JPH0315344B2 - - Google Patents
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- JPH0315344B2 JPH0315344B2 JP60114874A JP11487485A JPH0315344B2 JP H0315344 B2 JPH0315344 B2 JP H0315344B2 JP 60114874 A JP60114874 A JP 60114874A JP 11487485 A JP11487485 A JP 11487485A JP H0315344 B2 JPH0315344 B2 JP H0315344B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- trimming
- temperature
- temperature sensor
- wafer
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/80—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors
- H10D86/85—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors characterised by only passive components
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置のトリミング方法に関す
るものであり、歩止まりの高い半導体装置のトリ
ミング方法を提供するものである。
るものであり、歩止まりの高い半導体装置のトリ
ミング方法を提供するものである。
（従来の技術）
例えば、温度センサ半導体集積回路（以下温度
センサICという）のトリミングにあたつては、
半導体ウエハ（以下ウエハという）に多数形成さ
れている温度センサICチツプの温度検出素子の
温度Tc（℃）を測定し、 Ic（μA）＝273.15＋Tc で表わされる所定の値の電流出力Icが得られるよ
うに温度センサICの抵抗体の抵抗値を調整する
ことが望ましい。すなわち、温度センサICチツ
プの温度検出素子の温度Tcが例えば25℃の場合
には、298.15μAの出力電流が得られるように温
度センサICの抵抗体のトリミングを行えばよい。
センサICという）のトリミングにあたつては、
半導体ウエハ（以下ウエハという）に多数形成さ
れている温度センサICチツプの温度検出素子の
温度Tc（℃）を測定し、 Ic（μA）＝273.15＋Tc で表わされる所定の値の電流出力Icが得られるよ
うに温度センサICの抵抗体の抵抗値を調整する
ことが望ましい。すなわち、温度センサICチツ
プの温度検出素子の温度Tcが例えば25℃の場合
には、298.15μAの出力電流が得られるように温
度センサICの抵抗体のトリミングを行えばよい。
第６図は、従来のこのようなトリミングに用い
られている装置の要部の一例を示す構成説明図で
ある。第６図において、１はトリミング対象とな
るウエハ２が配置されるトリマステージであり、
このトリマステージ１にはトリマステージ１の温
度を測定するための複数の温度センサ３が埋設さ
れている。そして、トリミングにあたつては、こ
れら温度センサ３の測定温度からウエハ２に形成
されている温度センサICチツプの温度検出素子
の温度を推定してその推定温度に応じた所定の電
流出力が得られるように抵抗体の抵抗値を調整す
ることが行われている。
られている装置の要部の一例を示す構成説明図で
ある。第６図において、１はトリミング対象とな
るウエハ２が配置されるトリマステージであり、
このトリマステージ１にはトリマステージ１の温
度を測定するための複数の温度センサ３が埋設さ
れている。そして、トリミングにあたつては、こ
れら温度センサ３の測定温度からウエハ２に形成
されている温度センサICチツプの温度検出素子
の温度を推定してその推定温度に応じた所定の電
流出力が得られるように抵抗体の抵抗値を調整す
ることが行われている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、このような従来の構成によれば、第７
図に示すように、垂直方向に沿つて相当大きな温
度勾配が発生することから、温度センサICチツ
プの温度検出素子の温度Tcを高い精度で推定す
