JPH03155133A - コンタクト孔埋め込み方法 - Google Patents
コンタクト孔埋め込み方法Info
- Publication number
- JPH03155133A JPH03155133A JP29580689A JP29580689A JPH03155133A JP H03155133 A JPH03155133 A JP H03155133A JP 29580689 A JP29580689 A JP 29580689A JP 29580689 A JP29580689 A JP 29580689A JP H03155133 A JPH03155133 A JP H03155133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- silicon
- contact holes
- layer
- interconnections
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M diethylaluminium chloride Chemical compound CC[Al](Cl)CC YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- NOCPVDMRBPCQRZ-UHFFFAOYSA-N [AlH3].C(C)[AlH]CC Chemical compound [AlH3].C(C)[AlH]CC NOCPVDMRBPCQRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- HJXBDPDUCXORKZ-UHFFFAOYSA-N diethylalumane Chemical compound CC[AlH]CC HJXBDPDUCXORKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N dimethylalumane Chemical compound C[AlH]C TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層配線構造形成方法に関し、特にＡｌ配線上
へのコンタクト孔埋め込み方法に関する。
へのコンタクト孔埋め込み方法に関する。
Ａｌ薄膜の選択的成長の応用としては、半導体の配線形
成において従来のプロセスであるスパッタ法では不可能
であった、微細なコンタクト孔の埋め込みによる配線の
高密度化や、平坦化、さらには多結晶シリコンへのＡｌ
の張り付けによる配線抵抗の低減等がある。
成において従来のプロセスであるスパッタ法では不可能
であった、微細なコンタクト孔の埋め込みによる配線の
高密度化や、平坦化、さらには多結晶シリコンへのＡｌ
の張り付けによる配線抵抗の低減等がある。
従来、コンタクト孔埋め込みには、第１８回置体素子材
料コンファレンス予稿集（１９８６）の７５５−７５６
頁記載のように、トリイソブチルアルミニウム（（ｉ−
ＣａＢ６）３Ａｌ）を原料として用いた、Ａｌ薄膜の選
択的堆積が報告されている。そこでは、酸化シリコンの
パターンを形成したシリコン基板上で、化学気相堆積（
ＣＶＤ）法によりシリコンが露出したところにのみＡｔ
を堆積させるという選択的堆積を実現している。
料コンファレンス予稿集（１９８６）の７５５−７５６
頁記載のように、トリイソブチルアルミニウム（（ｉ−
ＣａＢ６）３Ａｌ）を原料として用いた、Ａｌ薄膜の選
択的堆積が報告されている。そこでは、酸化シリコンの
パターンを形成したシリコン基板上で、化学気相堆積（
ＣＶＤ）法によりシリコンが露出したところにのみＡｔ
を堆積させるという選択的堆積を実現している。
また、上記のシリコン上へのコンタクト孔の埋め込みの
他に、下層Ａｔ配線と上層Ａｔ配線を電気的に導通させ
るための、Ａｌ配線上へ形成されたスルーホールの埋め
込みの技術が、多層配線形成には必要である。この技術
に関しては、例えば、平成元年春季 第３６回応用物理
学関係連合講演会講演予稿集７２２頁記載のＡｔ系配線
上へのＷの選択堆積によるコンタクト孔埋め込みが報告
されている。
他に、下層Ａｔ配線と上層Ａｔ配線を電気的に導通させ
るための、Ａｌ配線上へ形成されたスルーホールの埋め
込みの技術が、多層配線形成には必要である。この技術
に関しては、例えば、平成元年春季 第３６回応用物理
学関係連合講演会講演予稿集７２２頁記載のＡｔ系配線
上へのＷの選択堆積によるコンタクト孔埋め込みが報告
されている。
しかしながら、このようなＡｌ上への選択堆積において
はジャーナル・オブ・キューム・サイエンス−アンド・
チクロッジ（ＪＯＩＪｌｉＮＡｌ、 ＯＦ ＶＡＣＩＩ
ＵＭＳＣＩＥＮＣＥ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ
ＰＡＲＴ Ａ）誌１９８９年Ａ７巻６３０頁記載の報告
で既知にように、Ａｌの自然酸化膜が表面を覆っている
Ａｌ上には、ＣＶＤ法を用いたＡｌ堆積が困難であ゛る
。このため自然酸化膜で通常覆われているＡｌ上への選
択堆積は実用的でなかった。従来これを解決する手段と
しては、ＣＶＤ装置内に例えばスパッタ装置を設けてＡ
ｌの酸化膜をＣＶＤ直前に除去する方法がある。しかし
ながら、この方法では、スパッタによるマスク材である
絶縁膜の活性化による選択性の低下の問題が考えられる
。実際、平成元年春季 第３６回応用物理学関係連合講
演会講演予稿集７２２頁記載のＡｌ系配線上へのＷの選
択堆積によるコンタクト孔埋め込みの報告によると、ス
パッタにより酸化シリコン膜の表面のＥＳＣＡのＳｉ
（２ｐ）ピークが低エネルギー側にシフトし、未結合性
