JPH03155487A - レーザ溶接方法 - Google Patents
レーザ溶接方法Info
- Publication number
- JPH03155487A JPH03155487A JP1294334A JP29433489A JPH03155487A JP H03155487 A JPH03155487 A JP H03155487A JP 1294334 A JP1294334 A JP 1294334A JP 29433489 A JP29433489 A JP 29433489A JP H03155487 A JPH03155487 A JP H03155487A
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- Japan
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- welded
- welding
- laser
- laser beam
- welding method
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
一ザ溶接方法に関し、
レーザ溶接による被溶接部材への熱的影響を小さくする
レーザ溶接方法を提供することを目的とし、 第１の溶接部材に板状の第２の溶接部材を密着させ、溶
接部分にレーザ光を照射して溶接するレーザ溶接方法に
おいて、前記第２の溶接部材の溶接部分を薄く加工し、
前記第２の溶接部材の溶接部分にレーザ光を照射するこ
とにより前記第１の溶接部材と第２の溶接部材を溶接す
るように構成する。
レーザ溶接方法を提供することを目的とし、 第１の溶接部材に板状の第２の溶接部材を密着させ、溶
接部分にレーザ光を照射して溶接するレーザ溶接方法に
おいて、前記第２の溶接部材の溶接部分を薄く加工し、
前記第２の溶接部材の溶接部分にレーザ光を照射するこ
とにより前記第１の溶接部材と第２の溶接部材を溶接す
るように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は、第１の溶接部材に板状（・第２の溶接部材を
密着させ、溶接部分にレーザ光を照射して溶接するレー
ザ溶接方法に関する。
密着させ、溶接部分にレーザ光を照射して溶接するレー
ザ溶接方法に関する。
［ＩｌＩ要］
［従来の技術］第１の溶接部材に板状の第２の溶接
部材を密着 レーザ溶接は、金属等の１ｊｌＩＡ１
１１部分を溶接する徹させ、溶接部分にレーザ光を照射
して溶接するし 細溶接法として用いられる。従来の
レーザ溶接方法を第５図を用いて説明する。板状の被溶
接部材１を被溶接部材２に密着させ、被溶接部材１側か
ら溶接部分にレーザ光を照射する（第５図（ａ））、レ
ーザ光により被溶接部材１と被溶接部材２の密着部分が
溶融して溶融部分３が形成され、被溶接部材１が被溶接
部材２に溶接される（第５図（ｂ））。
［従来の技術］第１の溶接部材に板状の第２の溶接
部材を密着 レーザ溶接は、金属等の１ｊｌＩＡ１
１１部分を溶接する徹させ、溶接部分にレーザ光を照射
して溶接するし 細溶接法として用いられる。従来の
レーザ溶接方法を第５図を用いて説明する。板状の被溶
接部材１を被溶接部材２に密着させ、被溶接部材１側か
ら溶接部分にレーザ光を照射する（第５図（ａ））、レ
ーザ光により被溶接部材１と被溶接部材２の密着部分が
溶融して溶融部分３が形成され、被溶接部材１が被溶接
部材２に溶接される（第５図（ｂ））。
この場合、レーザ溶接は溶接幅を１ｍｍ以下にしぼるこ
とができるが、被溶接部材の幅がレーザ溶接幅に近い場
合は、溶接の熱影響により、非溶接部分に残留応力や変
形が生じる可能性がある。
とができるが、被溶接部材の幅がレーザ溶接幅に近い場
合は、溶接の熱影響により、非溶接部分に残留応力や変
形が生じる可能性がある。
このため、最小限のレーザ熱量で、確実に溶接を行う必
要がある。
要がある。
従来のレーザ溶接においては、確実に溶接するためにレ
ーザ熱量等の条件或いは溶接材質を選択している。この
ため、レーザの吸収率が低い材質を溶接する場合におい
てはレーザ熱量を増加させる必要があった。
ーザ熱量等の条件或いは溶接材質を選択している。この
ため、レーザの吸収率が低い材質を溶接する場合におい
てはレーザ熱量を増加させる必要があった。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来のレーザ溶接方法では、被溶接
部材への熱的影響が大きくなるため、被溶接部材に残留
応力や変形を発生させる可能性が高かった。
部材への熱的影響が大きくなるため、被溶接部材に残留
応力や変形を発生させる可能性が高かった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、レーザ溶
接による被溶接部材への熱的影響を小さくするレーザ溶
接方法を提供することを目的とする。
接による被溶接部材への熱的影響を小さくするレーザ溶
接方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明を説明する原理図である。板状の被溶接
部材１の、レーザ光を照射する溶接部分４の厚さを薄く
加工し、被溶接部材１と被溶接部材２を密着し、被溶接
部材１側からレーザ光を照射し、被溶接部材１と被溶接
部材２を溶接する。
部材１の、レーザ光を照射する溶接部分４の厚さを薄く
加工し、被溶接部材１と被溶接部材２を密着し、被溶接
部材１側からレーザ光を照射し、被溶接部材１と被溶接
部材２を溶接する。
［作用］
本発明によれば、溶接部分４を薄く加工することにより
、溶融部分５を小さくすることができるので確実に溶接
できる。従って、レーザ溶接による被溶接部材への熱的
影響を小さくすることができるから、被溶接部材に残留
応力や変形を発生させること無く溶接ができる。
、溶融部分５を小さくすることができるので確実に溶接
できる。従って、レーザ溶接による被溶接部材への熱的
影響を小さくすることができるから、被溶接部材に残留
応力や変形を発生させること無く溶接ができる。
［実施例］
本発明の一実施例によるレーザ溶接方法を第２図乃至第
４図を用いて説明する。
４図を用いて説明する。
第２図は本発明のレーザ溶接方法を用いたＰＧＡ（Ｐｉ
ｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ ｐａｃｋａｇｅ）の
断面図、第３図は本発明のレーザ溶接方法を用いたＰＧ
Ａの平面図、第４図は本発明のレーザ溶接方法に用いる
ハーフエツチング製造工程断面図である。
ｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ ｐａｃｋａｇｅ）の
断面図、第３図は本発明のレーザ溶接方法を用いたＰＧ
Ａの平面図、第４図は本発明のレーザ溶接方法に用いる
ハーフエツチング製造工程断面図である。
ＰＧＡは、多ピン構造を有するパッケージである。リー
ドフレーム１３のアイランド９に半導体チップ８が搭載
され、半導体チップ８はボンディングワイヤ１０により
ＰＧＡの内部配線のためのリードフレーム１３のインナ
ーリード１２と電気的に接続されている。インナーリー
ド１２は、ビン６との溶接部分において例えば円形の膨
らみ部２０を有し、膨らみ部２０中央に凹部７が形成さ
れている（第３図）、この膨らみ部２０が本実施例によ
るレーザ溶接方法により外部リードとなるビン６と溶接
され接続されている。半導体チップ８を保護するため全
体がモールド樹脂１１内に封止されている。
ドフレーム１３のアイランド９に半導体チップ８が搭載
され、半導体チップ８はボンディングワイヤ１０により
ＰＧＡの内部配線のためのリードフレーム１３のインナ
ーリード１２と電気的に接続されている。インナーリー
ド１２は、ビン６との溶接部分において例えば円形の膨
らみ部２０を有し、膨らみ部２０中央に凹部７が形成さ
れている（第３図）、この膨らみ部２０が本実施例によ
るレーザ溶接方法により外部リードとなるビン６と溶接
され接続されている。半導体チップ８を保護するため全
体がモールド樹脂１１内に封止されている。
次に、ＰＧＡの製造工程について説明する。
まず、リードフレーム１３及び凹部７の製造工程を第４
図を用いて説明する。同図は、第３図に示す膨らみ部２
０のＡ−ＡＩＩＲ面の製造工程を示す図である。
図を用いて説明する。同図は、第３図に示す膨らみ部２
０のＡ−ＡＩＩＲ面の製造工程を示す図である。
リードフレーム１３及び凹部７は、例えばケミカルエツ
チングにより同時に形成する。
チングにより同時に形成する。
初めに、リードフレーム部材２２の両面にレジストを塗
布してレジスト層２４を形成する（第４図（ａ））、こ
のレジスト層２４をマスクとして（第４図（ｂ））、リ
ードフレーム部材２２を両面からエツチングしてリード
フレーム１３及び凹部７を形成する（第４図（ｃ））。
布してレジスト層２４を形成する（第４図（ａ））、こ
のレジスト層２４をマスクとして（第４図（ｂ））、リ
ードフレーム部材２２を両面からエツチングしてリード
フレーム１３及び凹部７を形成する（第４図（ｃ））。
一般に使われている、リードフレーム用のエツチンダ液
の場合、リードフレーム片面だけのエツチングではリー
ドフレーム部材を完全に溶解することはできずハーフエ
ツチングされ、ある程度の深さまで溶解してそこで終わ
ってしまう、この場合、片面のみにレジストのある部分
では、レジストの無い面から部材断面の厚さに対し６０
パ一セント程度の半球状の凹部７が形成される（第４図
（ｄ））。
の場合、リードフレーム片面だけのエツチングではリー
ドフレーム部材を完全に溶解することはできずハーフエ
ツチングされ、ある程度の深さまで溶解してそこで終わ
ってしまう、この場合、片面のみにレジストのある部分
では、レジストの無い面から部材断面の厚さに対し６０
パ一セント程度の半球状の凹部７が形成される（第４図
（ｄ））。
次に、このようにして得られたリードフレーム１３のア
イランド９に半導体チップ８を搭載し、半導体チップ８
とインナーリード１２をボンディングワイヤ１０で接続
後、インナーリード１２とビン６について溶接部分であ
る凹部７にレーザ光を照射し溶接する。ａ後にモールド
樹脂１１により封止する。
イランド９に半導体チップ８を搭載し、半導体チップ８
とインナーリード１２をボンディングワイヤ１０で接続
後、インナーリード１２とビン６について溶接部分であ
る凹部７にレーザ光を照射し溶接する。ａ後にモールド
樹脂１１により封止する。
このようにして溶接部分に凹部７を設けることにより、
レーザ溶接による被溶接部材であるインナーリード１２
とピン６への熱的影響を小さくすることができる。この
ためインナーリード１２とピン６に残留応力や変形を発
生させること無く溶接ができ、インナーリード１２の変
形、跳ね上がりを防止できる。
レーザ溶接による被溶接部材であるインナーリード１２
とピン６への熱的影響を小さくすることができる。この
ためインナーリード１２とピン６に残留応力や変形を発
生させること無く溶接ができ、インナーリード１２の変
形、跳ね上がりを防止できる。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である０
例えば、凹部を形成する場合にケミカルエツチングでな
ぐ型押（コイニング）で形成してもよい。
例えば、凹部を形成する場合にケミカルエツチングでな
ぐ型押（コイニング）で形成してもよい。
また、本発明は上記実施例の被溶接部材に限らず他の被
溶接部材にも適用できる１例えば、リードフレーム同士
を溶接する場合には、一方のリードフレームに凹部を形
成しレーザ溶接する。また、リードフレームを放熱用ブ
ロックに溶接する場合には、リードフレームに凹部を形
成しレーザ溶接する。
溶接部材にも適用できる１例えば、リードフレーム同士
を溶接する場合には、一方のリードフレームに凹部を形
成しレーザ溶接する。また、リードフレームを放熱用ブ
ロックに溶接する場合には、リードフレームに凹部を形
成しレーザ溶接する。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、レーザ溶接による被溶接
部材への熱的影響を小さくすることができるから、被溶
接部材に残留応力や変形を発生させること無く溶接がで
きる。
部材への熱的影響を小さくすることができるから、被溶
接部材に残留応力や変形を発生させること無く溶接がで
きる。
第１図は本発明のレーザ溶接方法を示す図、第２図は本