ることは困難であり、温度校正誤差の小さな（例
えば±0.25℃）温度センサICの歩止まりを低下さ
せている大きな要因になつている。
図に示すように、垂直方向に沿つて相当大きな温
度勾配が発生することから、温度センサICチツ
プの温度検出素子の温度Tcを高い精度で推定す
ることは困難であり、温度校正誤差の小さな（例
えば±0.25℃）温度センサICの歩止まりを低下さ
せている大きな要因になつている。
すなわち、第７図は第６図の構成における垂直
方向に沿つた温度分布例図である。第７図におい
て、トリマステージ１が取り付けられるベース４
は、モータなどが連結されていることから熱源と
考えられる。この熱源が発生する熱は熱の良導体
であるトリマステージを介してほとんど温度降下
を生じることなくウエハ２に伝達されることか
ら、ウエハ２の裏面の温度Tw1はベース４の温
度Taとほぼ等しくなる。これに対し、ウエハ２
の表面は外部雰囲気に曝されていることから、ウ
エハ２の表面温度Tw2は周囲温度Tbの影響を受
けてベース４の温度Taと周囲温度Tbの間のある
温度になる。ここで、ウエハ２の厚さは500μm程
度であり、温度センサICチツプ５の温度検出素
子はウエハ２の表面から２〜3μmの深さに形成さ
れている。従つて、温度センサ３により測定され
るベース４の温度Taとほぼ等しいトリマステー
ジ１の温度と周囲温度Tbとのとの差が大きくな
ると、温度センサICチツプ５の温度検出素子の
近傍には相当大きな温度勾配が生じることにな
り、温度センサICチツプ５の温度検出素子の温
度Tcを精度良く推定することは困難になる。
方向に沿つた温度分布例図である。第７図におい
て、トリマステージ１が取り付けられるベース４
は、モータなどが連結されていることから熱源と
考えられる。この熱源が発生する熱は熱の良導体
であるトリマステージを介してほとんど温度降下
を生じることなくウエハ２に伝達されることか
ら、ウエハ２の裏面の温度Tw1はベース４の温
度Taとほぼ等しくなる。これに対し、ウエハ２
の表面は外部雰囲気に曝されていることから、ウ
エハ２の表面温度Tw2は周囲温度Tbの影響を受
けてベース４の温度Taと周囲温度Tbの間のある
温度になる。ここで、ウエハ２の厚さは500μm程
度であり、温度センサICチツプ５の温度検出素
子はウエハ２の表面から２〜3μmの深さに形成さ
れている。従つて、温度センサ３により測定され
るベース４の温度Taとほぼ等しいトリマステー
ジ１の温度と周囲温度Tbとのとの差が大きくな
ると、温度センサICチツプ５の温度検出素子の
近傍には相当大きな温度勾配が生じることにな
り、温度センサICチツプ５の温度検出素子の温
度Tcを精度良く推定することは困難になる。
また、一般に、ウエハ状態の半導体装置チツプ
は外部からの電気的影響による誤差を生じやす
く、従来のこのような方法でトリミングした場合
にはパツケージした状態での特性が規定値から大
きくずれてしまうことがある。
は外部からの電気的影響による誤差を生じやす
く、従来のこのような方法でトリミングした場合
にはパツケージした状態での特性が規定値から大
きくずれてしまうことがある。
本発明は、このような点に着目したものであつ
て、その目的は、半導体ウエハに形成されている
半導体装置チツプに対するトリミングを精度良く
行うことができ、高い歩止まりが得られる半導体
装置のトリミング方法を提供することにある。
て、その目的は、半導体ウエハに形成されている
半導体装置チツプに対するトリミングを精度良く
行うことができ、高い歩止まりが得られる半導体
装置のトリミング方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
このような目的を達成する本発明は、半導体ウ
エハに互いに直交する方向に沿つてマトリクス状
に形成された多数の半導体装置チツプのうち一方
向に沿つたほぼ中央の少なくとも２列の半導体装
置チツプ列に対してそれぞれ異なる条件で第１の
トリミングを行うとともに他方向に沿つたほぼ中
央の半導体装置チツプ列に対しても任意の条件で
第１のトリミングを行うステツプと、トリミング
された半導体装置チツプ列のうち一方向に沿つた
半導体装置チツプ列を切り出し各半導体装置チツ
プを所定のマウントにパツケージするステツプ
と、これらパツケージされた半導体装置の温度校
正を行い誤差分布を求めるステツプと、第１のト
