JPH03161976A - プレーナ型ダイアック及びその製造方法 - Google Patents
プレーナ型ダイアック及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03161976A JPH03161976A JP1302495A JP30249589A JPH03161976A JP H03161976 A JPH03161976 A JP H03161976A JP 1302495 A JP1302495 A JP 1302495A JP 30249589 A JP30249589 A JP 30249589A JP H03161976 A JPH03161976 A JP H03161976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high concentration
- diffusion layer
- conductivity type
- concentration diffusion
- diac
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/80—PNPN diodes, e.g. Shockley diodes or break-over diodes
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、双方向性２端子半導体装置であるプレーナ型
ダイアックに関する。
ダイアックに関する。
［従来の技術コ
プレーナ型ダイアックは、トライアック等のゲートトリ
ガをかける双方向性ダイオードであり、例えは、第４図
に示すものがある。このプレーナ型ダイアック１００は
、Ｐ一型の低濃度基板１０１０両側にＮ十型高濃度層１
０２ａ，１０２ｂをそれぞれ拡散し、さらに、該Ｎ十型
高濃度層１０２ ａｌ １ ０ ２ ｂ内にそれらよ
り深く、Ｐ十型の高濃度拡散層１０３ａ． １０３ｂ
を拡散して絶縁膜１０５，１０５の窓孔を介してそれぞ
れに電極１０４ａ． １０４ｂを形成したものである
。
ガをかける双方向性ダイオードであり、例えは、第４図
に示すものがある。このプレーナ型ダイアック１００は
、Ｐ一型の低濃度基板１０１０両側にＮ十型高濃度層１
０２ａ，１０２ｂをそれぞれ拡散し、さらに、該Ｎ十型
高濃度層１０２ ａｌ １ ０ ２ ｂ内にそれらよ
り深く、Ｐ十型の高濃度拡散層１０３ａ． １０３ｂ
を拡散して絶縁膜１０５，１０５の窓孔を介してそれぞ
れに電極１０４ａ． １０４ｂを形成したものである
。
上記ダイアック１００の特性としては、第６図に示すよ
うに、印加電圧を上昇させていくと、特定の電圧ＶＢＯ
、電流Ｉ ＢＯでブレークダウンが起こり、急激に電圧
が低下するといったネガティブレジスタンス特性を呈す
るものであり、このときのプレークオーバ電圧ＶＢＯは
、Ｐ−（１０１）−Ｎ＋（１０２ａ）接合部がガートリ
ング効果を生して耐圧が高くなるため、Ｐ＋（１ ０３
ａ）−Ｎ＋（１ ０２ａ）接合部の耐圧によって決定さ
れていた。
うに、印加電圧を上昇させていくと、特定の電圧ＶＢＯ
、電流Ｉ ＢＯでブレークダウンが起こり、急激に電圧
が低下するといったネガティブレジスタンス特性を呈す
るものであり、このときのプレークオーバ電圧ＶＢＯは
