JPH0349058A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、熱磁気的に情報の記録を行ない、磁気カー効
果を利用して記録した情報の読み出しを行うことができ
る光磁気記録媒体に関し、特に、オーバーライド可能な
前記光磁気記録媒体に関する。
果を利用して記録した情報の読み出しを行うことができ
る光磁気記録媒体に関し、特に、オーバーライド可能な
前記光磁気記録媒体に関する。
［従来の技術］
従来、消去可能な光メモリとして光磁気メモリが知られ
ている。光磁気メモリは、従来の磁気ヘッドを使った磁
気記録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録再生な
どが可能であるという長所がある反面、記録前に一度記
録部分を消去しなければならない（一方向に着磁しなけ
ればならない）という欠点があった。この欠点を補う為
に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設ける方
式、あるいはレーザーの連続ビームを照射すると同時に
磁界を変調しながら印加して記録する方式などが提案さ
れている。
ている。光磁気メモリは、従来の磁気ヘッドを使った磁
気記録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録再生な
どが可能であるという長所がある反面、記録前に一度記
録部分を消去しなければならない（一方向に着磁しなけ
ればならない）という欠点があった。この欠点を補う為
に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設ける方
式、あるいはレーザーの連続ビームを照射すると同時に
磁界を変調しながら印加して記録する方式などが提案さ
れている。
しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調が出来ないなどの欠
点を有する。
ト高になる欠点あるいは高速の変調が出来ないなどの欠
点を有する。
上述の公知技術の欠点を排除し、従来の装置構成に簡単
な構造の磁界発生手段を付設するだけで、磁気記録媒体
と同様な重ね書きを可能とした、光磁気記録媒体及び記
録方法が特願昭６１−９５５１０ （特開昭６２−１
７５９４８ ）に提案されている。
な構造の磁界発生手段を付設するだけで、磁気記録媒体
と同様な重ね書きを可能とした、光磁気記録媒体及び記
録方法が特願昭６１−９５５１０ （特開昭６２−１
７５９４８ ）に提案されている。
この光磁気記録媒体及び記録方法は概路次のようなもの
である。
である。
該光磁気記録媒体の基本構成は、プリグループが設けら
れた透光性の基板上に、低いキュリー点（Ｔ、）と高い
保磁力（Ｈ工）を有する第１磁性層と、該第１磁性層に
比べて高いキュリー点（ＴＨ）と低い保磁力（Ｈｌ）を
有する第２磁性層とがこの順で積層されて成るものであ
る。
れた透光性の基板上に、低いキュリー点（Ｔ、）と高い
保磁力（Ｈ工）を有する第１磁性層と、該第１磁性層に
比べて高いキュリー点（ＴＨ）と低い保磁力（Ｈｌ）を
有する第２磁性層とがこの順で積層されて成るものであ
る。
又、この様な構成の光磁気記録媒体を用いた記録方法と
して、前記媒体を回転させながら、前記媒体に対して、
レーザ照射位置と異なる場所で、第２磁性層を一方向に
磁化させるのに充分で、第１１ａ性層の磁化の向きを反
転させることのない大きさの初期磁界を加久ると共に、
レーザ照射位置にバイアス磁界を印加すると同時に第１
磁性層の低いキュリー点付近まで前記媒体が昇温するだ
けのレーザパワーを照射することにより、第２磁性層の
磁化の向きを変えないまま第１磁性層の磁化の向きを第
２磁性層に対して安定な向きに整える第１種の記録か、
バイアス磁界を印加すると同時に第２田性層の高いキュ
リー点付近まで前記媒体が昇温するだけのレーザパワー
を照射することにより、第２磁性層３の酸１化の向きを
反転させて同時に第１ｇｉ性層も第２磁性層に対して安
定な向きに磁化させる第２種の記録を情報信号に基づい
てレーザパワーを変調することにより実施し、更に記録
後、記録ビットを前記初期磁界を通過させることにより
、第１１ｉｆｉ性層の磁化の向きはそのままで第２磁性
層の磁化の向きを前記初期化磁界と同方向にそろえてや
る２ ｆｕＩの記録方法により重ね書きを行うものであ
る。
して、前記媒体を回転させながら、前記媒体に対して、
レーザ照射位置と異なる場所で、第２磁性層を一方向に
磁化させるのに充分で、第１１ａ性層の磁化の向きを反
転させることのない大きさの初期磁界を加久ると共に、
レーザ照射位置にバイアス磁界を印加すると同時に第１
磁性層の低いキュリー点付近まで前記媒体が昇温するだ
けのレーザパワーを照射することにより、第２磁性層の
磁化の向きを変えないまま第１磁性層の磁化の向きを第
２磁性層に対して安定な向きに整える第１種の記録か、
バイアス磁界を印加すると同時に第２田性層の高いキュ
リー点付近まで前記媒体が昇温するだけのレーザパワー
を照射することにより、第２磁性層３の酸１化の向きを
反転させて同時に第１ｇｉ性層も第２磁性層に対して安
定な向きに磁化させる第２種の記録を情報信号に基づい
てレーザパワーを変調することにより実施し、更に記録
後、記録ビットを前記初期磁界を通過させることにより
、第１１ｉｆｉ性層の磁化の向きはそのままで第２磁性
層の磁化の向きを前記初期化磁界と同方向にそろえてや
る２ ｆｕＩの記録方法により重ね書きを行うものであ
る。
〔発明が解決しようとする課題］
しかし、この方法は新しい記録法であるが故に、いまだ
に多くの研究課題を残している。
に多くの研究課題を残している。
すなわち、このレーザパワーを変調して行なう方法では
、前述の第１種の記録の際にバイアス磁界に逆らって交
換結合積層膜の交換力によって磁化を反転させなければ
ならないわけであるが、従来の媒体を用いたところでは
、印加磁界、レーザパワー等の各神の記録動作のマージ
ンを広くとることができないため、上記反転を容易かつ
安定して行うことができず、その結果、実用レベルに完
成させることは困難であった。上記マージンが広くとれ
、記録安定性が良く、再生信号品質が良いといった特性
を有する実用性のある媒体を作製することも困難であっ
た。
、前述の第１種の記録の際にバイアス磁界に逆らって交
換結合積層膜の交換力によって磁化を反転させなければ
ならないわけであるが、従来の媒体を用いたところでは
、印加磁界、レーザパワー等の各神の記録動作のマージ
ンを広くとることができないため、上記反転を容易かつ
安定して行うことができず、その結果、実用レベルに完
成させることは困難であった。上記マージンが広くとれ
、記録安定性が良く、再生信号品質が良いといった特性
を有する実用性のある媒体を作製することも困難であっ
た。
〔課題を解決するための手段）
本発明は上記従来技術の問題に鑑み成されたものであり
、本発明の第１の目的は、レーザパワー変調オーバーラ
イド可能な光磁気記録媒体であって、バイアス磁界に逆
らって交換力によって磁化を反転させることが安定且つ
容易に行な久、記録動作マージンを広げることが可能な
媒体を提供することである。
、本発明の第１の目的は、レーザパワー変調オーバーラ
イド可能な光磁気記録媒体であって、バイアス磁界に逆
らって交換力によって磁化を反転させることが安定且つ
容易に行な久、記録動作マージンを広げることが可能な
媒体を提供することである。
本発明の第２の１］的は、再生信号品質がよく、かつ記
録感度の良い媒体であって、バイアス磁界に逆らって交
換力によって磁化を反転させることが容易に行なえ、記
録動作マージンの広い媒体を提供することである。
録感度の良い媒体であって、バイアス磁界に逆らって交
換力によって磁化を反転させることが容易に行なえ、記
録動作マージンの広い媒体を提供することである。
上記目的は、少なくとも第１ｍ性Ｍと第２磁性層からな
る２層の磁性薄膜が磁気的に結合して、この順で基板上
に積層されており、第２磁性原の保磁力（Ｈ５）及びキ
ュリー温度（Ｔｎ）に比べ第１［性層は相対的に高い保
磁力（Ｈｎ ）と低いキュリー温度（ＴＬ）をもってい
る構成を有する光磁気記録媒体における第１磁性層に２
第２磁性層に近い部位では高く、遠い部位では低い、膜
厚方向のキュリ・−温度の勾配を持たせることにより達
成される。
る２層の磁性薄膜が磁気的に結合して、この順で基板上
に積層されており、第２磁性原の保磁力（Ｈ５）及びキ
ュリー温度（Ｔｎ）に比べ第１［性層は相対的に高い保
磁力（Ｈｎ ）と低いキュリー温度（ＴＬ）をもってい
る構成を有する光磁気記録媒体における第１磁性層に２
第２磁性層に近い部位では高く、遠い部位では低い、膜
厚方向のキュリ・−温度の勾配を持たせることにより達
成される。
本発明の第３の目的は、記録感度を劣化させることなく
再生信号品質の向上を可能とする磁性薄膜を３１５ ｊ
Ｒ成とした光磁気記録媒体を提供することである。該３
層の磁性層は、前記第１及び第２磁性層の他に第３のに
性層を第１１ｉｔｌ性層の基板側に積層して成るもので
あり、第３磁性層が少なくとも第１磁性層のキュリー温
度の低いところに比べて相対的に高いキュリー温度を持
っているものである。
再生信号品質の向上を可能とする磁性薄膜を３１５ ｊ
Ｒ成とした光磁気記録媒体を提供することである。該３
層の磁性層は、前記第１及び第２磁性層の他に第３のに
性層を第１１ｉｔｌ性層の基板側に積層して成るもので
あり、第３磁性層が少なくとも第１磁性層のキュリー温
度の低いところに比べて相対的に高いキュリー温度を持
っているものである。
また、本発明の第４の目的は、このような媒体を用い、
以下の過程によって行なう優れた記録方法を提供するこ
とであり、この方法によれば再生信号の品質を向上させ
ることができる。
以下の過程によって行なう優れた記録方法を提供するこ
とであり、この方法によれば再生信号の品質を向上させ
ることができる。
（ａ）第２磁性層を一方向に磁化させるのに充分で、第
１磁性順の磁化の向きを反転させることのない大きさの
外部磁界を印加し初期化する過程、及び （ｂ）前記外部磁界とは反対又は同方向のバイアス効果
を印加しながら、第１磁性順のキュリー点付近まで昇温
するだけのレーザーパワーを照射することにより、第２
磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層の磁化の
向きを第２ｇｉ性層に対して安定な向きに磁化させる第
１種の記録及び。
１磁性順の磁化の向きを反転させることのない大きさの
外部磁界を印加し初期化する過程、及び （ｂ）前記外部磁界とは反対又は同方向のバイアス効果
を印加しながら、第１磁性順のキュリー点付近まで昇温
するだけのレーザーパワーを照射することにより、第２
磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層の磁化の
向きを第２ｇｉ性層に対して安定な向きに磁化させる第
１種の記録及び。
第２磁性層がキュリー点付近まで媒体が昇温するだけの
レーザーパワーを照射し第２磁性層の磁化の向きを反転
させることにより第１磁性層も第２磁性層に対して安定
な向きに磁化させる第２種の記録、の２種類の記録を情
報信号に応じて選択的に実施する２値による記録過程。
レーザーパワーを照射し第２磁性層の磁化の向きを反転
させることにより第１磁性層も第２磁性層に対して安定
な向きに磁化させる第２種の記録、の２種類の記録を情
報信号に応じて選択的に実施する２値による記録過程。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の第一の実施の態様を
示す一部拡大模式断面図である０本図の光磁気記録媒体
は、予め案内溝が設けられた透光性の基板ｌ上に、第１
磁性層２と第２磁性層３を順次積層したものである。第
１磁性層２は低いキュリー温度（ＴＬ）と高い保磁力（
ＨＨ）を有し、第２磁性層３は高いキュリー温度（”ｒ
、 ）と低い保磁力（ＨＬ ）を有する。ここでｒ高い
」、「低いＪとは両磁性層を比較した場合の相対的な関
係を表わす（保磁力は室温における比較）。
示す一部拡大模式断面図である０本図の光磁気記録媒体
は、予め案内溝が設けられた透光性の基板ｌ上に、第１
磁性層２と第２磁性層３を順次積層したものである。第
１磁性層２は低いキュリー温度（ＴＬ）と高い保磁力（
ＨＨ）を有し、第２磁性層３は高いキュリー温度（”ｒ
、 ）と低い保磁力（ＨＬ ）を有する。ここでｒ高い
」、「低いＪとは両磁性層を比較した場合の相対的な関
係を表わす（保磁力は室温における比較）。
ただし、通常は第１磁性層２のＴＬは７０℃〜２５０℃
、Ｈ，は５ ｋｏｅ 〜２０ ｋＯｅ以上、第２磁性層
３のＴ、は１５０℃〜４００℃、Ｈｔ、は０．５ ｋＯ
ｅ 〜５ｋＯｅ程度の範囲内にするとよい、又、第ｔｍ
付層２の膜厚は３００〜１０００人程度、第２磁性層３
の膜厚は３００〜２０００人程度の範囲がよい。
、Ｈ，は５ ｋｏｅ 〜２０ ｋＯｅ以上、第２磁性層
３のＴ、は１５０℃〜４００℃、Ｈｔ、は０．５ ｋＯ
ｅ 〜５ｋＯｅ程度の範囲内にするとよい、又、第ｔｍ
付層２の膜厚は３００〜１０００人程度、第２磁性層３
の膜厚は３００〜２０００人程度の範囲がよい。
本発明において、第１１１ｉ性層とは・、その磁気光学
効果から主に情報の再生に関与する磁性薄膜であり、第
２磁性層とは、主に情報の記録に関与する磁性薄膜をい
う、又第１及び第２１ｉｔｌ性層とも、暦として同一の
磁化傾向を有する一単位をいい、各層が均質組成である
必要はなく、さらに細かい複数の層から構成されていて
よいものである。
効果から主に情報の再生に関与する磁性薄膜であり、第
２磁性層とは、主に情報の記録に関与する磁性薄膜をい
う、又第１及び第２１ｉｔｌ性層とも、暦として同一の
磁化傾向を有する一単位をいい、各層が均質組成である
必要はなく、さらに細かい複数の層から構成されていて
よいものである。
本発明の光磁気記録媒体においては、第１磁性層のキュ
リー温度が、第２磁性層に近いところで高く、離れたと
ころで低いというキュリー温度の勾配を有しているが一
例を示すと第３図のような関係である。ここで、該勾配
は、第１磁性層中で連続的に変化していてもよいし、段
階的に変化していてもよい。
リー温度が、第２磁性層に近いところで高く、離れたと
ころで低いというキュリー温度の勾配を有しているが一
例を示すと第３図のような関係である。ここで、該勾配
は、第１磁性層中で連続的に変化していてもよいし、段
階的に変化していてもよい。
通常、各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示し且つ
比較的大きな磁気光学効果を呈するものが利用できるが
、第１磁性層にはＴｂ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｃｏ。
比較的大きな磁気光学効果を呈するものが利用できるが
、第１磁性層にはＴｂ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｃｏ。
Ｔｂ−ロｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｃｏ、
Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−０
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 ０ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔｂ−ＦｅＧｄ−Ｄｙ−Ｆ
ａ等、第２Ｍｉ性肩には丁ｂ−Ｆａ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ
、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔ
ｂ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−ＤＶ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等、希土類元
素と鉄族元素との非晶質磁性合金が好ましい。
Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−０
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 ０ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔｂ−ＦｅＧｄ−Ｄｙ−Ｆ
ａ等、第２Ｍｉ性肩には丁ｂ−Ｆａ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ
、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔ
ｂ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−ＤＶ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等、希土類元
素と鉄族元素との非晶質磁性合金が好ましい。
第１磁性層のキュリー温度の勾配は、例えば、上述した
材料の組成を連続的または段階的に変化させることによ
り形成することができる。
材料の組成を連続的または段階的に変化させることによ
り形成することができる。
この様な材料の組成を連続的又は段階的に変化させるの
は、第４図で示す様な多層構成をとることにより簡単に
作成できる。第４図は第１図における第１磁性層２のみ
の構成を表した概略図である。４〜１０は夫々組成が異
なる磁性層を示し、夫々の組成は例えば、ＴｂＦｅで第
１磁性層を構成した場合は、磁性層４をＴｂｉ＋Ｆｅ＋
−□の組成比にて構成し、磁性層５をＴｂｘＪｅ＋−ｘ
２の組成比にて構成する。以下磁性ＮＩＯまで夫々を各
１Ｔｂｘ３Ｆｅ＋−＊３、Ｔｂ）４ＦｅＩ−ｘ４、Ｔｂ
ｍ５Ｆｅ＋−ｍｓ、ＴｂｘａＦｅｒ−ｘｍ、ＴｂｗｔＦ
ｅ（−８７の組成比にて構成する。この磁性層４から磁
性層１０までの各磁性層の組成比を連続的若しくは段階
