01 | 株式会社東芝 | 光電変換素子とその製造方法 |
| US11502210B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photoelectric conversion element and method of manufacturing thereof |
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