、Ｐ−（１０１）−Ｎ＋（１０２ａ）接合部がガートリ
ング効果を生して耐圧が高くなるため、Ｐ＋（１ ０３
ａ）−Ｎ＋（１ ０２ａ）接合部の耐圧によって決定さ
れていた。
このようなダイアツク１００としては、プレークオーハ
ー電圧ＶＢＯが安定し、かつプレークオーバ電圧ＶＢＯ
時でのプレークオーバ電流、即ち、無効電ｉｆｔＥ Ｉ
ＢＯが小さいダイアツクが要望されている。
ー電圧ＶＢＯが安定し、かつプレークオーバ電圧ＶＢＯ
時でのプレークオーバ電流、即ち、無効電ｉｆｔＥ Ｉ
ＢＯが小さいダイアツクが要望されている。
そこで、無効電流Ｔ ８０と上記Ｎ＋−Ｐ一接合部との
相関を検討し・た結果、Ｎ＋−Ｐ一接合部の面積が大き
くなるほど無効電流ＩＢＯが大きくなるといった傾向が
判明した。
相関を検討し・た結果、Ｎ＋−Ｐ一接合部の面積が大き
くなるほど無効電流ＩＢＯが大きくなるといった傾向が
判明した。
このことから、無効電流ＩＢＯの小さいダイアツクを提
供するために、第５図に示すようなＮ＋−Ｐ一接合部の
ないダイアツク１１０を提案した。
供するために、第５図に示すようなＮ＋−Ｐ一接合部の
ないダイアツク１１０を提案した。
該ダイアック１１０は、Ｐ一型の低濃度基板１ｌ１の両
側にＰ十型高濃度層１１２ａ．１ｔ２ｂをそれぞれ拡散
し、該Ｐ十型の高濃度拡散ＩＷ１１２ａ．１１２ｂ内に
Ｎ十型高濃度層１１３ａ，１１３ｂを、Ｐ十型高濃度拡
散層１１２ａ．１１２ｂよりも浅くそれぞれ拡散して、
Ｎ＋一Ｐ一接合部をなくし、ｌｉ！紗膜１１５、１１５
の窓孔を介してそれぞれに電極１１４ａ．１１４ｂを形
成した構造となっていろ。
側にＰ十型高濃度層１１２ａ．１ｔ２ｂをそれぞれ拡散
し、該Ｐ十型の高濃度拡散ＩＷ１１２ａ．１１２ｂ内に
Ｎ十型高濃度層１１３ａ，１１３ｂを、Ｐ十型高濃度拡
散層１１２ａ．１１２ｂよりも浅くそれぞれ拡散して、
Ｎ＋一Ｐ一接合部をなくし、ｌｉ！紗膜１１５、１１５
の窓孔を介してそれぞれに電極１１４ａ．１１４ｂを形
成した構造となっていろ。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、第５図に示すダイアック１１０では、プ
レークオーバ電圧ＶＢＯにおけろ無効電流１８０は小さ
くなったが、次のような問題があった。
レークオーバ電圧ＶＢＯにおけろ無効電流１８０は小さ
くなったが、次のような問題があった。
即ち、ダイアック１１０のプレークオーバ電圧Ｖ８０は
、バルク内てのＮ＋一Ｐ十接合部での削圧、または、表
面のＮ＋−Ｐ＋接合部での耐圧の何れか小さい方で決定
されるが、絶縁膜１１５．１１５内に含まれるナトリウ
ムイオン等に起因して、表面での耐圧の方が低くなって
ブレークダウンを起し易く、このときのプレークオーバ
電圧ＶＢＯがＮ＋−Ｐ十接合部で設計した所定電圧より
低くなり、しかもそれが絶縁膜１１５．１１５内に含ま
れろナトリウムイオンの量等によりばらつき、特性が不
安定になるといった問題があった。
、バルク内てのＮ＋一Ｐ十接合部での削圧、または、表
面のＮ＋−Ｐ＋接合部での耐圧の何れか小さい方で決定
されるが、絶縁膜１１５．１１５内に含まれるナトリウ
ムイオン等に起因して、表面での耐圧の方が低くなって
ブレークダウンを起し易く、このときのプレークオーバ
電圧ＶＢＯがＮ＋−Ｐ十接合部で設計した所定電圧より
