JPH03156752A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03156752A JPH03156752A JP29685789A JP29685789A JPH03156752A JP H03156752 A JPH03156752 A JP H03156752A JP 29685789 A JP29685789 A JP 29685789A JP 29685789 A JP29685789 A JP 29685789A JP H03156752 A JPH03156752 A JP H03156752A
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- magnetic
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
この発明は、光変調ダイレクト・オーバーライド可能な
光磁気媒体に関するものである。
光磁気媒体に関するものである。
第3図(al 、 (blおよび(clは、各々例えば
刊行物(第34回応用物理学関係連合講演会予稿集、1
987竿春季、28P−ZL−3)に示された従来の光
記録再生装置の要部構成斜視図、記録担体の光記録再生
状態を示す要部断面図および、記録担体の領域における
記録用のレーザパワー変化を示す特性図である。図にお
いて、(1)は光磁気記録担体、(2)はガラス又はプ
ラスチックからなる基板、(3)は第1磁性層、(4)
は第2磁性層であり、記録担体(1)は、基板(2)、
第1磁性層(3)および第2磁性層(4)で構成されて
おり、さらに第1磁性層(3)と第2磁性層(4)の間
には交換結合力が働いており、この交換結合力は両磁性
層(3+ 、 +41のそれぞれの磁化方向を等しくす
るように働らく。(5)はレーザービームを情報担体(
1)へ照射する対物レンズ、(6)は対物レンズ(5)
により収束せられた集光スポット、(7)は第1磁性層
(3)に記録された情報のうち、第1磁性層(3)の磁
化方向が第3図fbl中、上向きの部分をこの場合二値
化データの′1”としてその舶載をボしている。(9)
は第2磁性層(4)を初期磁化するための50000e
程度の磁界を発生する初期化磁石、(8)は情報担体(
1)をはさんで、対物レンズ(5)と対向する位置に設
けられ200〜6000eの磁界を発生するバイアス磁
石である。又、第3図(clにおけるRsは、情報1を
記録するためのレーザパワー、Reは、情報0を記録す
るためのレーザパワー縦軸はレーザパワーを横軸は傾城
を示し、第3図(a)において、−点鎖線に対して左は
新データ(DN)を右は旧データ(Do)を示す。
刊行物(第34回応用物理学関係連合講演会予稿集、1
987竿春季、28P−ZL−3)に示された従来の光
記録再生装置の要部構成斜視図、記録担体の光記録再生
状態を示す要部断面図および、記録担体の領域における
記録用のレーザパワー変化を示す特性図である。図にお
いて、(1)は光磁気記録担体、(2)はガラス又はプ
ラスチックからなる基板、(3)は第1磁性層、(4)
は第2磁性層であり、記録担体(1)は、基板(2)、
第1磁性層(3)および第2磁性層(4)で構成されて
おり、さらに第1磁性層(3)と第2磁性層(4)の間
には交換結合力が働いており、この交換結合力は両磁性
層(3+ 、 +41のそれぞれの磁化方向を等しくす
るように働らく。(5)はレーザービームを情報担体(
1)へ照射する対物レンズ、(6)は対物レンズ(5)
により収束せられた集光スポット、(7)は第1磁性層
(3)に記録された情報のうち、第1磁性層(3)の磁
化方向が第3図fbl中、上向きの部分をこの場合二値
化データの′1”としてその舶載をボしている。(9)
は第2磁性層(4)を初期磁化するための50000e
程度の磁界を発生する初期化磁石、(8)は情報担体(
1)をはさんで、対物レンズ(5)と対向する位置に設
けられ200〜6000eの磁界を発生するバイアス磁
石である。又、第3図(clにおけるRsは、情報1を
記録するためのレーザパワー、Reは、情報0を記録す
るためのレーザパワー縦軸はレーザパワーを横軸は傾城
を示し、第3図(a)において、−点鎖線に対して左は
新データ(DN)を右は旧データ(Do)を示す。
次に動作について説明する。記録担体(1)は図示して
いない保持駆動機構により、第3図(alおよびfbl
中の矢印a方向に回転駆動されている。第1磁性層(3
)は例えばTbzx Fey*から成る一般的な光磁気
ディスクに用いられる情報担体の記録層と同様な性質の
もので、ここでも記録層および読み出し層として作用す
る。第2磁性層(4)は例えばGdz4TbsFets
から成る補助層と呼ばれるもので、オーバーライド性能
、すなわち旧データ上に新データをリアルタイムで虫ね
書きする性能を発揮すべく設けられている。ここで、第
1磁性層(3)と第2磁性層(4)の特性は、そのキュ
IJ−温度をそれぞれTel。
いない保持駆動機構により、第3図(alおよびfbl
中の矢印a方向に回転駆動されている。第1磁性層(3
)は例えばTbzx Fey*から成る一般的な光磁気
ディスクに用いられる情報担体の記録層と同様な性質の
もので、ここでも記録層および読み出し層として作用す
る。第2磁性層(4)は例えばGdz4TbsFets
から成る補助層と呼ばれるもので、オーバーライド性能
、すなわち旧データ上に新データをリアルタイムで虫ね
書きする性能を発揮すべく設けられている。ここで、第
1磁性層(3)と第2磁性層(4)の特性は、そのキュ
IJ−温度をそれぞれTel。
Tct、室温付近における保磁力をそれぞれHcr(*
)(c2 、室温における交換結合力をそれぞれHwl
。
)(c2 、室温における交換結合力をそれぞれHwl
。
Hwzとすると、次の関係が成り立つ。
Tct < Tct
Hct−Hwx>Hcz+Hwz (Ptypeの
場合)ここで、まず記録層すなわち第1磁性層(3)に
記録された情報を再生する場合について説明する。
場合)ここで、まず記録層すなわち第1磁性層(3)に
記録された情報を再生する場合について説明する。
第3図(blに示すように第1磁性層(3)は、その膜
厚方向に2値コードすなわち°1”、10″′に対応し
た方向に図において上向きまたはF向きに磁化されてい
る。再生時には、この第1磁性IS! +31に集光ス
ポット(6)を照射し、集光スポット(6)の照射部の
第1磁性層(3)の磁化方向を、従来より良く知られた
光力−効果により光学的情報に変換することによって性
報担体(1)から情報を検知している。この時、記録担
体(1)に照射するレーザー強度は、第4図のレーザー
ビームパワーによるスポット内での磁性膜温度変化を示
す特性図に示す強度Aに相当する強度であり、この強度
では集光スポット(6)照射部の第1磁性層(3)およ
び第2磁性層(4)の最高上昇温度は、第1磁性II!