発明の一実施例によるＰＧＡの断面図、 第３図は本発明の一実施例によるＰＧＡの平面図、 第４図は本発明の一実施例による溶接部の製造工程図、 第５図は従来のレーザ溶接方法を示す図である。 ９・・・アイランド １０・・・ボンディングワイヤ １１・・・モールド樹脂 １２・・・インナーリード １３・・・リードフレーム ２０・・・膨らみ部 ２２・・・リードフレーム部材 ２４・・・レジスト層 図において、 １・・・被溶接部材 ２・・・被溶接部材 ３・・・溶融部分 ４・・・溶接部分 ５・・・溶融部分 ６・・・ビン ７・・・凹部 ８・・・半導体チップ
発明の一実施例によるＰＧＡの断面図、 第３図は本発明の一実施例によるＰＧＡの平面図、 第４図は本発明の一実施例による溶接部の製造工程図、 第５図は従来のレーザ溶接方法を示す図である。 ９・・・アイランド １０・・・ボンディングワイヤ １１・・・モールド樹脂 １２・・・インナーリード １３・・・リードフレーム ２０・・・膨らみ部 ２２・・・リードフレーム部材 ２４・・・レジスト層 図において、 １・・・被溶接部材 ２・・・被溶接部材 ３・・・溶融部分 ４・・・溶接部分 ５・・・溶融部分 ６・・・ビン ７・・・凹部 ８・・・半導体チップ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の溶接部材に板状の第２の溶接部材を密着させ、溶
接部分にレーザ光を照射して溶接するレーザ溶接方法に
おいて、 前記第２の溶接部材の溶接部分を薄く加工し、前記第２
の溶接部材の溶接部分にレーザ光を照射することにより 前記第１の溶接部材と第２の溶接部材を溶接することを
特徴とするレーザ溶接方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294334A JPH03155487A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | レーザ溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294334A JPH03155487A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | レーザ溶接方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155487A true JPH03155487A (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=17806360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1294334A Pending JPH03155487A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | レーザ溶接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03155487A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5299965A (en) * | 1991-12-28 | 1994-04-05 | Goldstar Co., Ltd. | Laser welding method for preparation of electron gun of color cathode-ray tube |
| JP2009090349A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 羽根車の溶接方法及び溶接装置 |
| JP2023008253A (ja) * | 2021-07-05 | 2023-01-19 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226195A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Toshiba Corp | 溶融接合方法 |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP1294334A patent/JPH03155487A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226195A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Toshiba Corp | 溶融接合方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5299965A (en) * | 1991-12-28 | 1994-04-05 | Goldstar Co., Ltd. | Laser welding method for preparation of electron gun of color cathode-ray tube |
| JP2009090349A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 羽根車の溶接方法及び溶接装置 |
| US8426766B2 (en) | 2007-10-10 | 2013-04-23 | Hitachi Plant Technologies, Ltd. | Welding method and welding apparatus for an impeller |
| JP2023008253A (ja) * | 2021-07-05 | 2023-01-19 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
| US12581964B2 (en) | 2021-07-05 | 2026-03-17 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame, semiconductor device, and lead frame manufacturing method |
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