シリコンの増加が観測されており、Ａｔの選択堆積にお
いても酸化シリコン膜上べのＡｌの核形成密度の増加に
よる選択性の低下が十分予想される。
はジャーナル・オブ・キューム・サイエンス−アンド・
チクロッジ（ＪＯＩＪｌｉＮＡｌ、 ＯＦ ＶＡＣＩＩ
ＵＭＳＣＩＥＮＣＥ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ
ＰＡＲＴ Ａ）誌１９８９年Ａ７巻６３０頁記載の報告
で既知にように、Ａｌの自然酸化膜が表面を覆っている
Ａｌ上には、ＣＶＤ法を用いたＡｌ堆積が困難であ゛る
。このため自然酸化膜で通常覆われているＡｌ上への選
択堆積は実用的でなかった。従来これを解決する手段と
しては、ＣＶＤ装置内に例えばスパッタ装置を設けてＡ
ｌの酸化膜をＣＶＤ直前に除去する方法がある。しかし
ながら、この方法では、スパッタによるマスク材である
絶縁膜の活性化による選択性の低下の問題が考えられる
。実際、平成元年春季 第３６回応用物理学関係連合講
演会講演予稿集７２２頁記載のＡｌ系配線上へのＷの選
択堆積によるコンタクト孔埋め込みの報告によると、ス
パッタにより酸化シリコン膜の表面のＥＳＣＡのＳｉ
（２ｐ）ピークが低エネルギー側にシフトし、未結合性
シリコンの増加が観測されており、Ａｔの選択堆積にお
いても酸化シリコン膜上べのＡｌの核形成密度の増加に
よる選択性の低下が十分予想される。
Ａｌ表面が露出した状態では、Ａｌの自然酸化膜を除去
することがたとえできたとしても、大気中の酸素あるい
は水分によりすぐに自然酸化膜が形成されてしまう。従
って、ＣＶＤ法において、大気にさらすことなく表面処
理できる手段を講じなければならない。
することがたとえできたとしても、大気中の酸素あるい
は水分によりすぐに自然酸化膜が形成されてしまう。従
って、ＣＶＤ法において、大気にさらすことなく表面処
理できる手段を講じなければならない。
本発明は、絶縁層で被覆された、上層がシリコン、下層
がＡｌである多層構造のＡｔ配線を形成し、このＡｌ配
線上の絶縁層を一部除去して絶縁層に開口部分を形成し
てシリコンを露出する工程と、ジエチルアルミニウムク
ロライド（（Ｃ２Ｈ５）２＾１ｃＩ）を原料ガスとして
前記Ａｌ配線の上層シリコンをＡｌを置換する工程と、
ジメチルアルミニウムハイドライド（（ｃｏ３ｈＡ＋ｏ
）を原料ガスとして用い、前記工程で置換され形成され
たＡｌ上に選択堆積を用いてＡｌを堆積することを特徴
とする構成になっている。
がＡｌである多層構造のＡｔ配線を形成し、このＡｌ配
線上の絶縁層を一部除去して絶縁層に開口部分を形成し
てシリコンを露出する工程と、ジエチルアルミニウムク
ロライド（（Ｃ２Ｈ５）２＾１ｃＩ）を原料ガスとして
前記Ａｌ配線の上層シリコンをＡｌを置換する工程と、
ジメチルアルミニウムハイドライド（（ｃｏ３ｈＡ＋ｏ
）を原料ガスとして用い、前記工程で置換され形成され
たＡｌ上に選択堆積を用いてＡｌを堆積することを特徴
とする構成になっている。
本発明では、シリコンを上層部に持つＡｌ配線を利用す
る。これは、Ａｌが酸化するのを防ぎ、シリコンは自然
酸化膜が完全に形成されるまでは数時間の余裕があるな
め、シリコンの自然酸化膜の除去に関しては、通常の液
相による処理で十分間に合う、つぎに、ジエチルアルミ
ニウムクロライドを用いた選択的置換で、露出したシリ
コンを選択的にＡｌを置換する。但し、ジエチルアルミ
ニウムクロライドの選択ＣＶＤでは、シリコンを消費し
た後のＡｌ堆積の堆積速度及びモホロジに関して良好な
ものができないため、発明者が見い出したジメチルアル
ミハイドライドを用いた、Ａｌ選択堆積を利用する。上
記の工程により自然酸化膜の無いＡｌが生じるために、
ガスを切り替えて、温度を調整することにより、継続し
て選択的堆積が可能となる。
る。これは、Ａｌが酸化するのを防ぎ、シリコンは自然
酸化膜が完全に形成されるまでは数時間の余裕があるな
め、シリコンの自然酸化膜の除去に関しては、通常の液
相による処理で十分間に合う、つぎに、ジエチルアルミ
ニウムクロライドを用いた選択的置換で、露出したシリ
コンを選択的にＡｌを置換する。但し、ジエチルアルミ
ニウムクロライドの選択ＣＶＤでは、シリコンを消費し
た後のＡｌ堆積の堆積速度及びモホロジに関して良好な
ものができないため、発明者が見い出したジメチルアル
ミハイドライドを用いた、Ａｌ選択堆積を利用する。上
記の工程により自然酸化膜の無いＡｌが生じるために、
ガスを切り替えて、温度を調整することにより、継続し
て選択的堆積が可能となる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための主要工程を
示す図である。まず、第１図（ａ）に示すように、Ａｔ
配線１は、各種デバイスが形成されているデバイス層４
上に形成され、さらにＡｔ配線１上にポリシリコン薄膜
層２が形成されて多層構造のＡｌ配線になっている。こ
のＡｔ配線は酸化シリコン絶縁膜３で覆われ、絶縁膜１
３の一部は開口されてコンタクト孔５が形成されている
。この構造は標準的なＣＭＯ３製作方法を用いて形成し
た。なお、通常Ａｌ配線は単層で使用されるがここでは
、本発明の特徴である、Ａｌ配線上に膜厚０．１μｍの
シリコン膜を形成して多層構造にした。この構造を持っ
た基板は大気にさらした場合でもＡｌは酸化されること
なくシリコン表面が自然酸化されるのみである。つぎに
、コンタクト孔底面に露出した自然酸化シリコン薄膜層
を希ＨＦで除去し、ＣＶＤ装置に導入する。ジエチルア
ルミニウムクロライドを用いた化学気相堆積により下地
であるシリコンをＡｌで置換することができることが平
成元年春季 第３６回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集５０７頁に報告されている。ジエチルアルミクロラ