+31および第2磁性層+41のキュリー湿度TC1
,TCtに到達しない。したがって、集光スポット照射
により磁化方向すなわち記録情報が消されることはない
。
厚方向に2値コードすなわち°1”、10″′に対応し
た方向に図において上向きまたはF向きに磁化されてい
る。再生時には、この第1磁性IS! +31に集光ス
ポット(6)を照射し、集光スポット(6)の照射部の
第1磁性層(3)の磁化方向を、従来より良く知られた
光力−効果により光学的情報に変換することによって性
報担体(1)から情報を検知している。この時、記録担
体(1)に照射するレーザー強度は、第4図のレーザー
ビームパワーによるスポット内での磁性膜温度変化を示
す特性図に示す強度Aに相当する強度であり、この強度
では集光スポット(6)照射部の第1磁性層(3)およ
び第2磁性層(4)の最高上昇温度は、第1磁性II!
+31および第2磁性層+41のキュリー湿度TC1
,TCtに到達しない。したがって、集光スポット照射
により磁化方向すなわち記録情報が消されることはない
。
次にオーバーライドの動作について説明する。
第3図における初期化磁石(9)は、図中に示す矢印す
の方向(上向き)に大きさH4n1なる磁場を発生する
。この磁場Hiniは、第1磁性層(3)および第2磁
性層(4)の保磁力、および交換結合力に対して、Hc
t −Hwl ) Hini ) Hcz+ Hwzな
る関係を有している。その結果、第3図(blに示すよ
うに情報担体(1)が矢印a方向に回転した時、初期化
磁石(9)部を通過した第2磁性層(4)の磁化方向は
、第1磁性@(3)の磁化方向にかかわらす、全て上向
きに磁化される。この時、第1磁性層(3;の磁化方向
は、初期化磁石の磁場もしくは、第2磁性層(4)から
働らく交換結合力によっては、室温近くでは影響を受け
ず、そのままの法帖を保持する。
の方向(上向き)に大きさH4n1なる磁場を発生する
。この磁場Hiniは、第1磁性層(3)および第2磁
性層(4)の保磁力、および交換結合力に対して、Hc
t −Hwl ) Hini ) Hcz+ Hwzな
る関係を有している。その結果、第3図(blに示すよ
うに情報担体(1)が矢印a方向に回転した時、初期化
磁石(9)部を通過した第2磁性層(4)の磁化方向は
、第1磁性@(3)の磁化方向にかかわらす、全て上向
きに磁化される。この時、第1磁性層(3;の磁化方向
は、初期化磁石の磁場もしくは、第2磁性層(4)から
働らく交換結合力によっては、室温近くでは影響を受け
ず、そのままの法帖を保持する。
情報”1”を記録する時、すなわち第1磁性層(3)の
磁化方向を上向きとする時のレーザービーム強度は、第
4図における強度BK柑相当る。この時、集光スポット
(6)内の部分は温度上昇して、第1磁性層(3)のキ
ュリー湿度Telを越えるが、第2磁性層(4)のキュ
リー湿度Tc2には達しない。その結果、第1磁性層(
3)の磁化は消失するが、第2磁性1iii +41の
磁化方向は初期化磁石f8+により磁化された上向きの
ままである。そして、ディスクが回転して集光スポット
(6)に照射されなくなり、第1磁性II(31の温度
がそのキュリー温度Tclより下降する段階で、第2磁
性層(4)の磁化方向が第1磁性層(3)に転写され、
第1磁性@(3)の磁化方向は上向き、すなわち情報”
1′に相当する向きとなる。
磁化方向を上向きとする時のレーザービーム強度は、第
4図における強度BK柑相当る。この時、集光スポット
(6)内の部分は温度上昇して、第1磁性層(3)のキ
ュリー湿度Telを越えるが、第2磁性層(4)のキュ
リー湿度Tc2には達しない。その結果、第1磁性層(
3)の磁化は消失するが、第2磁性1iii +41の
磁化方向は初期化磁石f8+により磁化された上向きの
ままである。そして、ディスクが回転して集光スポット
(6)に照射されなくなり、第1磁性II(31の温度
がそのキュリー温度Tclより下降する段階で、第2磁
性層(4)の磁化方向が第1磁性層(3)に転写され、
第1磁性@(3)の磁化方向は上向き、すなわち情報”
1′に相当する向きとなる。
情報”0゛を記録する時、すなわち第1磁性層(3)の
磁化方向をr向きとする時のレーザービーム強度は、第
100図における強度CK相当する。この時、集光スポ
ット(6)内の部分は湿度上昇して、第1磁性層(3)
のキュリー温度Tc4たけでなく、第2磁性層(4)の
キュリー温度Tc2も越える。その結果、第1磁性層(
3)、第2磁性層(4)共に集光スポット(6)内の磁
化は消失する。そして、ディスクが回転して集光スポッ
ト(6)に照射されな(なり、第2磁性@(4)の温度
がそのキュリー温度Tc2よりも下降する段階で、バイ
アス磁石(9)による第3図中の矢印Cの方向(下向き
)に印加された弱い磁場により、第2磁性層(4)の磁
化方向は下向きになる。さらに、第1磁性層(3)の温
度がそのキュリー温度Tc1より下降する段階で、第2
磁性層(4)の磁化方向が第1磁性層(3)に転写され
、第1磁性層(3)の磁化方向は下向き、すなわち情報
°0”に相当する向きとなる。
磁化方向をr向きとする時のレーザービーム強度は、第
100図における強度CK相当する。この時、集光スポ
ット(6)内の部分は湿度上昇して、第1磁性層(3)
