JPH03154385A - 光起電力発生装置の製造方法 - Google Patents
光起電力発生装置の製造方法Info
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- JPH03154385A JPH03154385A JP1292213A JP29221389A JPH03154385A JP H03154385 A JPH03154385 A JP H03154385A JP 1292213 A JP1292213 A JP 1292213A JP 29221389 A JP29221389 A JP 29221389A JP H03154385 A JPH03154385 A JP H03154385A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光照射によって起電力を発生する光電変換素
子を複数接続することによって任意の電圧を発生するこ
とが可能な光起電力発生装置の製造方法に関する。
子を複数接続することによって任意の電圧を発生するこ
とが可能な光起電力発生装置の製造方法に関する。
〈従来の技術〉
光起電力発生装置は、光電変換材料として非晶質半導体
を用いた場合を例に説明すると、透光性絶縁基板上に透
明電極、ｐ−１−ｎ接合型又はｎ−１−ｐ接合型非晶質
半導体層、裏面電極を順に積層形成して構成される光電
変換素子を相互に直列接続することによって構成されて
いる。その製造方法を第２図（ａ）〜（ｆ）に示す工程
図にて説明する。
を用いた場合を例に説明すると、透光性絶縁基板上に透
明電極、ｐ−１−ｎ接合型又はｎ−１−ｐ接合型非晶質
半導体層、裏面電極を順に積層形成して構成される光電
変換素子を相互に直列接続することによって構成されて
いる。その製造方法を第２図（ａ）〜（ｆ）に示す工程
図にて説明する。
一般に、光起電力発生装置は、先ず第２図（ａ）に示す
ように透光性絶縁基板２１上に透明電極２２を積層形成
し、次いで同図（′ｂ）にしめすようにレーザ光によっ
て各光電変換素子を構成する領域毎に分断し、更に同図
（Ｃ＞に示すようにこの上に光照射によって起電力を生
ずるｐ−１−ｎ接合型もしくはｎ−１−ｐ接合型非晶質
半導体層２３を一面に積層形成する。引き続き第２図（
ｄ）に示すように分断され隣接する透明電極２２の図中
右側の一部が露呈するようにレーザ光によって非品質半
導体層２３を分断し、その後同図（ｅ）に示すように非
晶質半導体層２３及び露出した透明電極２２にわたって
裏面電極２４を積層形成する。更に第２図（ｆ）に示す
ように非晶質半導体層２３の図中右側の一部が露呈する
ようにレーザ光により裏面電極２４を分断することによ
って、透明電極２２、非晶質半導体層２３及び裏面電極
２４よりなる光電変換素子を複数形成すると共に隣接す
るそれらの透明電極２２、裏面電極２４を接続し、これ
ら光電変換素子を直列に接続した光起電力発生装置を製
造している。
ように透光性絶縁基板２１上に透明電極２２を積層形成
し、次いで同図（′ｂ）にしめすようにレーザ光によっ
て各光電変換素子を構成する領域毎に分断し、更に同図
（Ｃ＞に示すようにこの上に光照射によって起電力を生
ずるｐ−１−ｎ接合型もしくはｎ−１−ｐ接合型非晶質
半導体層２３を一面に積層形成する。引き続き第２図（
ｄ）に示すように分断され隣接する透明電極２２の図中
右側の一部が露呈するようにレーザ光によって非品質半
導体層２３を分断し、その後同図（ｅ）に示すように非
晶質半導体層２３及び露出した透明電極２２にわたって
裏面電極２４を積層形成する。更に第２図（ｆ）に示す
ように非晶質半導体層２３の図中右側の一部が露呈する
ようにレーザ光により裏面電極２４を分断することによ
って、透明電極２２、非晶質半導体層２３及び裏面電極
２４よりなる光電変換素子を複数形成すると共に隣接す
るそれらの透明電極２２、裏面電極２４を接続し、これ
ら光電変換素子を直列に接続した光起電力発生装置を製
造している。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、一般に裏面電極２４としてはアルミニウ
ム等の反射率の高い金属が用いられるため、第２図（ｆ
）に示すように裏面電極２４をレーザ光で分断する際、
レーザ光の大部分が反射されてしまい、レーザ光の出力
が非常に大きくなっていた。
ム等の反射率の高い金属が用いられるため、第２図（ｆ
）に示すように裏面電極２４をレーザ光で分断する際、
レーザ光の大部分が反射されてしまい、レーザ光の出力
が非常に大きくなっていた。
このため、従来の技術では加工効率が悪くなるだけでな
く、裏面電極２４の下層部である非晶質半導体層２３及
び透明電極２２が損傷を受け、更に裏面電極２４の分断
により形成された溝の底が透明電極２２まで達すると、
溶解した裏面電極材料が溝の内部側面端部に付着するこ
とにより画電極２２．２４が接触して光起電力発生装置
内部に短絡が生じることになり、性能が劣化する事にな
っていた。
く、裏面電極２４の下層部である非晶質半導体層２３及
び透明電極２２が損傷を受け、更に裏面電極２４の分断
により形成された溝の底が透明電極２２まで達すると、
溶解した裏面電極材料が溝の内部側面端部に付着するこ
とにより画電極２２．２４が接触して光起電力発生装置
内部に短絡が生じることになり、性能が劣化する事にな
っていた。
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであり、
信頼性の高い光起電力発生装置を効率よく製造すること
のできる製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
信頼性の高い光起電力発生装置を効率よく製造すること
のできる製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
〈課題を解決するだめの手段〉
本発明では、裏面電極のレーザ光照射部に予め黒色の塗
料等の光吸収体を塗布し、裏面電極に対するレーザ光の
吸収を高め、反射による損失を低減するとともに加工効
率を高めることを特徴とするものである。
料等の光吸収体を塗布し、裏面電極に対するレーザ光の
吸収を高め、反射による損失を低減するとともに加工効