低くなり、しかもそれが絶縁膜１１５．１１５内に含ま
れろナトリウムイオンの量等によりばらつき、特性が不
安定になるといった問題があった。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明のプレーナ型ダイア
ックは、一導電型の低濃度基板の両面に一導電型の高濃
度拡散層を対向させてそれぞれ有すると共に、該高濃度
拡散層の表面内側に他導電型の高濃度拡散層を有し、上
記一導電型拡散層の表面での水平方向の幅を垂直方向の
深さより短くし、上記他導電型の高濃度拡散層の表面に
電極を形或してなることを特徴とする。
ックは、一導電型の低濃度基板の両面に一導電型の高濃
度拡散層を対向させてそれぞれ有すると共に、該高濃度
拡散層の表面内側に他導電型の高濃度拡散層を有し、上
記一導電型拡散層の表面での水平方向の幅を垂直方向の
深さより短くし、上記他導電型の高濃度拡散層の表面に
電極を形或してなることを特徴とする。
また、上記構成のプレーナ型ダイアックの製造方法とし
ては、一導電型の低濃度基板の両面に酸化膜を形成し、
両酸化膜に第１の拡散窓をそれぞれ形成して一導電型の
高濃度拡散層を拡散する工程と、上記両ｍｉｌｌヒ膜に
前記第１の拡散窓より広い第２の拡散窓をそれぞれ形成
して他導電型の高濃度拡散層を拡散する工程と、上記他
導電型の高濃度拡散層の表面にそれぞれ電極を形成する
工程とを含むことを特徴とする。
ては、一導電型の低濃度基板の両面に酸化膜を形成し、
両酸化膜に第１の拡散窓をそれぞれ形成して一導電型の
高濃度拡散層を拡散する工程と、上記両ｍｉｌｌヒ膜に
前記第１の拡散窓より広い第２の拡散窓をそれぞれ形成
して他導電型の高濃度拡散層を拡散する工程と、上記他
導電型の高濃度拡散層の表面にそれぞれ電極を形成する
工程とを含むことを特徴とする。
［作用］
上記構成のプレーナ型ダイアツクでは、一導電型の低濃
度基板に刻向させて形成された一導電型の高濃度拡散層
に池導電型の高濃度拡散層を拡散し、上記一導電型拡散
層の表面での水平方向の幅を垂直方向の深さより小さく
することで、−導電型高濃度拡散層と他導電型高濃度拡
散層との表面での濃度差が、バルクての濃度差より大き
くなって表面での耐圧が上がり、従って、他導電型の高
濃度拡散層と一導電型の高濃度拡散層のバルクての耐圧
がこのプレーナ型ダｆアックの削圧、即ち、プレークオ
ーバ電圧となり、しかも、このときの無効電流は小さく
なる。この場合、両側の電極に電圧が印加され、逆ハイ
アスされたー導電型の高濃度拡散層と他導電型の高濃度
拡散層間がブレークダウンして、キャリアが順ハイアス
された他方の一導電型の高濃度拡散層と他導電型の高濃
度拡散層を通過する際にトランジスタ効果によって電流
が増幅されて流れるようになり、電圧の急激な低下を伴
って電流が増幅されて流れるといった良好なダイアック
の特性を示すようになる。
度基板に刻向させて形成された一導電型の高濃度拡散層
に池導電型の高濃度拡散層を拡散し、上記一導電型拡散
層の表面での水平方向の幅を垂直方向の深さより小さく
することで、−導電型高濃度拡散層と他導電型高濃度拡
散層との表面での濃度差が、バルクての濃度差より大き
くなって表面での耐圧が上がり、従って、他導電型の高
濃度拡散層と一導電型の高濃度拡散層のバルクての耐圧
