JPH06334046A - 接続孔の埋め込み方法 - Google Patents
接続孔の埋め込み方法Info
- Publication number
- JPH06334046A JPH06334046A JP5123686A JP12368693A JPH06334046A JP H06334046 A JPH06334046 A JP H06334046A JP 5123686 A JP5123686 A JP 5123686A JP 12368693 A JP12368693 A JP 12368693A JP H06334046 A JPH06334046 A JP H06334046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum
- silicon
- contact hole
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 23
- -1 dimethylaluminium halide Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M diethylaluminium chloride Chemical compound CC[Al](Cl)CC YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 125000005234 alkyl aluminium group Chemical group 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminum chloride Substances Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N dimethylalumane Chemical compound C[AlH]C TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000086 alane Inorganic materials 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単機能の製造装置を用い、少ない工程数で、
低抵抗のアルミニウムだけで接続孔を埋め込む。 【構成】 シリコン基板１の上に層間絶縁膜として第２
の酸化シリコン膜５を形成した後接続孔６を形成する。
このシリコン基板１を希弗酸で洗浄すると、反射防止用
シリコン膜４の表面に形成された自然酸化膜を除去する
ことができる。次に、ジエチルアルミニウムクローライ
ドを用いた選択気相化学成長を行うと、接続孔底部の反
射防止用シリコン膜４とジエチルアルミニウムクローラ
イドが反応し、接続孔底部の反射防止用シリコン膜４が
気相中に脱離し第２のアルミニウム膜７が堆積する。さ
らに、ジメチルアルミニウムハイドライドを用いた選択
気相化学成長を行うと、第２のアルミニウム膜７上にの
み第３のアルミニウム膜８が堆積し、接続孔６が完全に
埋め込める。
低抵抗のアルミニウムだけで接続孔を埋め込む。 【構成】 シリコン基板１の上に層間絶縁膜として第２
の酸化シリコン膜５を形成した後接続孔６を形成する。
このシリコン基板１を希弗酸で洗浄すると、反射防止用
シリコン膜４の表面に形成された自然酸化膜を除去する
ことができる。次に、ジエチルアルミニウムクローライ
ドを用いた選択気相化学成長を行うと、接続孔底部の反
射防止用シリコン膜４とジエチルアルミニウムクローラ
イドが反応し、接続孔底部の反射防止用シリコン膜４が
気相中に脱離し第２のアルミニウム膜７が堆積する。さ
らに、ジメチルアルミニウムハイドライドを用いた選択
気相化学成長を行うと、第２のアルミニウム膜７上にの
み第３のアルミニウム膜８が堆積し、接続孔６が完全に
埋め込める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、液晶ディ
スプレイ等を構成する接続孔の埋め込み方法に関する。
スプレイ等を構成する接続孔の埋め込み方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を構成する接続孔の埋
め込み方法としては、アルキルアルミニウムハイドライ
ドを用いた選択気相化学成長によって、酸化シリコン膜
に開口した接続孔の底面のシリコン層上にのみアルミニ
ウムを堆積させる方法（タングステン アンド アザー
アバンスド メタルズ フォー ヴィエルエスアイ／
ユーエルエスアイ アプリケイションズ ファイブ誌、
Ｔｕｎｇｓｔｅｎ ａｎｄ Ｏｔｈｅｒ Ａｄｖａｎｃ
ｅｄ Ｍｅｔａｌｓ ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ Ａｐｐｌｉ
ｃａｔｉｏｎｓ Ｖ，Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒ
ｃｈ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ，Ｐｅｎ
ｎｓｙｌｖａｎｉａ，ｐ３７７（１９９０）．）があ
る。
め込み方法としては、アルキルアルミニウムハイドライ
ドを用いた選択気相化学成長によって、酸化シリコン膜
に開口した接続孔の底面のシリコン層上にのみアルミニ
ウムを堆積させる方法（タングステン アンド アザー
アバンスド メタルズ フォー ヴィエルエスアイ／
ユーエルエスアイ アプリケイションズ ファイブ誌、
Ｔｕｎｇｓｔｅｎ ａｎｄ Ｏｔｈｅｒ Ａｄｖａｎｃ
ｅｄ Ｍｅｔａｌｓ ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ Ａｐｐｌｉ
ｃａｔｉｏｎｓ Ｖ，Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒ
ｃｈ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ，Ｐｅｎ
ｎｓｙｌｖａｎｉａ，ｐ３７７（１９９０）．）があ
る。
【０００３】また、酸化シリコン膜に開口した接続孔底
面のシリコン層とアルキルアルミニウムクローライドと
を反応させ反応生成物である塩化シリコンを気相に脱離
させながら、アルミニウムを堆積する方法（アプライド
フィジックスレター誌 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．５５（８），７４１（１９８９）．）がある。
面のシリコン層とアルキルアルミニウムクローライドと
を反応させ反応生成物である塩化シリコンを気相に脱離
させながら、アルミニウムを堆積する方法（アプライド
フィジックスレター誌 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．５５（８），７４１（１９８９）．）がある。
【０００４】さらに、接続孔底面に予め形成された金属
層上にのみ、トリアルキルアルミニウムを用いた選択気
相化学成長によってアルミニウムを堆積させる方法（テ
クニカルダイジェスト アイイーイ−イ− アイイーデ
イエム誌 ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｇｅｓｔ ＩＥＥＥ
ＩＥＤＭ，２６５（１９９１）．）がある。この金属
層上にのみアルミニウムを堆積させる方法は、選択気相
化学成長前に行う接続孔底部のクリーニングによって絶
縁膜がアルミニウムの選択気相化学成長に関して活性化
しないように非晶質シリコン膜を形成する工程と、下地
金属層上の不純物除去のためにＲＦクリーニングを行う
工程と、アルミニウムの選択気相化学成長を行う工程
と、非晶質シリコン膜を除去する工程の４工程からな
る。
層上にのみ、トリアルキルアルミニウムを用いた選択気
相化学成長によってアルミニウムを堆積させる方法（テ
クニカルダイジェスト アイイーイ−イ− アイイーデ
イエム誌 ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｇｅｓｔ ＩＥＥＥ
ＩＥＤＭ，２６５（１９９１）．）がある。この金属
層上にのみアルミニウムを堆積させる方法は、選択気相
化学成長前に行う接続孔底部のクリーニングによって絶
縁膜がアルミニウムの選択気相化学成長に関して活性化
しないように非晶質シリコン膜を形成する工程と、下地
金属層上の不純物除去のためにＲＦクリーニングを行う
工程と、アルミニウムの選択気相化学成長を行う工程
と、非晶質シリコン膜を除去する工程の４工程からな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のアルキ
ルアルミニウムハイドライドを用いた選択気相成長によ
りシリコン層上にのみアルミニウムを形成する方法で
は、堆積したシリコンの固有抵抗が大きいので、配線に
した時に信号遅延時間が大きくなるという欠点がある。
ルアルミニウムハイドライドを用いた選択気相成長によ
りシリコン層上にのみアルミニウムを形成する方法で
は、堆積したシリコンの固有抵抗が大きいので、配線に
した時に信号遅延時間が大きくなるという欠点がある。
【０００６】また、アルキルアルミニウムクローライド
を用いた方法では、アルキルアルミニウムクローライド
とシリコンとの反応でアルミニウムが形成されるため、
シリコンの量によって堆積できるアルミニウムの量が決
まってしまうので、配線膜のパターニングに用いられる
反射防止用シリコン膜のような薄いシリコン膜上では接
続孔を埋め込むことができないという欠点がある。
を用いた方法では、アルキルアルミニウムクローライド
とシリコンとの反応でアルミニウムが形成されるため、
シリコンの量によって堆積できるアルミニウムの量が決
まってしまうので、配線膜のパターニングに用いられる
反射防止用シリコン膜のような薄いシリコン膜上では接
続孔を埋め込むことができないという欠点がある。
【０００７】金属層上にのみアルミニウムを堆積させる