リミングが行われ半導体ウエハに残された他方向
の半導体装置チツプ列の特性を測定するステツプ
と、これら誤差分布および特性測定値に基づいて
算出される基準値を参照して第１のトリミングが
行われていない残りの半導体装置チツプに対して
第２のトリミングを行うステツプとを含むことを
特徴とする。
エハに互いに直交する方向に沿つてマトリクス状
に形成された多数の半導体装置チツプのうち一方
向に沿つたほぼ中央の少なくとも２列の半導体装
置チツプ列に対してそれぞれ異なる条件で第１の
トリミングを行うとともに他方向に沿つたほぼ中
央の半導体装置チツプ列に対しても任意の条件で
第１のトリミングを行うステツプと、トリミング
された半導体装置チツプ列のうち一方向に沿つた
半導体装置チツプ列を切り出し各半導体装置チツ
プを所定のマウントにパツケージするステツプ
と、これらパツケージされた半導体装置の温度校
正を行い誤差分布を求めるステツプと、第１のト
リミングが行われ半導体ウエハに残された他方向
の半導体装置チツプ列の特性を測定するステツプ
と、これら誤差分布および特性測定値に基づいて
算出される基準値を参照して第１のトリミングが
行われていない残りの半導体装置チツプに対して
第２のトリミングを行うステツプとを含むことを
特徴とする。
（実施例）
以下、図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明方法の実施にあたつて用いる
装置の要部の具体例を示す構成説明図であり、第
６図と同一部分には同一符号を付けている。第１
図において、６はプローブカードであり、ウエハ
２に形成されている温度センサICチツプ５に測
定系７から電源を供給するとともに、これら温度
センサICチツプ５と測定系７との間で信号の授
受を行うものである。この測定系７の測定動作は
CPU８により制御される。CPU８は、測定系７
で得られた測定結果に応じた所定のアルゴリズム
に従つてレーザ９およびXY可動ミラー１０を駆
動してレーザビームのオン，オフ制御やスキヤン
を行い、レーザビームによるトリミング動作を実
行する。また、CPU８は、例えばトリマステー
ジ１をプローブカード６およびXY可動ミラー１
０に対して移動させて、ウエハ２に形成されてい
る任意の温度センサICチツプ５をプローブカー
ド６およびXY可動ミラー１０と対向させるよう
にする。
装置の要部の具体例を示す構成説明図であり、第
６図と同一部分には同一符号を付けている。第１
図において、６はプローブカードであり、ウエハ
２に形成されている温度センサICチツプ５に測
定系７から電源を供給するとともに、これら温度
センサICチツプ５と測定系７との間で信号の授
受を行うものである。この測定系７の測定動作は
CPU８により制御される。CPU８は、測定系７
で得られた測定結果に応じた所定のアルゴリズム
に従つてレーザ９およびXY可動ミラー１０を駆
動してレーザビームのオン，オフ制御やスキヤン
を行い、レーザビームによるトリミング動作を実
行する。また、CPU８は、例えばトリマステー
ジ１をプローブカード６およびXY可動ミラー１
０に対して移動させて、ウエハ２に形成されてい
る任意の温度センサICチツプ５をプローブカー
ド６およびXY可動ミラー１０と対向させるよう
にする。
第２図は、本発明方法を実施する場合のトリミ
ング対象となるウエハ２の状態説明図である。ま
ず、ａに示すように、ウエハ２に互いに直交する
方向に沿つてマトリクス状に形成されている多数
の温度センサICチツプ５のうち一方向に沿つた
ほぼ中央の３列の温度センサICチツプ列S1〜S3
に対してそれぞれ異なる条件で第１のトリミング
を行うとともに他方向に沿つたほぼ中央の温度セ
ンサICチツプ列Ｋに対しても任意の条件で第１
のトリミングを行う。なお、Ｍは各種のモニタに
用いるチツプ列である。次に、ｂに示すように、
一方向に沿つた温度センサICチツプ列S1〜S3を
ウエハ２から切り出して各温度センサICチツプ
を所定のマウントにパツケージする。そして、パ
ツケージされた温度センサの温度校正を行つて理
論値に対する出力電流の校正値を求め、この校正
値に基づいて第１のトリミングが行われていない
残りの温度センサICチツプに対する第２のトリ
ミングを行うことになる。
ング対象となるウエハ２の状態説明図である。ま
ず、ａに示すように、ウエハ２に互いに直交する
方向に沿つてマトリクス状に形成されている多数
の温度センサICチツプ５のうち一方向に沿つた