のキュリー温度Tc4たけでなく、第2磁性層(4)の
キュリー温度Tc2も越える。その結果、第1磁性層(
3)、第2磁性層(4)共に集光スポット(6)内の磁
化は消失する。そして、ディスクが回転して集光スポッ
ト(6)に照射されな(なり、第2磁性@(4)の温度
がそのキュリー温度Tc2よりも下降する段階で、バイ
アス磁石(9)による第3図中の矢印Cの方向(下向き
)に印加された弱い磁場により、第2磁性層(4)の磁
化方向は下向きになる。さらに、第1磁性層(3)の温
度がそのキュリー温度Tc1より下降する段階で、第2
磁性層(4)の磁化方向が第1磁性層(3)に転写され
、第1磁性層(3)の磁化方向は下向き、すなわち情報
°0”に相当する向きとなる。
以上の様な動作により、オーバーライド時には、レーザ
ービーム強度をin報の2値コード10”、11′に応
じて、第4図における強度Bと強度Cとに強度変調する
ことにより、旧データ上にリアルタイムで唄ね書きが可
能である。従来の光磁気記録担体は以上のように構成さ
れているので、大きな磁場を有する初期化磁石を用いな
ければならず、光デイスク録再装置全体の構成が複雑に
なり、同装置か大型化することなどの課題があった。
ービーム強度をin報の2値コード10”、11′に応
じて、第4図における強度Bと強度Cとに強度変調する
ことにより、旧データ上にリアルタイムで唄ね書きが可
能である。従来の光磁気記録担体は以上のように構成さ
れているので、大きな磁場を有する初期化磁石を用いな
ければならず、光デイスク録再装置全体の構成が複雑に
なり、同装置か大型化することなどの課題があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の光磁気記録媒体は室温における第2層の反転磁界
が3KOe以上と大きいため、少な(とも3KOe I
2を上の磁界を発生する初期化磁石を必要とし、そのた
め録再装置の形状が大きくなり、さらに大きな初期化磁
界が録再装置の動作に悪影響を与えるなどの問題点があ
った。
が3KOe以上と大きいため、少な(とも3KOe I
2を上の磁界を発生する初期化磁石を必要とし、そのた
め録再装置の形状が大きくなり、さらに大きな初期化磁
界が録再装置の動作に悪影響を与えるなどの問題点があ
った。
この発明は上記のような問題点を峡消するためになされ
たもので、初期化磁界が充分に小さくとも、オーバーラ
イド可能な媒体を得ることを目的とする。
たもので、初期化磁界が充分に小さくとも、オーバーラ
イド可能な媒体を得ることを目的とする。
この発明は垂直磁気異方性を有する第1磁性層、この第
1磁性層に設けられ上記第1磁性層と交換力で結合され
た第2磁性層、この第2磁性層に設けられ上記第2磁性
層と交換力で結合された第3磁性層、この第3磁性層に
設けられ上記第3磁性層と交換力で結合された第4磁性
層を備え。
1磁性層に設けられ上記第1磁性層と交換力で結合され
た第2磁性層、この第2磁性層に設けられ上記第2磁性
層と交換力で結合された第3磁性層、この第3磁性層に
設けられ上記第3磁性層と交換力で結合された第4磁性
層を備え。
Tct< Tcz t Tcs< Tcte Tel<
T0n * Tcs< Tc4を満たし、かつ室温に
て次の3条件を満足する。
T0n * Tcs< Tc4を満たし、かつ室温に
て次の3条件を満足する。
(イ)初期1し磁1Hini 中において、第3磁性
層とp鵠− 第4磁性層のホ楔副格子磁化は同じ方向である。
層とp鵠− 第4磁性層のホ楔副格子磁化は同じ方向である。
(ロ)第1磁性層の遷移金属副格子磁化に対して濃化か
第1磁性層の遷11格子磁化と平行な状態か予磁化と平
行の状態から反平行の状態に遷移する磁界H1は Hz < Hl なる関係を満たす。
第1磁性層の遷11格子磁化と平行な状態か予磁化と平
行の状態から反平行の状態に遷移する磁界H1は Hz < Hl なる関係を満たす。
副格子磁化が第1磁性層の遷移金属副格子磁化と平行な
い。
い。
に)室温にて第1磁性層の磁化は第2磁性層の磁化反転
により反転しない。
により反転しない。
光磁気記録媒体を提供する。
を作用]
この発明における光磁気記録媒体は、第2層を室温付近
にて一定方向を向かせるべく作用する第3層と第41層
を備えることにより、小さな初期化磁界で円滑にオーバ
ーライド動作を達成する。
にて一定方向を向かせるべく作用する第3層と第41層
を備えることにより、小さな初期化磁界で円滑にオーバ
ーライド動作を達成する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図(a)および(blは、各々本発明の光磁気記録媒体
を備えた光磁気記録装置の要部構成斜視図、本発明の光
磁気記録媒体の光記録再生状態を示す部分断面図である
。図において(5)〜(9)に関しては従来例と同様で
ある。(10は本発明の一実施例の光磁気記録媒体であ
る。光磁気記録媒体001は、透明基板dllとそれに
成膜された第1磁性層u7J、第2磁性層(131、第
3磁性層圓および第4磁性層q51より構成されている
。ここで、上記の4層の磁性層qz〜u9は、互いに交
換結合している。
図(a)および(blは、各々本発明の光磁気記録媒体
を備えた光磁気記録装置の要部構成斜視図、本発明の光