方法では、接続孔の埋め込みに対して４工程必要にな
り、半導体装置の製造コストが増大するという欠点があ
る。また、この方法では低い接触抵抗を得るために選択
気相化学成長を行う成長室と同一あるいは真空で接続さ
れた成長室で、下地金属膜のクリーニングをしなければ
ならない。このため、クリーニングと選択気相化学成長
という異なる機能を有する製造装置を必要とする問題点
もある。
方法では、接続孔の埋め込みに対して４工程必要にな
り、半導体装置の製造コストが増大するという欠点があ
る。また、この方法では低い接触抵抗を得るために選択
気相化学成長を行う成長室と同一あるいは真空で接続さ
れた成長室で、下地金属膜のクリーニングをしなければ
ならない。このため、クリーニングと選択気相化学成長
という異なる機能を有する製造装置を必要とする問題点
もある。
【０００８】本発明の目的は、以上のような問題点を解
決した接続孔の埋め込み方法を提供することにある。
決した接続孔の埋め込み方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の接続孔の埋め込
み方法は、金属膜上にシリコン層を形成する工程と、前
記シリコン膜上に形成した絶縁膜に接続孔を開口する工
程と、アルキルアルミニウムクローライドを用いて選択
気相化学成長を行う工程と、トリアルキルアルミニウ
ム，アルキルアルミニウムハイドライド，アルミニウム
のアミンアダクツのいずれかまたはこれらの混合物を用
いて選択気相化学成長を行う工程とを含むことを特徴と
する。特に、アルキルアルミニウムクローライドとし
て、ジエチルアルミニウムクローライドを用いること、
アルキルアルミニウムハイドライドとして、ジメチルア
ルミニウムハイドライドを用いることを特徴とする。
み方法は、金属膜上にシリコン層を形成する工程と、前
記シリコン膜上に形成した絶縁膜に接続孔を開口する工
程と、アルキルアルミニウムクローライドを用いて選択
気相化学成長を行う工程と、トリアルキルアルミニウ
ム，アルキルアルミニウムハイドライド，アルミニウム
のアミンアダクツのいずれかまたはこれらの混合物を用
いて選択気相化学成長を行う工程とを含むことを特徴と
する。特に、アルキルアルミニウムクローライドとし
て、ジエチルアルミニウムクローライドを用いること、
アルキルアルミニウムハイドライドとして、ジメチルア
ルミニウムハイドライドを用いることを特徴とする。
【００１０】
【作用】アルキルアルミニウムクローライドを用いた選
択気相化学成長を用いると、接続孔底部の第１のアルミ
ニウム配線上にのみ形成されたシリコンを前記アルキル
アルミニウムクローライドとの選択反応によって除去す
ると共に第２のアルミニウム膜を堆積させることができ
る。この反応は下地シリコンが無くなったところで止ま
り、接続孔を埋め込むような厚いアルミニウム膜を堆積
させることは困難である。そこで、続いて同一成長室あ
るいは真空で接続された別の成長室において、アルキル
アルミニウムハイドライドを用いた選択気相化学成長を
行うと、第２のアルミニウム膜上にのみ第３のアルミニ
ウム膜が堆積する。シリコン膜堆積前に第１のアルミニ
ウム膜表面の自然酸化膜を除去しておけば、第１のアル
ミニウム膜と第２のアルミニウム膜とが接続され、低抵
抗の接続孔埋め込みができることを新たに見いだした。
択気相化学成長を用いると、接続孔底部の第１のアルミ
ニウム配線上にのみ形成されたシリコンを前記アルキル
アルミニウムクローライドとの選択反応によって除去す
ると共に第２のアルミニウム膜を堆積させることができ
る。この反応は下地シリコンが無くなったところで止ま
り、接続孔を埋め込むような厚いアルミニウム膜を堆積
させることは困難である。そこで、続いて同一成長室あ
るいは真空で接続された別の成長室において、アルキル
アルミニウムハイドライドを用いた選択気相化学成長を
行うと、第２のアルミニウム膜上にのみ第３のアルミニ
ウム膜が堆積する。シリコン膜堆積前に第１のアルミニ
ウム膜表面の自然酸化膜を除去しておけば、第１のアル
ミニウム膜と第２のアルミニウム膜とが接続され、低抵
抗の接続孔埋め込みができることを新たに見いだした。
【００１１】
【実施例】次に本発明の一実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１は実施例の主要工程における半導体装
置の断面図である。本実施例はシリコン集積回路におけ
る配線形成に適用した場合を示す。
置の断面図である。本実施例はシリコン集積回路におけ
る配線形成に適用した場合を示す。
【００１３】まず図１（ａ）に示すように、下層配線膜
形成後の構造を有する基板を標準的な集積回路製作方法
を用いて形成した。図において、１はシリコン基板、２
は第１の酸化シリコン膜、３は第１のアルミニウム配
線、４は反射防止用シリコン膜である。反射防止用シリ
コン膜４の膜厚は、次に行うリソグラフィーで用いる波
長をλとし、この時のシリコンの屈折率をｎとすると、