がこのプレーナ型ダｆアックの削圧、即ち、プレークオ
ーバ電圧となり、しかも、このときの無効電流は小さく
なる。この場合、両側の電極に電圧が印加され、逆ハイ
アスされたー導電型の高濃度拡散層と他導電型の高濃度
拡散層間がブレークダウンして、キャリアが順ハイアス
された他方の一導電型の高濃度拡散層と他導電型の高濃
度拡散層を通過する際にトランジスタ効果によって電流
が増幅されて流れるようになり、電圧の急激な低下を伴
って電流が増幅されて流れるといった良好なダイアック
の特性を示すようになる。
また、本発明の製造方法によれは、一導電型の低濃度基
板の両面に形成した酸化膜に第１の拡散窓をそれぞれ形
成し・て一導電型の高濃度拡散層を拡散し・た後、上記
両酸化膜に前記第１の拡散窓より広い第２の拡散窓を形
威して他導電型の高濃度拡散層を拡散すると、該他導電
型拡散層を拡散し・た後の一導電型の高謂度拡散層をみ
ると、垂直方向での深さより表面での水平方向の幅を短
くてきる。
板の両面に形成した酸化膜に第１の拡散窓をそれぞれ形
成し・て一導電型の高濃度拡散層を拡散し・た後、上記
両酸化膜に前記第１の拡散窓より広い第２の拡散窓を形
威して他導電型の高濃度拡散層を拡散すると、該他導電
型拡散層を拡散し・た後の一導電型の高謂度拡散層をみ
ると、垂直方向での深さより表面での水平方向の幅を短
くてきる。
［実施例コ
以下、図面を参照して本考案の一実施例を説明する。
第１図は本発明の一実施例にかかるプレーナ型ダイアッ
クの概略断面図である。図において、 １は不純物濃度
が約９ Ｘ １ ０ ” ａｔ．ｏｍｓ／ ａｍ ３の
Ｐ一型の低濃度基板であって、該低濃度基板１の両面に
不純物濃度が約５ Ｘ １ ０ ”ａｔ．ｏｍｓ／ ｃ
ｍ ３のＰ十型の高濃度拡散Ｆ’２ａ．２ｂがそれぞれ
対向した位置に拡散されており、該拡散層２ａ．２ｂ内
側に不純物濃度が約４ Ｘ １ ０ ”ｉｌａｔｏｍｓ
／ ｐｍ’のＮ十型の高濃度拡散Ｆｉ３ａ．３１）がそ
れぞれ拡散されている。
クの概略断面図である。図において、 １は不純物濃度
が約９ Ｘ １ ０ ” ａｔ．ｏｍｓ／ ａｍ ３の
Ｐ一型の低濃度基板であって、該低濃度基板１の両面に
不純物濃度が約５ Ｘ １ ０ ”ａｔ．ｏｍｓ／ ｃ
ｍ ３のＰ十型の高濃度拡散Ｆ’２ａ．２ｂがそれぞれ
対向した位置に拡散されており、該拡散層２ａ．２ｂ内
側に不純物濃度が約４ Ｘ １ ０ ”ｉｌａｔｏｍｓ
／ ｐｍ’のＮ十型の高濃度拡散Ｆｉ３ａ．３１）がそ
れぞれ拡散されている。
さらに、この高濃度拡散Ｆ３ａ．３ｂには電極５ａ．５
ｂが酸化膜４，４のコンタクト窓９．９を介してそれぞ
れ形成されている。
ｂが酸化膜４，４のコンタクト窓９．９を介してそれぞ
れ形成されている。
上記Ｎ十型高濃度拡散Ｆ’ ３ ａは、第２図に示すよ
うに、Ｐ十型高濃度拡散Ｎ２ ａ内に拡散された深さを
Ｄ１、垂直方向のＰ十型高濃度拡散Ｎ２ａの深さをＤ２
とし、酸化膜４の拡散窓８の端部からのＮ十型高濃度拡
散Ｎ３ａの水平方向の幅を＼Ｖ１、Ｐ十型高濃度拡散Ｆ
ｉ７ ２ ａの拡散幅をＷ２とすると、＼Ｖｌ＜ＤＩ及
びＷ２＜Ｄ２といった関係で拡散される。尚、Ｎ十型高
濃度拡散層３ｂについても同様となっている。
うに、Ｐ十型高濃度拡散Ｎ２ ａ内に拡散された深さを
Ｄ１、垂直方向のＰ十型高濃度拡散Ｎ２ａの深さをＤ２