ほぼ中央の３列の温度センサICチツプ列S1〜S3
に対してそれぞれ異なる条件で第１のトリミング
を行うとともに他方向に沿つたほぼ中央の温度セ
ンサICチツプ列Ｋに対しても任意の条件で第１
のトリミングを行う。なお、Ｍは各種のモニタに
用いるチツプ列である。次に、ｂに示すように、
一方向に沿つた温度センサICチツプ列S1〜S3を
ウエハ２から切り出して各温度センサICチツプ
を所定のマウントにパツケージする。そして、パ
ツケージされた温度センサの温度校正を行つて理
論値に対する出力電流の校正値を求め、この校正
値に基づいて第１のトリミングが行われていない
残りの温度センサICチツプに対する第２のトリ
ミングを行うことになる。
第３図は、本発明によるトリミング方法の要部
のフローチヤートである。まず、温度センサIC
チツプ列S1〜S3およびＫに対して第１のトリミン
グを行うのにあたつては、例えば温度センサIC
チツプ列S2に対する任意のオフセツト補正値tps2
（本実施例の場合は温度30℃における誤差△t30が
0.00℃になるものとして推定した値）に対応した
出力電流を中心にしてS1，S3列のオフセツト補正
値tps1，tps3がそれぞれ出力電流で±0.20℃の温
度に相当するオフセツトを生じるように設定する
とともに、Ｋ例もS2列と同一のオフセツト補正値
tps2で行う。ここで、S2列のオフセツト補正値
tps2をtpsとすると、S1列のオフセツト補正値tps1
はtps−0.20となり、S3列のオフセツト補正値tps3
はtps＋0.20となり、Ｋ列のオフセツト補正値tpk
はtpsとなる。このようにして各列S1〜S3および
Ｋに対するトリミングを行つた後、S1〜S3列を切
り出してパツケージを行う。そして、これらパツ
ケージされた温度センサICの温度校正を30℃の
雰囲気で行い、第４図に示すような理論値に対す
る出力電流の誤差△t30の分布図を求める。なお、
このような温度校正は、例えば完全に温度シール
ドされた温度バス内で行う。このようにして得ら
れる分布図から、温度30℃における誤差△t30が
0.00℃になるオフセツト補正値tph′を推定する。
このオフセツト補正値tph′は、ウエハ２に残され
ている温度センサICチツプ列Ｋをパツケージし
た場合にも同様に適用できるものと考えられる。
従つて、第１のトリミングが行われていない残り
の温度センサICチツプのトリミングにあたつて
は、このオフセツト補正値tph′を考慮すればよ
い。次に、温度センサICチツプ列Ｓが切り出さ
れたウエハ２を再びトリマテーブル１に配置して
第１のトリミングが行われた温度センサICチツ
プ列Ｋの出力電流Ikを測定する。ここで、トリマ
テーブル１およびウエハ２の温度を一定とし、例
えばオフセツト補正値tph′が出力電流換算で−
1.85μAであり、出力電流Ikが305μAになつたと
すると、第１のトリミングが行われていない残り
の温度センサICチツプに対してそれぞれの出力
電流Ioが、 Io＝Ik＋tph′ ＝305−1.85＝303.15（μA） になるようにプロービングを行つて出力電流Ioを
測定しながら第２のトリミングを行う。このよう
にしてすべての温度センサICチツプ５に対する
トリミングが終了した後、ウエハ２から各温度セ
ンサICチツプ５を切り出してパツケージを行う。
なお、トリマテーブル１およびウエハ２の温度が
電流Ikを測定した状態から変化した場合にはその
温度変化に応じて出力電流Ioの目標値を修正して
もよいし、改めて電流Ikを測定してもよい。
のフローチヤートである。まず、温度センサIC
チツプ列S1〜S3およびＫに対して第１のトリミン
グを行うのにあたつては、例えば温度センサIC
チツプ列S2に対する任意のオフセツト補正値tps2
（本実施例の場合は温度30℃における誤差△t30が
0.00℃になるものとして推定した値）に対応した
出力電流を中心にしてS1，S3列のオフセツト補正
値tps1，tps3がそれぞれ出力電流で±0.20℃の温
度に相当するオフセツトを生じるように設定する
とともに、Ｋ例もS2列と同一のオフセツト補正値
tps2で行う。ここで、S2列のオフセツト補正値
tps2をtpsとすると、S1列のオフセツト補正値tps1
はtps−0.20となり、S3列のオフセツト補正値tps3
はtps＋0.20となり、Ｋ列のオフセツト補正値tpk
はtpsとなる。このようにして各列S1〜S3および