率を高めることを特徴とするものである。
〈作用〉
反射率の高い裏面電極のレーザ光照射位置に黒色の塗料
等の光吸収体を塗布すると、この光吸収体は照射された
レーザ光を吸収して有効に熱に変換するため、レーザ光
の反射による損失が低減する。このため、裏面電極を分
断するために必要なレーザ光出力は低くてよく、また裏
面電極下層部への損傷も回避される。
等の光吸収体を塗布すると、この光吸収体は照射された
レーザ光を吸収して有効に熱に変換するため、レーザ光
の反射による損失が低減する。このため、裏面電極を分
断するために必要なレーザ光出力は低くてよく、また裏
面電極下層部への損傷も回避される。
〈実施例〉
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図に本発明の一実施例を示す。同図に示すようにガ
ラス基板１上には、Ｓ ｎ Ｏｔにて構成される透明電
極２、ｐ−１−ｎ接合型もしくはｎ−１−ｐ接合型の非
晶質半導体層３、Ａ１等より構成される裏面電極４が順
に積層されることにより、光電変換素子を複数個直列に
接続されて光起電力発生装置が構成されている。更に、
裏面電極４のレーザ光照射位置、にはマスク法にて黒色
のシリコーンゴム５が塗布されている。ガラス基板ｌ上
に透明電極２、非晶質半導体層３、裏面電極４を積層等
する工程は第２図（ａ）〜（ｅ）に示す従来のものと同
一であるが、第２図（ｆ）に相当する工程に代えて第１
図に示すように黒色のシリコーンゴム５を介して裏面電
極４にレーザ光６を照射するのである。使用レーザはＱ
スイッチ付のＹＡＧレーザであり、その発振波長は１．
０６μｌ、繰り返し周波数は５ｋＨｚとするのが適当で
ある。
ラス基板１上には、Ｓ ｎ Ｏｔにて構成される透明電
極２、ｐ−１−ｎ接合型もしくはｎ−１−ｐ接合型の非
晶質半導体層３、Ａ１等より構成される裏面電極４が順
に積層されることにより、光電変換素子を複数個直列に
接続されて光起電力発生装置が構成されている。更に、
裏面電極４のレーザ光照射位置、にはマスク法にて黒色
のシリコーンゴム５が塗布されている。ガラス基板ｌ上
に透明電極２、非晶質半導体層３、裏面電極４を積層等
する工程は第２図（ａ）〜（ｅ）に示す従来のものと同
一であるが、第２図（ｆ）に相当する工程に代えて第１
図に示すように黒色のシリコーンゴム５を介して裏面電
極４にレーザ光６を照射するのである。使用レーザはＱ
スイッチ付のＹＡＧレーザであり、その発振波長は１．
０６μｌ、繰り返し周波数は５ｋＨｚとするのが適当で
ある。
黒色のシリコーンゴム５は、レーザ光６に対する光吸収
体として機能し、レーザ光６を熱に効率よく変換するも
のである。従って、この黒色シリコーンゴム５を塗布し
ない従来の技術では、裏面電極４を分断するために必要
なレーザパワー密度は４．８〜５．３ Ｘ １０７Ｗ／
ｃｍ”であったノニ対し、本実施例のように黒色シリコ
ーンゴム５を塗布した場合には裏面電極４を分断するた
めに必要なレーザパワー密度は５．３〜６．８ Ｘ １
０”Ｗ／ｃ！１１２となり、従来に比べて約１０分の１
程度のイくワー密度で加工が行え、加工効率が向上する
こととなった。
体として機能し、レーザ光６を熱に効率よく変換するも
のである。従って、この黒色シリコーンゴム５を塗布し
ない従来の技術では、裏面電極４を分断するために必要
なレーザパワー密度は４．８〜５．３ Ｘ １０７Ｗ／
ｃｍ”であったノニ対し、本実施例のように黒色シリコ
ーンゴム５を塗布した場合には裏面電極４を分断するた
めに必要なレーザパワー密度は５．３〜６．８ Ｘ １
０”Ｗ／ｃ！１１２となり、従来に比べて約１０分の１
程度のイくワー密度で加工が行え、加工効率が向上する
こととなった。
尚、上記実施例では透光性絶縁基板上に、透明電極、光
電変換機能を有する半導体、裏面電極を順に積層するこ
とにより光電変換素子を構成していたが、これに限るも
のではなく、絶縁基板上に裏面電極、光電変換機能を有
する半導体、透明電極を順に積層することによって光電
変換素子をを構成してもよい。
電変換機能を有する半導体、裏面電極を順に積層するこ
とにより光電変換素子を構成していたが、これに限るも
のではなく、絶縁基板上に裏面電極、光電変換機能を有
する半導体、透明電極を順に積層することによって光電
変換素子をを構成してもよい。
また、本実施例では光吸収体として黒色シリコーンゴム
５を用いていたが、分断に使用されるレーザ光を吸収で
きる物であればこれに限るものではない。
５を用いていたが、分断に使用されるレーザ光を吸収で
きる物であればこれに限るものではない。
〈発明の効果〉
以上、実施例に基づいて詳細に説明したように本発明は
裏面電極のレーザ光照射位置に光吸収体を塗布したので
、裏面電極の分断に使用されるレーザ光のエネルギーを
効率よく熱に変換して、反射による損失を低減すること
が出来る。
裏面電極のレーザ光照射位置に光吸収体を塗布したので
、裏面電極の分断に使用されるレーザ光のエネルギーを
効率よく熱に変換して、反射による損失を低減すること
が出来る。
このため、従来に比較して裏面電極を分断するのに必要
なレーザ光の出力が低減し、加工効率の向上を図ること
が出来る。さらに、低パワーによるレーザ加工とすると
、裏面電極の下部層である非晶質半導体、透明電極に与
える影響も低減でき、これによって裏面電極と透明電極
との接触も防ぐことが出来る。
なレーザ光の出力が低減し、加工効率の向上を図ること
が出来る。さらに、低パワーによるレーザ加工とすると
、裏面電極の下部層である非晶質半導体、透明電極に与
える影響も低減でき、これによって裏面電極と透明電極
との接触も防ぐことが出来る。
第１図は本発明の一実施例にかかる光起電力発生製画の
製造方法の説明図、第２図（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ従
来の光起電力発生装薗の製造工程を示す断面図である。 図面中、 ｌはガラス基板、 ２は透明電極、 ３は非晶質半導体層、 ４は裏面電極、 ５ま黒色のシリコーンゴム、 ６よレーザ光である。
製造方法の説明図、第２図（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ従