とし、酸化膜４の拡散窓８の端部からのＮ十型高濃度拡
散Ｎ３ａの水平方向の幅を＼Ｖ１、Ｐ十型高濃度拡散Ｆ
ｉ７ ２ ａの拡散幅をＷ２とすると、＼Ｖｌ＜ＤＩ及
びＷ２＜Ｄ２といった関係で拡散される。尚、Ｎ十型高
濃度拡散層３ｂについても同様となっている。
このようなプレーナ型ダイアックは、例えば、該電極５
ａ．５ｂを１・ライアック（図示せず）のゲート・Ｔ２
電極間等に接続し、該トライアックにゲートトリ力をか
ける際なとに使用される。
ａ．５ｂを１・ライアック（図示せず）のゲート・Ｔ２
電極間等に接続し、該トライアックにゲートトリ力をか
ける際なとに使用される。
上記構成のプレーナ型ダイアックの製造は次のように行
われる。先ず、第３図（イ）に示すように、Ｐ一型低濃
度基板１の両面に酸化膜６．６を形成し、対向したそれ
ぞれの酸化膜６，６にエッチング等を施して第１の拡散
窓７，７をそれぞれ形成し、Ｐ十型高濃度拡散層２ａ．
２ｂをそれぞれ拡散する。上記第１の拡散窓７，７の間
口幅ＬＩは、例えは、約３００ｕｍ程度とし、Ｐ十型高
濃度拡散Ｆｉ２ａ．２ｂの拡散深さは約２ ０ μｍ程
度としていろ。
われる。先ず、第３図（イ）に示すように、Ｐ一型低濃
度基板１の両面に酸化膜６．６を形成し、対向したそれ
ぞれの酸化膜６，６にエッチング等を施して第１の拡散
窓７，７をそれぞれ形成し、Ｐ十型高濃度拡散層２ａ．
２ｂをそれぞれ拡散する。上記第１の拡散窓７，７の間
口幅ＬＩは、例えは、約３００ｕｍ程度とし、Ｐ十型高
濃度拡散Ｆｉ２ａ．２ｂの拡散深さは約２ ０ μｍ程
度としていろ。
次に、第３図（口）に示すように、上記Ｐ十型高濃度拡
散Ｆｉ’ ２ ａ． ２ ｂの拡散時に形成された酸
化膜４．４に、上記酸化膜６，６の第１の拡散窓７，７
より開口幅の広い第２の拡散窓８，８を形威し、該第２
の拡散窓８，８を通してＮ十型高濃度拡散層３ａ．３ｂ
をそれぞれ拡散する。上記第２の拡散窓８，８０開口幅
Ｌ２は約３ １ ０ ＩＩ ｍ程度とし、Ｎ十型高濃度
拡散Ｎ３ ａ− ３ １）の拡散深さは約１０μｍ程
度とし・ている。
散Ｆｉ’ ２ ａ． ２ ｂの拡散時に形成された酸
化膜４．４に、上記酸化膜６，６の第１の拡散窓７，７
より開口幅の広い第２の拡散窓８，８を形威し、該第２
の拡散窓８，８を通してＮ十型高濃度拡散層３ａ．３ｂ
をそれぞれ拡散する。上記第２の拡散窓８，８０開口幅
Ｌ２は約３ １ ０ ＩＩ ｍ程度とし、Ｎ十型高濃度
拡散Ｎ３ ａ− ３ １）の拡散深さは約１０μｍ程
度とし・ている。
上記Ｐ十型高濃度拡散Ｆ’２ａ，２ｂ表面内側にＮ十型
高濃度拡散Ｆｉ＋３ａ．３ｂを拡散すると、第３図（ハ
）に示すように、上記酸化膜４，４にコンタク１・窓９
，つを形成し、該窓９．９を介して電極５ａ．５１＋を
形成ずる。この電極５ａ．５ｂは、例えは、金又はチタ
ンを含有した銀を第２の−９− 窓９，９に蒸着した後、銀やアルミニウ１１等によって
形成されろものである。
高濃度拡散Ｆｉ＋３ａ．３ｂを拡散すると、第３図（ハ
）に示すように、上記酸化膜４，４にコンタク１・窓９
，つを形成し、該窓９．９を介して電極５ａ．５１＋を
形成ずる。この電極５ａ．５ｂは、例えは、金又はチタ
ンを含有した銀を第２の−９− 窓９，９に蒸着した後、銀やアルミニウ１１等によって
形成されろものである。
本発明のプレーナ型ダイアックでは、Ｎ十型高濃度拡散