Ｋに対するトリミングを行つた後、S1〜S3列を切
り出してパツケージを行う。そして、これらパツ
ケージされた温度センサICの温度校正を30℃の
雰囲気で行い、第４図に示すような理論値に対す
る出力電流の誤差△t30の分布図を求める。なお、
このような温度校正は、例えば完全に温度シール
ドされた温度バス内で行う。このようにして得ら
れる分布図から、温度30℃における誤差△t30が
0.00℃になるオフセツト補正値tph′を推定する。
このオフセツト補正値tph′は、ウエハ２に残され
ている温度センサICチツプ列Ｋをパツケージし
た場合にも同様に適用できるものと考えられる。
従つて、第１のトリミングが行われていない残り
の温度センサICチツプのトリミングにあたつて
は、このオフセツト補正値tph′を考慮すればよ
い。次に、温度センサICチツプ列Ｓが切り出さ
れたウエハ２を再びトリマテーブル１に配置して
第１のトリミングが行われた温度センサICチツ
プ列Ｋの出力電流Ikを測定する。ここで、トリマ
テーブル１およびウエハ２の温度を一定とし、例
えばオフセツト補正値tph′が出力電流換算で−
1.85μAであり、出力電流Ikが305μAになつたと
すると、第１のトリミングが行われていない残り
の温度センサICチツプに対してそれぞれの出力
電流Ioが、 Io＝Ik＋tph′ ＝305−1.85＝303.15（μA） になるようにプロービングを行つて出力電流Ioを
測定しながら第２のトリミングを行う。このよう
にしてすべての温度センサICチツプ５に対する
トリミングが終了した後、ウエハ２から各温度セ
ンサICチツプ５を切り出してパツケージを行う。
なお、トリマテーブル１およびウエハ２の温度が
電流Ikを測定した状態から変化した場合にはその
温度変化に応じて出力電流Ioの目標値を修正して
もよいし、改めて電流Ikを測定してもよい。
このような方法によれば、従来のようなトリマ
テーブル内の温度に基づいてウエハの温度を推定
しながらトリミングを行う方法に比べて高い精度
で温度センサICの抵抗体のトリミングを行うこ
とができる。実測値によれば、±0.1℃の精度で温
度校正を行うことができた。
テーブル内の温度に基づいてウエハの温度を推定
しながらトリミングを行う方法に比べて高い精度
で温度センサICの抵抗体のトリミングを行うこ
とができる。実測値によれば、±0.1℃の精度で温
度校正を行うことができた。
また、このような方法によれば、トリミング対
象となる温度センサICの自己加熱や外部からの
電気的影響なども補償できる。
象となる温度センサICの自己加熱や外部からの
電気的影響なども補償できる。
なお、上記実施例では、多数の温度センサIC
チツプが形成されたウエハのトリミングの例につ
いて説明したが、例えば第５図に示すように構成
されたオンチツプ恒温器付き半導体装置における
抵抗体R2のトリミングにも有効である。この場
合、ダイオードＤやトランジスタＱの温度特性が
不明であつても、予め特性が確認されている基準
チツプを参照してトリミングを行えばよい。
チツプが形成されたウエハのトリミングの例につ
いて説明したが、例えば第５図に示すように構成
されたオンチツプ恒温器付き半導体装置における
抵抗体R2のトリミングにも有効である。この場
合、ダイオードＤやトランジスタＱの温度特性が
不明であつても、予め特性が確認されている基準
チツプを参照してトリミングを行えばよい。
また、上記実施例では、オフセツト補正値を３
種類設定し、３列の温度センサICチツプ列に対
して第１のトリミングを行う例を示したが、２種
類のオフセツト補正値で２列の温度センサICチ
ツプ列に対して第１のトリミングを行うようにし
てもよいし、４種類以上のオフセツト補正値で４
列以上の温度センサICチツプ列に対して第１の
トリミングを行うようにしてもよい。
種類設定し、３列の温度センサICチツプ列に対
して第１のトリミングを行う例を示したが、２種
類のオフセツト補正値で２列の温度センサICチ
ツプ列に対して第１のトリミングを行うようにし
てもよいし、４種類以上のオフセツト補正値で４
列以上の温度センサICチツプ列に対して第１の
トリミングを行うようにしてもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、半導体
ウエハに形成されている半導体装置チツプのトリ
ミングを精度良く行うことができ、高い歩止まり
が実現できる。