イドを水素でバブルし、３３０°Ｃに加熱したウェハに
原料分圧的０．２７ＯＲＲでさらし、開口部底部に露出
したシリコンとＡｌを置換して、第１図（ｂ）に示すよ
うに、置換Ａｌ薄膜層６を形成する。つぎに、ジメチル
アルミニウムハイドライドを用いた選択的ＣＶＤ法で、
ウェハ温度を約２６０℃、ジメチルアルミニウムハイド
ライドを分圧的０．５７ＯＲＲで水素とともにウェハ面
にさらし、第１図（Ｃ）に示すように、Ａｌ薄膜層６上
にのみＡｌ７を堆積させてコンタクト孔を埋め込む。
示す図である。まず、第１図（ａ）に示すように、Ａｔ
配線１は、各種デバイスが形成されているデバイス層４
上に形成され、さらにＡｔ配線１上にポリシリコン薄膜
層２が形成されて多層構造のＡｌ配線になっている。こ
のＡｔ配線は酸化シリコン絶縁膜３で覆われ、絶縁膜１
３の一部は開口されてコンタクト孔５が形成されている
。この構造は標準的なＣＭＯ３製作方法を用いて形成し
た。なお、通常Ａｌ配線は単層で使用されるがここでは
、本発明の特徴である、Ａｌ配線上に膜厚０．１μｍの
シリコン膜を形成して多層構造にした。この構造を持っ
た基板は大気にさらした場合でもＡｌは酸化されること
なくシリコン表面が自然酸化されるのみである。つぎに
、コンタクト孔底面に露出した自然酸化シリコン薄膜層
を希ＨＦで除去し、ＣＶＤ装置に導入する。ジエチルア
ルミニウムクロライドを用いた化学気相堆積により下地
であるシリコンをＡｌで置換することができることが平
成元年春季 第３６回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集５０７頁に報告されている。ジエチルアルミクロラ
イドを水素でバブルし、３３０°Ｃに加熱したウェハに
原料分圧的０．２７ＯＲＲでさらし、開口部底部に露出
したシリコンとＡｌを置換して、第１図（ｂ）に示すよ
うに、置換Ａｌ薄膜層６を形成する。つぎに、ジメチル
アルミニウムハイドライドを用いた選択的ＣＶＤ法で、
ウェハ温度を約２６０℃、ジメチルアルミニウムハイド
ライドを分圧的０．５７ＯＲＲで水素とともにウェハ面
にさらし、第１図（Ｃ）に示すように、Ａｌ薄膜層６上
にのみＡｌ７を堆積させてコンタクト孔を埋め込む。
このようにして微細なコンタクト孔が良好な形状で埋め
込まれる。このときのコンタクト抵抗は０．１Ω以下と
十分低い値になった。
込まれる。このときのコンタクト抵抗は０．１Ω以下と
十分低い値になった。
以上説明したように本発明は、シリコンを上層に持つＡ
ｌ配線を利用して、まず、ジエチルアルミニウムクロラ
イドを用いたシリコンとの置換によりＡｌを形成し、次
にジメチルアルミニウムハイドライドを用いた選択的Ａ
ｌ堆積により、微細なコンタクト孔を埋め込み電気的導
通を容易に得ることができる。したがって、集積度の高
い集積回路を用いられるＡｌ系配線の多層配線形成を、
ＣＶＤ装置内にスパッタ装置を設けるという複雑な装置
構成を取らず、また、スパッタによる選択性低下を受け
ずに実現することができる。
ｌ配線を利用して、まず、ジエチルアルミニウムクロラ
イドを用いたシリコンとの置換によりＡｌを形成し、次
にジメチルアルミニウムハイドライドを用いた選択的Ａ
ｌ堆積により、微細なコンタクト孔を埋め込み電気的導
通を容易に得ることができる。したがって、集積度の高
い集積回路を用いられるＡｌ系配線の多層配線形成を、
ＣＶＤ装置内にスパッタ装置を設けるという複雑な装置
構成を取らず、また、スパッタによる選択性低下を受け
ずに実現することができる。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施例を説
明するための主要工程を示す図である。 １・・・Ａｌ配線、２・・・ポリシリコン薄膜層、３・
・・酸化シリコン絶縁層、４・・・下層デバイス層、５
・・・コンタクト孔、６・・・置換Ａｌ薄膜層、７・・
・Ａｌ選択堆積。
明するための主要工程を示す図である。 １・・・Ａｌ配線、２・・・ポリシリコン薄膜層、３・
・・酸化シリコン絶縁層、４・・・下層デバイス層、５
・・・コンタクト孔、６・・・置換Ａｌ薄膜層、７・・
・Ａｌ選択堆積。
Claims (1)
- 絶縁層で被覆された、上層がシリコン、下層がＡｌで
ある多層構造のＡｌ配線を形成し、このＡｌ配線上の絶
縁層を一部除去して絶縁層に開口部分を形成してシリコ
ンを露出する工程と、ジエチルアルミニウムクロライド
（（Ｃ＿２Ｈ＿５）＿２ＡｌＣｌ）を原料ガスとして前
記Ａｌ配線の上層シリコンをＡｌを置換する工程と、ジ
メチルアルミニウムハイドライド（（ＣＨ＿３）＿２Ａ
ｌＨ）を原料ガスとして用い、前記工程で置換され形成
されたＡｌ上に選択にＡｌを堆積することを特徴とする
、コンタクト孔埋め込み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1295806A JP2616062B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | コンタクト孔埋め込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1295806A JP2616062B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | コンタクト孔埋め込み方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155133A true JPH03155133A (ja) | 1991-07-03 |