約λ／４ｎで、リソグラフィーで水銀ランプのｉ線の波
長を用いるとすると、約１８ｎｍになる。反射防止用シ
リコン膜４堆積前には、第１のアルミニウム膜３の表面
の自然酸化膜を除去するため、反射防止用シリコン膜４
を堆積させる成長室と同一あるいは真空で接続された成
長室において、クリーニングを行う。通常、反射防止用
シリコン膜４は下層配線の金属膜形成と同一のスパッタ
リング装置で行われるため、特別なクリーニングの必要
はない。
形成後の構造を有する基板を標準的な集積回路製作方法
を用いて形成した。図において、１はシリコン基板、２
は第１の酸化シリコン膜、３は第１のアルミニウム配
線、４は反射防止用シリコン膜である。反射防止用シリ
コン膜４の膜厚は、次に行うリソグラフィーで用いる波
長をλとし、この時のシリコンの屈折率をｎとすると、
約λ／４ｎで、リソグラフィーで水銀ランプのｉ線の波
長を用いるとすると、約１８ｎｍになる。反射防止用シ
リコン膜４堆積前には、第１のアルミニウム膜３の表面
の自然酸化膜を除去するため、反射防止用シリコン膜４
を堆積させる成長室と同一あるいは真空で接続された成
長室において、クリーニングを行う。通常、反射防止用
シリコン膜４は下層配線の金属膜形成と同一のスパッタ
リング装置で行われるため、特別なクリーニングの必要
はない。
【００１４】次に図１（ｂ）に示すように、前記基板を
一般的なリソグラフィーとエッチングの手法を用い配線
を形成する。続いて図１（ｃ）に示すように、基板１の
上に層間絶縁膜として第２の酸化シリコン膜５を形成し
た後、一般的なリソグラフィーとエッチングの手法によ
り接続孔６を形成する。この基板１を希弗酸で洗浄する
と、反射防止用シリコン膜４の表面に形成された自然酸
化膜を除去することができる。
一般的なリソグラフィーとエッチングの手法を用い配線
を形成する。続いて図１（ｃ）に示すように、基板１の
上に層間絶縁膜として第２の酸化シリコン膜５を形成し
た後、一般的なリソグラフィーとエッチングの手法によ
り接続孔６を形成する。この基板１を希弗酸で洗浄する
と、反射防止用シリコン膜４の表面に形成された自然酸
化膜を除去することができる。
【００１５】次に、図１（ｄ）に示すように、アルキル
アルミニウムクローライドであるジエチルアルミニウム
クローライドを用いた選択気相化学成長を行うと、接続
孔底部の反射防止用シリコン膜４とジエチルアルミニウ
ムクローライドが反応し、接続孔底部のシリコンが気相
中に脱離し第２のアルミニウム膜７が堆積する。気相化
学成長の条件は、キャリア水素流量２００ｓｃｃｍ、希
釈水素流量２ｓｃｃｍ、成長室圧力１００Ｔｏｒｒ、基
板温度３００℃である。成膜時間約３分で接続孔底部の
反射防止用シリコン膜４は完全に気相に脱離するととも
に、ジエチルアルミニウムクローライドの分解反応が停
止し第２のアルミニウム膜６の堆積も停止する。
アルミニウムクローライドであるジエチルアルミニウム
クローライドを用いた選択気相化学成長を行うと、接続
孔底部の反射防止用シリコン膜４とジエチルアルミニウ
ムクローライドが反応し、接続孔底部のシリコンが気相
中に脱離し第２のアルミニウム膜７が堆積する。気相化
学成長の条件は、キャリア水素流量２００ｓｃｃｍ、希
釈水素流量２ｓｃｃｍ、成長室圧力１００Ｔｏｒｒ、基
板温度３００℃である。成膜時間約３分で接続孔底部の
反射防止用シリコン膜４は完全に気相に脱離するととも
に、ジエチルアルミニウムクローライドの分解反応が停
止し第２のアルミニウム膜６の堆積も停止する。
【００１６】さらに図１（ｅ）に示すように、第２のア
ルミニウム膜堆積と同一の成長室あるいは真空で接続さ
た成長室でアルキルアルミニウムハイドライドであるジ
メチルアルミニウムハイドライドを用いた選択気相化学
成長を行うと、第２のアルミニウム膜７上にのみ第３の
アルミニウム膜８が堆積する。この時の選択気相化学成
長の条件は、キャリア水素流量３００ｓｃｃｍ、成長室
圧力１Ｔｏｒｒ、基板温度１８０℃である。成膜時間を
適当に選ぶことによって、接続孔が完全に埋め込める。
しかも、第１のアルミニウム膜３と第３のアルミニウム
膜８との間は、抵抗の低いアルミニウムだけで接続され
たことになる。
ルミニウム膜堆積と同一の成長室あるいは真空で接続さ
た成長室でアルキルアルミニウムハイドライドであるジ
メチルアルミニウムハイドライドを用いた選択気相化学
成長を行うと、第２のアルミニウム膜７上にのみ第３の
アルミニウム膜８が堆積する。この時の選択気相化学成
長の条件は、キャリア水素流量３００ｓｃｃｍ、成長室
圧力１Ｔｏｒｒ、基板温度１８０℃である。成膜時間を
適当に選ぶことによって、接続孔が完全に埋め込める。
しかも、第１のアルミニウム膜３と第３のアルミニウム
膜８との間は、抵抗の低いアルミニウムだけで接続され
たことになる。
【００１７】なお、第２のアルミニウム膜７の堆積と第
３のアルミニウム８の堆積は、同一の装置を用い原料ガ
スを切り換えることによって実現できる。
３のアルミニウム８の堆積は、同一の装置を用い原料ガ