来の光起電力発生装薗の製造工程を示す断面図である。 図面中、 ｌはガラス基板、 ２は透明電極、 ３は非晶質半導体層、 ４は裏面電極、 ５ま黒色のシリコーンゴム、 ６よレーザ光である。
Claims (1)
- 透光性絶縁基板上に、透明電極、光電変換機能を有する
半導体、裏面電極を順に積層するか、或いは絶縁基板上
に裏面電極、光電変換機能を有する半導体、透明電極を
順に積層することによって形成される光電変換素子を複
数個直列に接続することにより構成される光起電力発生
装置において、直列に接続される前記光電変換素子の前
記裏面電極上に光吸収体を塗布し、該光吸収体を介して
前記裏面電極にレーザ光を照射することによって、開溝
又は開孔を形成することを特徴とする光起電力発生装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1292213A JP2820466B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 光起電力発生装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1292213A JP2820466B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 光起電力発生装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03154385A true JPH03154385A (ja) | 1991-07-02 |
| JP2820466B2 JP2820466B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=17778981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1292213A Expired - Fee Related JP2820466B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 光起電力発生装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2820466B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0563222A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造装置 |
| US5968441A (en) * | 1997-10-21 | 1999-10-19 | Nec Corporation | Laser processing method |
| WO2012027909A1 (zh) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | 中国科学院微电子研究所 | 一种原位制备掺杂黑硅的方法 |
| CN104347759A (zh) * | 2014-09-18 | 2015-02-11 | 电子科技大学 | 一种制造黑硅材料的方法 |
| CN109640518A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-16 | 无锡深南电路有限公司 | 激光成孔方法、覆铜板和电路板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101858184B1 (ko) * | 2018-01-11 | 2018-05-16 | 표광학 | 입체 프린트 드럼 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5935489A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JPS62147784A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-01 | Teijin Ltd | 非晶質太陽電池及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP1292213A patent/JP2820466B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5935489A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JPS62147784A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-01 | Teijin Ltd | 非晶質太陽電池及びその製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5968441A (en) * | 1997-10-21 | 1999-10-19 | Nec Corporation | Laser processing method |
| WO2012027909A1 (zh) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | 中国科学院微电子研究所 | 一种原位制备掺杂黑硅的方法 |
| CN104347759A (zh) * | 2014-09-18 | 2015-02-11 | 电子科技大学 | 一种制造黑硅材料的方法 |
| CN109640518A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-16 | 无锡深南电路有限公司 | 激光成孔方法、覆铜板和电路板 |
| CN109640518B (zh) * | 2019-01-30 | 2024-03-15 | 无锡深南电路有限公司 | 激光成孔方法、覆铜板和电路板 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2820466B2 (ja) | 1998-11-05 |
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