的に変えてやることにより、キュリー温度を連続的若し
くは段階的に変化させられる。即ち、キュリー温度の勾
配は構成する層の厚さ及び数によって調整することがで
き、例えば−層の厚さを減らし暦数を増してやることに
より、より細いキュリー温度の勾配に調整が可能となる
。
は、第４図で示す様な多層構成をとることにより簡単に
作成できる。第４図は第１図における第１磁性層２のみ
の構成を表した概略図である。４〜１０は夫々組成が異
なる磁性層を示し、夫々の組成は例えば、ＴｂＦｅで第
１磁性層を構成した場合は、磁性層４をＴｂｉ＋Ｆｅ＋
−□の組成比にて構成し、磁性層５をＴｂｘＪｅ＋−ｘ
２の組成比にて構成する。以下磁性ＮＩＯまで夫々を各
１Ｔｂｘ３Ｆｅ＋−＊３、Ｔｂ）４ＦｅＩ−ｘ４、Ｔｂ
ｍ５Ｆｅ＋−ｍｓ、ＴｂｘａＦｅｒ−ｘｍ、ＴｂｗｔＦ
ｅ（−８７の組成比にて構成する。この磁性層４から磁
性層１０までの各磁性層の組成比を連続的若しくは段階
的に変えてやることにより、キュリー温度を連続的若し
くは段階的に変化させられる。即ち、キュリー温度の勾
配は構成する層の厚さ及び数によって調整することがで
き、例えば−層の厚さを減らし暦数を増してやることに
より、より細いキュリー温度の勾配に調整が可能となる
。
また、キュリー温度の勾配は、磁性材料中に非磁性元素
を添加し、その添加量を膜厚方向に変化させることによ
っても形成できる。
を添加し、その添加量を膜厚方向に変化させることによ
っても形成できる。
さらに、その組成を変化せる他の方法としては、例えば
スパッタ法において各々のターゲットに加たる電圧を変
化させる等によっても行なうことができる。
スパッタ法において各々のターゲットに加たる電圧を変
化させる等によっても行なうことができる。
第１磁性層２のキュリー温度の最適な勾配は、層厚、記
録条件等、様々な要因により異なるが例えば、層厚が３
００〜１０００人程度の場合は、層の厚さ方向における
両端部のキュリー温度の差カ月Ｏ℃以上あることが望ま
しく、特に３５℃以上であると好ましい、また、第１磁
性層のキュリー温度勾配における最低値は１００℃以８
Ｆ、最高値は約２５０℃以下とするのが望ましい。
録条件等、様々な要因により異なるが例えば、層厚が３
００〜１０００人程度の場合は、層の厚さ方向における
両端部のキュリー温度の差カ月Ｏ℃以上あることが望ま
しく、特に３５℃以上であると好ましい、また、第１磁
性層のキュリー温度勾配における最低値は１００℃以８
Ｆ、最高値は約２５０℃以下とするのが望ましい。
なお、透光性の基板と磁性層の間や、磁性層の該基板と
反対側に、耐久性を向上させるための、あるいは記録消
去感度と磁気光学効果を向上させるための適当な誘電体
層、あるいは反射層を設けても良い。
反対側に、耐久性を向上させるための、あるいは記録消
去感度と磁気光学効果を向上させるための適当な誘電体
層、あるいは反射層を設けても良い。
更に、第１磁性層と第２１ｉｆｉ性層の間に、交換結合
の大きさを制御するための適当な磁性層や非磁性層を挟
んでも良い。
の大きさを制御するための適当な磁性層や非磁性層を挟
んでも良い。
次に、上記光磁気記録媒体を用いた光磁気記録法を第５
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
第５図において、１１が第１磁性層、１２が第２磁性層
を示す。５８〜５ｇの各々は、両道付層の磁化の状態を
示す。尚、以下の説明中上方・下方等は図面上の方向を
示す、記録過程中は、記録用ヘッドと異なる場菖で、保
磁力ＨＬの第２磁性層を一方向に磁化するのに充分で保
磁力Ｈ）Ｉの第１磁性層の磁化の向きを反転させること
のない大きさの外部磁界Ｈ１が下方に印加されていて、
さらに、記録用ヘッドの場所において、第２５ａ性層へ
の記録を助けるバイアス磁界Ｈ１が下方に印加されてい
る。ここで、通常は、Ｈ８の大きさは、Ｈｔの大きさよ
りも小さい。
を示す。５８〜５ｇの各々は、両道付層の磁化の状態を
示す。尚、以下の説明中上方・下方等は図面上の方向を
示す、記録過程中は、記録用ヘッドと異なる場菖で、保
磁力ＨＬの第２磁性層を一方向に磁化するのに充分で保
磁力Ｈ）Ｉの第１磁性層の磁化の向きを反転させること
のない大きさの外部磁界Ｈ１が下方に印加されていて、
さらに、記録用ヘッドの場所において、第２５ａ性層へ
の記録を助けるバイアス磁界Ｈ１が下方に印加されてい
る。ここで、通常は、Ｈ８の大きさは、Ｈｔの大きさよ
りも小さい。
記録過程をその過程に従って説明する前に、その理解の
助けとなるように、まず、５８〜５ｇにより表わされる
状態の概要及び各状態間の移行過程の様子等について説
明しておく。
助けとなるように、まず、５８〜５ｇにより表わされる
状態の概要及び各状態間の移行過程の様子等について説
明しておく。
５ａと５ｇは室温における２値の記録状態を示していて
、レーザー光による加熱によって、５ｂ→５Ｃ→５ｄと
温度が上昇する。５ｂと５ｆ、５ｃと５０はほぼ同じ温
度での別の状態を示している０図中、←は温度に対して
可逆的な磁化過程を示し、−や−は非可逆的な磁化過程
を示す。第１図の例では、第１１ａ性層は例えば鉄族副
格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金薄膜であり、第
２磁性層は例えば鉄族副格子磁化優勢な希土類鉄族非晶
質合金薄膜である。この場合には、両店間の交換相互作
用によって両層の磁化が平行な５ａが安定状態であり、
反平行である５ｇが不安定状態であって、この不安定状
態５ｇでは界面６ｆ１壁が存在する。ただし、磁界Ｏで
も不安定状態を保持することが可能であるように、第２
磁性層の保磁力エネルギーを調節する必要がある。室温
（５ａ、５ｇ）では、保磁力の小さい第２磁性層の磁化
は外部磁界Ｈ５によって常に図で上向きとなっている。
、レーザー光による加熱によって、５ｂ→５Ｃ→５ｄと
温度が上昇する。５ｂと５ｆ、５ｃと５０はほぼ同じ温
度での別の状態を示している０図中、←は温度に対して
可逆的な磁化過程を示し、−や−は非可逆的な磁化過程
を示す。第１図の例では、第１１ａ性層は例えば鉄族副
格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金薄膜であり、第
２磁性層は例えば鉄族副格子磁化優勢な希土類鉄族非晶
質合金薄膜である。この場合には、両店間の交換相互作
用によって両層の磁化が平行な５ａが安定状態であり、
反平行である５ｇが不安定状態であって、この不安定状
態５ｇでは界面６ｆ１壁が存在する。ただし、磁界Ｏで
も不安定状態を保持することが可能であるように、第２
磁性層の保磁力エネルギーを調節する必要がある。室温
（５ａ、５ｇ）では、保磁力の小さい第２磁性層の磁化
は外部磁界Ｈ５によって常に図で上向きとなっている。
次に上記構成における記録過程の原理をその過程に従っ
て説明する。
て説明する。
５ｇの状態から温度を上げると、第６図に示すように第
ｉｉｎ付層の保磁力が急激に低下する。すると、交換相
互作用により両層の磁化が平行になろうとするために、
第１磁性層の磁化が反転し上を向＜（５ｂ）、この状態
から温度を下げると磁化状態が変化しないまま冷λ、５
ａの状態に移る。５ａの状態から温度を上げ、５ｂの状
態になった後、温度を下げてもやはり５ｂの状態に戻る
。即ち、５ｂの温度に相当するレーザーパワーの印加に
よって、５ｂの状態も５ｇの状態もすべて５８の状態に
移る（第１種の記録）。
ｉｉｎ付層の保磁力が急激に低下する。すると、交換相
互作用により両層の磁化が平行になろうとするために、
第１磁性層の磁化が反転し上を向＜（５ｂ）、この状態
から温度を下げると磁化状態が変化しないまま冷λ、５
ａの状態に移る。５ａの状態から温度を上げ、５ｂの状
態になった後、温度を下げてもやはり５ｂの状態に戻る
。即ち、５ｂの温度に相当するレーザーパワーの印加に
よって、５ｂの状態も５ｇの状態もすべて５８の状態に
移る（第１種の記録）。
一方、５ｂの状態からさらに温度を上げ、第１磁性層の
キュリー温度Ｔｔ、を越して５ｃの状態になると、第１
磁性層の磁化がなくなる。さらに１温度を上げると第２
磁性層の保磁力が小さくなり、バイアス磁界Ｈ８により
反転する（５ｄ）。この状態から温度を下げると、交換
相互作用により第１磁性層の磁化が下向きに生じ、その
まま室温にまで冷λる（５ ｅ＝５ ｆ−＝５ ｇ）
、第２１ｉｉｌ性層は外部磁界Ｈ０により反転する（５
ｇ）、ただし、この際には第１磁性層の保磁力は大きい
ので、外部磁界ＨＥによって反転せず、記録状態を保持
している。即ち、５ｄの温度に相当するレーザーパワー
の印加によって５８の状態も５ｇの状態もすべて５ｇの
状態に移る（第２種の記録）。
キュリー温度Ｔｔ、を越して５ｃの状態になると、第１
磁性層の磁化がなくなる。さらに１温度を上げると第２
磁性層の保磁力が小さくなり、バイアス磁界Ｈ８により
反転する（５ｄ）。この状態から温度を下げると、交換
相互作用により第１磁性層の磁化が下向きに生じ、その
まま室温にまで冷λる（５ ｅ＝５ ｆ−＝５ ｇ）
、第２１ｉｉｌ性層は外部磁界Ｈ０により反転する（５
ｇ）、ただし、この際には第１磁性層の保磁力は大きい
ので、外部磁界ＨＥによって反転せず、記録状態を保持
している。即ち、５ｄの温度に相当するレーザーパワー
の印加によって５８の状態も５ｇの状態もすべて５ｇの
状態に移る（第２種の記録）。
従って、異なるレーザーパワー（５ｂ〜５Ｃの温度、５
ｄの温度に相当するパワー）の印加によって異なる磁化
状態（５ａと５ｇ）を形成し、重ね書き（オーバーライ
ド）を行なうことができる。
ｄの温度に相当するパワー）の印加によって異なる磁化
状態（５ａと５ｇ）を形成し、重ね書き（オーバーライ
ド）を行なうことができる。
この５ｇの状態から５ｂの状態に遷移させる場合、バイ
アス磁界Ｈ，に逆らって交換力によって第１磁性層の磁
化を反転させなければならない。
アス磁界Ｈ，に逆らって交換力によって第１磁性層の磁
化を反転させなければならない。
この磁化反転を容易にするためには、第１磁性層と第２
磁性層の界面の磁壁エネルギーを大きくするか、反転さ
せる層のゼーマンエネルギーを小さくするか、保磁力エ
ネルギーを小さくしなければならない、ここで、ゼーマ
ンエネルギーはその温度における磁化と外部磁界と膜厚
の積であり、保磁力エネルギーはその温度における磁化
と保磁力と膜厚の積である。
磁性層の界面の磁壁エネルギーを大きくするか、反転さ
せる層のゼーマンエネルギーを小さくするか、保磁力エ
ネルギーを小さくしなければならない、ここで、ゼーマ
ンエネルギーはその温度における磁化と外部磁界と膜厚
の積であり、保磁力エネルギーはその温度における磁化
と保磁力と膜厚の積である。
界面磁壁エネルギーを大きくすると室温における第２磁
性層の保磁力エネルギーを大きくしなくてはならず、そ
のために外部磁界ＨＥが大きくなりすぎたり、第２磁性
層の膜厚が厚くなり感度が悪くなる欠点がある。ゼーマ
ンエネルギーを小さくするために外部磁界Ｈ，を小さく
したり第１磁性層の膜厚を薄くすると、５Ｃから５ｄへ
の記録特性が悪くなったり、読み出し特性が劣化する。
性層の保磁力エネルギーを大きくしなくてはならず、そ
のために外部磁界ＨＥが大きくなりすぎたり、第２磁性
層の膜厚が厚くなり感度が悪くなる欠点がある。ゼーマ
ンエネルギーを小さくするために外部磁界Ｈ，を小さく
したり第１磁性層の膜厚を薄くすると、５Ｃから５ｄへ
の記録特性が悪くなったり、読み出し特性が劣化する。
また、室温での記録情報の保存性を考慮すると、第１磁
性層の保磁力エネルギーをむやみに小さくすることはで
きない。
性層の保磁力エネルギーをむやみに小さくすることはで
きない。
ところで、磁化及び保磁力及び界面磁壁エネルギーは、
それぞれに温度依存性を持っており、キュリー温度に近
づくに従い低下する。そもそも、上記遷移が実現するの
は、この各パラメーターの温度依存性に伴ないキュリー
温度近傍において、界面磁壁エネルギーがゼーマンエネ
ルギーと保磁力エネルギーの和よりも大きくなるという
条件が満たされたときである。しかしながら、各パラメ
ーターの温度依存性は不安定であり、制御が難しく、５
ｇの状態から５ｂの状態に安定し且つ容易に遷移させる
ためのマージンを大きくとることは更に困難となる等、
上述のオーバーライドの方法には実用上解決すべき課題
があった。
それぞれに温度依存性を持っており、キュリー温度に近
づくに従い低下する。そもそも、上記遷移が実現するの
は、この各パラメーターの温度依存性に伴ないキュリー
温度近傍において、界面磁壁エネルギーがゼーマンエネ
ルギーと保磁力エネルギーの和よりも大きくなるという
条件が満たされたときである。しかしながら、各パラメ
ーターの温度依存性は不安定であり、制御が難しく、５
ｇの状態から５ｂの状態に安定し且つ容易に遷移させる
ためのマージンを大きくとることは更に困難となる等、
上述のオーバーライドの方法には実用上解決すべき課題
があった。
そこで、本発明では、第１磁性層のキュリー温度を、基
板に近いところで低く、第２磁性層に近いところで高く
することによって、上記課題を解決したのである。すな
わち、キュリー温度に勾配があることから５ｇの状態か
ら５ｂの状態に遷移させる温度において、第１ｉｉｌ性
層の一部がキュリー温度に達し、その結果、磁化が存在
する部分の実質的な膜厚が減少し、上記遷移を容易にす
るものである。実質的な膜厚が減ることによりゼーマン
エネルギーと保磁力エネルギーは減少するが界面磁壁エ
ネルギーは影響を受けないため、前記条件を満たすこと
が容易になるのである。ここで、第１！！ｉ性層が第２
磁性層と接し磁化が存在する部分では、第２磁性層から
交換力を受けることのなるため、第１磁性層のキュリー
温度は第２磁性層に近いところで高く、離れたところで
低くなる勾配がある必要がある。
板に近いところで低く、第２磁性層に近いところで高く
することによって、上記課題を解決したのである。すな
わち、キュリー温度に勾配があることから５ｇの状態か
ら５ｂの状態に遷移させる温度において、第１ｉｉｌ性
層の一部がキュリー温度に達し、その結果、磁化が存在
する部分の実質的な膜厚が減少し、上記遷移を容易にす
るものである。実質的な膜厚が減ることによりゼーマン
エネルギーと保磁力エネルギーは減少するが界面磁壁エ
ネルギーは影響を受けないため、前記条件を満たすこと
が容易になるのである。ここで、第１！！ｉ性層が第２
磁性層と接し磁化が存在する部分では、第２磁性層から
交換力を受けることのなるため、第１磁性層のキュリー
温度は第２磁性層に近いところで高く、離れたところで
低くなる勾配がある必要がある。
本発明に使用する記録媒体の二冴膜では、第２磁性層３
の飽和磁化Ｍ、と膜厚りと、二磁性層間の磁壁エネルギ
ーδ１の間に、次の関係が必要である。
の飽和磁化Ｍ、と膜厚りと、二磁性層間の磁壁エネルギ
ーδ１の間に、次の関係が必要である。
（これは、記録によって最終的に完成されるビットの磁
化状態を安定に存在させるためである。）又第１磁性層
と第２磁性層の間に、交換結合の大ききを制御するため
に、必要により別の磁性層及び／又は非磁性層を設け、
５ｇの状態の保持を容易にすることもできる。磁性層及
び又は非磁性層を挟んでも良い、別の磁性層としては、
鉄属元素や希土類元素、及びこれらの非晶質磁性合金等
、又非磁性層としてはＳｉＮやＡＩＮ等の誘電体、＾１
． Ｔｉ、 Ｃｒ等の非磁性金属等を用いることができ
、厚みはそれぞれｂｏ〜１００人程度でよい。
化状態を安定に存在させるためである。）又第１磁性層
と第２磁性層の間に、交換結合の大ききを制御するため
に、必要により別の磁性層及び／又は非磁性層を設け、
５ｇの状態の保持を容易にすることもできる。磁性層及
び又は非磁性層を挟んでも良い、別の磁性層としては、
鉄属元素や希土類元素、及びこれらの非晶質磁性合金等
、又非磁性層としてはＳｉＮやＡＩＮ等の誘電体、＾１
． Ｔｉ、 Ｃｒ等の非磁性金属等を用いることができ
、厚みはそれぞれｂｏ〜１００人程度でよい。
次に、本発明の光磁気記録媒体の第２の実施の態様につ
いて説明する。
いて説明する。
本態様による光磁気記録媒体は、第１磁性層及び第２磁
性層の保磁力とキュリー温度の関係が第６図の様な関係
を示すものである。前述第６図に示したものとは記録過
程での各層の磁化状態変化過程が異なるだけで、他の構
成及び特性については先の光磁気記録媒体と同様のもの
である。第１磁性層の保磁力はＨＨ，キュリー温度はＴ
Ｌ、第２磁性層の保磁力はＨＬ、キュリー温度はＴｌｌ
である。
性層の保磁力とキュリー温度の関係が第６図の様な関係
を示すものである。前述第６図に示したものとは記録過
程での各層の磁化状態変化過程が異なるだけで、他の構
成及び特性については先の光磁気記録媒体と同様のもの
である。第１磁性層の保磁力はＨＨ，キュリー温度はＴ
Ｌ、第２磁性層の保磁力はＨＬ、キュリー温度はＴｌｌ
である。
次に、本構成による光磁気記録媒体を用いた光磁気記録
法を第７図を用いて説明する。
法を第７図を用いて説明する。
１３が第１６ｊｉ性層、１４が第２磁性層を示す。７ａ
−７ｇの各々は、両道付層の磁化の状態を示し、記録過
程中、記録用ヘッドと異なる場所で、保磁力Ｈ、、の第
２磁性層を一方向に磁化するのに充分で保磁力ＨＨの第
１６ｎ性層の磁化の向きを反転させることのない大きさ
の外部磁界Ｈ１が下方に印加さねている。さらに、記録
用ヘッドの場所若しくは近傍において、第２ｍ性Ｍへの
記録を助けるバイアス磁界Ｈａが下方に印加されている
点は前記説明と同じである。
−７ｇの各々は、両道付層の磁化の状態を示し、記録過
程中、記録用ヘッドと異なる場所で、保磁力Ｈ、、の第
２磁性層を一方向に磁化するのに充分で保磁力ＨＨの第
１６ｎ性層の磁化の向きを反転させることのない大きさ
の外部磁界Ｈ１が下方に印加さねている。さらに、記録
用ヘッドの場所若しくは近傍において、第２ｍ性Ｍへの
記録を助けるバイアス磁界Ｈａが下方に印加されている
点は前記説明と同じである。
ここで、通常は、ＨＥの大きさは、Ｈ，の大きさよりも
大きいが、Ｈａより小さくすることも可能である。この
例では、ＨｇとＨａとが同一方向に印加されており、Ｈ
ａ≦ＨＢとすることにより、外部磁界１（、を記録バイ
アス磁界Ｈａで兼用することも可能である。