| JP2616062B2 JP2616062B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=17825409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1295806A Expired - Lifetime JP2616062B2 (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | コンタクト孔埋め込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616062B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334046A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-02 | Nec Corp | 接続孔の埋め込み方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162449A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Formation of multilayer wiring |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP1295806A patent/JP2616062B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162449A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Formation of multilayer wiring |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334046A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-02 | Nec Corp | 接続孔の埋め込み方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616062B2 (ja) | 1997-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09306994A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPH0258836A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04142061A (ja) | タングステンプラグの形成方法 | |
| US5851581A (en) | Semiconductor device fabrication method for preventing tungsten from removing | |
| JP3050187B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960009091B1 (ko) | 평탄한 전기적 상호 접속 구조체 제조방법 | |
| JP2616402B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60117719A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03155133A (ja) | コンタクト孔埋め込み方法 | |
| JPS60115221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61208241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07122644A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US5247204A (en) | Semiconductor device having multilayer interconnection structure | |
| JPS63117447A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP3119198B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03234020A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0467655A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH03291920A (ja) | コンタクト孔埋め込み方法 | |
| JPH05211237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100396684B1 (ko) | 반도체장치의금속배선형성방법 | |
| JPH07153841A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61287149A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0425159A (ja) | 電極配線の形成方法 | |
| JPH047836A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH02205030A (ja) | 半導体装置の製造方法 |