層３ ａ＋ ３ １）の濃度は全体にほぼ均一して拡
散されるので電流増幅率ｂＦＥもほぼ均一となり、該Ｎ
十型高濃度拡散層３ａ．３ｂとＰ十型高濃度拡散層２ａ
．２ｂのＮ＋−Ｐ十接合部の剛圧が安定するようになる
。しかも、第１の拡散窓７，７より広い開口をもつ第２
の拡散窓８，８によってＮ十型高濃度拡散層３ａ．３ｂ
を拡散するため、表面付近ではＮ＋−Ｐ十接合部がＰ十
型高濃度拡散Ｆｊ２ａ．２１＋とＰ一型低濃度基板１と
の境界部ｌＯに這づいた状態となり、Ｎ＋型高濃度拡散
層３ａ．３ｂとＰ一型高濃度拡散１２３．２ｂとの表面
近傍での濃度差が大きくなっている。そのため、Ｐ十型
高濃度拡散層２ａ．２ｂの表面近傍での空乏層の広がり
が、従来の第５図の場合よりも大きくなり、表面近傍で
の耐圧が、Ｎ＋−Ｐ→接合部のハルクでの耐圧より高め
られ、電圧を印加するとＮ＋−Ｐ十接合部のバルクて必
ずブレーク−１０− ダウンを起すようになる。
層３ ａ＋ ３ １）の濃度は全体にほぼ均一して拡
散されるので電流増幅率ｂＦＥもほぼ均一となり、該Ｎ
十型高濃度拡散層３ａ．３ｂとＰ十型高濃度拡散層２ａ
．２ｂのＮ＋−Ｐ十接合部の剛圧が安定するようになる
。しかも、第１の拡散窓７，７より広い開口をもつ第２
の拡散窓８，８によってＮ十型高濃度拡散層３ａ．３ｂ
を拡散するため、表面付近ではＮ＋−Ｐ十接合部がＰ十
型高濃度拡散Ｆｊ２ａ．２１＋とＰ一型低濃度基板１と
の境界部ｌＯに這づいた状態となり、Ｎ＋型高濃度拡散
層３ａ．３ｂとＰ一型高濃度拡散１２３．２ｂとの表面
近傍での濃度差が大きくなっている。そのため、Ｐ十型
高濃度拡散層２ａ．２ｂの表面近傍での空乏層の広がり
が、従来の第５図の場合よりも大きくなり、表面近傍で
の耐圧が、Ｎ＋−Ｐ→接合部のハルクでの耐圧より高め
られ、電圧を印加するとＮ＋−Ｐ十接合部のバルクて必
ずブレーク−１０− ダウンを起すようになる。
従って、本発明のダイアックのプレークオーハ電圧ＶＢ
ＯはＮ＋−Ｐ十接合部のバルクでの剛圧となり、この耐
圧の設計が容易であるため、プレークオーハ電圧ＶＢＯ
を所定値、例えは、２８〜４０＼Ｉに簡単に設定できる
ようになる。また、ブレークダウンを起したときのプレ
ークオーハ電流１８０．即ちて流れろ無効電流１８０は
、Ｐ十型高濃度拡散層２ａ．２ｂからＮ十型高濃度拡散
層３ａ．３ｂが幅方向に露出しない状態で拡散されてい
るために小さく抑えられ、５０ｌｌ八以下といった低電
流が実現できる。
ＯはＮ＋−Ｐ十接合部のバルクでの剛圧となり、この耐
圧の設計が容易であるため、プレークオーハ電圧ＶＢＯ
を所定値、例えは、２８〜４０＼Ｉに簡単に設定できる
ようになる。また、ブレークダウンを起したときのプレ
ークオーハ電流１８０．即ちて流れろ無効電流１８０は
、Ｐ十型高濃度拡散層２ａ．２ｂからＮ十型高濃度拡散
層３ａ．３ｂが幅方向に露出しない状態で拡散されてい
るために小さく抑えられ、５０ｌｌ八以下といった低電
流が実現できる。
よって、例えは、上記ダイアックの電極５ａにプラスの
電圧を、電極５ １）にマ，イナスの電圧を印加すると
、逆バイアスされるＮ十型高濃度拡散層３ａとＰ十型高
濃度拡散層２ａ間のＮ＋−Ｐ十接合部のハルクの耐圧で
ブレークダウンを起し、キャリアが順ハイアスされてい
るハルクのＰ十高濃度拡散層２ａとＮ十高濃度拡散Ｐ’