大きいが、Ｈａより小さくすることも可能である。この
例では、ＨｇとＨａとが同一方向に印加されており、Ｈ
ａ≦ＨＢとすることにより、外部磁界１（、を記録バイ
アス磁界Ｈａで兼用することも可能である。
７ａと７ｇは室温における２種の記録状態を示していて
、レーザー光による加熱によって、７ｂ、７Ｃ１７ｄと
温度が上昇する。また、７ｂと７ｃ、あるいは７ｅと７
ｆの間には、第２磁性層の補償温度Ｔ Ｃ（ＩＩＩＰが
存在する。第７図の例では、第１磁性層は例えば鉄族副
格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金薄膜であり、第
２磁性層は例えば希土類副格子磁化優勢な希土類−鉄族
非晶質合金薄膜である。この場合には、両層間の交換相
互作用によって両層の磁化が反平行な７ａが安定状態で
あり、平行である７ｇが不安定状態であって、この不安
定状態７ｇでは界面磁壁が存在する。ただし、磁界０で
も不安定状態を保持することが可能であるように、第２
磁性層の保磁力エネルギーを調節する必要がある。室温
７ａ、７ｇでは、保磁力の小さい第２ｉｌｔｉ性層の磁
化は外部磁界Ｈｔによって常に図で下向きとなっている
。
、レーザー光による加熱によって、７ｂ、７Ｃ１７ｄと
温度が上昇する。また、７ｂと７ｃ、あるいは７ｅと７
ｆの間には、第２磁性層の補償温度Ｔ Ｃ（ＩＩＩＰが
存在する。第７図の例では、第１磁性層は例えば鉄族副
格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金薄膜であり、第
２磁性層は例えば希土類副格子磁化優勢な希土類−鉄族
非晶質合金薄膜である。この場合には、両層間の交換相
互作用によって両層の磁化が反平行な７ａが安定状態で
あり、平行である７ｇが不安定状態であって、この不安
定状態７ｇでは界面磁壁が存在する。ただし、磁界０で
も不安定状態を保持することが可能であるように、第２
磁性層の保磁力エネルギーを調節する必要がある。室温
７ａ、７ｇでは、保磁力の小さい第２ｉｌｔｉ性層の磁
化は外部磁界Ｈｔによって常に図で下向きとなっている
。
次に上記構成における記録過程の原理をその過程に従っ
て説明する。
て説明する。
７ｇの状態から温度を上げると、第８図に示すように第
１磁性層の保磁力が急激に低下し、第２磁性層の保磁力
が大きくなる。すると、交換相互作用により両層の磁化
が反平行になろうとするために、第１磁性層の磁化が反
転し上向＜（７ｂ）。
１磁性層の保磁力が急激に低下し、第２磁性層の保磁力
が大きくなる。すると、交換相互作用により両層の磁化
が反平行になろうとするために、第１磁性層の磁化が反
転し上向＜（７ｂ）。
この状態から温度を下げると磁化状態が変化しないまま
冷＾、７ａの状態に移る。７ａの状態から温度を上げ、
７ｂの状態になった後、温度を下げてもやはり７ａの状
態に戻る。即ち、７ｂの温度に相当するレーザーパワー
の印加によって、７ａの状態も７ｇの状態もすべて７８
の状態に移る（第１種の記録）。
冷＾、７ａの状態に移る。７ａの状態から温度を上げ、
７ｂの状態になった後、温度を下げてもやはり７ａの状
態に戻る。即ち、７ｂの温度に相当するレーザーパワー
の印加によって、７ａの状態も７ｇの状態もすべて７８
の状態に移る（第１種の記録）。
次に、７ｂの状態からさらに温度を上げ、第２磁性層の
補償温度Ｔ ｅａａｌｌを越して７Ｃの状態になると、
第２磁性層の磁化が可逆的に反転する。さらに温度を上
げると第２ｆｔｉ性層の保磁力が小さくなり、バイアス
磁界Ｈａにより反転する（７ｄｌ。
補償温度Ｔ ｅａａｌｌを越して７Ｃの状態になると、
第２磁性層の磁化が可逆的に反転する。さらに温度を上
げると第２ｆｔｉ性層の保磁力が小さくなり、バイアス
磁界Ｈａにより反転する（７ｄｌ。
この状態から温度を下げると磁化状態が変化しないまま
冷＾Ｔ ｅｏＩａＰを越すと第２磁性層の磁化が可逆的
に反転する（７ｄ−７ｅ−７ｆ） 、その前後で、交換
相互作用により第１磁性層の磁化が下向きに生じ、その
まま室温にまで冷え、第２磁性層が再び小さな保磁力と
なり、外部ｍ界Ｈｔにより反転する（７ｇ）、ただし、
この際には第１１ｉｆｉ性屡の保磁力は大きいので、外
部磁界Ｈ，によっては反転せず、記録状態を保持してい
る。即ち、７ｄの温度に相当するレーザーパワーの印加
によって７８の状態も７ｇの状態もすべて７ｇの状態に
移る（第２種の記録）。
冷＾Ｔ ｅｏＩａＰを越すと第２磁性層の磁化が可逆的
に反転する（７ｄ−７ｅ−７ｆ） 、その前後で、交換
相互作用により第１磁性層の磁化が下向きに生じ、その
まま室温にまで冷え、第２磁性層が再び小さな保磁力と
なり、外部ｍ界Ｈｔにより反転する（７ｇ）、ただし、
この際には第１１ｉｆｉ性屡の保磁力は大きいので、外
部磁界Ｈ，によっては反転せず、記録状態を保持してい
る。即ち、７ｄの温度に相当するレーザーパワーの印加
によって７８の状態も７ｇの状態もすべて７ｇの状態に
移る（第２種の記録）。
従って、異なるレーザパワー（７ｂ〜７Ｃの温度、７ｄ
の温度に相当するパワー）の印加によって異なる磁化状
態（７ａと７ｇ）を取ることができ、即ちこれは重ね書
き（オーバーライド）が実現したことになる。
の温度に相当するパワー）の印加によって異なる磁化状
態（７ａと７ｇ）を取ることができ、即ちこれは重ね書
き（オーバーライド）が実現したことになる。
この７ｇの状態から７ｂの状態に遷移させる場合、第５
図の場合と同じくバイアス磁界Ｈ，に逆らって交換力に
よって第１ｉｆｌ性層の磁化を反転させなければならな
い。
図の場合と同じくバイアス磁界Ｈ，に逆らって交換力に
よって第１ｉｆｌ性層の磁化を反転させなければならな
い。
そこで、第１磁性層のキュリー温度が、第２磁性層に近
いところで高く、離れたところで低い本発明の光磁気記
録媒体を用いることによって、上述のオーバーライドの
課題を同様にして解決できる。
いところで高く、離れたところで低い本発明の光磁気記
録媒体を用いることによって、上述のオーバーライドの
課題を同様にして解決できる。
ところで、第５図および第７図の５ｂ、７ｂあるいは５
ｆ、７ｆの温度において、第ｔｍ付層の磁化が、第２１
ｉｎ性層の磁化の向きに対して安定な方向に配向するた
めには、この温度において第１磁性層内の磁化の存在す
る部分の厚さは薄い方が良い、さらにこの温度から室温
に至るまでの冷却過程で一定温度の低下ごとに新たに磁
化の発生する部分の厚さも、その磁化が順次安定な方向
に配向していくためには、やはり薄い方が良い、ところ
が、前述のように第１ＨＩ性層全体の膜厚には下限があ
り、また、第１磁性層内のキュリー温度には、記録感度
の点から制限がある。このため。
ｆ、７ｆの温度において、第ｔｍ付層の磁化が、第２１
ｉｎ性層の磁化の向きに対して安定な方向に配向するた
めには、この温度において第１磁性層内の磁化の存在す
る部分の厚さは薄い方が良い、さらにこの温度から室温
に至るまでの冷却過程で一定温度の低下ごとに新たに磁
化の発生する部分の厚さも、その磁化が順次安定な方向
に配向していくためには、やはり薄い方が良い、ところ
が、前述のように第１ＨＩ性層全体の膜厚には下限があ
り、また、第１磁性層内のキュリー温度には、記録感度
の点から制限がある。このため。
定温度の低下ごとに新たに磁化の発生する部分の厚さも
制約を受ける。
制約を受ける。
そこで、この制約のなかで本発明の効果をより高めるた
めには、第ｔＭ１性層内で、一定温度の低下ごとに新た
に磁化の発生する部分の厚さを、温度の低下とともに厚
くしていくのが望ましい、すなわち、第１６ｎ性層内の
キュリー温度の勾配は、第２磁性層に近づくほど勾配が
大きくなるのが望ましい。
めには、第ｔＭ１性層内で、一定温度の低下ごとに新た
に磁化の発生する部分の厚さを、温度の低下とともに厚
くしていくのが望ましい、すなわち、第１６ｎ性層内の
キュリー温度の勾配は、第２磁性層に近づくほど勾配が
大きくなるのが望ましい。
通常、基板付近（第２磁性層から遠い部分）の勾配はＯ
〜０．０５℃／人程度、第２ｍ性暦付近の大きい勾配は
０．５〜ｂ また、第５図および第７図の５ｂ、７ｂあるいは５ｆ、
７ｆの温度において、第１ＨＩ性層内の磁化の存在する
部分の厚さが、この部分の磁化を第２磁性層の磁化の向
きに対して安定な方向に配向するに充分なだけ薄ければ
、この部分のキュリー温度は、第２磁性層のキュリー温
度に比べて相対的に低い必要はない、むしろ、第１．第
２磁性層間の界面磁壁エネルギーを高温度領域で強く保
つために、この部分のキュリー温度は高いほうが望まし
い。
〜０．０５℃／人程度、第２ｍ性暦付近の大きい勾配は
０．５〜ｂ また、第５図および第７図の５ｂ、７ｂあるいは５ｆ、
７ｆの温度において、第１ＨＩ性層内の磁化の存在する
部分の厚さが、この部分の磁化を第２磁性層の磁化の向
きに対して安定な方向に配向するに充分なだけ薄ければ
、この部分のキュリー温度は、第２磁性層のキュリー温
度に比べて相対的に低い必要はない、むしろ、第１．第
２磁性層間の界面磁壁エネルギーを高温度領域で強く保
つために、この部分のキュリー温度は高いほうが望まし
い。
さらに、これまでの説明では、第５図および第７図の５
ｂ、７ｂあるいは５ｆ、７ｆの温度において、第１磁性
層のキュリー温度の低い部分がキュリー温度に達してい
て完全に磁化の消失している状態を想定したが、必ずし
も完全に磁化が消失していな（とも、その部分の外部磁
界によるゼーマンエネルギーへの寄与、並びに保磁力エ
ネルギーへの寄与が低下していれば、第１磁性層の実質
的な膜厚はキュリー温度の高い部分と考えられるので、
本発明の作用を同様に説明できる。
ｂ、７ｂあるいは５ｆ、７ｆの温度において、第１磁性
層のキュリー温度の低い部分がキュリー温度に達してい
て完全に磁化の消失している状態を想定したが、必ずし
も完全に磁化が消失していな（とも、その部分の外部磁
界によるゼーマンエネルギーへの寄与、並びに保磁力エ
ネルギーへの寄与が低下していれば、第１磁性層の実質
的な膜厚はキュリー温度の高い部分と考えられるので、
本発明の作用を同様に説明できる。
次に、本発明の光磁気記録媒体のる第３の実施の態様に
ついて説明する。
ついて説明する。
木筆３の態様は、前述の第１の実施の態様における光磁
気記録媒体の再生時の再生信号品質を向上させろために
、第１ＨＩ性層の基板側に、キュリー温度が第１磁性層
の低いキュリー温度より高い第３磁性層をさらに積石し
てなる構成のものである。
気記録媒体の再生時の再生信号品質を向上させろために
、第１ＨＩ性層の基板側に、キュリー温度が第１磁性層
の低いキュリー温度より高い第３磁性層をさらに積石し
てなる構成のものである。
第３図に媒体の基本構成を示す、第１図と同一の番号は
同機能を持つ構成である。■はプリグループが設けられ
ている透明基板、１５は第３磁性石、２は第１磁性層、
３は第２磁性層である。第３ｍ性Ｍ→５は高いキュリー
温度を有し、第１磁性層２は低いキュリー温度（ＴＬ）
と高い保磁力（Ｈｏ）を有し、第２磁性Ｎ３は高いキュ
リー温度（Ｔ、ｌ）と低い保磁力（ＨＬ ）を有する。
同機能を持つ構成である。■はプリグループが設けられ
ている透明基板、１５は第３磁性石、２は第１磁性層、
３は第２磁性層である。第３ｍ性Ｍ→５は高いキュリー
温度を有し、第１磁性層２は低いキュリー温度（ＴＬ）
と高い保磁力（Ｈｏ）を有し、第２磁性Ｎ３は高いキュ
リー温度（Ｔ、ｌ）と低い保磁力（ＨＬ ）を有する。
ここで「高い」、「低い」とは各磁性層を比較した場合
の相対的な関係を表わし、第１磁性層と第２磁性層の関
係は本発明の第１の実施の態様と同じであり第１磁性層
２のキュリー温度（ＴＬ）は前述したように勾配を有し
幅をもっている。保磁力は室温における比較である。
の相対的な関係を表わし、第１磁性層と第２磁性層の関
係は本発明の第１の実施の態様と同じであり第１磁性層
２のキュリー温度（ＴＬ）は前述したように勾配を有し
幅をもっている。保磁力は室温における比較である。
ただし、通常は第３ＨＩ性層のキュリー温度は１８０℃
以上、第１磁性層のＴＬは７０℃〜２５０℃、Ｈ，は５
ｋＯｅ〜２０ＪＫｋ以上、第２磁性層のＴＨは１５０℃
〜４００℃、ＨＬ、はＯ，Ｉ ｋＯｅ〜５ ｋｏｅ程度
の、範囲内にするとよい、第３１ｉｎ性層の膜厚は２０
０〜＋０００Ａ程度、第１磁性層の膜厚は１００〜１０
００人、第２磁性層の膜厚は２００〜２０００人程度の
範囲が良い。
以上、第１磁性層のＴＬは７０℃〜２５０℃、Ｈ，は５
ｋＯｅ〜２０ＪＫｋ以上、第２磁性層のＴＨは１５０℃
〜４００℃、ＨＬ、はＯ，Ｉ ｋＯｅ〜５ ｋｏｅ程度
の、範囲内にするとよい、第３１ｉｎ性層の膜厚は２０
０〜＋０００Ａ程度、第１磁性層の膜厚は１００〜１０
００人、第２磁性層の膜厚は２００〜２０００人程度の
範囲が良い。
各磁性層の材料には、好ましくは垂直磁気異方性を示し
且つ比較的大きな磁気光学効果を呈するものが利用でき
るが、第３磁性層にはＧｄ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｃｏ、 Ｇ
ｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 ０ｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｎｄ
−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｎｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｐｒ−０
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｎｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ等、希土類元素と鉄属元素との非晶質磁性合
金を好ましく用いることができる。第１及び第２磁性層
には前記２１音構成ど同様の村事゛１すなわち、第１磁
性層にはＴｂ−ＦｅＴｂ−Ｃｏ、 Ｔｂ−７０ｙ−Ｆｅ
、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｃｏ、 Ｔｂ
−ＦｅＣｏ、 丁ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ
Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ等、第２磁性層にはＴ
ｂ−Ｆｅ、 ＴｂＤｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ
１）、Ｇ＋ゴーＴｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−［１ｙ−Ｆｅ
、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ［ｌ、 Ｇ
ｄ−１’ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−ロｙ−Ｆｅ−
Ｃｏ等の非結質目付合金が好適である。また、第３磁性
層には垂直磁気λ方性の小さな材料、第１磁性層には垂
直磁気異方性の大きな材料をＬＨいるのが望ましい。な
お各磁性層の…化容易軸はいずわも膜面に垂直方向であ
ることが望ましいが、少なくともいずれか一層が垂直力
向であわばよい。
且つ比較的大きな磁気光学効果を呈するものが利用でき
るが、第３磁性層にはＧｄ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｃｏ、 Ｇ
ｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 ０ｙ−
Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｎｄ
−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｎｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｐｒ−０
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｎｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ等、希土類元素と鉄属元素との非晶質磁性合
金を好ましく用いることができる。第１及び第２磁性層
には前記２１音構成ど同様の村事゛１すなわち、第１磁
性層にはＴｂ−ＦｅＴｂ−Ｃｏ、 Ｔｂ−７０ｙ−Ｆｅ
、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｃｏ、 Ｔｂ
−ＦｅＣｏ、 丁ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ
Ｔｂ−Ｆｅ、 Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ等、第２磁性層にはＴ
ｂ−Ｆｅ、 ＴｂＤｙ−Ｆｅ、 Ｄｙ−Ｆｅ、 Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃ
１）、Ｇ＋ゴーＴｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−［１ｙ−Ｆｅ
、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ［ｌ、 Ｇ
ｄ−１’ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ、 Ｇｄ−ロｙ−Ｆｅ−
Ｃｏ等の非結質目付合金が好適である。また、第３磁性
層には垂直磁気λ方性の小さな材料、第１磁性層には垂
直磁気異方性の大きな材料をＬＨいるのが望ましい。な
お各磁性層の…化容易軸はいずわも膜面に垂直方向であ
ることが望ましいが、少なくともいずれか一層が垂直力
向であわばよい。
叉、先の第１実施例においても述べたが、第１…性層２
と第２１ｉ！！性層３とは、 Ｎ５．第２磁性層３の飽和磁化 ｈ ： 〃 の膜厚 δ１・第１、第２１ｉｌｆ性Ｉ３間の磁壁エネルギー の関係を持っている。