磁気記録媒体の光記録再生状態を示す部分断面図である
。図において(5)〜(9)に関しては従来例と同様で
ある。(10は本発明の一実施例の光磁気記録媒体であ
る。光磁気記録媒体001は、透明基板dllとそれに
成膜された第1磁性層u7J、第2磁性層(131、第
3磁性層圓および第4磁性層q51より構成されている
。ここで、上記の4層の磁性層qz〜u9は、互いに交
換結合している。
特に上記の4層の磁性層tIZ S卵は、いずれも希土
類−遷移金属の合金で構成されている場合が有効である
。
類−遷移金属の合金で構成されている場合が有効である
。
上記4層ともすべて希土類−遷移金属の合金組成から選
択された場合には、各合金としての外部に現れる磁化の
向き及び大きさは合金内部の遷移金属原子(B’FTM
と略す)の副格子磁化(単位体積あたりの磁気モーメン
ト)の向き及び大きさと、希土ω金属(以下REと略す
)の副格子磁化の向き及び大きさとの関係で決まる。例
えばTMの副格子磁化の向き及び大きさを点線のベクト
ル↑で表わし、REの副格子磁化のそれを実線のベクト
ル↑で表わし、合金全体の磁化の向き及び大きさを二重
実線のベクトル↑で表わす。このときベクトル↑はベク
トル↑とベクトル↑との和として表わされる。たたし、
合金の中では7M副格子磁化とRE副格子磁化との相互
作用のためにベクトル↑とベクトル↑とは向きが必ず逆
になっている。従って↓と↑との和、或いは↓と↑との
和は両者の強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ(
つまり外部に現れる磁化の大きさはゼロ)になる。この
ゼロになるときの合金組成は補償組成(compasa
tion composition)と呼ばれる。それ
以外の組成のときには合金は両副格子磁化の強度差に等
しい強度を有し、いずれか大きい方のベクトルの向きに
等しい向きを(8又は?)有する。このベクトルの磁化
が外部に現われる。例えば↑↓は?となり↑↓は集とな
る。
択された場合には、各合金としての外部に現れる磁化の
向き及び大きさは合金内部の遷移金属原子(B’FTM
と略す)の副格子磁化(単位体積あたりの磁気モーメン
ト)の向き及び大きさと、希土ω金属(以下REと略す
)の副格子磁化の向き及び大きさとの関係で決まる。例
えばTMの副格子磁化の向き及び大きさを点線のベクト
ル↑で表わし、REの副格子磁化のそれを実線のベクト
ル↑で表わし、合金全体の磁化の向き及び大きさを二重
実線のベクトル↑で表わす。このときベクトル↑はベク
トル↑とベクトル↑との和として表わされる。たたし、
合金の中では7M副格子磁化とRE副格子磁化との相互
作用のためにベクトル↑とベクトル↑とは向きが必ず逆
になっている。従って↓と↑との和、或いは↓と↑との
和は両者の強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ(
つまり外部に現れる磁化の大きさはゼロ)になる。この
ゼロになるときの合金組成は補償組成(compasa
tion composition)と呼ばれる。それ
以外の組成のときには合金は両副格子磁化の強度差に等
しい強度を有し、いずれか大きい方のベクトルの向きに
等しい向きを(8又は?)有する。このベクトルの磁化
が外部に現われる。例えば↑↓は?となり↑↓は集とな
る。
ある合金組成の7M副格子磁化とRE副格子磁化の各ベ
クトルの強度がどちらか一方が大きいとき、その合金組
成は強度の大きい方の副格子磁化の名をとって例えばR
Eリッチであると呼ぶこととする。上記の4磁性層u2
1S(151についてT M IJプツチ組成とREリ
ッチな組成とに分けられる。
クトルの強度がどちらか一方が大きいとき、その合金組
成は強度の大きい方の副格子磁化の名をとって例えばR
Eリッチであると呼ぶこととする。上記の4磁性層u2
1S(151についてT M IJプツチ組成とREリ
ッチな組成とに分けられる。
例えば、上記の4磁性層1121− [5)は、ガラス
基板上にスパッター法等で形成され、 第1磁性層: To2s (Fe eoco to
) 77 800A (補償組成1第3磁性層:
TbtsFeu 100A [TM
リッチ]第4磁性層: TbzsCots
300A [REリッチ〕のフェリ磁性体から
なる。互いに隣接する磁性層は交換力で結合している。
基板上にスパッター法等で形成され、 第1磁性層: To2s (Fe eoco to
) 77 800A (補償組成1第3磁性層:
TbtsFeu 100A [TM
リッチ]第4磁性層: TbzsCots
300A [REリッチ〕のフェリ磁性体から
なる。互いに隣接する磁性層は交換力で結合している。
第4磁性@(151は室温では7KOeの保磁力を督し
、また室温から300℃程度まで7000e 以上の
保磁力を有する。そのため、室温付近においては初期化
磁界により磁化反転することはな(、また記録時のレー
ザ照射による湿度上昇に対しても磁化反転しない。した
かって、成膜後にただ一度たけ電磁石等により第4磁性
層(15+の全体の磁化方向を例えば上向きに磁化して
おけば、半永久的にその方向を保つことができる。
、また室温から300℃程度まで7000e 以上の
保磁力を有する。そのため、室温付近においては初期化