スを切り換えることによって実現できる。
【００１８】本実施例では、反射防止用シリコン膜４の
クリーニング工程と、アルキルアルミニウムクローライ
ドを用いた選択気相化学成長工程と、アルキルアルミニ
ウムハイドライドを用いた選択気相化学成長工程の３工
程で埋め込みが完了する。
クリーニング工程と、アルキルアルミニウムクローライ
ドを用いた選択気相化学成長工程と、アルキルアルミニ
ウムハイドライドを用いた選択気相化学成長工程の３工
程で埋め込みが完了する。
【００１９】本実施例では接続孔底部のシリコン膜とし
て反射防止用シリコン膜４を用いた場合を例示したが、
これ以外にも任意の厚さのシリコン膜を形成して用いて
も同様の効果が得られる。
て反射防止用シリコン膜４を用いた場合を例示したが、
これ以外にも任意の厚さのシリコン膜を形成して用いて
も同様の効果が得られる。
【００２０】本実施例では第３のアルミニウムを形成す
る原料として、ジメチルアルミニウムハイドライドを用
い基板温度１８０℃で堆積させる場合を例示したが、基
板温度は選択堆積の起こる範囲で任意に選べばよい。
る原料として、ジメチルアルミニウムハイドライドを用
い基板温度１８０℃で堆積させる場合を例示したが、基
板温度は選択堆積の起こる範囲で任意に選べばよい。
【００２１】さらに、トリアルキルアルミニウムではト
リイソブチルアルミニウムを用いて基板温度約２５０℃
で、アルミニウムのアミンアダクツとしてはトリメチル
アミンアランあるいはトリエチルアミンアランを用いて
基板温度約１８０℃で、またトリアルキルアルミニウム
であるトリメチルアルミニウムとアルキルアルミニウム
ハイドライドであるジメチルアルミニウムハイドライド
の混合物を用いて約２００℃でも選択気相化学成長でき
る。
リイソブチルアルミニウムを用いて基板温度約２５０℃
で、アルミニウムのアミンアダクツとしてはトリメチル
アミンアランあるいはトリエチルアミンアランを用いて
基板温度約１８０℃で、またトリアルキルアルミニウム
であるトリメチルアルミニウムとアルキルアルミニウム
ハイドライドであるジメチルアルミニウムハイドライド
の混合物を用いて約２００℃でも選択気相化学成長でき
る。
【００２２】本実施例では、半導体装置の接続孔埋め込
みに適用した場合を例示したが、液晶ディスプレイの接
続孔埋め込みにも適用できることはいうまでもない。
みに適用した場合を例示したが、液晶ディスプレイの接
続孔埋め込みにも適用できることはいうまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、単
機能の製造装置を用い、少ない工程数で、低抵抗のアル
ミニウムだけで接続孔を埋め込むことができるので、半
導体装置や液晶ディスプレイの製造コストを低減できる
効果がある。
機能の製造装置を用い、少ない工程数で、低抵抗のアル
ミニウムだけで接続孔を埋め込むことができるので、半
導体装置や液晶ディスプレイの製造コストを低減できる
効果がある。
【図１】本発明の一実施例の主要工程を示す断面図であ
る。
る。
１ シリコン基板 ２ 第１の酸化シリコン膜 ３ 第１のアルミニウム膜 ４ 反射防止用シリコン膜 ５ 第２の酸化シリコン膜 ６ 接続孔 ７ 第２のアルミニウム膜 ８ 第３のアルミニウム膜
Claims (3)
- 【請求項１】金属膜上にシリコン層を形成する工程と、 前記シリコン膜上に形成した絶縁膜に接続孔を開口する
工程と、 アルキルアルミニウムクローライドを用いて選択気相化
学成長を行う工程と、 トリアルキルアルミニウム，アルキルアルミニウムハイ
ドライド，アルミニウムのアミンアダクツのいずれかあ
るいはこれらの混合物を用いて選択気相化学成長を行う
工程と、 を含むことを特徴とする接続孔の埋め込み方法。 - 【請求項２】請求項１記載の接続孔の埋め込み方法にお
いて、 アルキルアルミニウムクローライドとして、ジエチルア
ルミニウムクローライドを用いることを特徴とする接続
孔の埋め込み方法。 - 【請求項３】請求項１記載の接続孔の埋め込み方法にお
いて、 アルキルアルミニウムハイドライドとして、ジメチルア
ルミニウムハイドライドを用いることを特徴とする接続
孔の埋め込み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5123686A JPH06334046A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 接続孔の埋め込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5123686A JPH06334046A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 接続孔の埋め込み方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334046A true