と第２１ｉ！！性層３とは、 Ｎ５．第２磁性層３の飽和磁化 ｈ ： 〃 の膜厚 δ１・第１、第２１ｉｌｆ性Ｉ３間の磁壁エネルギー の関係を持っている。
第１磁性層２のキュリー温度は、第９図で示す様に第３
磁性旧１５に近いところで低く第２道性層３に近いとこ
ろでは高くなるキュリー温度の勾配を有している。ここ
で、該勾配は、第１磁性層２中で連続的に変化していて
もよいし、段階的に変化していてもよい１通常、第３磁
性層１５付近と第２磁性層３付近におけるキュリー温度
の差はそりそれ１Ｏ−１０１）℃程度である。
磁性旧１５に近いところで低く第２道性層３に近いとこ
ろでは高くなるキュリー温度の勾配を有している。ここ
で、該勾配は、第１磁性層２中で連続的に変化していて
もよいし、段階的に変化していてもよい１通常、第３磁
性層１５付近と第２磁性層３付近におけるキュリー温度
の差はそりそれ１Ｏ−１０１）℃程度である。
又前記勾配は、第１及び第２の実施の態様に説明したと
同様に、第１．１ｉｆｌ性層２の磁化が、第２ｍ性Ｎ３
の磁化の向きに対して安定な方向に順次効率良く配向す
るために第２磁性層３に近づくほど急勾配になっている
こと、すなわち、第２磁性層３に近づくに従いキュリー
温度の勾配が連続的又は段階的に大きくなっていること
が好ましい。
同様に、第１．１ｉｆｌ性層２の磁化が、第２ｍ性Ｎ３
の磁化の向きに対して安定な方向に順次効率良く配向す
るために第２磁性層３に近づくほど急勾配になっている
こと、すなわち、第２磁性層３に近づくに従いキュリー
温度の勾配が連続的又は段階的に大きくなっていること
が好ましい。
尚、この様なキュリー温度の勾配は、前述の第１の実施
の態様で述べた方法にて作成できる。
の態様で述べた方法にて作成できる。
又、」記３ ｆｌ！類の磁性層の他に透光性の、２３：
扱とａｆｌｔ生層の間や、磁性層の該基板と反対側に、
耐久性を白土さ十士るための、あるいは記録消去感度と
磁気光学効果を向上さ一１！ろための適当な誘電体層、
あるいは反射層を設けても良い。
扱とａｆｌｔ生層の間や、磁性層の該基板と反対側に、
耐久性を白土さ十士るための、あるいは記録消去感度と
磁気光学効果を向上さ一１！ろための適当な誘電体層、
あるいは反射層を設けても良い。
−さらに、第１磁性層と第２磁性層の間に、交換結合の
大きさを制御するための適当な第４の磁性層及び、／又
は非ＥＪｉ付層を挾んでも良い。
大きさを制御するための適当な第４の磁性層及び、／又
は非ＥＪｉ付層を挾んでも良い。
第４の磁性層としては、鉄属元素や希土類元素、及びこ
れらの非晶Ｔｔ磁性合金等、又非磁性層としてはＳｉＮ
やＡＩＮ等の誘電体、ＡＩ、 Ｔｉ、 Ｃ＋−等の用田
性金ｉ等を用いることができ、厚みはそ１ぞれ１０〜１
００人程度でよい。
れらの非晶Ｔｔ磁性合金等、又非磁性層としてはＳｉＮ
やＡＩＮ等の誘電体、ＡＩ、 Ｔｉ、 Ｃ＋−等の用田
性金ｉ等を用いることができ、厚みはそ１ぞれ１０〜１
００人程度でよい。
次に、上記第３の実施の態様における光磁気記録媒体を
用いた光磁気記録法を第１０図を用いて説明する。
用いた光磁気記録法を第１０図を用いて説明する。
第１０図中、１６が第３磁性層、１７が第１磁性層、！
８が第２磁性層を吊す。ｌＯａ〜ｌ［１ｇの各々は、３
磁付層の磁化の状態を示す。記録過程中、保６Ｒ力Ｈ、
−の第２８１性層を一方向にＥｌｌ化するのに十分で、
保磁力Ｈ，の第１磁性層の磁化の向きをｆ）Ｊ、転させ
ることのない大きさの列部磁界ＨＥが記録用ヘッドと異
なる場所で上方に印加されていで、さらに、記録用ヘッ
ドの場所において、第２…性層への記録を助けるバイア
ス磁界１−（、が下方に印加されでいる。
８が第２磁性層を吊す。ｌＯａ〜ｌ［１ｇの各々は、３
磁付層の磁化の状態を示す。記録過程中、保６Ｒ力Ｈ、
−の第２８１性層を一方向にＥｌｌ化するのに十分で、
保磁力Ｈ，の第１磁性層の磁化の向きをｆ）Ｊ、転させ
ることのない大きさの列部磁界ＨＥが記録用ヘッドと異
なる場所で上方に印加されていで、さらに、記録用ヘッ
ドの場所において、第２…性層への記録を助けるバイア
ス磁界１−（、が下方に印加されでいる。
記録過程をその過程に従って説明する前に、その理解の
助けとな、シように、まず、ｌＯａ〜］Ｏｇにより表わ
さ、ｔする状態の概要及び各状態間の移行過程の様子等
について説明しておく。
助けとな、シように、まず、ｌＯａ〜］Ｏｇにより表わ
さ、ｔする状態の概要及び各状態間の移行過程の様子等
について説明しておく。
１０ａと＋０ｇは室温における２僅の記録状管を示して
いて、レーザー光による加熱によって、ｌ０ｈｉ０ｃ、
ｌＯｄと温度が上昇する。ｌＯｂとｌｏｆ 、 ｌＯ
ｃとｌ口ｅはほぼ同じ温度での別の状態を示している６
図中、→は温度（二対して可逆的な磁化過程を示し、−
や−は非可逆的な磁化過程を示す。第１Ｏ図の例では、
第３磁性だ、第１ＭＪ、性層、第２磁性層とも鉄族副格
子磁化優勢な希土類−鉄族非晶７１合金薄膜を考えてい
る。この場合には、各層間の交換相互作用によって互い
に接する二層の磁化が平行な状態が安定状態であり、反
平行である状態が不安定状態であって、この不安定状態
では界面磁壁が存在する。ｌＯｇの状態は第１磁性層と
第２磁性層の界面に磁壁が存在する不安定状態である。
いて、レーザー光による加熱によって、ｌ０ｈｉ０ｃ、
ｌＯｄと温度が上昇する。ｌＯｂとｌｏｆ 、 ｌＯ
ｃとｌ口ｅはほぼ同じ温度での別の状態を示している６
図中、→は温度（二対して可逆的な磁化過程を示し、−
や−は非可逆的な磁化過程を示す。第１Ｏ図の例では、
第３磁性だ、第１ＭＪ、性層、第２磁性層とも鉄族副格
子磁化優勢な希土類−鉄族非晶７１合金薄膜を考えてい
る。この場合には、各層間の交換相互作用によって互い
に接する二層の磁化が平行な状態が安定状態であり、反
平行である状態が不安定状態であって、この不安定状態
では界面磁壁が存在する。ｌＯｇの状態は第１磁性層と
第２磁性層の界面に磁壁が存在する不安定状態である。
ただし、磁界０でも不安定状態を保持することが可能で
あるように、第２磁性層の保磁力エネルギーを調節する
必要がある。また、第３ｆｌａ性層は保磁力エネルギー
が小さく常に第１磁性層に対して安定な状態をとる。室
温（１０ａ、 ｌＯｇ）では、保磁力の小さい第２！１
１性層の磁化は外部磁界ＨＥによって常に図で上向きと
なっている。
あるように、第２磁性層の保磁力エネルギーを調節する
必要がある。また、第３ｆｌａ性層は保磁力エネルギー
が小さく常に第１磁性層に対して安定な状態をとる。室
温（１０ａ、 ｌＯｇ）では、保磁力の小さい第２！１
１性層の磁化は外部磁界ＨＥによって常に図で上向きと
なっている。
次に上記構成における記録過程の原理をその過程に従っ
て説明する。
て説明する。
１０ｇの状態から温度を上げると、図９に示すように第
１磁性層の保磁力が急激に低下する。すると、第１磁性
層と第２ｇｉ性屡との間の交換相互作用により両層の磁
化が平行になろうとするために、第１磁性層の磁化が反
転し上を向＜ （１０ｂ）。
１磁性層の保磁力が急激に低下する。すると、第１磁性
層と第２ｇｉ性屡との間の交換相互作用により両層の磁
化が平行になろうとするために、第１磁性層の磁化が反
転し上を向＜ （１０ｂ）。
この状態から温度を下げると、第３磁性層と第１磁性層
との間の交換相互作用により第３磁性層の磁化も゛上向
きに配向する。そのままの状態で室温まで冷え、ＩＯａ
の状態に移る。】Ｏａの状態から温度を上げ、１０ｂの
状態になった後、温度を下げてもやはりｌＯａの状態に
戻る。即ち、１０ｂの温度に相当するレーザーパワーの
印加によって、ｌＯａの状態も１０ｇの状態もすべてｌ
Ｏａの状態に移すことができる（第１種の記録）。
との間の交換相互作用により第３磁性層の磁化も゛上向
きに配向する。そのままの状態で室温まで冷え、ＩＯａ
の状態に移る。】Ｏａの状態から温度を上げ、１０ｂの
状態になった後、温度を下げてもやはりｌＯａの状態に
戻る。即ち、１０ｂの温度に相当するレーザーパワーの
印加によって、ｌＯａの状態も１０ｇの状態もすべてｌ
Ｏａの状態に移すことができる（第１種の記録）。
次に、ｆｉｂの状態からさらに温度を上げ、第１磁性層
のキュリー温度Ｔｔ、を越してｌＯｃの状態になると、
第１１ｉｆｉ性層の磁化がなくなる。さらに温度を第２
磁性層のキュリー温度Ｔ、近傍まで上げると第２磁性層
の保磁力が小さくなり、バイアス磁界Ｈｓにより反転す
る（１０ｄ）、この状態から温度を下げると（ＩＯｄ
−１０ｅ −１Ｏｆ）、第１磁性層と第１ｆｌ性層との
間の交換相互作用により第１磁性層の磁化が下向きに生
じ（１０ｆ）、さらに第３磁性層と第１磁性層との間の
交換相互作用により第３磁性層の磁化も下向きに配向す
る（＋Ｏｆ −１０ｇ）。
のキュリー温度Ｔｔ、を越してｌＯｃの状態になると、
第１１ｉｆｉ性層の磁化がなくなる。さらに温度を第２
磁性層のキュリー温度Ｔ、近傍まで上げると第２磁性層
の保磁力が小さくなり、バイアス磁界Ｈｓにより反転す
る（１０ｄ）、この状態から温度を下げると（ＩＯｄ
−１０ｅ −１Ｏｆ）、第１磁性層と第１ｆｌ性層との
間の交換相互作用により第１磁性層の磁化が下向きに生
じ（１０ｆ）、さらに第３磁性層と第１磁性層との間の
交換相互作用により第３磁性層の磁化も下向きに配向す
る（＋Ｏｆ −１０ｇ）。
そのままの状態で室温にまで冷えた後、第２磁性層は外
部磁界Ｈｔにより反転する（ １０ｆ）、ただし、この
際には第１ｔｔｌ性層の保磁力は大きいので、外部磁界
Ｈｇによって反転せず、記録状態を保持している。即ち
、ｌｏｄの温度に相当するレーザーパワーの印加によっ
てＩ＋ｌａの状態もｌａｇの状態もすべてｌＯｇの状態
に移すことができる（第２種の記録）。
部磁界Ｈｔにより反転する（ １０ｆ）、ただし、この
際には第１ｔｔｌ性層の保磁力は大きいので、外部磁界
Ｈｇによって反転せず、記録状態を保持している。即ち
、ｌｏｄの温度に相当するレーザーパワーの印加によっ
てＩ＋ｌａの状態もｌａｇの状態もすべてｌＯｇの状態
に移すことができる（第２種の記録）。
従って、異なるレーザーパワーの印加によって異なる磁
化状態を取ることができ、即ちこれは重ね書き（オーバ
ーライド）が実現したことになる。
化状態を取ることができ、即ちこれは重ね書き（オーバ
ーライド）が実現したことになる。
尚、前述の第１の実施の態様、第２の実施の態様と同様
に、本節３の実施の態様においても、１０ｇの状態から
ｌＯｂの状態に遷移させる場合、バイアス磁界Ｈ１に逆
らって交換力によって第１磁性層の磁化を反転させなけ
ればならない。
に、本節３の実施の態様においても、１０ｇの状態から
ｌＯｂの状態に遷移させる場合、バイアス磁界Ｈ１に逆
らって交換力によって第１磁性層の磁化を反転させなけ
ればならない。
しかし、先に述べたが、第１磁性層のキュリー温度を第
３磁性層に近いところで低く、第２ｍ性磨に近いところ
で高くなる様に膜厚方向に対して勾配を持たせているの
で、上記遷移を安定して且つ容易に行うことができる。
３磁性層に近いところで低く、第２ｍ性磨に近いところ
で高くなる様に膜厚方向に対して勾配を持たせているの
で、上記遷移を安定して且つ容易に行うことができる。
さらに本態様では、カー回転角を増大し再生信号品質を
向上させる目的で、高いキュリー温度を有する第３ｔｔ
ｉ性層１５を設けている。ここで、第１磁性層２の第３
ｍ性Ｍ１５に近い部分のキュリー温度は低いため、ｌｏ
ｇの状態からｌＯｂの状態に遷移させる温度においてこ
の部分はキュリー温度に達しており、第３磁性層との磁
気的な結合が切れている。このため、第３磁性層の磁化
の配向状態に影響されることなく、上記遷移が容易に行
なわれる。そして、温度の低下とともに第１磁性層の保
磁力エネルギーが増大した後第３磁性層と磁気的に結合
し、第３磁性層は、第１磁性層との交換相互作用により
第１磁性層に対して安定な方向に磁化配向する。
向上させる目的で、高いキュリー温度を有する第３ｔｔ
ｉ性層１５を設けている。ここで、第１磁性層２の第３
ｍ性Ｍ１５に近い部分のキュリー温度は低いため、ｌｏ
ｇの状態からｌＯｂの状態に遷移させる温度においてこ
の部分はキュリー温度に達しており、第３磁性層との磁
気的な結合が切れている。このため、第３磁性層の磁化
の配向状態に影響されることなく、上記遷移が容易に行
なわれる。そして、温度の低下とともに第１磁性層の保
磁力エネルギーが増大した後第３磁性層と磁気的に結合
し、第３磁性層は、第１磁性層との交換相互作用により
第１磁性層に対して安定な方向に磁化配向する。
なお、記録感度は、第１磁性層と第２磁性層のキュリー
温度に依存し、第３磁性層のキュリー温度には直接影響
されないので、前述した２層の磁性１３からなる場合と
同様にできる。
温度に依存し、第３磁性層のキュリー温度には直接影響
されないので、前述した２層の磁性１３からなる場合と
同様にできる。
次に、本発明の光磁気記録媒体の第４の実施の態様につ
いて説明する。
いて説明する。
本箱４の実施の態様は、上記第３の実施の態様における
光磁気媒体の、第１Ｅｎ性層と第２磁性層におけるそれ
ぞれの保磁力とキュリー温度の関係が第１３図の様な関
係の場合で前述第２の態様に相当するものである。第３
の実施の態様とは記録過程での各層の磁化状態の変化過
程が異なるだけで、他の構成、特性については上記第３
実施例の光磁気記録媒体と同様のものである。
光磁気媒体の、第１Ｅｎ性層と第２磁性層におけるそれ
ぞれの保磁力とキュリー温度の関係が第１３図の様な関
係の場合で前述第２の態様に相当するものである。第３
の実施の態様とは記録過程での各層の磁化状態の変化過
程が異なるだけで、他の構成、特性については上記第３
実施例の光磁気記録媒体と同様のものである。
以下、第４の実施の態様の光磁気媒体を用いた光磁気記
録法を第１２図を用いて説明する。 １９が第３１ｉｆ
ｉ性層、２０が第１磁性層、２１が第２磁性石を示す、
！２ａ〜１２ｇの各々は、各磁性層の磁化の状態を示
し、記録過程中、保磁力ＨＬの第２磁性層を一方向に磁
化するのに充分で、保磁力Ｈｓの第１磁性層の磁化の向
きを反転させることのない大きさの外部磁界１］、が記
録用ヘッドと異なる場所で下方に印加されていて、さら
に、記録用ヘッドの場所若しくは近傍において、第２１
ｉｆｉ性層への記録を助けるバイアス磁界Ｈ６が下方に
印加されている。ここで、通常は、Ｈｔの大きさは、Ｈ
８の犬きさよりも大きいが、Ｈａより小さくすることも
可能である。この例では、ＨｌとＨａとが同一方向に印
加されており、Ｈｚ≦■］♂とすることにより、外部磁
界１４、を記録バイアス磁界１”（ａで４０用すること
も可能である。
録法を第１２図を用いて説明する。 １９が第３１ｉｆ
ｉ性層、２０が第１磁性層、２１が第２磁性石を示す、
！２ａ〜１２ｇの各々は、各磁性層の磁化の状態を示
し、記録過程中、保磁力ＨＬの第２磁性層を一方向に磁
化するのに充分で、保磁力Ｈｓの第１磁性層の磁化の向
きを反転させることのない大きさの外部磁界１］、が記
録用ヘッドと異なる場所で下方に印加されていて、さら
に、記録用ヘッドの場所若しくは近傍において、第２１
ｉｆｉ性層への記録を助けるバイアス磁界Ｈ６が下方に
印加されている。ここで、通常は、Ｈｔの大きさは、Ｈ
８の犬きさよりも大きいが、Ｈａより小さくすることも
可能である。この例では、ＨｌとＨａとが同一方向に印
加されており、Ｈｚ≦■］♂とすることにより、外部磁
界１４、を記録バイアス磁界１”（ａで４０用すること
も可能である。
＋２ａと１２ｇは室温における２種の記録状態を示して
いて、レーザー光による加熱によって、１２ｂ１２ｃ、
１２ｄと温度が上昇する。第１２図の例では、＋２ｂ
と）２ｃ、あるいは１２ｅと＋２ｆにおける温度の間に
は、第２磁性層の補償温度Ｔゆ。、、が存在する場合を
考えている。また、第３磁性層と第１磁性層が鉄族副格
子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金７Ｉ膜を考え、第
２磁性層は希土類副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質
合金薄膜を考えている。
いて、レーザー光による加熱によって、１２ｂ１２ｃ、
１２ｄと温度が上昇する。第１２図の例では、＋２ｂ
と）２ｃ、あるいは１２ｅと＋２ｆにおける温度の間に
は、第２磁性層の補償温度Ｔゆ。、、が存在する場合を
考えている。また、第３磁性層と第１磁性層が鉄族副格
子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金７Ｉ膜を考え、第
２磁性層は希土類副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶質
合金薄膜を考えている。
この場合には、各層間の交換相互作用によって、第３磁
性層と第１ｍ性Ｍとの間では、前記説明と同様に両層の
磁化が平行な状態が安定であり、反平行な状態が不安定
状態であるが、第１磁性層と第２磁性層との間では、両
層の磁化が反平行な状態が安定状態であり、平行な状態
が不安定状態でぁる。不安定状態では界面に磁壁が存在
する。
性層と第１ｍ性Ｍとの間では、前記説明と同様に両層の
磁化が平行な状態が安定であり、反平行な状態が不安定
状態であるが、第１磁性層と第２磁性層との間では、両
層の磁化が反平行な状態が安定状態であり、平行な状態
が不安定状態でぁる。不安定状態では界面に磁壁が存在
する。
１０ｇの状態は、第１磁性層と第２磁性層との界面に磁
壁が存在する不安定状態である。ただし、磁界Ｏでも不
安定状態を保持することが可能であるように、第２磁性
層の保磁力エネルギーを調節する必要がある。また、第
３磁性層は保磁力エネルギーが小さく常に第１磁性層に
対して安定な状態をとる。室温（１２ａ、 １２ｇ）で
は、保磁力の小さい第２磁性層の磁化は記録バイアス磁
界Ｈ８を兼用されることもありうる外部磁界Ｈｚによっ
て常に図で下向きとなっている。
壁が存在する不安定状態である。ただし、磁界Ｏでも不
安定状態を保持することが可能であるように、第２磁性
層の保磁力エネルギーを調節する必要がある。また、第
３磁性層は保磁力エネルギーが小さく常に第１磁性層に
対して安定な状態をとる。室温（１２ａ、 １２ｇ）で
は、保磁力の小さい第２磁性層の磁化は記録バイアス磁
界Ｈ８を兼用されることもありうる外部磁界Ｈｚによっ
