JPH031554A - 半導体ウエハー搬送用クリーンボックス - Google Patents
半導体ウエハー搬送用クリーンボックスInfo
- Publication number
- JPH031554A JPH031554A JP1135655A JP13565589A JPH031554A JP H031554 A JPH031554 A JP H031554A JP 1135655 A JP1135655 A JP 1135655A JP 13565589 A JP13565589 A JP 13565589A JP H031554 A JPH031554 A JP H031554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner cover
- inert gas
- gas
- moisture
- clean box
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体ウェハーをクリーンルームから別のク
リーンルームへ運ぶ際に半導体ウェハーを入れるクリー
ンボックスに関するものである。
リーンルームへ運ぶ際に半導体ウェハーを入れるクリー
ンボックスに関するものである。
〈従来の技術〉
第２図は従来のクリーンボックスの断面構造を示してお
り、底板１１の上に箱形の外蓋１２とこの外蓋１２の内
側に同じ（箱形の内蓋１３が置かれ、内蓋１３の内部に
ウェハーキャリヤー１４内に多数枚重ねて半導体ウェハ
ー１５が置かれる。
り、底板１１の上に箱形の外蓋１２とこの外蓋１２の内
側に同じ（箱形の内蓋１３が置かれ、内蓋１３の内部に
ウェハーキャリヤー１４内に多数枚重ねて半導体ウェハ
ー１５が置かれる。
この従来のクリーンボックスにおいては、底板１１、外
Ｍ１２並びに内蓋１３が全てプラスチックを材料として
形成されている。
Ｍ１２並びに内蓋１３が全てプラスチックを材料として
形成されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記従来のクリーンボックスにおいては、内蓋１３の内
部は塵埃に対して高い清浄度を保持することができる。
部は塵埃に対して高い清浄度を保持することができる。
しかし、全体がプラスチックで形成されているため、そ
の多孔質であるプラスチックに対する水分やガスの吸着
は避けられず、したがって、内蓋１３の内部が水分やガ
スによる汚染が生じるという問題があった。
の多孔質であるプラスチックに対する水分やガスの吸着
は避けられず、したがって、内蓋１３の内部が水分やガ
スによる汚染が生じるという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的は、塵埃だけでなく水分やガスによる汚染をも防止し
た半導体ウェハー搬送用クリーンボックスを提供するこ
とである。
的は、塵埃だけでなく水分やガスによる汚染をも防止し
た半導体ウェハー搬送用クリーンボックスを提供するこ
とである。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、本発明は、清浄な環境にあ
る内蓋の内部に半導体ウェハーを入れて搬送するための
クリーンボックスにおいて、耐熱性と導電性を有する無
機化合物あるいは金属からなる内蓋と、この内蓋内に不
活性ガスを導入する不活性ガス導入口とを備えたことを
特徴としている。
る内蓋の内部に半導体ウェハーを入れて搬送するための
クリーンボックスにおいて、耐熱性と導電性を有する無
機化合物あるいは金属からなる内蓋と、この内蓋内に不
活性ガスを導入する不活性ガス導入口とを備えたことを
特徴としている。
〈作用〉
本発明においては、耐熱性および導電性を有する材料か
らなる内蓋は、高温の熱処理により吸着水分や吸着ガス
を除去することができ、さらに、静電気の影響を少なく
して集塵効果を防止する。
らなる内蓋は、高温の熱処理により吸着水分や吸着ガス
を除去することができ、さらに、静電気の影響を少なく
して集塵効果を防止する。
したがって、塵埃だけでなく水分やガスに対しても高い
清浄度を保持することができる。
清浄度を保持することができる。
〈実施例〉
第１図は本実施例の半導体ウェハー搬送用クリーンボッ
クスの断面構造を示している。図において、１は底板、
２は外蓋、３は内蓋、４はウェハーキャリヤー、５は半
導体ウェハー、６は不活性ガス導入口、７は不活性ガス
排出口である。
クスの断面構造を示している。図において、１は底板、
２は外蓋、３は内蓋、４はウェハーキャリヤー、５は半
導体ウェハー、６は不活性ガス導入口、７は不活性ガス
排出口である。
底板１の上に箱形の外蓋２とその内側に箱形の内Ｍ３が
置かれ、内蓋３の内部にウェハーキャリヤー４内に多数
枚重ねて半導体ウェハー５が置かれた構造は、従来のク
リーンボックスと同様である。
置かれ、内蓋３の内部にウェハーキャリヤー４内に多数
枚重ねて半導体ウェハー５が置かれた構造は、従来のク
リーンボックスと同様である。
従来と異なるのは、内蓋３及び底板１が耐熱性と導電性
とを有する高純度の５ｉＣ（炭化ケイ素）を材料として
形成されている点と、内蓋３の内部に通じる不活性ガス
導入口６と不活性ガス排出ロアが形成されている点であ
る。
とを有する高純度の５ｉＣ（炭化ケイ素）を材料として
形成されている点と、内蓋３の内部に通じる不活性ガス
導入口６と不活性ガス排出ロアが形成されている点であ
る。
ＳｉＣは、耐熱性を有するため、高温の熱処理が可能で
ある。したがって、内蓋３と底板１とは、熱処理を行う
ことによって、吸着水分及び吸着ガスを除去することが
できる。また、導電性であるため、静電気の影響が少な
く、集塵効果を防止することができる。この結果、内Ｍ
３の内部は、塵埃、水分およびガスによる汚染の少ない
極めて高い清浄度の環境が形成できる。
ある。したがって、内蓋３と底板１とは、熱処理を行う
ことによって、吸着水分及び吸着ガスを除去することが
できる。また、導電性であるため、静電気の影響が少な
く、集塵効果を防止することができる。この結果、内Ｍ
３の内部は、塵埃、水分およびガスによる汚染の少ない
極めて高い清浄度の環境が形成できる。
さらに、内蓋３の内部に不活性ガス導入口６及び不活性
ガス排出ロアを通じて水分濃度の低い高純度な不活性ガ
ス（例えばＮ２やＡ、など）を流すことにより、高清浄
度を長時間にわたって維持することができる。
ガス排出ロアを通じて水分濃度の低い高純度な不活性ガ
ス（例えばＮ２やＡ、など）を流すことにより、高清浄
度を長時間にわたって維持することができる。
なお、内蓋３と底板１とを形成する材料として、上記実
施例のＳｉＣは高純度ＣＶＤ技術によって作製したもの
を用いるのが望ましい。また、ＳｉＣだけでなく、耐熱
性と導電性を有する他の無機化合物や金属などを材料と
して用いることができる。
施例のＳｉＣは高純度ＣＶＤ技術によって作製したもの
を用いるのが望ましい。また、ＳｉＣだけでなく、耐熱
性と導電性を有する他の無機化合物や金属などを材料と
して用いることができる。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明においては、内蓋を耐熱性
と導電性を有する材料で形成し、高温の熱処理によって
吸着水分及びガスを除去するとともに、静電気の影響を
少なくしたので、クリーンボックス内部の清浄度を高め
ることができる。したがって、トランジスタを高集積化
する場合に有害となる塵埃、水分あるいはガスなどによ
る汚染の少ない環境を低コストで作り出すことができる
。
と導電性を有する材料で形成し、高温の熱処理によって
吸着水分及びガスを除去するとともに、静電気の影響を
少なくしたので、クリーンボックス内部の清浄度を高め
ることができる。したがって、トランジスタを高集積化
する場合に有害となる塵埃、水分あるいはガスなどによ
る汚染の少ない環境を低コストで作り出すことができる
。
第１図は本発明実施例の断面構造を示す図、第２図は従
来例の断面構造を示す図である。 １・・・底板 ２・・・外蓋 ３・・・内蓋 ウェハーキャリヤー 半導体ウェハー 不活性ガス導入口 不活性ガス排出口
来例の断面構造を示す図である。 １・・・底板 ２・・・外蓋 ３・・・内蓋 ウェハーキャリヤー 半導体ウェハー 不活性ガス導入口 不活性ガス排出口
Claims (1)
- 清浄な環境にある内蓋の内部に半導体ウェハーを入れて
搬送するためのクリーンボックスにおいて、耐熱性と導
電性を有する無機化合物あるいは金属からなる内蓋と、
この内蓋内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入口と
を備えたことを特徴とする半導体ウェハー搬送用クリー
ンボックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135655A JPH031554A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 半導体ウエハー搬送用クリーンボックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1135655A JPH031554A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 半導体ウエハー搬送用クリーンボックス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH031554A true JPH031554A (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=15156861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1135655A Pending JPH031554A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 半導体ウエハー搬送用クリーンボックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH031554A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10112496A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体ウエハの保存方法および収容装置 |
| WO1999054927A1 (fr) * | 1998-04-16 | 1999-10-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de stockage de materiau non traite et etage d'entree/sortie |
| KR20120079866A (ko) | 2011-01-06 | 2012-07-16 | 주식회사 케이씨씨 | 가수분해성 금속함유 공중합체, 그 제조방법 및 이를 포함하는 방오도료 조성물 |
| WO2014107818A3 (de) * | 2013-01-09 | 2014-12-31 | Tec-Sem Ag | Lagerungsvorrichtung zur lagerung und/oder zum transport von objekten aus der fertigung von elektronischen bauteilen |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP1135655A patent/JPH031554A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10112496A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-28 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体ウエハの保存方法および収容装置 |
| WO1999054927A1 (fr) * | 1998-04-16 | 1999-10-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de stockage de materiau non traite et etage d'entree/sortie |
| KR20120079866A (ko) | 2011-01-06 | 2012-07-16 | 주식회사 케이씨씨 | 가수분해성 금속함유 공중합체, 그 제조방법 및 이를 포함하는 방오도료 조성물 |
| WO2014107818A3 (de) * | 2013-01-09 | 2014-12-31 | Tec-Sem Ag | Lagerungsvorrichtung zur lagerung und/oder zum transport von objekten aus der fertigung von elektronischen bauteilen |
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