磁界により磁化反転することはな(、また記録時のレー
ザ照射による湿度上昇に対しても磁化反転しない。した
かって、成膜後にただ一度たけ電磁石等により第4磁性
層(15+の全体の磁化方向を例えば上向きに磁化して
おけば、半永久的にその方向を保つことができる。
ただ、この一実施例における第4磁性層は120℃付近
で補償組成となり、それ以上の温度ではTMリッチとな
り、見かけの磁化方向は下向きとなるが、これは全体の
磁化方向が温度と共に符号が変化したもので磁化反転で
はない。上記で用いた「磁化反転」とは、副格子磁化が
反転することを表現している。第4磁性層+15)の全
体の磁化が上向きに磁化されるとは、第4磁性層uSの
7M副格子磁化が下向きに磁化されることであり、この
下向きの7M副格子磁化は半永久的に下向きを保つ。と
ころで隣接する磁性層間に働らく交換力とは、互いのT
M g11格子磁化方向を等しくするように働らく。
で補償組成となり、それ以上の温度ではTMリッチとな
り、見かけの磁化方向は下向きとなるが、これは全体の
磁化方向が温度と共に符号が変化したもので磁化反転で
はない。上記で用いた「磁化反転」とは、副格子磁化が
反転することを表現している。第4磁性層+15)の全
体の磁化が上向きに磁化されるとは、第4磁性層uSの
7M副格子磁化が下向きに磁化されることであり、この
下向きの7M副格子磁化は半永久的に下向きを保つ。と
ころで隣接する磁性層間に働らく交換力とは、互いのT
M g11格子磁化方向を等しくするように働らく。
第4磁性層印の7M副格子磁化が常に下を向いていると
いうことは、交換力により、第3磁性層(141を介し
て、第2磁性層(13)の7M副格子磁化を下向きにす
る向きに常に力が働らいていることを意味する。
いうことは、交換力により、第3磁性層(141を介し
て、第2磁性層(13)の7M副格子磁化を下向きにす
る向きに常に力が働らいていることを意味する。
第3磁性層圓の特徴は次の2点である。
1)膜厚が非常に薄い
2)キュリー温度が低い。
まず、膜厚か非常に薄いため、極めて交換力の影響を強
く受け、第3磁性層(14)の7M副格子磁化は、第4
磁性層(151の7M副格子磁化と同じ向き、すなわち
丁向きになる。ここで、第3磁性層(141は、第4磁
性層u9だけでなく第2磁性層りとも交換結合している
が、第4磁性層051との交換結合がより強いため、第
4磁性@ (151K Illう。このF向きに磁化さ
れた第3磁性層圓の7M副格子磁化は、第2磁性層i1
3の7M副格子磁化を下向きにするように交換結合して
いる。したがって、結局第4磁性層(19からの交換結
合は第3磁性層圓を介して、第2磁性層(13に働らく
。しかし、この交換結合は常に働らくわけではない。な
ぜなら第3磁性層圓のキュリー温度は約100℃と低(
、記録時においてレーザー照射により媒体温度が100
℃を越えた時には、上記の交換結合は働らかない。この
ように、第4磁性層(151から第2磁性@ti31に
働らく交換結合は、第3磁性層圓によりオン・オフされ
る。すなわち、媒体温度が第3磁性層(喝のキュリー温
度より高い時はオフ、低い時にはオンの状態になる。
く受け、第3磁性層(14)の7M副格子磁化は、第4
磁性層(151の7M副格子磁化と同じ向き、すなわち
丁向きになる。ここで、第3磁性層(141は、第4磁
性層u9だけでなく第2磁性層りとも交換結合している
が、第4磁性層051との交換結合がより強いため、第
4磁性@ (151K Illう。このF向きに磁化さ
れた第3磁性層圓の7M副格子磁化は、第2磁性層i1
3の7M副格子磁化を下向きにするように交換結合して
いる。したがって、結局第4磁性層(19からの交換結
合は第3磁性層圓を介して、第2磁性層(13に働らく
。しかし、この交換結合は常に働らくわけではない。な
ぜなら第3磁性層圓のキュリー温度は約100℃と低(
、記録時においてレーザー照射により媒体温度が100
℃を越えた時には、上記の交換結合は働らかない。この
ように、第4磁性層(151から第2磁性@ti31に
働らく交換結合は、第3磁性層圓によりオン・オフされ
る。すなわち、媒体温度が第3磁性層(喝のキュリー温
度より高い時はオフ、低い時にはオンの状態になる。
以上をまとめると、第4磁性層a9と第3磁性層(14
)の役割は次のようになる。
)の役割は次のようになる。
第4磁性層:交換結合により、第2磁性1’i[1(1
31の7M副格子磁化か下向きになるよう に力をおよぼす。
31の7M副格子磁化か下向きになるよう に力をおよぼす。
第3磁性層二上記の交換結合を媒体温度によりオン・オ
フする。
フする。
また、第1磁性層りと第2磁性層(13の役割は従来例
とほぼ同様である。
とほぼ同様である。
次に各層のキュリー温度の関係は
Te3 > Tct > Tc+ ) Tcsである。
また室温において各層間で満たすべき磁気特性を以下に
示す。
示す。
(イ)初期化磁界Hini中において、第3磁性層(1
3の7M副格子磁化方向は第4磁性層041の7M副格
子磁化と同じ下向きである。
3の7M副格子磁化方向は第4磁性層041の7M副格
子磁化と同じ下向きである。
状態■ ■ ■
上図において、状態■−■の遷移をおこすのに必要な磁
界をHl、状態■−■の遷移をおこすのに必要な磁界を
Hlとすると、Hl 、 HlおよびH4n1との間で
次の関係がある Hl (Hini < Ht 以上に示した特徴を持つ交換結合4層膜光磁気記録媒体
(10)を用いたオーバライドの具体的な動作を次に示
す。
界をHl、状態■−■の遷移をおこすのに必要な磁界を
Hlとすると、Hl 、 HlおよびH4n1との間で
次の関係がある Hl (Hini < Ht 以上に示した特徴を持つ交換結合4層膜光磁気記録媒体
(10)を用いたオーバライドの具体的な動作を次に示
す。
一初期化プロセスー
第1図における初期化磁石(9)は、図中に示す矢印す
の方向(上向き)に大きさHintなる初期化磁界を発
生している。上記(calに示したように、(状態■−
状慾■)の遷移をひきおこすのに必要な磁界H2と(状
態■−状態■)の遷移をひきおこすのに必要な磁界H1
およびHiniの関係はHz < Hini (Hl であるので、第1図fblに示すように光磁気記録媒体
filが矢印a方向に回転し、初期化磁石(9)を通過
した部分の第2磁性層りの磁化方向は、第1磁性層O2
の磁化方向にかかわらず全て上向きに磁化される。すな
わち、第2磁性層03の7M副格子磁化はすべて下向き
になる(状態■)。この時、第1磁性層uzの磁化方向
は、初期化磁場もしくは第2磁性II(13からの交換
力による影響により磁化反転することはなく、そのまま
の状態を保持する。いいかえれば、第1磁性層u7Jに
記録されている2値的情報は、上記の初期化プロセスに
より壊されることはない。
の方向(上向き)に大きさHintなる初期化磁界を発
生している。上記(calに示したように、(状態■−
状慾■)の遷移をひきおこすのに必要な磁界H2と(状
態■−状態■)の遷移をひきおこすのに必要な磁界H1
およびHiniの関係はHz < Hini (Hl であるので、第1図fblに示すように光磁気記録媒体
filが矢印a方向に回転し、初期化磁石(9)を通過
した部分の第2磁性層りの磁化方向は、第1磁性層O2
の磁化方向にかかわらず全て上向きに磁化される。すな
わち、第2磁性層03の7M副格子磁化はすべて下向き
になる(状態■)。この時、第1磁性層uzの磁化方向
は、初期化磁場もしくは第2磁性II(13からの交換
力による影響により磁化反転することはなく、そのまま
の状態を保持する。いいかえれば、第1磁性層u7Jに
記録されている2値的情報は、上記の初期化プロセスに
より壊されることはない。
一オーバー・ライト・プロセス−
情報“0”を記録する時、すなわち第1磁性層(1?J
の7M副格子磁化方向を下向きとする時のレーザービー
ム強度は、第2図における強度BK相当する。この時、
集光スポット(6)内の部分は温度上昇して、第1磁性
層(12+のキュリー温度Tct付近にμるが、第2磁
性層(13)のキュリー温度TC2には達[7ない。そ
の結果、第1磁性層112の磁化は消失あるいは不安定
な状態になるが、第2磁性層03の磁化方向は初期化プ
ロセスで得た上向きのままである。
の7M副格子磁化方向を下向きとする時のレーザービー
ム強度は、第2図における強度BK相当する。この時、
集光スポット(6)内の部分は温度上昇して、第1磁性
層(12+のキュリー温度Tct付近にμるが、第2磁
性層(13)のキュリー温度TC2には達[7ない。そ
の結果、第1磁性層112の磁化は消失あるいは不安定
な状態になるが、第2磁性層03の磁化方向は初期化プ
ロセスで得た上向きのままである。
そしてディスクが回転して集光スポット(6)に照射さ
れなくなり、媒体温度がFがり初めると、第2磁性層り
からの交換力により、第1磁性層凹の1M副格子磁化は
下向きになる。すなわち、情報“O”の書込みが行なわ
れる。
れなくなり、媒体温度がFがり初めると、第2磁性層り
からの交換力により、第1磁性層凹の1M副格子磁化は
下向きになる。すなわち、情報“O”の書込みが行なわ
れる。
情報°1°を記録する時、すなわち第1磁性層(12)
のTM副格子磁化方向を上向きとする時のレーザービー
ム強度は、第2図における強度Cに相当する。この時、
集光スポット(6)内の部分は温度上昇し、Tctを越
え、さらにTcz 付近にまで到達する。
のTM副格子磁化方向を上向きとする時のレーザービー
ム強度は、第2図における強度Cに相当する。この時、
集光スポット(6)内の部分は温度上昇し、Tctを越
え、さらにTcz 付近にまで到達する。
その結果、第1磁性層a’bの磁化は消失し、さらに第
2磁性au3の磁化も不安定になるか、あるいは消失す
る。そして、ディスクが回転して集光スポット(6)に
照射されなくなり、温度が下降する時に、バイアス磁石
(9)による第1図中の矢印Cの方向(上向き)のバイ
アス磁界により、第2磁性層(131の全体の磁化は上
向きになる。この温度においては。
2磁性au3の磁化も不安定になるか、あるいは消失す
る。そして、ディスクが回転して集光スポット(6)に
照射されなくなり、温度が下降する時に、バイアス磁石
(9)による第1図中の矢印Cの方向(上向き)のバイ
アス磁界により、第2磁性層(131の全体の磁化は上
向きになる。この温度においては。
第2磁性層(13は補償温度を越えているためTMIJ
ッチになっている。したがって第2磁性層u3の1M副
格子磁化は上向きになる。さらに湿度が丁かり、Tel
以下になると、第1磁性層(121の副格子磁化方向は
交換力により、第2磁性層03の副格子磁化方向に揃う
。すなわち、情4°1”に相当する上向きの方向を第1
磁性層(1zの1M副格子磁化はもつ。
ッチになっている。したがって第2磁性層u3の1M副
格子磁化は上向きになる。さらに湿度が丁かり、Tel
以下になると、第1磁性層(121の副格子磁化方向は
交換力により、第2磁性層03の副格子磁化方向に揃う
。すなわち、情4°1”に相当する上向きの方向を第1
磁性層(1zの1M副格子磁化はもつ。
以上のオーバーライド・プロセスにおいては、第3磁性
flit (14)と第4磁性層(19は主体的に役割
はない。それたけではなく、上記の情報°1”を記録す
るプロセスにおいては、l′l0IIri4か役割を持
たないことか重要なのである。もし、Tcz付近におい
て。
flit (14)と第4磁性層(19は主体的に役割
はない。それたけではなく、上記の情報°1”を記録す
るプロセスにおいては、l′l0IIri4か役割を持
たないことか重要なのである。もし、Tcz付近におい
て。
下向きの1M副格子磁化をもつ第4磁性aUS+からの
交換力が第2磁性層(131に働らいていれば、バイア
ス磁界による第2磁性層(13への書込み(すなわち、
第2磁性層OJの1M副格子磁化を上向きにする作用)
をさまたげることになる。しかし、Tc2近傍(> T
c5)においては、前に述べたように、第3磁性層(神
が、第4磁性層Uωから第2磁性層(131への交換結
合をオフにしているため、バイアス磁界による第2磁性
層f13)への書込みが容易に達成される。
交換力が第2磁性層(131に働らいていれば、バイア
ス磁界による第2磁性層(13への書込み(すなわち、
第2磁性層OJの1M副格子磁化を上向きにする作用)
をさまたげることになる。しかし、Tc2近傍(> T
c5)においては、前に述べたように、第3磁性層(神
が、第4磁性層Uωから第2磁性層(131への交換結
合をオフにしているため、バイアス磁界による第2磁性
層f13)への書込みが容易に達成される。
以上の様な動作により、オーバーライド時には、レーザ
ービーム強度を情報の2値コード°0°01゜に応じて
、第2図における強度Bと強度Cとに変調することによ
り、旧データ上にリアルタイムで屯ね書きが可能である
。
ービーム強度を情報の2値コード°0°01゜に応じて
、第2図における強度Bと強度Cとに変調することによ
り、旧データ上にリアルタイムで屯ね書きが可能である
。
さて、本発明の光磁気記録媒体の°初期化プロセス”と
1オーバーライド・プロセス”について述べてきたが、
従来例と比べて本発明の特徴か表われているのは@初期
化プロセスゝである。このプロセスにおいて、初期化磁
界Hiniと(状態■−状聾■)および(状態■−状靭
■)の遷移をひきおこすのに必要な磁界H2、H+との
関係は前述のように H2< Hini < H+ となる。この関係から、Hiniの最小値はH2である
。
1オーバーライド・プロセス”について述べてきたが、
従来例と比べて本発明の特徴か表われているのは@初期
化プロセスゝである。このプロセスにおいて、初期化磁
界Hiniと(状態■−状聾■)および(状態■−状靭
■)の遷移をひきおこすのに必要な磁界H2、H+との
関係は前述のように H2< Hini < H+ となる。この関係から、Hiniの最小値はH2である
。
すなわち、H2を小さ(することによって、Hiniを
低減することができる。H2は(状態■−■)の遷移を
ひきおこすのに必要な磁界である。従来例の交換結合2
層膜において、このH2にあたるものは、上記の遷移を
ひきおこすのに必要な磁界である。
低減することができる。H2は(状態■−■)の遷移を
ひきおこすのに必要な磁界である。従来例の交換結合2
層膜において、このH2にあたるものは、上記の遷移を
ひきおこすのに必要な磁界である。
この磁界H2は、第2磁性層(4)の保磁力Hcz、飽
和磁化Ms2、膜厚t2および第1磁性層(3)と第2
磁性層(4)との間に貯えられる界面磁壁エネルギーσ
W12を用いて と表わすことができる。
和磁化Ms2、膜厚t2および第1磁性層(3)と第2
磁性層(4)との間に貯えられる界面磁壁エネルギーσ
W12を用いて と表わすことができる。
対して、本発明における交換結合4層膜記録媒体のH2
は となる。ここでσW23は第2磁性層(131と第3磁
性層(14)との間に貯えられる界面磁壁エネルギーで
ある。
は となる。ここでσW23は第2磁性層(131と第3磁
性層(14)との間に貯えられる界面磁壁エネルギーで
ある。
(at 、 (b1式より
(従来例) (本発明)
H2>H2
となり、従来例の交換結合2層膜媒体に比べて、本発明
の交換結合4層膜媒体の方が、Hiniを小さくできる
ことは明らかである。これは、第4磁性層(15)から
第2磁性層(131への交換力か、Hiniと等しい方
向に働らくことに起因している。
の交換結合4層膜媒体の方が、Hiniを小さくできる
ことは明らかである。これは、第4磁性層(15)から
第2磁性層(131への交換力か、Hiniと等しい方
向に働らくことに起因している。
本実施例に用いた光磁気記録媒体を用いて、次の条件で