JPH06334046A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14866815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5123686A Pending JPH06334046A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | 接続孔の埋め込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334046A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03155133A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-03 | Nec Corp | コンタクト孔埋め込み方法 |
-
1993
- 1993-05-26 JP JP5123686A patent/JPH06334046A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03155133A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-03 | Nec Corp | コンタクト孔埋め込み方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4977106A (en) | Tin chemical vapor deposition using TiCl4 and SiH4 | |
| US6136690A (en) | In situ plasma pre-deposition wafer treatment in chemical vapor deposition technology for semiconductor integrated circuit applications | |
| JPH08250497A (ja) | 半導体装置の金属配線層の形成方法 | |
| JPH05315284A (ja) | コンタクト部形成方法 | |
| WO1998028783A1 (en) | Method of nucleation used in semiconductor devices | |
| EP0262719B1 (en) | Method for manufacturing a planar electrical interconnection utilizing isotropic deposition of conductive material | |
| JPH05129231A (ja) | 電極配線 | |
| JPH06334046A (ja) | 接続孔の埋め込み方法 | |
| JPH09260306A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3149912B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001168062A (ja) | タングステン薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法 | |
| JPH053170A (ja) | ブランケツトタングステンプラグ形成法 | |
| KR100256240B1 (ko) | 식각장벽 금속과 폴리실리콘막 에치백을 이용한 선택 텅스텐의 일방성 성장 유도에 의한 콘택 플러그 형성 방법 | |
| JP2819840B2 (ja) | コンタクトホールの埋め込み方法 | |
| JP3176088B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| KR19990055159A (ko) | 반도체 장치의 텅스텐 금속배선 형성방법 | |
| JP3191477B2 (ja) | 配線構造およびその製造方法 | |
| JPH07169834A (ja) | 層間接続孔の埋め込み方法 | |
| JP2783004B2 (ja) | 金属薄膜の形成方法 | |
| JP2677180B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06224309A (ja) | 接続孔の埋め込み方法 | |
| JPH118207A (ja) | コンタクトホールの埋め込み方法 | |
| JPH03256330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03110838A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| KR100264768B1 (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |