JPH01149246A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH01149246A JPH01149246A JP62307070A JP30707087A JPH01149246A JP H01149246 A JPH01149246 A JP H01149246A JP 62307070 A JP62307070 A JP 62307070A JP 30707087 A JP30707087 A JP 30707087A JP H01149246 A JPH01149246 A JP H01149246A
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- film
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12986—Adjacent functionally defined components
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光（熱）磁気記録によって情報ビット、すな
わち情報磁区の形成による記録を行い、光磁気相互作用
によるカー（ｋｅｒｒ）回転角あるいはファラデー回転
角、つまり情報読み出し光の偏光面の回転によって記録
情報ビットの読み出しを行うようにした光磁気ディスク
等の光磁気記録媒体に係わる。
わち情報磁区の形成による記録を行い、光磁気相互作用
によるカー（ｋｅｒｒ）回転角あるいはファラデー回転
角、つまり情報読み出し光の偏光面の回転によって記録
情報ビットの読み出しを行うようにした光磁気ディスク
等の光磁気記録媒体に係わる。
（発明の概要）
本発明は、光磁気相互作用による偏光面回転角の大きい
第１の磁性膜と、保磁力の高い第３の磁性膜と、両者間
に介在し、常温で第１及び第３の磁性膜と磁気的に結合
し記録時の温度で磁気的結合が殆んど消失する第２の磁
性膜とが積層された構造として、高Ｃ／Ｎ、高記録感度
、低記録外部磁場特性を有する光磁気記録媒体とした。
第１の磁性膜と、保磁力の高い第３の磁性膜と、両者間
に介在し、常温で第１及び第３の磁性膜と磁気的に結合
し記録時の温度で磁気的結合が殆んど消失する第２の磁
性膜とが積層された構造として、高Ｃ／Ｎ、高記録感度
、低記録外部磁場特性を有する光磁気記録媒体とした。
従来、高い再生性能及び高記録感度を得るために、第１
の磁性膜としてキュリー点が高く、保磁力の低い再生磁
性膜を設け、この磁性膜と交換結合し、キュリー点が低
く保磁力の高い第２の磁性膜を積層した構成を採る光（
＠）Ｍ１気記録媒体が提案されている（例えば、特開昭
５７−７８６５２公報参照）。
の磁性膜としてキュリー点が高く、保磁力の低い再生磁
性膜を設け、この磁性膜と交換結合し、キュリー点が低
く保磁力の高い第２の磁性膜を積層した構成を採る光（
＠）Ｍ１気記録媒体が提案されている（例えば、特開昭
５７−７８６５２公報参照）。
上述の２Ｎｉ構造による光磁気記録媒体は、情報の記録
・消去の母体となる磁性膜は、再生磁性膜（第１の磁柾
膜）であり、そのキュリー点に達していない温度下で記
録・消去が行われるため、この記録時での第１の磁性膜
の磁化は比較的大きくしたがって、これに因る浮遊磁場
、反磁場も大きく、その記録消去時には、これら浮遊磁
場、反磁場を充分打ち消すだけの外部磁場、例えば５０
０（Ｏｅ）程度の大きな外部磁場を与える４・要がある
。
・消去の母体となる磁性膜は、再生磁性膜（第１の磁柾
膜）であり、そのキュリー点に達していない温度下で記
録・消去が行われるため、この記録時での第１の磁性膜
の磁化は比較的大きくしたがって、これに因る浮遊磁場
、反磁場も大きく、その記録消去時には、これら浮遊磁
場、反磁場を充分打ち消すだけの外部磁場、例えば５０
０（Ｏｅ）程度の大きな外部磁場を与える４・要がある
。
したがって例えば先に記録された情報の上に新しい情報
をオーバーライドする磁場変調型のオーバーライドには
通さないという問題点がある。
をオーバーライドする磁場変調型のオーバーライドには
通さないという問題点がある。
本発明は、このような問題点を解決し、低記録外部磁場
特性を有し、高Ｃ／Ｎ、高記録感度を有する光磁気記録
媒体を提供する。
特性を有し、高Ｃ／Ｎ、高記録感度を有する光磁気記録
媒体を提供する。
Ｅ問題点を解決するための手段〕
本発明は、第１図に示すように、ガラス基板、アクリル
基板等の光透過性基体（１１上に、必要に応じて保＃！
股ないしは干ｅ膜となる誘電体膜（２）を形成し、これ
の上に夫々垂直磁化膜の第１の磁性膜（１１）と、第２
の磁性１ｆｉ（１２）と、第３の磁性膜（１３）とが順
次積層されて成る。
基板等の光透過性基体（１１上に、必要に応じて保＃！
股ないしは干ｅ膜となる誘電体膜（２）を形成し、これ
の上に夫々垂直磁化膜の第１の磁性膜（１１）と、第２
の磁性１ｆｉ（１２）と、第３の磁性膜（１３）とが順
次積層されて成る。
第１の磁性膜（１１）は、光磁気相互作用による偏光面
回転角が大なる磁性膜より成る。
回転角が大なる磁性膜より成る。
第１、第２及び第３の各磁性膜は、それぞれのキエリー
温度を’１’Ｃ１＋ Ｔｃ２及び′Ｉ′ｃ３とし、室温
を’ｌ’ＲＴするとき、 ’ｒ Ｃ２＜ １’ ＲＴ ” ” １１）で、かつ ’ｒｃ２＜’ｒｃｔ、 ’ｌ”ｃ３・・・・（２）で、
第２の磁性膜（１２）は、室温ＴＲＴでｇＡｌ及び第３
の磁性ＩＱ（１１）及び（１３）と磁気的に結合し、記
録時の温度で第１及び第３の磁性ＪＩＲ（１１）及び（
１３）の磁気的結合を遮断する。これがため実際上は第
２の磁性ＩＩ！（１２）は、例えば３０人〜２００人で
あり、各第１の磁性ＩＩ（１１）と第３の磁性膜（１３
）との界面磁壁エネルギーをσ−とし、第１の磁性１１
！（１１）の磁化をＭ ｓｔ ＊保磁力をＨｃ１＋膜厚
をｈｔ、外部磁場をＨｅｘとすると、室温’ｒ Ｒ７以
上、第２の磁性ＩＱ（１２）のキュリー点ＴＣ２以下に
おいて σｗ ＞２Ｍ！：１ ・ｈｚ ・Ｈｃ１＋２ＭＣＬ
・ｈｔ ・Ｈｅｘ”＋３）が成り立つように磁性膜＋
１１のＭｓｔ＋ ｈｔ ＊ ＨＣｌを決める。
温度を’１’Ｃ１＋ Ｔｃ２及び′Ｉ′ｃ３とし、室温
を’ｌ’ＲＴするとき、 ’ｒ Ｃ２＜ １’ ＲＴ ” ” １１）で、かつ ’ｒｃ２＜’ｒｃｔ、 ’ｌ”ｃ３・・・・（２）で、
第２の磁性膜（１２）は、室温ＴＲＴでｇＡｌ及び第３
の磁性ＩＱ（１１）及び（１３）と磁気的に結合し、記
録時の温度で第１及び第３の磁性ＪＩＲ（１１）及び（
１３）の磁気的結合を遮断する。これがため実際上は第
２の磁性ＩＩ！（１２）は、例えば３０人〜２００人で
あり、各第１の磁性ＩＩ（１１）と第３の磁性膜（１３
）との界面磁壁エネルギーをσ−とし、第１の磁性１１
！（１１）の磁化をＭ ｓｔ ＊保磁力をＨｃ１＋膜厚
をｈｔ、外部磁場をＨｅｘとすると、室温’ｒ Ｒ７以
上、第２の磁性ＩＱ（１２）のキュリー点ＴＣ２以下に
おいて σｗ ＞２Ｍ！：１ ・ｈｚ ・Ｈｃ１＋２ＭＣＬ
・ｈｔ ・Ｈｅｘ”＋３）が成り立つように磁性膜＋
１１のＭｓｔ＋ ｈｔ ＊ ＨＣｌを決める。
そして、第３の磁性ＩＱ（１３）に、これのキュリー点
１゛ｃ３の近傍の温度で熱記録をなし、その冷却過程で
第３の磁性膜（１３）の記録を第２の磁性膜、（１２）
を介して磁気的に結合する第１の一磁性膜（１１）に転
写する。
１゛ｃ３の近傍の温度で熱記録をなし、その冷却過程で
第３の磁性膜（１３）の記録を第２の磁性膜、（１２）
を介して磁気的に結合する第１の一磁性膜（１１）に転
写する。
（３１％１表面に形成された保護膜を示す、Ｓは本発明
による光磁気記録媒体を全体として示す。
による光磁気記録媒体を全体として示す。
上述の光磁気記録媒体に対する情報の記録（書き込み）
は、通常のように膜面に対し垂直の外部記録磁場の印加
の下で、記録情報によって変調されたレーザー光を走査
し、例えば“１′″の情報の記録部において、局部的に
第３の磁性［５！（１３）をそのキュリー点”ｌ’ Ｃ
３近傍にまで上昇させる。このとき、第２の磁性１ＰＡ
（１２）は、前記（２）式のように、そのキュリー点Ｔ
Ｃ２以上となっていることによって、第１及び第３の磁
性ＩＱ（１１）及び（１３）間の磁気的結合を遮断して
い−る。この状態から例えはレーザー光がこの位置より
去るなどしてレーザー光の非照射状態となることによっ
てここが冷却するとその冷却過程で、浮遊磁場及び外部
記録磁場の作用によって情報ビット、すなわ、ち情報バ
ブル磁区が形成される共に、この冷却に伴って第２の磁
性ＩＱ（１２）からのキュリー点’１’ Ｃ２より低下
すると、この第２の磁性１５ｋ（１２）による第１及び
！１８３の磁性膜（１１）及び（１３）の磁性的結合が
なされ前記（３）式の関係が発生し、これによって、第
３の磁性膜（１３）の記録情報、すなわち、情報ツクプ
ル磁区が第２の磁性膜（１２）−第１の磁性膜（１１）
。
は、通常のように膜面に対し垂直の外部記録磁場の印加
の下で、記録情報によって変調されたレーザー光を走査
し、例えば“１′″の情報の記録部において、局部的に
第３の磁性［５！（１３）をそのキュリー点”ｌ’ Ｃ
３近傍にまで上昇させる。このとき、第２の磁性１ＰＡ
（１２）は、前記（２）式のように、そのキュリー点Ｔ
Ｃ２以上となっていることによって、第１及び第３の磁
性ＩＱ（１１）及び（１３）間の磁気的結合を遮断して
い−る。この状態から例えはレーザー光がこの位置より
去るなどしてレーザー光の非照射状態となることによっ
てここが冷却するとその冷却過程で、浮遊磁場及び外部
記録磁場の作用によって情報ビット、すなわ、ち情報バ
ブル磁区が形成される共に、この冷却に伴って第２の磁
性ＩＱ（１２）からのキュリー点’１’ Ｃ２より低下
すると、この第２の磁性１５ｋ（１２）による第１及び
！１８３の磁性膜（１１）及び（１３）の磁性的結合が
なされ前記（３）式の関係が発生し、これによって、第
３の磁性膜（１３）の記録情報、すなわち、情報ツクプ
ル磁区が第２の磁性膜（１２）−第１の磁性膜（１１）
。
へと転写される。このようにして、第１の磁性膜（１１
）にも情報バブル磁区が形成されることになる。このよ
うにして情報バブル磁区の有無によって例えば“１”、
“０”の情報の書き込みがなされる。
）にも情報バブル磁区が形成されることになる。このよ
うにして情報バブル磁区の有無によって例えば“１”、
“０”の情報の書き込みがなされる。
上述した記録態様によれば、先ず第３の磁性膜（１３）
に対して記録を行うものであり、この第３の磁性膜（１
３）は、第２の磁性膜（１２）のキエリー温度ＴＣ２よ
りは大なるキエリー温度１゛Ｃ３を有するものの、これ
を低く選定できること、そしてその記録に当っては、こ
のキエリー温度’ｌ’ Ｃ３の近傍、つまりその飽和磁
化の充分低いところでの記録であることによって、これ
による浮遊磁場、反磁場が小さいことから小さいエネル
ギーでの記録が可能となり、これに伴い記録・消去時の
外部磁場は、従来の数分の１とすることができた。そし
て、このように記録・消去時の外部磁場の低減化によっ
て磁場変調型のオーバーライドが可能となる。
に対して記録を行うものであり、この第３の磁性膜（１
３）は、第２の磁性膜（１２）のキエリー温度ＴＣ２よ
りは大なるキエリー温度１゛Ｃ３を有するものの、これ
を低く選定できること、そしてその記録に当っては、こ
のキエリー温度’ｌ’ Ｃ３の近傍、つまりその飽和磁
化の充分低いところでの記録であることによって、これ
による浮遊磁場、反磁場が小さいことから小さいエネル
ギーでの記録が可能となり、これに伴い記録・消去時の
外部磁場は、従来の数分の１とすることができた。そし
て、このように記録・消去時の外部磁場の低減化によっ
て磁場変調型のオーバーライドが可能となる。
また、このようにして書き込みのなされた光磁気記録媒
体Ｓは、第１の磁性１ｍ！（１１）が、光磁気相互作用
による偏光面の回転角、例えばカー回転角θにの大なる
材料によって構成されていることによってその読み出し
は、この第１の磁性膜（１１）が、いわば再生膜として
作用することから再生出力の向上がはかられ、これに伴
うて、情報ビット長の短縮化、したがって高密度記録化
をはかることができる。
体Ｓは、第１の磁性１ｍ！（１１）が、光磁気相互作用
による偏光面の回転角、例えばカー回転角θにの大なる
材料によって構成されていることによってその読み出し
は、この第１の磁性膜（１１）が、いわば再生膜として
作用することから再生出力の向上がはかられ、これに伴
うて、情報ビット長の短縮化、したがって高密度記録化
をはかることができる。
光透過性の基板（１１上に、保護膜ないしは干渉膜とし
ての誘電体膜（２）と、前記（１）〜（３）式の関係を
満す第１〜第３の磁性ＩＱ（１１）〜（１３）と、さら
にそれの上に保護膜（ａ）とを例えばマグネットロンス
パッタ装置による連続スパッタリング、あるいは連続蒸
着等によってＸ被着形成する。
ての誘電体膜（２）と、前記（１）〜（３）式の関係を
満す第１〜第３の磁性ＩＱ（１１）〜（１３）と、さら
にそれの上に保護膜（ａ）とを例えばマグネットロンス
パッタ装置による連続スパッタリング、あるいは連続蒸
着等によってＸ被着形成する。
第１の磁性膜（１１）は、カー回転角θＫが大なる例え
ばＧｄＴｂｅＣｏ＋ ＴｂＮｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ等によって構成し得る。
ばＧｄＴｂｅＣｏ＋ ＴｂＮｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ等によって構成し得る。
第３の磁性膜（１３）は、前記（２）式を満しつつ、そ
のキエリー温度”ｒｃｉができるだけ小さく、かつ保磁
力が大なる例えばＴｂｌ’ｅ、 ＧｄＴｂ）’ｅ、υｙ
ＦｅＣｏ等の室温ＴＲＴで希土類磁化優勢膜によって構
成し得る。
のキエリー温度”ｒｃｉができるだけ小さく、かつ保磁
力が大なる例えばＴｂｌ’ｅ、 ＧｄＴｂ）’ｅ、υｙ
ＦｅＣｏ等の室温ＴＲＴで希土類磁化優勢膜によって構
成し得る。
第２の磁性膜（１２）は、その厚さが３０〜２００人程
度の例えばＴｂＦｅＣｏＣｒ等によって構成し得る。
度の例えばＴｂＦｅＣｏＣｒ等によって構成し得る。
実施例１
ガラス板上に光重合ｌ１９ｊ （Ｐｈｏｔｏ Ｐｏ１ｙ
＋ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ股）が被着されて、光学的処理
によりトラック溝がトラックピッチ１．６μｍをもって
形成された基体＋１１上に、厚さ１００人のＳｉ３Ｎ４
より成る誘電体膜（２）と、厚さ ２５０人のＧｄ）’
ｅＣｏ欣より成る第１の磁性膜（１１）と、厚さ８０人
のＴｂＦｅＣｏＣｒｌＱより成る第２の磁性膜（１２）
と、厚さ ５００人のＴｂ）’ｅｃｏｃｒ１２より成る
第３の磁性膜（１３）と、Ｓｉ３Ｎ４１ｐＱより成る保
護膜（３）とをマグネットロンスパッタ装置によって順
次連続スパッタリングによって被着形成して、光磁気記
録媒体即ち光ディスクＳを作製した。
＋ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ股）が被着されて、光学的処理
によりトラック溝がトラックピッチ１．６μｍをもって
形成された基体＋１１上に、厚さ１００人のＳｉ３Ｎ４
より成る誘電体膜（２）と、厚さ ２５０人のＧｄ）’
ｅＣｏ欣より成る第１の磁性膜（１１）と、厚さ８０人
のＴｂＦｅＣｏＣｒｌＱより成る第２の磁性膜（１２）
と、厚さ ５００人のＴｂ）’ｅｃｏｃｒ１２より成る
第３の磁性膜（１３）と、Ｓｉ３Ｎ４１ｐＱより成る保
護膜（３）とをマグネットロンスパッタ装置によって順
次連続スパッタリングによって被着形成して、光磁気記
録媒体即ち光ディスクＳを作製した。
この場合の各磁性１％（１１）〜（１３）の各ＩＬ層膜
としての厚さおよび磁気特性を表１に示す。
としての厚さおよび磁気特性を表１に示す。
表１
上記表１においてＦｅＣｏリッチとは室温でＦｅＣｏ副
格子磁化優勢股を示すものであり、Ｔｂリッチとは室温
でＴｂ副格子磁化優勢膜を示す。
格子磁化優勢股を示すものであり、Ｔｂリッチとは室温
でＴｂ副格子磁化優勢膜を示す。
この実施例１による光磁気記録媒体Ｓのキャリアレベル
対ノイズレベル（Ｃ／Ｎ）の記録周波数依存性の測定結
果を第２図に示す、この場合、ディスクの線速度は２０
ｍ ／ ｓｅｃ 、消去磁場は−１００（Ｏｅ） 、
記録磁場１００ （Ｏｅ） 、消去パワー８．４ｍＷ。
対ノイズレベル（Ｃ／Ｎ）の記録周波数依存性の測定結
果を第２図に示す、この場合、ディスクの線速度は２０
ｍ ／ ｓｅｃ 、消去磁場は−１００（Ｏｅ） 、
記録磁場１００ （Ｏｅ） 、消去パワー８．４ｍＷ。
記録パワー１抛−の条件下でのＣ／Ｎの記録周波数に対
する依存性を測定した。
する依存性を測定した。
尚、第３の磁性Ｉｌ！（１３）は、上述したように、単
層構造とすることもできるが、これを２層以上の構造と
することによって、この磁性Ｍ！（１３）における浮遊
磁界を寡ないしは極めて小さくすることができる。すな
わち、この場合、第３の磁性膜（１３）として例えば第
３図人にその磁化態様を示し、同図Ｂにキュリー温度の
関係を示すように、キュリー点’ｌ’ｃ１３１を有し、
この’ｒｃ１３Ｌ直下で希土類副格子磁化が優勢な第１
の希土類−遷移金属合金膜による第１の構成ｊｉｂ（１
３１）と、’Ｉ’ｌｌ：１３１より高いキュリー点Ｔｃ
１３２を有しＴＣ１３１直下で遷移金属副格子磁化が優
勢な第２の希土類−遷移金属合金膜による第２の構成層
（１３２）とが２層以上例えば（１３１） −（１３２
） −（１３１）、或いは第３図に示されるように５層
等をもって互いに直接隣接して交換結合するように配さ
れた構成とすることができる。このような構成とすると
き第４図人及びＢに対比して示すように、希土類副格子
磁化を矢印Ｍ龍で、遷移金属副格子磁化を矢印ＭＴＭを
もって模式的に示すと、希土類副格子磁化が優勢な第１
の構成層（１３１）と、遷移金属副格子磁化が優勢な第
２の構成層（１３２）との各飽和磁化の向きは、それぞ
れ矢印Ｍ、で示すように互いに逆向きとなることから第
３の磁性膜（１３）における磁化は第３図人に矢印をも
って示すように各層（１３１）及び（１３２）の磁化Ｍ
Ｌ３Ｌ ＋ Ｍ１３２が順次反転した構成となる。これ
によって、浮遊磁場を零ないしは極めて小さくすること
ができ、且つレーザー光照射時キュリー点の差によって
第２の構成層（１３２）が磁気的に膜厚の薄い単層膜と
なるので、記録、消去時の必要外部磁場を低減すること
ができる。
層構造とすることもできるが、これを２層以上の構造と
することによって、この磁性Ｍ！（１３）における浮遊
磁界を寡ないしは極めて小さくすることができる。すな
わち、この場合、第３の磁性膜（１３）として例えば第
３図人にその磁化態様を示し、同図Ｂにキュリー温度の
関係を示すように、キュリー点’ｌ’ｃ１３１を有し、
この’ｒｃ１３Ｌ直下で希土類副格子磁化が優勢な第１
の希土類−遷移金属合金膜による第１の構成ｊｉｂ（１
３１）と、’Ｉ’ｌｌ：１３１より高いキュリー点Ｔｃ
１３２を有しＴＣ１３１直下で遷移金属副格子磁化が優
勢な第２の希土類−遷移金属合金膜による第２の構成層
（１３２）とが２層以上例えば（１３１） −（１３２
） −（１３１）、或いは第３図に示されるように５層
等をもって互いに直接隣接して交換結合するように配さ
れた構成とすることができる。このような構成とすると
き第４図人及びＢに対比して示すように、希土類副格子
磁化を矢印Ｍ龍で、遷移金属副格子磁化を矢印ＭＴＭを
もって模式的に示すと、希土類副格子磁化が優勢な第１
の構成層（１３１）と、遷移金属副格子磁化が優勢な第
２の構成層（１３２）との各飽和磁化の向きは、それぞ
れ矢印Ｍ、で示すように互いに逆向きとなることから第
３の磁性膜（１３）における磁化は第３図人に矢印をも
って示すように各層（１３１）及び（１３２）の磁化Ｍ
Ｌ３Ｌ ＋ Ｍ１３２が順次反転した構成となる。これ
によって、浮遊磁場を零ないしは極めて小さくすること
ができ、且つレーザー光照射時キュリー点の差によって
第２の構成層（１３２）が磁気的に膜厚の薄い単層膜と
なるので、記録、消去時の必要外部磁場を低減すること
ができる。
本発明による光磁気記録媒体は、その記録時、前述した
ように、先ず、第３の磁性膜（１３）に対して記録を行
うものであり、この第３の磁性膜（１３）は、第２の磁
性膜（１２）のキュリー温度ＴＣ２よりは大なるキュリ
ー温度’ｒ Ｃ３を有するものの、これを低く選定でき
ること、そしてその記録に当っては、このキュリー温度
ＴＣ３の近傍、つまりその飽和磁化の充分低いところで
の記録であることによって、これによる浮遊磁場、反磁
場が小さいことから小さいエネルギーでの記録が可能と
なり、これに伴い記録・消去時の外部磁場は、従来の数
分の１とすることができた。そして、このように記録消
去時の外部磁場の低減化によって磁場変調型のオーバー
ライドが可能となる。
ように、先ず、第３の磁性膜（１３）に対して記録を行
うものであり、この第３の磁性膜（１３）は、第２の磁
性膜（１２）のキュリー温度ＴＣ２よりは大なるキュリ
ー温度’ｒ Ｃ３を有するものの、これを低く選定でき
ること、そしてその記録に当っては、このキュリー温度
ＴＣ３の近傍、つまりその飽和磁化の充分低いところで
の記録であることによって、これによる浮遊磁場、反磁
場が小さいことから小さいエネルギーでの記録が可能と
なり、これに伴い記録・消去時の外部磁場は、従来の数
分の１とすることができた。そして、このように記録消
去時の外部磁場の低減化によって磁場変調型のオーバー
ライドが可能となる。
また、このようにして書き込みのなされた光磁気記録媒
体Ｓは、第１の磁性ＩＱ（１１）が、光磁気相互作用に
よる偏光面の回転角、例えばカー回転角θにの大なる材
料によって構成されていることによってその読み出しは
、この第１の磁性膜（１１）が、いわば再生膜として作
用することから再生出力の向上がはかられ、これに伴っ
て、情報ビット長の短縮化、したがって高密度記録化を
はかることができる。
体Ｓは、第１の磁性ＩＱ（１１）が、光磁気相互作用に
よる偏光面の回転角、例えばカー回転角θにの大なる材
料によって構成されていることによってその読み出しは
、この第１の磁性膜（１１）が、いわば再生膜として作
用することから再生出力の向上がはかられ、これに伴っ
て、情報ビット長の短縮化、したがって高密度記録化を
はかることができる。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の路線的構成図、
第２図はそのＣ／Ｎ特性測定曲線図、第３図は第３の磁
性膜の構成図、第４図は希土類遷移金属磁性体の飽和磁
化の説明図である。 （１）は基体、（１１）〜（１３）は第１〜第３の磁性
膜、Ｓは光磁気記録媒体である。 同 松隈秀盛 尤石ａ久記蜂鱈３本の針面口 第１図 ｔａ ＊周ｔＬ数（ＭＨｚ） Ｃ／Ｎの周う皮執床存姓狩性曲殖図 第２図 ！Ｊ冨３ｎ肱姓腹 Ｍ３ｒ埴＋１腹の構成国 第３図 Ａ Ｂ 寺工費−−遷Ｔシ金Ｘ、ｉｎ！倦の脅包オロλａイＬｊ
説日月圀第４図 手続補正書 昭和６３年 １月１２日 １、事件の表示 昭和６２年 特 許 願 第３０７０７０号２、発明の
名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用２北品用６丁目７番３５号名称（２
１Ｂ）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 （１） 明細書中、特許請求の範囲を別紙のように訂
正する。 （２） 明細書中、第４真下から３行ｒ ’ｌ’ Ｃ
２＜ ’Ｉ″ＲＴＪをｒ Ｔ Ｃ２＞ ”Ｉ’ ＲＴ
Ｊと訂正する。 以上 特許請求の範囲 第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、第３の磁性膜とが順
次積層されて成り、 上記第１の磁性膜は、光磁気相互作用による偏光面回転
角が大なる磁性膜より成り、 上記第１．第２及び第３の各磁性膜は、それぞれのキエ
リー温度を’Ｉ’ ｃ１＋ Ｔ ｃ２及び１゛ｃ３とし
、室温を’ｒ ＲＴとするときｒ Ｃ２＞ ’ｌ’ Ｒ
Ｔで、かつＴ Ｃ２＜ ’ｌ’ ｃｔ’ｌ’ Ｃ２＜
’ｌ’ Ｃ３で、 上硯２の磁性膜は、室温’ｒ ＲＴで上記第１及び第３
の磁性膜と磁気的に結合し、記録時の温度で上記第１及
び第３の磁性膜の磁気的結合を遮断し、上記第３の磁性
膜に、該第３の磁性膜のキュリー点’ｒ Ｃ３の近傍の
温度で記録をなし、その冷却過程で該第３の磁性膜の記
録を上記第２の磁性膜を介して磁気的に結合する上記第
１の磁性膜に転写することを特徴とする光磁気記録媒体
。
第２図はそのＣ／Ｎ特性測定曲線図、第３図は第３の磁
性膜の構成図、第４図は希土類遷移金属磁性体の飽和磁
化の説明図である。 （１）は基体、（１１）〜（１３）は第１〜第３の磁性
膜、Ｓは光磁気記録媒体である。 同 松隈秀盛 尤石ａ久記蜂鱈３本の針面口 第１図 ｔａ ＊周ｔＬ数（ＭＨｚ） Ｃ／Ｎの周う皮執床存姓狩性曲殖図 第２図 ！Ｊ冨３ｎ肱姓腹 Ｍ３ｒ埴＋１腹の構成国 第３図 Ａ Ｂ 寺工費−−遷Ｔシ金Ｘ、ｉｎ！倦の脅包オロλａイＬｊ
説日月圀第４図 手続補正書 昭和６３年 １月１２日 １、事件の表示 昭和６２年 特 許 願 第３０７０７０号２、発明の
名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用２北品用６丁目７番３５号名称（２
１Ｂ）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 （１） 明細書中、特許請求の範囲を別紙のように訂
正する。 （２） 明細書中、第４真下から３行ｒ ’ｌ’ Ｃ
２＜ ’Ｉ″ＲＴＪをｒ Ｔ Ｃ２＞ ”Ｉ’ ＲＴ
Ｊと訂正する。 以上 特許請求の範囲 第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、第３の磁性膜とが順
次積層されて成り、 上記第１の磁性膜は、光磁気相互作用による偏光面回転
角が大なる磁性膜より成り、 上記第１．第２及び第３の各磁性膜は、それぞれのキエ
リー温度を’Ｉ’ ｃ１＋ Ｔ ｃ２及び１゛ｃ３とし
、室温を’ｒ ＲＴとするときｒ Ｃ２＞ ’ｌ’ Ｒ
Ｔで、かつＴ Ｃ２＜ ’ｌ’ ｃｔ’ｌ’ Ｃ２＜
’ｌ’ Ｃ３で、 上硯２の磁性膜は、室温’ｒ ＲＴで上記第１及び第３
の磁性膜と磁気的に結合し、記録時の温度で上記第１及
び第３の磁性膜の磁気的結合を遮断し、上記第３の磁性
膜に、該第３の磁性膜のキュリー点’ｒ Ｃ３の近傍の
温度で記録をなし、その冷却過程で該第３の磁性膜の記
録を上記第２の磁性膜を介して磁気的に結合する上記第
１の磁性膜に転写することを特徴とする光磁気記録媒体
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、第３の磁性膜とが
順次積層されて成り、 上記第１の磁性膜は、光磁気相互作用による偏光面回転
角が大なる磁性膜より成り、 上記第１、第２及び第３の各磁性膜は、それぞれのキュ
リー温度をＴ＿Ｃ＿１、Ｔ＿Ｃ＿２及びＴ＿Ｃ＿３とし
、室温をＴ＿Ｒ＿ＴとするときのＴ＿Ｃ＿２＜Ｔ＿Ｒ＿
Ｔで、かつＴ＿Ｃ＿２＜Ｔ＿Ｃ＿１、Ｔ＿Ｃ＿２＜Ｔ＿
Ｃ＿３で、 上記、第２の磁性膜は、室温Ｔ＿Ｒ＿Ｔで上記第１及び
第３の磁性膜と磁気的に結合し、記録時の温度で上記第
１及び第３の磁性膜の磁気的結合を遮断し、 上記第３の磁性膜に、該第３の磁性膜のキュリー点Ｔ＿
Ｃ＿３の近傍の温度で記録をなし、その冷却過程で該第
３の磁性膜の記録を上記第２の磁性膜を介して磁気的に
結合する上記第１の磁性膜に転写することを特徴とする
光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307070A JPH01149246A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 光磁気記録媒体 |
| US07/278,022 US4882231A (en) | 1987-12-04 | 1988-11-30 | Magneto-optical recording medium |
| DE3888109T DE3888109T2 (de) | 1987-12-04 | 1988-12-01 | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium. |
| EP88120092A EP0319004B1 (en) | 1987-12-04 | 1988-12-01 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62307070A JPH01149246A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149246A true JPH01149246A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17964682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62307070A Pending JPH01149246A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4882231A (ja) |
| EP (1) | EP0319004B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01149246A (ja) |
| DE (1) | DE3888109T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01241051A (ja) * | 1988-03-19 | 1989-09-26 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH03192551A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH04192137A (ja) * | 1990-11-26 | 1992-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録媒体 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE68928843T2 (de) * | 1988-08-24 | 1999-06-02 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Magnetooptisches speichermedium |
| NL8803168A (nl) * | 1988-12-24 | 1990-07-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het thermomagnetisch registreren van informatie en het optisch uitlezen van de geregistreerde informatie alsmede een registratie-element dat geschikt is voor toepassing in deze werkwijze. |
| JP2558365B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1996-11-27 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US5087532A (en) * | 1989-08-01 | 1992-02-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Direct-overwrite magneto-optic media |
| JP2503708B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1996-06-05 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体及び装置 |
| US5512366A (en) * | 1989-11-14 | 1996-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optic recording medium and apparatus |
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| US5258237A (en) * | 1989-11-14 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magneto-optic recording medium |
| DE69231042T2 (de) * | 1991-02-08 | 2000-09-28 | Sony Corp., Tokio/Tokyo | Magnetooptisches Aufzeichnungs- und/oder -wiedergabegerät |
| JP2959588B2 (ja) * | 1991-02-14 | 1999-10-06 | ソニー株式会社 | 光磁気ディスク及びそのセクタ管理情報の記録方法ならびに再生方法 |
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| JPS5769541A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-28 | Olympus Optical Co Ltd | Recording medium and recording and reproducing system using sand medium |
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-
1987
- 1987-12-04 JP JP62307070A patent/JPH01149246A/ja active Pending
-
1988
- 1988-11-30 US US07/278,022 patent/US4882231A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-01 EP EP88120092A patent/EP0319004B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-01 DE DE3888109T patent/DE3888109T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4882231A (en) | 1989-11-21 |
| DE3888109D1 (de) | 1994-04-07 |
| EP0319004A3 (en) | 1990-05-16 |
| EP0319004A2 (en) | 1989-06-07 |
| EP0319004B1 (en) | 1994-03-02 |
| DE3888109T2 (de) | 1994-09-15 |
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