良好なオーバーライド動作を酵認した。
良好なオーバーライド動作を酵認した。
記録条件 回転数 270 Or、p、m。
記録周波数 5.5 MHz#3MHz記録レーザー
パワー 6mwと13mwに変調バイアス磁界
3000e 初JLll化磁界 5000eC/Nは5.5
MHzで47dBを碍た。IIM化磁界は5000e
と従来例に比べて、6分の1以下になっている。この
程度の磁界ならば、特に初期化磁石を置かなくても、バ
イアス磁石にその役割をもたせることも可能である。
パワー 6mwと13mwに変調バイアス磁界
3000e 初JLll化磁界 5000eC/Nは5.5
MHzで47dBを碍た。IIM化磁界は5000e
と従来例に比べて、6分の1以下になっている。この
程度の磁界ならば、特に初期化磁石を置かなくても、バ
イアス磁石にその役割をもたせることも可能である。
他の実施例
[表1]に本発明の他の実施例について示す。実施例9
を除くすべての実施例において、オーバーライド動作を
fr¥p認した。特に実施例1〜6は充分に良好な動作
を碍た。
を除くすべての実施例において、オーバーライド動作を
fr¥p認した。特に実施例1〜6は充分に良好な動作
を碍た。
以上のように、この発明によれば光磁気記録媒体を4層
からなる磁性層から構成し、その第3および第4層が、
室温付近にて第2層を一定方向に向かせるべく作用を有
するため、初期化磁界を極めて小さくでき、その結果、
録再装置の構成を単純化、小型化できる効果がある。
からなる磁性層から構成し、その第3および第4層が、
室温付近にて第2層を一定方向に向かせるべく作用を有
するため、初期化磁界を極めて小さくでき、その結果、
録再装置の構成を単純化、小型化できる効果がある。
第1図はこの発明の光磁気ディスク装置及び媒体を示す
構成図、第2図はレーザビーム強度とスポット内での磁
性膜温度を示す特性図、第3図は従来の光磁気ディスク
装置の構成図、第4図は従来のレーザビーム強度とスポ
ット内での磁性膜温度を示す特性図である。 図中、uzは第1磁性層、(131は第2磁性層、 t
141は第3磁性層、口9は第4磁性層である。図中、
同一符号は同一部分又は相当部分を示す。
構成図、第2図はレーザビーム強度とスポット内での磁
性膜温度を示す特性図、第3図は従来の光磁気ディスク
装置の構成図、第4図は従来のレーザビーム強度とスポ
ット内での磁性膜温度を示す特性図である。 図中、uzは第1磁性層、(131は第2磁性層、 t
141は第3磁性層、口9は第4磁性層である。図中、
同一符号は同一部分又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)垂直磁気異方性を有する第1磁性層、この第1磁
性層に設けられ上記第1磁性層と交換力で結合された第
2磁性層、この第2磁性層に設けられ上記第2磁性層と
交換力で結合された第3磁性層、この第3磁性層に設け
られ上記第3磁性層と交換力で結合された第4磁性層を
備え、 Tc_1<Tc_2、Tc_3<Tc_2、Tc_1<
Tc_4、Tc_3<Tc_4を満たし、かつ室温にて
次の3条件を満足する光磁気記録媒体。 (イ)初期化磁界Hini中において、第3磁性層と第
4磁性層の遷移金属副格子磁化は同じ方向である。 (ロ)第1磁性層の遷移金属副格子磁化に対して第3磁
性層及び第4磁性層の遷移金属副格子磁化が反平行な状
態において第2磁性層の遷移副格子磁化が第1磁性層の
遷移金属副格子磁化と平行な状態から反平行の状態に遷
移する磁界H_2と第2磁性層の遷移金属副格子磁化に
対して第3磁性層及び第4磁性層の遷移金属副格子磁化
が反平行な状態において第1磁性層の遷移金属副格子磁
化が第2磁性層の遷移金属副格子磁化と平行の状態から
反平行の状態に遷移する磁界H_1は H_2<H_1 なる関係を満たす。 (ハ)第4磁性層は記録再生中に磁化反転しない。 (ニ)室温にて第1磁性層の磁化は第2磁性層の磁化反
転により反転しない。
Priority Applications (4)
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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Cited By (1)
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- 1990-11-09 EP EP90121472A patent/EP0428946B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965285A (en) * | 1995-03-27 | 1999-10-12 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and reproducing method for the same |
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| DE69025132T2 (de) | 1996-06-05 |
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