て常に図で下向きとなっている。
次に上記構成における記録過程の原理をその過程に従っ
て説明する。
て説明する。
１２ｇの状態から温度を上げると、第１３図に示すよう
に第１磁性層の保磁力が急激に低下し、第２磁性層の保
磁力が大きくなる。すると、第１磁性層と第２磁性層と
の間の交換相互作用により両層の磁化が反平行になろう
とするために、第１ｇｉ性層の磁化が反転し上向＜ （
＋２ｂ）。この状態から温度を下げると、第３磁性層と
第ｔｍ付層との間の交換相互作用により第３磁性層の磁
化も上向きに配向する。そのままの状態で室温まで冷λ
、１２ａの状態に移る。１２ａの状態から温度を上げ、
１２ｂの状態になった後、温度を下げてもやはり１２ａ
の状態に戻る。即ち、＋２ｂの温度に相当するレーザー
パワーの印加によって１２ａの状態も１２ｇの状態もす
べて１２ａの状態に移すことができる（第１ ｆｆｆｌ
の記録）。
に第１磁性層の保磁力が急激に低下し、第２磁性層の保
磁力が大きくなる。すると、第１磁性層と第２磁性層と
の間の交換相互作用により両層の磁化が反平行になろう
とするために、第１ｇｉ性層の磁化が反転し上向＜ （
＋２ｂ）。この状態から温度を下げると、第３磁性層と
第ｔｍ付層との間の交換相互作用により第３磁性層の磁
化も上向きに配向する。そのままの状態で室温まで冷λ
、１２ａの状態に移る。１２ａの状態から温度を上げ、
１２ｂの状態になった後、温度を下げてもやはり１２ａ
の状態に戻る。即ち、＋２ｂの温度に相当するレーザー
パワーの印加によって１２ａの状態も１２ｇの状態もす
べて１２ａの状態に移すことができる（第１ ｆｆｆｌ
の記録）。
次に、１２ｂの状態からさらに温度を上げ、第２磁性層
の補償温度Ｔ （ｅａｔを越して＋２ｃの状態になると
、第２磁性層の磁化が可逆的に反転する。さらに温度を
上げると第２磁性層の保磁力が小さくなり、バイアス磁
界Ｈ６により反転する（ １２ｄ）。
の補償温度Ｔ （ｅａｔを越して＋２ｃの状態になると
、第２磁性層の磁化が可逆的に反転する。さらに温度を
上げると第２磁性層の保磁力が小さくなり、バイアス磁
界Ｈ６により反転する（ １２ｄ）。
この状態から温度を下げると磁化状態が変化しないまま
冷え（１２ｅ）、Ｔ Ｃ０ＩＩＩを越すと第２磁性層の
磁化が可逆的に反転する。その前後で、第１磁性層と第
２磁性層との間の交換相互作用により第１磁性層の磁化
が下向きに生じ（＋２ｆ）、さらに第３磁性層と第１１
ｉｔｌ性層との間の交換相互作用により第３磁性層の磁
化も下向きに配向する（＋２ｆ −１２ｇ）、そのまま
室温にまで冷え、第２１ｉｔｌ性層が再び小さな保磁力
となり、記録バイアス磁界Ｈ，と兼用されることもあり
得る外部磁界Ｈｚにより反転する（１２ｇ）。ただし、
この際には第１磁性層の保磁力は大きいので、外部磁界
Ｈ５によっては反転せず、記録状態を保持している。即
ち、＋２ｄの温度に相当するレーザーパワーの印加によ
って１２ａの状態も１２ｇの状態もすべて１２ｇの状態
に移すことができる（第２種の記録）。
冷え（１２ｅ）、Ｔ Ｃ０ＩＩＩを越すと第２磁性層の
磁化が可逆的に反転する。その前後で、第１磁性層と第
２磁性層との間の交換相互作用により第１磁性層の磁化
が下向きに生じ（＋２ｆ）、さらに第３磁性層と第１１
ｉｔｌ性層との間の交換相互作用により第３磁性層の磁
化も下向きに配向する（＋２ｆ −１２ｇ）、そのまま
室温にまで冷え、第２１ｉｔｌ性層が再び小さな保磁力
となり、記録バイアス磁界Ｈ，と兼用されることもあり
得る外部磁界Ｈｚにより反転する（１２ｇ）。ただし、
この際には第１磁性層の保磁力は大きいので、外部磁界
Ｈ５によっては反転せず、記録状態を保持している。即
ち、＋２ｄの温度に相当するレーザーパワーの印加によ
って１２ａの状態も１２ｇの状態もすべて１２ｇの状態
に移すことができる（第２種の記録）。
従って、異なるレーザーパワーの印加によって異なる磁
化状態を取ることができ、即ちこれは重ね書き（オーバ
ーライド）が実現したことになる。
化状態を取ることができ、即ちこれは重ね書き（オーバ
ーライド）が実現したことになる。
ここで１２ｇの状態から１２ｂの状態に遷移させる場合
、第１Ｏ図の場合と同じくバイアス磁界Ｈ，に逆らって
交換力によって第１磁性層の磁化を反転させなければな
らない。
、第１Ｏ図の場合と同じくバイアス磁界Ｈ，に逆らって
交換力によって第１磁性層の磁化を反転させなければな
らない。
この場合も、第１磁性層のキュリー温度を、第３磁性層
に近いところで低く、第２磁性石に近いところで高くす
ることによって、高いキュリー温度を有する第３磁性層
を積層しても、上記遷移を容易に行なえる。第３１ｉｆ
ｌ性層と第１磁性層との間で、両層の磁化が反平行なと
き安定状態に、平行なとき不安定状態になるように交換
相互作用が働く場合についても、同様にして記録過程を
説明できる。
に近いところで低く、第２磁性石に近いところで高くす
ることによって、高いキュリー温度を有する第３磁性層
を積層しても、上記遷移を容易に行なえる。第３１ｉｆ
ｌ性層と第１磁性層との間で、両層の磁化が反平行なと
き安定状態に、平行なとき不安定状態になるように交換
相互作用が働く場合についても、同様にして記録過程を
説明できる。
本態様においても、第１及び第２の実施の態様における
と同様に、第１Ｏ図、第１２図のＩＯｂ、 １２ｂある
いはＩＯｆ、 １２ｆの温度において、第１磁性層の磁
化が第２′ｔｎ性層の磁化の向きに対して安定な方向に
配向するために゛は、この温度において第１磁性層内の
磁化の存在する部分の厚さは薄い方が良い、さらにこの
温度から室温に至るまでの冷却過程で一定温度の低下ご
とに新たに磁化の発生する部分の厚さも、その磁化が順
次安定な方向に配向していくためには、やはり薄い方が
良い。ところが、前述のように保磁力エネルギーはむや
みに小さくできないため第１１ｉ性層全体の膜厚には下
限があり、また、第１磁性層内のキュリー温度には、記
録感度の点から制限がある。このため、定温度の低下ご
とに新たに磁化の発生する部分の厚さも制約を受ける。
と同様に、第１Ｏ図、第１２図のＩＯｂ、 １２ｂある
いはＩＯｆ、 １２ｆの温度において、第１磁性層の磁
化が第２′ｔｎ性層の磁化の向きに対して安定な方向に
配向するために゛は、この温度において第１磁性層内の
磁化の存在する部分の厚さは薄い方が良い、さらにこの
温度から室温に至るまでの冷却過程で一定温度の低下ご
とに新たに磁化の発生する部分の厚さも、その磁化が順
次安定な方向に配向していくためには、やはり薄い方が
良い。ところが、前述のように保磁力エネルギーはむや
みに小さくできないため第１１ｉ性層全体の膜厚には下
限があり、また、第１磁性層内のキュリー温度には、記
録感度の点から制限がある。このため、定温度の低下ご
とに新たに磁化の発生する部分の厚さも制約を受ける。
そこで５この制約の中で効果をより高めるためには、第
１Ｈ１性Ｍ内で、一定温度の低下ごとに新たに磁化の発
生する部分の厚さを、温度の低下とともに厚くしていく
のが望ましい。
１Ｈ１性Ｍ内で、一定温度の低下ごとに新たに磁化の発
生する部分の厚さを、温度の低下とともに厚くしていく
のが望ましい。
すなわち、第１田性層内のキュリー温度の勾配は、第２
磁性層に近づくほど急勾配になるのが望ましい。通常第
３磁性層１５付近の小さい勾配は０〜０．０５℃／人程
度、第２磁性層３付近の大きい勾配０．５〜ｂ また、第１０図および第１２図のＩＯｂ、 ＋２ｂある
いはＩＯｆ、 １２ｆの温度において、第１１ｉｉｌ性
層内の磁化の存在する部分の厚さが、この部分の磁化を
第２磁性層の磁化の向きに対して安定な方向に配向する
に充分なだＣブに薄ければ、この部分のキュリー温度は
、第２ｆｆｌ性層のキュリー温度に比べて相対的に低い
必要はない、むしろ、第１、第２１ａ性層間の界面磁壁
エネルギーを高温度領域で強く保つために、この部分の
キュリー温度は高いほうが望ましい。
磁性層に近づくほど急勾配になるのが望ましい。通常第
３磁性層１５付近の小さい勾配は０〜０．０５℃／人程
度、第２磁性層３付近の大きい勾配０．５〜ｂ また、第１０図および第１２図のＩＯｂ、 ＋２ｂある
いはＩＯｆ、 １２ｆの温度において、第１１ｉｉｌ性
層内の磁化の存在する部分の厚さが、この部分の磁化を
第２磁性層の磁化の向きに対して安定な方向に配向する
に充分なだＣブに薄ければ、この部分のキュリー温度は
、第２ｆｆｌ性層のキュリー温度に比べて相対的に低い
必要はない、むしろ、第１、第２１ａ性層間の界面磁壁
エネルギーを高温度領域で強く保つために、この部分の
キュリー温度は高いほうが望ましい。
さらに、これまでの説明では、第１口図、第１２図のｌ
Ｏｂ、 １２ｂあるいはＩＯｆ、 ＋２ｆの温度におい
て、第１磁性層のキュリー温度の低い部分がキュリー温
度に達していて完全に磁化の消失している状態を想定し
たが、必ずしも完全に磁化が消失していなくとも、その
部分の外部磁界によるゼーマンエネルギーへの寄与、並
びに保磁力エネルギーへの寄与が低下していれば、第１
磁性層の実質的な膜厚はキュリー温度の高い部分と考久
られるので、本発明の作用を同様に説明できる。
Ｏｂ、 １２ｂあるいはＩＯｆ、 ＋２ｆの温度におい
て、第１磁性層のキュリー温度の低い部分がキュリー温
度に達していて完全に磁化の消失している状態を想定し
たが、必ずしも完全に磁化が消失していなくとも、その
部分の外部磁界によるゼーマンエネルギーへの寄与、並
びに保磁力エネルギーへの寄与が低下していれば、第１
磁性層の実質的な膜厚はキュリー温度の高い部分と考久
られるので、本発明の作用を同様に説明できる。
［実施例］
次に、本発明の効果を検証するために、以下に示すよう
な光磁気記録媒体を作製し、磁化過程の温度特性、並び
に動特性の比較を行なった。
な光磁気記録媒体を作製し、磁化過程の温度特性、並び
に動特性の比較を行なった。
まず、磁性層が２Ｎである光磁気記録媒体の効果を実施
例１〜５、比較例１〜８により検証した。
例１〜５、比較例１〜８により検証した。
実施例１
８元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距離２
０ｃｉの間隔にセットし、回転させた。
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距離２
０ｃｉの間隔にセットし、回転させた。
アルゴン中で、ＳｉＪ＜のターゲットを用いて、スパッ
タ速度約４０人／＋ｎｉｎ、スパッタ圧Ｑ、ｌ５Ｐａで
５ｉｓ）Ｌを保護層として６００人の厚さに設けた。
タ速度約４０人／＋ｎｉｎ、スパッタ圧Ｑ、ｌ５Ｐａで
５ｉｓ）Ｌを保護層として６００人の厚さに設けた。
次にアルゴン中で、Ｔｂ、 Ｆｅ、 Ｃｏの３個のター
ゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、ス
パッタ圧０．１５Ｐａ″ｒｌｌｆｆ厚３６０人、ＨＨ＝
約１５ ｋＯｅ、飽和磁化Ｍ ｓ ” ５０ ｅｍｕ／
ｃｍ’のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化侵勢Ｔｂ−（Ｆｅ＋−ｙ
ｃｏｙ）の第１磁性層を形成した。
ゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、ス
パッタ圧０．１５Ｐａ″ｒｌｌｆｆ厚３６０人、ＨＨ＝
約１５ ｋＯｅ、飽和磁化Ｍ ｓ ” ５０ ｅｍｕ／
ｃｍ’のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化侵勢Ｔｂ−（Ｆｅ＋−ｙ
ｃｏｙ）の第１磁性層を形成した。
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの組成の調整は、Ｔｂ、 Ｆｅ、 Ｃ
ｏのそれぞれのターゲットに加久る電力を変化させて行
なった。Ｃｏｆｆ１ｙは、最初の９０人は０１次の９０
人は０、０２．次の９０人は０．０４、次の９０人は０
０６と変化させ、その結果キュリー温度が、 １２０℃
、 １３０℃、１４５℃、 １５５℃と変化し、本発明
の特徴である第１磁性層のキュリー温度が、第２６Ｉｉ
性店に近いところで高く、離れたところで低い構造を作
製した。
ｏのそれぞれのターゲットに加久る電力を変化させて行
なった。Ｃｏｆｆ１ｙは、最初の９０人は０１次の９０
人は０、０２．次の９０人は０．０４、次の９０人は０
０６と変化させ、その結果キュリー温度が、 １２０℃
、 １３０℃、１４５℃、 １５５℃と変化し、本発明
の特徴である第１磁性層のキュリー温度が、第２６Ｉｉ
性店に近いところで高く、離れたところで低い構造を作
製した。
次にアルゴン中で、Ｇｄ７ａＴｂ、２ｅ、 Ｆｅ、ｔｏ
Ｃｏ、３ｏの２個のターゲットを用いて、スパッタ速度
約１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧口、１５Ｐａで膜厚１
００人、Ｍ。
Ｃｏ、３ｏの２個のターゲットを用いて、スパッタ速度
約１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧口、１５Ｐａで膜厚１
００人、Ｍ。
＝ ４２０ ｅｍｕ／ｃｍ’のＧｄ−Ｔｂ副格子磁化侵
勢Ｇｄ４ｂ−Ｆｅ−Ｃｏの中間層を形成した。この中間
層は、第１磁性層と第２磁性層間の交換結合の大きさを
調節する働きをする。
勢Ｇｄ４ｂ−Ｆｅ−Ｃｏの中間層を形成した。この中間
層は、第１磁性層と第２磁性層間の交換結合の大きさを
調節する働きをする。
次にアルゴン中で、Ｇｄ、ａｏＤＹ−ｓｏ、 Ｆｅ、、
ｏＣＯ，ｔｏの２個のターゲットを用いて、スパッタ速
度約１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚
７００人、ＴＩＩ＝約２５０℃、Ｔ ｃｏａｐ”約１７
０℃、ＨＬ＝約２ ｋＯｅ、Ｍ ｓ ＝ １００ ｅｍ
ｕ／ｃｍ３のｃｃｉ−ｏｙ副格子磁化優勢（Ｇｄ、 ５
ｏＤｙ、ａａ）−（Ｆｅ、 ５ｏｃｏ、 ４０）の第２
磁性層を形成した。
ｏＣＯ，ｔｏの２個のターゲットを用いて、スパッタ速
度約１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚
７００人、ＴＩＩ＝約２５０℃、Ｔ ｃｏａｐ”約１７
０℃、ＨＬ＝約２ ｋＯｅ、Ｍ ｓ ＝ １００ ｅｍ
ｕ／ｃｍ３のｃｃｉ−ｏｙ副格子磁化優勢（Ｇｄ、 ５
ｏＤｙ、ａａ）−（Ｆｅ、 ５ｏｃｏ、 ４０）の第２
磁性層を形成した。
最後にアルゴン中で、５ｉｓＮ＜のターゲットを用いて
、スパッタ速度約４０人／ｍｉｎ、スパック圧０１５ｐ
ａで５ｉｄＬを保護Ｍとして６００人の厚さに設けた。
、スパッタ速度約４０人／ｍｉｎ、スパック圧０１５ｐ
ａで５ｉｄＬを保護Ｍとして６００人の厚さに設けた。
次に上記の膜形成を経文だ基板の腹側な、ホットメルト
接谷剤を用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板ど
貼り合わせ、光磁気記録媒体を作ツｌした。
接谷剤を用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板ど
貼り合わせ、光磁気記録媒体を作ツｌした。
実、ＩｒＭ例２
第１磁性５腎のＣｏ量ｙを、最初の９０人は０、次の９
０人は００２、次の９０人（ま００４、次の４５人（ま
Ｑ、 ０６、次の４５人は０．０８と変化させ、その結
果キュリー温度が１２０℃、 １３０℃、 １４５℃、
１５５℃、１７０℃と変化し、第２磁性層に近いとこ
ろで膜厚に対して急激にキュリー温度が高くなっている
他は、実施例１と全く同様の構成の光磁気記録媒体を作
５２ した。
０人は００２、次の９０人（ま００４、次の４５人（ま
Ｑ、 ０６、次の４５人は０．０８と変化させ、その結
果キュリー温度が１２０℃、 １３０℃、 １４５℃、
１５５℃、１７０℃と変化し、第２磁性層に近いとこ
ろで膜厚に対して急激にキュリー温度が高くなっている
他は、実施例１と全く同様の構成の光磁気記録媒体を作
５２ した。
比較例１
第１Ｅｔｌ性層をｙ＝Ｑの均質なＴｂ−Ｆｅ （キュリ
ー温度１２０℃）に変えた以外は、実施例１と全く同様
の構成の光磁気記録媒体を作製した。
ー温度１２０℃）に変えた以外は、実施例１と全く同様
の構成の光磁気記録媒体を作製した。
比較例２
第１１ａ性層をｙ＝ｏ、ｏ４の均質なｒｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
（４ユリ−温度１４５℃）に変えた以外は、実施例１
と′ｔく同様の構成の尤も１気記録媒体を作製した。
（４ユリ−温度１４５℃）に変えた以外は、実施例１
と′ｔく同様の構成の尤も１気記録媒体を作製した。
比較例３
第１′Ｇ！ｉ性層をｙ；０．０８の均質なＴｂ−Ｆｅ−
Ｃｏ （キュリー温度１７０℃）に変＾た以外は、実施
例１と全く同様の構成の光磁気記録媒体を作製した。
Ｃｏ （キュリー温度１７０℃）に変＾た以外は、実施
例１と全く同様の構成の光磁気記録媒体を作製した。
以上実施例１〜２、比較例１〜・３の５媒体の磁化過捏
の温度特性を測定し、第１磁性層の磁化反転ｆＪｉ界の
温度依存性をまとめた結果を第１４図に示す、第１４図
において、反転磁界の符号は、正の時、印加した磁界の
向きにならって第１磁性層の磁化が反転し、負の時、印
加した磁界の向きに逆らって磁化が反転することを示す
。したがって、オーバーライドプロセスにおける記録バ
イアス磁界のマージンは、第１４図における、反転磁界
の負のピーク値に相当する。
の温度特性を測定し、第１磁性層の磁化反転ｆＪｉ界の
温度依存性をまとめた結果を第１４図に示す、第１４図
において、反転磁界の符号は、正の時、印加した磁界の
向きにならって第１磁性層の磁化が反転し、負の時、印
加した磁界の向きに逆らって磁化が反転することを示す
。したがって、オーバーライドプロセスにおける記録バ
イアス磁界のマージンは、第１４図における、反転磁界
の負のピーク値に相当する。
第１４図から明らかなように、本発明の実施例１２は、
比較例１，２．３に比して、記録バイアス磁界のマージ
ンが大きい。
比較例１，２．３に比して、記録バイアス磁界のマージ
ンが大きい。
さらに、これらの光磁気ディスクを記録再生装置にセッ
トし、４０００ｅのバイアス磁界と４ ｋｏｅの外部磁
界（記録ヘッド以外の位置）を印加しつつ、線速度的８
．５ ｍ／ｓｅａで、約１．５μｍに集光した８３０
ｎｍの波長のレーザービームな５０％のデユーティでＩ
ＭＨｚで変調させながら、５ｍＷと１２ｍＷの２値の
レーザーパワーで記録を行なった。
トし、４０００ｅのバイアス磁界と４ ｋｏｅの外部磁
界（記録ヘッド以外の位置）を印加しつつ、線速度的８
．５ ｍ／ｓｅａで、約１．５μｍに集光した８３０
ｎｍの波長のレーザービームな５０％のデユーティでＩ
ＭＨｚで変調させながら、５ｍＷと１２ｍＷの２値の
レーザーパワーで記録を行なった。
次に、以上の記録を行なった後、同一トラック上に１．
５Ｍ）Ｉｚで同一パワーで記録を行なった。
５Ｍ）Ｉｚで同一パワーで記録を行なった。
この結果を表１に示す０本発明に基づ〈実施例１．２は
比較例１，２．３に比してＣ／Ｎ 、消去比とも良好で
ある。 比較例１は、前述の記録バイアス磁界のマージ
ンは大きかったものの、室温における記録ビットの安定
性が悪く、ノイズが発生した。また、比較例３は、オー
バーライドができなかった。
比較例１，２．３に比してＣ／Ｎ 、消去比とも良好で
ある。 比較例１は、前述の記録バイアス磁界のマージ
ンは大きかったものの、室温における記録ビットの安定
性が悪く、ノイズが発生した。また、比較例３は、オー
バーライドができなかった。
次に、同様の測定をバイアス磁界２０００ｅで行なった
結果を表２に示す。
結果を表２に示す。
この場合、オーバーライドの一連のプロセスの中で、第
１磁性層の磁化を第２磁性層にたいして安定な方向に配
向させるプロセスについては、前の測定条件に比べて有
利になるが、第２磁性層の磁化をバイアス磁界の方向に
反転させるプロセスについては不利となる。結果として
、表２に示されているように、本発明の実施例１．２は
Ｃ／Ｎ、消去比とも良好であるが、比較例１，２．３は
Ｃ／Ｎが上がらず消去比が悪い。
１磁性層の磁化を第２磁性層にたいして安定な方向に配
向させるプロセスについては、前の測定条件に比べて有
利になるが、第２磁性層の磁化をバイアス磁界の方向に
反転させるプロセスについては不利となる。結果として
、表２に示されているように、本発明の実施例１．２は
Ｃ／Ｎ、消去比とも良好であるが、比較例１，２．３は
Ｃ／Ｎが上がらず消去比が悪い。
表 １
表２
次に、以下に示すような本発明の第２の実施の態様に基
づ〈実施例２種、比較例４種の光磁気記録媒体を作製し
、同様の比較を行なった。
づ〈実施例２種、比較例４種の光磁気記録媒体を作製し
、同様の比較を行なった。
実施例３
アルゴン中で、Ｔｂ、 Ｆｅ、 Ｃｏの３個のターゲッ
トを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、スパッ
タ圧０゜１５ Ｐａで膜厚５００人、Ｈｎ＝約１５ｋＯ
ｅ、 Ｍｓ＝ ５０ ｅｎ＋ｕ／ａｍ’のＦｅ−Ｃｏ副
格子磁化優勢Ｔｂ−（Ｆｅ＋−ｙＣｏ、）の第１磁性層
を形成した。 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの組成の調整は、Ｔｂ
、 Ｆｅ、 Ｃｏのそれぞれのターゲットに加える電力
を変化させて行なった。Ｃｏｏｌｙは、０から０．０５
間で漸次増加し、かつ膜の成長につれて急激に増加する
ようにした。その結果キュリー温度が、 １２０℃から
約３００℃まで変化し、本願発明の特徴である第１磁性
層のキュリー温度の勾配を有し、第２ｇｉ性層に近づく
に従い急勾配となってキュリー温度の上昇する第１磁性
層を作製した。
トを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、スパッ
タ圧０゜１５ Ｐａで膜厚５００人、Ｈｎ＝約１５ｋＯ
ｅ、 Ｍｓ＝ ５０ ｅｎ＋ｕ／ａｍ’のＦｅ−Ｃｏ副
格子磁化優勢Ｔｂ−（Ｆｅ＋−ｙＣｏ、）の第１磁性層
を形成した。 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの組成の調整は、Ｔｂ
、 Ｆｅ、 Ｃｏのそれぞれのターゲットに加える電力
を変化させて行なった。Ｃｏｏｌｙは、０から０．０５
間で漸次増加し、かつ膜の成長につれて急激に増加する
ようにした。その結果キュリー温度が、 １２０℃から
約３００℃まで変化し、本願発明の特徴である第１磁性
層のキュリー温度の勾配を有し、第２ｇｉ性層に近づく
に従い急勾配となってキュリー温度の上昇する第１磁性
層を作製した。
次に、第１磁性層と第２磁性層間の交換結合の大きさを
調節するため、アルゴン中で、５ｉｓＮａターゲツトを
用いて、スパッタ速度約３人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．
ｌ５Ｐａで、膜厚約１０人のＳｉＮ中間層を形成した。
調節するため、アルゴン中で、５ｉｓＮａターゲツトを
用いて、スパッタ速度約３人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．
ｌ５Ｐａで、膜厚約１０人のＳｉＮ中間層を形成した。
この他の構成は、実施例１と同様な光磁気記録媒体を作
製した。
製した。
実施例４
アルゴン中で、Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｆｅの３個のターゲッ
トを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、スパッ
タ圧０．１５Ｐａで膜厚、５ＱＯ人、Ｈ，＝約１０ｋｏ
ｅ、 Ｍｓ＝約５０ ｅａ＋ｕ／ａｍ３のＦｅ副格子磁
化優勢（Ｇｄ−Ｔｂ＋−ｙ）−Ｆｅの第１！！ｉ性屡を
形成した。 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅの組成の調整は、Ｇｄ、
Ｔｂ、 Ｆｅのそれぞれのターゲットに加える電力を
変化させて行なった。 Ｇｄ量ｙは、０か６０．５０
間で漸次増加し、かつ膜の成長につれて急激に増加する
ようにした。その結果キュリー温度が、 １２０℃から
１７０℃まで変化し、本発明の特徴である第１ｔｎ性層
のキュリー温度の勾配を有し、第２磁性層に近づくに従
い急勾配となってキュリー温度の上昇する第１磁性層を
作製した。
トを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、スパッ
タ圧０．１５Ｐａで膜厚、５ＱＯ人、Ｈ，＝約１０ｋｏ
ｅ、 Ｍｓ＝約５０ ｅａ＋ｕ／ａｍ３のＦｅ副格子磁
化優勢（Ｇｄ−Ｔｂ＋−ｙ）−Ｆｅの第１！！ｉ性屡を
形成した。 Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅの組成の調整は、Ｇｄ、
Ｔｂ、 Ｆｅのそれぞれのターゲットに加える電力を
変化させて行なった。 Ｇｄ量ｙは、０か６０．５０
間で漸次増加し、かつ膜の成長につれて急激に増加する
ようにした。その結果キュリー温度が、 １２０℃から
１７０℃まで変化し、本発明の特徴である第１ｔｎ性層
のキュリー温度の勾配を有し、第２磁性層に近づくに従
い急勾配となってキュリー温度の上昇する第１磁性層を
作製した。
この他の構成は、実施例３と同様な光磁気記録媒体を作
製した。
製した。
比較例４
第１１ｉｉｌ性層をｙ＝ ０．０４の均質なＴｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ （キュリー温度１４５℃）に変えた以外は、実
施例３と同様の構成の光磁気記録媒体を作製した。
−Ｃｏ （キュリー温度１４５℃）に変えた以外は、実
施例３と同様の構成の光磁気記録媒体を作製した。
比較例５
ＳｉＮ中／ｌＪ１層をなくし、第１磁性層を形成後直ち
に第２磁性層を形成した他は比較実施例４と同様の構成
の光磁気記録媒体を作製した。
に第２磁性層を形成した他は比較実施例４と同様の構成
の光磁気記録媒体を作製した。
比較例６
第２磁性層の膜厚な２０００人とした他は比較実施例５
と同様の構成の光磁気記録媒体を作製した。
と同様の構成の光磁気記録媒体を作製した。
比較例７
アルゴン中で、［］ｙ、 Ｆｅ、５ｏＣｏ、ａｏの２個
のターゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉ
ｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚７００人、Ｔ、＝約
２５０℃、Ｔ ｅａｍｓ”約１７０℃、ＨＨ＝約７ｋＯ
ｅ 、 Ｍ＠ ＝１５０ｅｍｕ／ｃｍ’のＤｙ副格子磁
化優勢［１ｙ−Ｆｅ−Ｃｏの第２ｔｔｉ性層を形成した
他は、比較ｅｘａｍｐｌｅ ５と同様の構成の光磁気記
録媒体を作製した。
のターゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉ
ｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚７００人、Ｔ、＝約
２５０℃、Ｔ ｅａｍｓ”約１７０℃、ＨＨ＝約７ｋＯ
ｅ 、 Ｍ＠ ＝１５０ｅｍｕ／ｃｍ’のＤｙ副格子磁
化優勢［１ｙ−Ｆｅ−Ｃｏの第２ｔｔｉ性層を形成した
他は、比較ｅｘａｍｐｌｅ ５と同様の構成の光磁気記
録媒体を作製した。
以上、実施例２種（実施例３．４）、比較例４種（比゛
較例４〜７）の媒体の磁化過程の温度特性を測定し、記
録バイアス磁界Ｈ，のマージン及び室温において第２磁
性層を一方向に揃久るために必要な外部磁界Ｈｇについ
てまとめた結果を表３に示す。
較例４〜７）の媒体の磁化過程の温度特性を測定し、記
録バイアス磁界Ｈ，のマージン及び室温において第２磁
性層を一方向に揃久るために必要な外部磁界Ｈｇについ
てまとめた結果を表３に示す。
実施例３，４及び比較例６，７はオーバーライドプロセ
スが実現可能な磁化過程を持つ、ただし、比較例７に関
しては、外部磁界Ｈ五カ月２ ｋＯｅと大きく実用上不
適当である。
スが実現可能な磁化過程を持つ、ただし、比較例７に関
しては、外部磁界Ｈ五カ月２ ｋＯｅと大きく実用上不
適当である。
また、比較例４は、温度が上昇し界面磁壁エネルギーが
弱まるとともに第１磁性層に対して交換相互作用の影響
がほとんど及ばなくなり、記録バイアス磁界に逆らって
第１磁性層を反転させることができない。
弱まるとともに第１磁性層に対して交換相互作用の影響
がほとんど及ばなくなり、記録バイアス磁界に逆らって
第１磁性層を反転させることができない。
また、比較例５は、Ｈｍ ＝ ５ ｋＯｅで第２磁性層
を反転させ、界面磁壁が存在する状態にすることができ
るものの、Ｈｌを取り去ると第２磁性屓が再反転してし
まい不安定状態を保持することができない、すなわち、
オーバーライドプロセスが実現不可能である。
を反転させ、界面磁壁が存在する状態にすることができ
るものの、Ｈｌを取り去ると第２磁性屓が再反転してし
まい不安定状態を保持することができない、すなわち、
オーバーライドプロセスが実現不可能である。
次に、実施例３，４及び比較例６．７の媒体を記録再生
装置にセットし、先の実験と同様の条件で動特性の測定
を行なった。この結果、実施例３の媒体はＣ／Ｎ ５０
ｄＢ 、消去比４５ ｄＢ、実施例４の媒体はＣ／Ｎ
５２ ｄＢ 、消去比４８ ｄＢとそれぞれ良好な結
果を得た。比較例７の媒体は、１５ ｋｏｅ程度の強力
な磁界を発生する大型の永久磁石により初期化を行なわ
ないと同様の動特性は得られなかった。比較例６の媒体
については、磁性層の膜厚が非常に厚いため記録感度が
悪く、ビークパワー１２ｍＷで記録してもＣ／Ｎが立ち
上がらなかった。
装置にセットし、先の実験と同様の条件で動特性の測定
を行なった。この結果、実施例３の媒体はＣ／Ｎ ５０
ｄＢ 、消去比４５ ｄＢ、実施例４の媒体はＣ／Ｎ
５２ ｄＢ 、消去比４８ ｄＢとそれぞれ良好な結
果を得た。比較例７の媒体は、１５ ｋｏｅ程度の強力
な磁界を発生する大型の永久磁石により初期化を行なわ
ないと同様の動特性は得られなかった。比較例６の媒体
については、磁性層の膜厚が非常に厚いため記録感度が
悪く、ビークパワー１２ｍＷで記録してもＣ／Ｎが立ち
上がらなかった。
表 ３
実施例５
第２磁性層として、Ｇｄ、１ｏＤｙ、ｉｏ、 Ｆｅ、ａ
ｏＣｏ、ａｏの２個のターゲットを用いて、スパッタ速
度約１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．ｌ５Ｐａで膜厚
７００人、Ｔｈ＝約２５０℃、ＨＬ ： ３ ｋＯｅ
、 Ｍ ｓ ＝＝ ＋０１１ ｅｎ＋ｕ／ｃｍ’のＦｅ
−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏを形成し
た以外は実施例１と同様な光磁気ディスクを作製し、同
様の実験を行なった。
ｏＣｏ、ａｏの２個のターゲットを用いて、スパッタ速
度約１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．ｌ５Ｐａで膜厚
７００人、Ｔｈ＝約２５０℃、ＨＬ ： ３ ｋＯｅ
、 Ｍ ｓ ＝＝ ＋０１１ ｅｎ＋ｕ／ｃｍ’のＦｅ
−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏを形成し
た以外は実施例１と同様な光磁気ディスクを作製し、同
様の実験を行なった。
その結果、バイアス磁界２００〜６０００ｅにおいても
オーバーライドが可能であることが確認された。
オーバーライドが可能であることが確認された。
比較例８
第１磁性層を、ｙ ： ｏ、 ０４の均質なＴｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ （キュリー温度１４５℃）に変久た以外は、実
施例４と同様の構成の光磁気記録媒体を作製したところ
、バイアス磁界２０００ｅではオーバーライドが可能で
あったが、６０００ｅではオーバーライドができなかっ
た。
−Ｃｏ （キュリー温度１４５℃）に変久た以外は、実
施例４と同様の構成の光磁気記録媒体を作製したところ
、バイアス磁界２０００ｅではオーバーライドが可能で
あったが、６０００ｅではオーバーライドができなかっ
た。
次に磁性層が３層である光磁気記録媒体の効果を検証す
るために以下の実施例６〜９．比較例９〜１４により検
証した。
るために以下の実施例６〜９．比較例９〜１４により検
証した。
実施例６
多元のターゲット源を端太たスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距離２
０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距離２
０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。
アルゴン中で、Ｓ：Ｊ４のターゲットを用いて、スパッ
タ速度約４０人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで５
ｉｓＮ＜を保護層として６１１０人の厚さに設けた。
タ速度約４０人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで５
ｉｓＮ＜を保護層として６１１０人の厚さに設けた。
次に、アルゴン中で、Ｇｄ、 Ｆｅ、 Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度的ＩＱ（１人７ｍ１ｎ
、スパッタ圧０、！５ Ｐａで膜厚３００人、Ｍｍ ＝
５０ ｅｌＩｌｕ／ｃｍ’、キュリー温度３００℃以上
のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｇｄ−（Ｆｅ、 ？ＯＣ０
，３（＋）の第３磁性層を形成した。
ーゲットを用いて、スパッタ速度的ＩＱ（１人７ｍ１ｎ
、スパッタ圧０、！５ Ｐａで膜厚３００人、Ｍｍ ＝
５０ ｅｌＩｌｕ／ｃｍ’、キュリー温度３００℃以上
のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｇｄ−（Ｆｅ、 ？ＯＣ０
，３（＋）の第３磁性層を形成した。
次に、アルゴン中で、Ｔｂ、 Ｆｅ、 Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚２８０人、ＨＨ＝約１５
ｋＯｅ、Ｍ、 ＝５０ ｅｍｕ／ａｍ’のＦｅ−Ｃｏ
副格子磁化優勢Ｔｂ−（ｐｅｔ−ｙｃｏｙ）の第１磁性
層を形成した。Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの組成の調整は、Ｔｂ
、Ｆｅ、 Ｃｏのそれぞれのターゲットに加える電力を
変化させて行なった。Ｃｏ、ｉｙは、最初の７０人は０
、次の７０人は０．０２、次の７０人は０，０４、次の
７０人は０．０６と変化させ、その結果キュリー温度が
、 １２０℃、 １３０℃、１４５℃、 １５５℃と変
化し、本願発明の特徴である第１磁性層のキュリー温度
が、第３磁性層に近いところで低く、第２１ｉｌｔｌ性
層に近いところで高い構造を作製した。
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚２８０人、ＨＨ＝約１５
ｋＯｅ、Ｍ、 ＝５０ ｅｍｕ／ａｍ’のＦｅ−Ｃｏ
副格子磁化優勢Ｔｂ−（ｐｅｔ−ｙｃｏｙ）の第１磁性
層を形成した。Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏの組成の調整は、Ｔｂ
、Ｆｅ、 Ｃｏのそれぞれのターゲットに加える電力を
変化させて行なった。Ｃｏ、ｉｙは、最初の７０人は０
、次の７０人は０．０２、次の７０人は０，０４、次の
７０人は０．０６と変化させ、その結果キュリー温度が
、 １２０℃、 １３０℃、１４５℃、 １５５℃と変
化し、本願発明の特徴である第１磁性層のキュリー温度
が、第３磁性層に近いところで低く、第２１ｉｌｔｌ性
層に近いところで高い構造を作製した。
次にアルゴン中で、Ｇｄ、 Ｆｅ、 Ｃｏの３個のター
ゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、ス
パッタ圧０．１５Ｐａで膜厚１００人、Ｍ、 ＝ ３０
０ｅｍｕ／ｃｍ’のＧｄ副格子磁化優勢Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏの中間層を形成した。この中間層は、第１ｆｎ性層と
第２磁性層間の交換結合の大きさを調節する働きをする
。
ゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、ス
パッタ圧０．１５Ｐａで膜厚１００人、Ｍ、 ＝ ３０
０ｅｍｕ／ｃｍ’のＧｄ副格子磁化優勢Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏの中間層を形成した。この中間層は、第１ｆｎ性層と
第２磁性層間の交換結合の大きさを調節する働きをする
。
次に、アルゴン中で、Ｇｄ、５ｏＯｙ、ｓｏ、 Ｆｅ、
Ｃｏの３個のターゲットを用いて、スパッタ速度約１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚７００
人、ＴＨ＝約２５０℃、Ｔ ６６ａ＃”約１７０℃、Ｈ
Ｌ＝約２ ｋｏｅ、Ｍ ｍ ＝ １００ ｅｍｕ／ｃｍ
３のｃｄ−ｏｙ副格子磁化優勢（Ｇｄ、 ５ｏＤｙ−ｉ
ｏ） −（Ｆｅ、 ｇｏｃｏ、 ４０）の第２磁性層を
形成した。
Ｃｏの３個のターゲットを用いて、スパッタ速度約１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚７００
人、ＴＨ＝約２５０℃、Ｔ ６６ａ＃”約１７０℃、Ｈ
Ｌ＝約２ ｋｏｅ、Ｍ ｍ ＝ １００ ｅｍｕ／ｃｍ
３のｃｄ−ｏｙ副格子磁化優勢（Ｇｄ、 ５ｏＤｙ−ｉ
ｏ） −（Ｆｅ、 ｇｏｃｏ、 ４０）の第２磁性層を
形成した。
最後にアルゴン中で、５ｉｓＮ４のターゲットを用いて
、スパッタ速度約４０人／＋ｉｎ、スパッタ圧０．１５
Ｐａで ５ｉｓＮ４を保護層として６００人の厚さに設
けた。
、スパッタ速度約４０人／＋ｉｎ、スパッタ圧０．１５
Ｐａで ５ｉｓＮ４を保護層として６００人の厚さに設
けた。
次に上記の膜形成を終えた基板をホットメルト接着剤を
用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り合わ
せ、光磁気記録媒体を作製した。
用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り合わ
せ、光磁気記録媒体を作製した。
実施例７
アルゴン中で、Ｔｂ、 Ｆｅ、 Ｃｏの３個のターゲッ
トを用いて、スパッタ速度約１００人／ｌｌｌ１ｎ、ス
パッタ圧０．１５Ｐａで膜厚２００人、Ｍ＠ ＝３００
ｅｍｕ／ｃｍ’キュリー温度２５０℃以上のＦｅ−Ｃ
ｏ副格子磁化優勢Ｔｔｒ （Ｆｅ、 ｔｏｃｏ、 ｓｏ
）の第３磁性層を形成した。
トを用いて、スパッタ速度約１００人／ｌｌｌ１ｎ、ス
パッタ圧０．１５Ｐａで膜厚２００人、Ｍ＠ ＝３００
ｅｍｕ／ｃｍ’キュリー温度２５０℃以上のＦｅ−Ｃ
ｏ副格子磁化優勢Ｔｔｒ （Ｆｅ、 ｔｏｃｏ、 ｓｏ
）の第３磁性層を形成した。
次に、アルゴン中で、Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｆｅの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉ口、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚３００人、Ｈ，＝約Ｉｎ
ｋＯｅ、Ｍｓ”約５０ｅｍｕ／ｃｍ３のＦｅ副格子磁
化優勢（Ｇｄ。
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉ口、
スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚３００人、Ｈ，＝約Ｉｎ
ｋＯｅ、Ｍｓ”約５０ｅｍｕ／ｃｍ３のＦｅ副格子磁
化優勢（Ｇｄ。
Ｔｂ、 −ｙ）−Ｆｅの第１磁性層を形成した。 Ｇｄ
−Ｔｂ−Ｆｅの組成の調整は、Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｆｅの
それぞれのターゲットに加える電力を変化させて行なっ
た。Ｇｄｆｆ１ｙは、０から０．５０間で漸次増加し、
かつ膜の成長につれて急激に増加するようにした。その
結果キュリー温度が、 １２０℃から１７０℃まで変化
し、本願発明の特徴であるキュリー温度の勾配を有し、
第２磁性層に近づくに従い急勾配となってキュリー温度
の上昇する第１磁性層を作製した。
−Ｔｂ−Ｆｅの組成の調整は、Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｆｅの
それぞれのターゲットに加える電力を変化させて行なっ
た。Ｇｄｆｆ１ｙは、０から０．５０間で漸次増加し、
かつ膜の成長につれて急激に増加するようにした。その
結果キュリー温度が、 １２０℃から１７０℃まで変化
し、本願発明の特徴であるキュリー温度の勾配を有し、
第２磁性層に近づくに従い急勾配となってキュリー温度
の上昇する第１磁性層を作製した。
その他は、実施例６と全く同様の構成の光磁気記録媒体
。
。
比較例９
第３ｉｆｉ性層を設けず、５ｉｓＮ４保護層形成後直ち
に第１磁性層を形成した以外は、実施例６と全く同様の
構成の光磁気記録媒体。
に第１磁性層を形成した以外は、実施例６と全く同様の
構成の光磁気記録媒体。
比較例１０
第１磁性層をｙ＝ｏ、ｏ４の均質なＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
（キュリー温度１４５℃）に変えた以外は、実施例６と
全く同様の構成の光磁気記録媒体。
（キュリー温度１４５℃）に変えた以外は、実施例６と
全く同様の構成の光磁気記録媒体。
比較例１１
第３磁性層を設けず、第１磁性層をｙ＝ ０．１５０）
ｉ４〕質なＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ （キ上り一温度２１０℃
）に変えた以外は、実施例６ど全く同様の構成の光磁気
記録Ｌ：与（体。
ｉ４〕質なＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ （キ上り一温度２１０℃
）に変えた以外は、実施例６ど全く同様の構成の光磁気
記録Ｌ：与（体。
上記実施例６〜７、比較例９−１１（７）５媒体の石化
過程の温度特性を測定し、第３磁性層の磁化反転磁界の
温度依存性をまとめた結果を第１４図に示）゛、第１５
図において、反転磁界の符号は、正の時、印加したｄｌ
界の向きにならって第３磁性層の磁化が反転し、負の時
、印加したｍＷの向きに逆らって磁化が反転することを
示す。
過程の温度特性を測定し、第３磁性層の磁化反転磁界の
温度依存性をまとめた結果を第１４図に示）゛、第１５
図において、反転磁界の符号は、正の時、印加したｄｌ
界の向きにならって第３磁性層の磁化が反転し、負の時
、印加したｍＷの向きに逆らって磁化が反転することを
示す。
オーバーライドプロセスにおける記録バ・イアスｍ界の
マージンは、第１５図における、反転磁界の負のビーク
（直に相当する６ 第１５図から明らかなように、本発明の実施例６．７は
、高ギュリー温度の第３磁性層を設けたにもかかわらず
、比較例９と同様に、記録バイアス磁界のマージンが大
きい。一方、第１磁性層にキュリー温度勾配のない比較
例ＩＯや比較例！１は、記録バイアス磁界マージンが小
さい。
マージンは、第１５図における、反転磁界の負のビーク
（直に相当する６ 第１５図から明らかなように、本発明の実施例６．７は
、高ギュリー温度の第３磁性層を設けたにもかかわらず
、比較例９と同様に、記録バイアス磁界のマージンが大
きい。一方、第１磁性層にキュリー温度勾配のない比較
例ＩＯや比較例！１は、記録バイアス磁界マージンが小
さい。
さらに、これらの光磁１気記録媒体を記録再生装置にセ
ットシ、４ＱＯＯｅのバイアス磁界と３ ｋＯｅの外部
ｌ界を印加しつつ、線速度約８．５ ｍ／ｓｅｃで、約
１，５μｍに集光した８３０ ｎｍの波長のレーザービ
ームを５０％のデユーティで１ＭＩＩｚで変調させなが
ら、５ｍＷと１２ ｍＷの２値のレーザーパワーで記録
を行なった。
ットシ、４ＱＯＯｅのバイアス磁界と３ ｋＯｅの外部
ｌ界を印加しつつ、線速度約８．５ ｍ／ｓｅｃで、約
１，５μｍに集光した８３０ ｎｍの波長のレーザービ
ームを５０％のデユーティで１ＭＩＩｚで変調させなが
ら、５ｍＷと１２ ｍＷの２値のレーザーパワーで記録
を行なった。
次に、以−トの記録を行なった後、同一トラック上に！
、５ＭＨｚで同一パワーで記録を行なった。この結果を
表４に示す。
、５ＭＨｚで同一パワーで記録を行なった。この結果を
表４に示す。
本発明の実施例６．７は、比較例９に比してキャリアレ
ベルが高く、Ｃ／Ｎが向上した。比較例１０は、記録ノ
イズが上がりＣ／Ｎが低下した。比較例ＩＯは、第１磁
性層のキュリー温度を上げてキー・リアレベルの向上を
試みたが、低レベルパワーでの記録が不充分なためやは
り記録ノイズが上がりＣ／Ｎが低下した。
ベルが高く、Ｃ／Ｎが向上した。比較例１０は、記録ノ
イズが上がりＣ／Ｎが低下した。比較例ＩＯは、第１磁
性層のキュリー温度を上げてキー・リアレベルの向上を
試みたが、低レベルパワーでの記録が不充分なためやは
り記録ノイズが上がりＣ／Ｎが低下した。
表 ４
実施例８
以下に示すような本発明の実施例１種、比較例２ｆ！１
の光ｇ１気記録媒体を作製し、動特性を比較した。
の光ｇ１気記録媒体を作製し、動特性を比較した。
アルゴン中で、Ｇｄ、 Ｆｅ、 Ｃｏの３個のターゲッ
トを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、スパッ
タ圧０．１５Ｐａで膜厚３００人、Ｍｓ ＝５０ ｅｍ
ｕ／ｃｍ３゜キュリー温度３００℃以上のＧｄ副格子磁
化侵勢Ｇｄ−（Ｆｅ、 ｔｏｃｏ、 ｓｏ ）の第３Ｉ
ｉｆｌ性石を形成した。
トを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、スパッ
タ圧０．１５Ｐａで膜厚３００人、Ｍｓ ＝５０ ｅｍ
ｕ／ｃｍ３゜キュリー温度３００℃以上のＧｄ副格子磁
化侵勢Ｇｄ−（Ｆｅ、 ｔｏｃｏ、 ｓｏ ）の第３Ｉ
ｉｆｌ性石を形成した。
次に、アルゴン中で、Ｔｂ、 Ｆｃ、ｔｓＣｏ□６．Ｃ
「の３個のターゲラ］〜を用いて、スパッタ速度約１０
０人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚３００人
、Ｈｕ”約１５ ｋＯｅ、 Ｍ ａ ＝ ５０ ｅｍｕ
／ｃｎ＋３のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化侵勢Ｔｂ−（（Ｆｅ
、 ｔａｃｋ、 ａｓ） ＋−ｙＣｒｙ）の第１１ｔｔ
ｌ性暦を形成した。 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒの組成の
調整は、 Ｔｂ、 Ｆｅ、ｔｉＣｏ、 、、、Ｃｒのそ
れぞれのターゲットに加える電力を変化させて行なった
。Ｃｒ量ｙは、０．２０から０間で漸次減少し、かつ膜
の成長につれて急激Ｓこ減少するようにした・、・その
結果キュリー温度が、１２０℃から約２５０℃まで変化
し、本願発明の特徴であるキュリー温度の勾配を有し、
第２磁性石に近づくに従い急勾配となってキュリー温度
の上イする第１Ｍｉ性屡を作製した。
「の３個のターゲラ］〜を用いて、スパッタ速度約１０
０人／ｍｉｎ、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚３００人
、Ｈｕ”約１５ ｋＯｅ、 Ｍ ａ ＝ ５０ ｅｍｕ
／ｃｎ＋３のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化侵勢Ｔｂ−（（Ｆｅ
、 ｔａｃｋ、 ａｓ） ＋−ｙＣｒｙ）の第１１ｔｔ
ｌ性暦を形成した。 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒの組成の
調整は、 Ｔｂ、 Ｆｅ、ｔｉＣｏ、 、、、Ｃｒのそ
れぞれのターゲットに加える電力を変化させて行なった
。Ｃｒ量ｙは、０．２０から０間で漸次減少し、かつ膜
の成長につれて急激Ｓこ減少するようにした・、・その
結果キュリー温度が、１２０℃から約２５０℃まで変化
し、本願発明の特徴であるキュリー温度の勾配を有し、
第２磁性石に近づくに従い急勾配となってキュリー温度
の上イする第１Ｍｉ性屡を作製した。
次に、アルゴン中で、Ｄｙ、 Ｆｅ、 Ｃｏの３個のタ
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ａｋｉｎ
、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚１５００人、Ｔ、＝約
２５０℃、Ｔ ｃｏａｌ”約１７０℃、ＨＬ＝約５ｋＤ
ｓ 、 Ｍ、 ＝Ｉ５ｆｌｅｍｕ／ｃｍ３のＤｙ副格子
磁化擾勢Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏの第２磁性層を形成した。
ーゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ａｋｉｎ
、スパッタ圧０．１５Ｐａで膜厚１５００人、Ｔ、＝約
２５０℃、Ｔ ｃｏａｌ”約１７０℃、ＨＬ＝約５ｋＤ
ｓ 、 Ｍ、 ＝Ｉ５ｆｌｅｍｕ／ｃｍ３のＤｙ副格子
磁化擾勢Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏの第２磁性層を形成した。
第１磁性層と第２磁性層間の交換結合の大きさを調節す
るための中間層は形成しなかった。
るための中間層は形成しなかった。
この他の構成は、実施例６と同様な構成の光磁気記録媒
体を作成した。
体を作成した。
比較例１２
第１磁性層を、ｙ＝０．ＩＯの均質なＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
（キュリー温度１８０℃）に変えた以外は、実施例８
と同様な光磁気記録媒体。
（キュリー温度１８０℃）に変えた以外は、実施例８
と同様な光磁気記録媒体。
比較例１３
第３磁性層をなくした他は、比較例１２と同様な光磁気
記録媒体。
記録媒体。
上記実施例８、比較例１２．１３で得られた光磁気記録
媒体を記録再生装置にセットし、外部磁界を６ｋＯａに
変えた以外は前回と同様の記録条件で記録し、動特性を
測定した。この結果、実施例８は６５ ｄＢの良好なＣ
／Ｎが安定して得られた。比較例１２は記録ノイズが上
りＣ／Ｎが４８ ｄＢに低下した。また、比較例１３は
記録パワーを変更して９ｍＷと１２ｍＷの２値のレーザ
ーパワーで記録することにより、５０ ｄＢ程度のＣ／
Ｎを得ることができたが、高低両レベルの記録温度が近
すぎるため、特性が不安定であった。
媒体を記録再生装置にセットし、外部磁界を６ｋＯａに
変えた以外は前回と同様の記録条件で記録し、動特性を
測定した。この結果、実施例８は６５ ｄＢの良好なＣ
／Ｎが安定して得られた。比較例１２は記録ノイズが上
りＣ／Ｎが４８ ｄＢに低下した。また、比較例１３は
記録パワーを変更して９ｍＷと１２ｍＷの２値のレーザ
ーパワーで記録することにより、５０ ｄＢ程度のＣ／
Ｎを得ることができたが、高低両レベルの記録温度が近
すぎるため、特性が不安定であった。
実施例９
第２磁性層として、Ｄｙ、 Ｆｅ、 Ｃｏの３個のター
ゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、ス
パッタ圧０．ｌ５Ｐａで膜厚１５００人、ＴＨ＝約２５
０℃、ＨＬ＝約５ ｋＯｅ 、 Ｍｓ’＝ １５０ ｅ
ｍｕ／ａｍ’のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｄｙ−Ｆｅ−
Ｃｏを形成した以外は実施例８と同様な光磁気記録媒体
を作成し、同様の実験を行なった。
ゲットを用いて、スパッタ速度約１００人／ｍｉｎ、ス
パッタ圧０．ｌ５Ｐａで膜厚１５００人、ＴＨ＝約２５
０℃、ＨＬ＝約５ ｋＯｅ 、 Ｍｓ’＝ １５０ ｅ
ｍｕ／ａｍ’のＦｅ−Ｃｏ副格子磁化優勢Ｄｙ−Ｆｅ−
Ｃｏを形成した以外は実施例８と同様な光磁気記録媒体
を作成し、同様の実験を行なった。
その結果、バイアス磁界２００〜６０００ｅにおいてオ
ーバーライドが可能であり、Ｃ／Ｎ ５５ｄＢが得られ
た。
ーバーライドが可能であり、Ｃ／Ｎ ５５ｄＢが得られ
た。
比較例１４
第１磁性層をｙ＝ ０．０４の均質なＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
（キュリー温度１４５℃）に変えた以外は、実施例９
と同様の光磁気記録媒体を作製したところ、バイアス磁
界２０００ｓではオーバーライドが可能でＣ／Ｎ ４９
ｄＢが得られたが、６０００ｅではオーバーライドがで
きなかった。
（キュリー温度１４５℃）に変えた以外は、実施例９
と同様の光磁気記録媒体を作製したところ、バイアス磁
界２０００ｓではオーバーライドが可能でＣ／Ｎ ４９
ｄＢが得られたが、６０００ｅではオーバーライドがで
きなかった。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明の光磁気記録媒体は
、特に、第１磁性層がキュリー温度の勾配を有するので
、本発明の記録方法に基いて記録時にレーザーパワーが
付与され昇温した際に、第１磁性層の層厚が減少したの
と同様の作用を示し、その結果、バイアス磁界に逆らっ
て交換力によって磁化を反転させることが容易に行なえ
、記録動作マージンが広がる効果がある。
、特に、第１磁性層がキュリー温度の勾配を有するので
、本発明の記録方法に基いて記録時にレーザーパワーが
付与され昇温した際に、第１磁性層の層厚が減少したの
と同様の作用を示し、その結果、バイアス磁界に逆らっ
て交換力によって磁化を反転させることが容易に行なえ
、記録動作マージンが広がる効果がある。
このため、媒体設計の自由度が広がり、Ｃ／Ｎ 。
感度、初期化のための外部磁界等について要求される種
々のスペックを同時に満足する媒体を構成することが容
易になる。
々のスペックを同時に満足する媒体を構成することが容
易になる。
更に、磁性層を３層構成とすることにより、記録感度を
劣化させることなく再生信号品質を向上させることがで
きる。
劣化させることなく再生信号品質を向上させることがで
きる。
本発明は、前述説明した実施例の他にも種々の応用が可
能である。又、本発明は、クレームから逸脱しない限り
において、このような応用例を全て包含するものである
。
能である。又、本発明は、クレームから逸脱しない限り
において、このような応用例を全て包含するものである
。
第１図は、本発明の第１の実施の態様における光磁気記
録媒体の概略構成を示す図、 第２図は、第１の実施の態様における第１磁性層の層構
成を示す概略図、 第３図は、第３の実施の態様における光磁気記録媒体の
概略構成を示す図、 第４図は、第１の実施の態様における各層の膜厚方向に
対するキュリー温度の変化を示す図、第５図は、第１の
実施の態様に光磁気記録媒体を用いた記録過程の原理を
説明する図（太矢印は磁化の向きを示し、細矢印は磁化
の状態の変化方向を示す、）、 第６図は、第１の実施の態様における各層の保磁力とキ
ュリー温度の関係を示す図、 第７図は、第２の実施の態様の光磁気記録媒体を用いた
記録過程の原理を説明する図（矢印は第５図と同じ意味
を示す、）、 第８図は、第２の実施の態様における各層の保磁力とキ
ュリー温度の関係を示す図、 第９図は、第３の実施の態様における各層の膜厚方向に
対するキュリー温度の変化を示す図、第１Ｏ図は、第３
の実施の実施の光磁気記録媒体を用いた記録過程の原理
を説明する図（矢印は第５図と同じ意味を示す、）、 第１１図は、第３の実施の態様における各層の保磁力と
キュリー温度の関係を示す図、 第１２図は、第４の実施の態様の光磁気配ｊ！媒体を用
いた記録過程の原理を説明する図（矢印は第５図と同じ
意味を示す、）、 第１３図は、第４の実施の態様における各層の保磁力と
キュリー温度の関係を示す図、 第１４図は、第１の実施の態様に基づ〈実施例で得られ
た光磁気記録媒体おける第１１１性層の磁化反転磁界と
温度との関係を示す図、 第１５図は、第４の実施の態様における第２１ｉｎ性層
の磁化反転磁界と温度との関係を示す図である。 ｌ・・・基板 ２、１０．１３．１７．２０・・・・第１磁性層３１２
．１４，１８．２１・・・・第２磁性層＋５１６１９・
・・・第３磁性層 〜１０・・・・第２磁性層の構成層
録媒体の概略構成を示す図、 第２図は、第１の実施の態様における第１磁性層の層構
成を示す概略図、 第３図は、第３の実施の態様における光磁気記録媒体の
概略構成を示す図、 第４図は、第１の実施の態様における各層の膜厚方向に
対するキュリー温度の変化を示す図、第５図は、第１の
実施の態様に光磁気記録媒体を用いた記録過程の原理を
説明する図（太矢印は磁化の向きを示し、細矢印は磁化
の状態の変化方向を示す、）、 第６図は、第１の実施の態様における各層の保磁力とキ
ュリー温度の関係を示す図、 第７図は、第２の実施の態様の光磁気記録媒体を用いた
記録過程の原理を説明する図（矢印は第５図と同じ意味
を示す、）、 第８図は、第２の実施の態様における各層の保磁力とキ
ュリー温度の関係を示す図、 第９図は、第３の実施の態様における各層の膜厚方向に
対するキュリー温度の変化を示す図、第１Ｏ図は、第３
の実施の実施の光磁気記録媒体を用いた記録過程の原理
を説明する図（矢印は第５図と同じ意味を示す、）、 第１１図は、第３の実施の態様における各層の保磁力と
キュリー温度の関係を示す図、 第１２図は、第４の実施の態様の光磁気配ｊ！媒体を用
いた記録過程の原理を説明する図（矢印は第５図と同じ
意味を示す、）、 第１３図は、第４の実施の態様における各層の保磁力と
キュリー温度の関係を示す図、 第１４図は、第１の実施の態様に基づ〈実施例で得られ
た光磁気記録媒体おける第１１１性層の磁化反転磁界と
温度との関係を示す図、 第１５図は、第４の実施の態様における第２１ｉｎ性層
の磁化反転磁界と温度との関係を示す図である。 ｌ・・・基板 ２、１０．１３．１７．２０・・・・第１磁性層３１２
．１４，１８．２１・・・・第２磁性層＋５１６１９・
・・・第３磁性層 〜１０・・・・第２磁性層の構成層
Claims (13)
- （１）少なくとも第１磁性層と第２磁性層からなる２層
の磁性薄膜が磁気的に結合して、この順で基板上に積層
されており、第２磁性層の保磁力（Ｈ＿Ｌ）及びキュリ
ー温度（Ｔ＿Ｈ）に比べ第１磁性層は相対的に高い保磁
力（Ｈ＿Ｈ）と低いキュリー温度（Ｔ＿Ｌ）をもってい
る構成を有する光磁気記録媒体において、 第１磁性層が、第２磁性層に近い部位では高く、遠い部
位では低い、膜厚方向のキュリー温度の勾配を有してい
ることを特徴とする前記光磁気記録媒体。 - （２）第２磁性層の飽和磁化をＭ＿Ｓ、同じく膜厚をｈ
、第１及び第２磁性層間の磁壁エネルギーをδ＿Ｗとし
たとき、前記媒体は室温において下記式を満足すること
を特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。 Ｈ＿Ｈ＞Ｈ＿Ｌ＞δ＿Ｗ／２Ｍ＿Ｓ・ｈ - （３）第１及び第２磁性層は共に希土類元素と遷移金属
との合金からなることを特徴とする請求項１に記載の光
磁気記録媒体。 - （４）前記第１磁性層のキューリ温度の勾配が、第２磁
性層に近づくに従い大きくなっていることを特徴とする
請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - （５）第１磁性層と第２磁性層の間に、別の磁性層及び
／又は非磁性層が挟んであることを特徴とする請求項１
に記載の光磁気記録媒体。 - （６）前記勾配は連続的及び／又は段階的に変化してい
ることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。 - （７）前記第１磁性層の基板側に第３磁性層が磁気的に
結合して積層されて成る３層の磁性薄膜を有する光磁気
記録媒体であって、 第３磁性層が、少なくとも第１磁性層のキューリ温度の
低いところに比べて相対的に高いキューリ温度を持って
いることを特徴とする請求項１に記載の前記光磁気記録
媒体。 - （８）第２磁性層の飽和磁化をＭ＿Ｓ、同じく膜厚をｈ
、第１及び第２磁性層間の磁壁エネルギーをδ＿Ｗとし
たとき、前記媒体は室温において下記式を満足すること
を特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。 Ｈ＿Ｈ＞Ｈ＿Ｌ＞δ＿Ｗ／２Ｍ＿Ｓ・ｈ - （９）第１及び第２磁性層は共に希土類元素と遷移金属
との合金からなることを特徴とする請求項７に記載の光
磁気記録媒体。 - （１０）前記第１磁性層のキューリ温度の勾配が、第２
磁性層に近づくに従い大きくなっていることを特徴とす
る請求項７に記載の光磁気記録媒体。 - （１１）第１磁性層と第２磁性層の間に、別の磁性層及
び／又は非磁性層が挟んであることを特徴とする請求項
７に記載の光磁気記録媒体。 - （１２）前記勾配は連続的及び／又は段階的に変化して
いることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体
。 - （１３）請求項１又は７に記載の光磁気記録媒体を用い
て以下の記録過程により記録を行うことを特徴とする記
録方法。 （ａ）第２の磁性層を一方向に磁化させるのに充分で、
第１磁性層の磁化の向きを反転させることのない大きさ
の外部磁界を印加し初期化する過程、及び （ｂ）前記外部磁界とは反対又は同方向のバイアス磁界
を印加しながら、第１磁性層がそのキュリー点付近まで
昇温するだけのレーザーパワーを照射することにより、
第２磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層の磁
化の向きを第２磁性層に対して安定な向きに磁化させる
第１種の記録、及び第２磁性層がキュリー点付近まで昇
温するだけのレーザーパワーを照射し、第２磁性層の磁
化の向きを反転させることにより、第１磁性層も第２磁
性層に対して安定な向きに磁化させる第２種の記録、の
２種類の記録を、情報信号に応じて選択的に実施する２
値による記録過程。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330035A JP2558365B2 (ja) | 1988-12-27 | 1989-12-20 | 光磁気記録媒体 |
| DE68925887T DE68925887T2 (de) | 1988-12-27 | 1989-12-27 | Überschreibbare magnetooptische Aufzeichnungsträger und Aufnahmeverfahren für diesen Träger |
| CA002006690A CA2006690C (en) | 1988-12-27 | 1989-12-27 | Overwritable magneto-optical recording medium of at least two layers including a layer with continuously and/or stepwise varying curie temperature in the direction of thickness, and recording method utilizing the same |
| EP89313591A EP0376680B1 (en) | 1988-12-27 | 1989-12-27 | Overwritable magneto-optical recording medium and recording method utilizing the same |
| US08/479,831 US5679474A (en) | 1988-12-27 | 1995-06-07 | Overwritable optomagnetic recording method and medium having a layer with curie temperature which varies in the thickness direction |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-327642 | 1988-12-27 | ||
| JP32764288 | 1988-12-27 | ||
| JP9187389 | 1989-04-13 | ||
| JP1-91873 | 1989-04-13 | ||
| JP1330035A JP2558365B2 (ja) | 1988-12-27 | 1989-12-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349058A true JPH0349058A (ja) | 1991-03-01 |
| JP2558365B2 JP2558365B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=27306862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1330035A Expired - Fee Related JP2558365B2 (ja) | 1988-12-27 | 1989-12-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5679474A (ja) |
| EP (1) | EP0376680B1 (ja) |
| JP (1) | JP2558365B2 (ja) |
| CA (1) | CA2006690C (ja) |
| DE (1) | DE68925887T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0467337A (ja) * | 1990-06-30 | 1992-03-03 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191561A (en) * | 1990-11-26 | 1993-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium including five magnetic layers for direct overriding by light intensity modulation without an external bias field |
| US5599619A (en) * | 1991-10-18 | 1997-02-04 | International Business Machines Corporation | Write once magneto-optic media and system |
| US6261707B1 (en) | 1992-11-06 | 2001-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| US6665235B2 (en) | 1992-11-06 | 2003-12-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| US5596555A (en) * | 1993-07-29 | 1997-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium having magnetic layers that satisfy predetermined coercive force relationships, and recording/reproduction method for the medium |
| US6110833A (en) | 1998-03-03 | 2000-08-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Elimination of oxynitride (ONO) etch residue and polysilicon stringers through isolation of floating gates on adjacent bitlines by polysilicon oxidation |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4293621A (en) * | 1978-10-12 | 1981-10-06 | Nippon Hoso Kyokai | Recording medium |
| JPH0670858B2 (ja) * | 1983-05-25 | 1994-09-07 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体とその製法 |
| JPS6066349A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 光熱磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPS60243840A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録体 |
| JPH07105082B2 (ja) * | 1985-11-28 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| ATE172047T1 (de) * | 1986-07-08 | 1998-10-15 | Canon Kk | Magnetoptisches aufzeichnungsmedium mit der möglichkeit des überschreibens mit zwei oder mehr magnetschichten und dieses medium verwendende aufzeichnungsmethode |
| JPH0795376B2 (ja) * | 1987-05-14 | 1995-10-11 | 三菱電機株式会社 | 光熱磁気記録媒体 |
| DE3852329T2 (de) * | 1987-03-13 | 1995-08-03 | Canon Kk | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren. |
| JPH01149246A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP1330035A patent/JP2558365B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-27 CA CA002006690A patent/CA2006690C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-27 EP EP89313591A patent/EP0376680B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-27 DE DE68925887T patent/DE68925887T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-07 US US08/479,831 patent/US5679474A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0467337A (ja) * | 1990-06-30 | 1992-03-03 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
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| EP0376680A2 (en) | 1990-07-04 |
| DE68925887T2 (de) | 1996-11-14 |
| EP0376680A3 (en) | 1991-05-02 |
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