ウエハに形成されている半導体装置チツプのトリ
ミングを精度良く行うことができ、高い歩止まり
が実現できる。
第１図は本発明方法の実施にあたつて用いる装
置の要部の具体例を示す構成説明図、第２図は本
発明の実施にあたつてトリミング対象となるウエ
ハの状態説明図、第３図は本発明によるトリミン
グ方法のフローチヤート、第４図は誤差分布例
図、第５図は半導体装置チツプの具体例を示す回
路図、第６図は従来のこのようなトリミングに用
いられている装置の要部の一例を示す構成説明
図、第７図は第６図の構成における垂直方向に沿
つた温度分布例図である。 １……トリマステージ、２……半導体ウエハ、
５……温度センサICチツプ、６……プローブカ
ード、７……測定系、８……CPU、９……レー
ザ、１０……XY可動ミラー。
置の要部の具体例を示す構成説明図、第２図は本
発明の実施にあたつてトリミング対象となるウエ
ハの状態説明図、第３図は本発明によるトリミン
グ方法のフローチヤート、第４図は誤差分布例
図、第５図は半導体装置チツプの具体例を示す回
路図、第６図は従来のこのようなトリミングに用
いられている装置の要部の一例を示す構成説明
図、第７図は第６図の構成における垂直方向に沿
つた温度分布例図である。 １……トリマステージ、２……半導体ウエハ、
５……温度センサICチツプ、６……プローブカ
ード、７……測定系、８……CPU、９……レー
ザ、１０……XY可動ミラー。
Claims (1)
- １ 半導体ウエハに互いに直交する方向に沿つて
マトリクス状に形成された多数の半導体装置チツ
プのうち一方向に沿つたほぼ中央の少なくとも２
列の半導体装置チツプ列に対してそれぞれ異なる
条件で第１のトリミングを行うとともに他方向に
沿つたほぼ中央の半導体装置チツプ列に対しても
任意の条件で第１のトリミングを行うステツプ
と、トリミングされた半導体装置チツプ列のうち
一方向に沿つた半導体装置チツプ列を切り出し各
半導体装置チツプを所定のマウントにパツケージ
するステツプと、これらパツケージされた半導体
装置の温度校正を行い誤差分布を求めるステツプ
と、第１のトリミングが行われ半導体ウエハに残
された他方向の半導体装置チツプ列の特性を測定
するステツプと、これら誤差分布および特性測定
値に基づいて算出される基準値を参照して第１の
トリミングが行われていない残りの半導体装置チ
ツプに対して第２のトリミングを行うステツプと
を含むことを特徴とする半導体装置のトリミング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114874A JPS61272961A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 半導体装置のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114874A JPS61272961A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 半導体装置のトリミング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272961A JPS61272961A (ja) | 1986-12-03 |
| JPH0315344B2 true JPH0315344B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=14648843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60114874A Granted JPS61272961A (ja) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | 半導体装置のトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61272961A (ja) |
-
1985
- 1985-05-28 JP JP60114874A patent/JPS61272961A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61272961A (ja) | 1986-12-03 |
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