３ ａ間のｐ＋一Ｎ＋接合部に流れ、トランジスタ効
果によって増ー１１ 幅された全ての電流が急激に流れろようここなって、電
圧は急激に減少し・、そのときの無効電流１８０は小さ
くなる。印加電圧が上記と逆；こなれは全く逆の動作が
なされ、第６図に示した？、力テイフレシスタンス波形
を示し、プレークオーハ電圧ＶＴ｛ＣＩが安定し、かつ
無効電流１８０が小さくて特性の良好なプレーナ型タイ
アックとなる。
電圧を、電極５ １）にマ，イナスの電圧を印加すると
、逆バイアスされるＮ十型高濃度拡散層３ａとＰ十型高
濃度拡散層２ａ間のＮ＋−Ｐ十接合部のハルクの耐圧で
ブレークダウンを起し、キャリアが順ハイアスされてい
るハルクのＰ十高濃度拡散層２ａとＮ十高濃度拡散Ｐ’
３ ａ間のｐ＋一Ｎ＋接合部に流れ、トランジスタ効
果によって増ー１１ 幅された全ての電流が急激に流れろようここなって、電
圧は急激に減少し・、そのときの無効電流１８０は小さ
くなる。印加電圧が上記と逆；こなれは全く逆の動作が
なされ、第６図に示した？、力テイフレシスタンス波形
を示し、プレークオーハ電圧ＶＴ｛ＣＩが安定し、かつ
無効電流１８０が小さくて特性の良好なプレーナ型タイ
アックとなる。
尚、このダイアックのブしークオーハ電圧ＶＢＯは、Ｐ
十型高濃度拡散Ｆｉ２ａ．２ｂ表面内側へのＮ十型高濃
度拡散ｉ３ａ．３ｂの拡散深さを変えることて容易に変
更でき、しかも、ブレークダウン峙の無効電流ＩＢＯは
、上記プレークオーハ電圧ＶＢＯ及ひＰ一低濃度基板１
やＰ十型高濃度拡散層２ａ．２ｂの濃度等によって変化
し、さらに、Ｎ＋型高濃度拡散層３ａ，３ｂを拡散する
第２の拡散窓８．８の第１の拡散窓７，７の開口幅に対
する開口比率によー〕でも変化し、無効電圧ＩＲＱが小
さく制御されたダイアックを簡単に提供できるようにな
る。
十型高濃度拡散Ｆｉ２ａ．２ｂ表面内側へのＮ十型高濃
度拡散ｉ３ａ．３ｂの拡散深さを変えることて容易に変
更でき、しかも、ブレークダウン峙の無効電流ＩＢＯは
、上記プレークオーハ電圧ＶＢＯ及ひＰ一低濃度基板１
やＰ十型高濃度拡散層２ａ．２ｂの濃度等によって変化
し、さらに、Ｎ＋型高濃度拡散層３ａ，３ｂを拡散する
第２の拡散窓８．８の第１の拡散窓７，７の開口幅に対
する開口比率によー〕でも変化し、無効電圧ＩＲＱが小
さく制御されたダイアックを簡単に提供できるようにな
る。
［発明の効果コ
１２
以上の説明から明らかなように、本発明のプレーナ型ダ
イアックは、電圧印加によりブレークダウンが起こり急
激な電圧低下が起こるときの無効電流値を低くすること
ができ、このときのブレークダウンを一導電型の高濃度
拡散層と他導電型Φ高濃度層拡散層のバルクての耐圧て
規制できろようＬこなり、フレークダウンの起る電圧が
安定し、その時の無効電流も低くなるといった、特性の
優れたプレーナ型ダイアックを提供できる。
イアックは、電圧印加によりブレークダウンが起こり急
激な電圧低下が起こるときの無効電流値を低くすること
ができ、このときのブレークダウンを一導電型の高濃度
拡散層と他導電型Φ高濃度層拡散層のバルクての耐圧て
規制できろようＬこなり、フレークダウンの起る電圧が
安定し、その時の無効電流も低くなるといった、特性の
優れたプレーナ型ダイアックを提供できる。
第１図は本発明の一実施例にかかるプレーナ型ダイアッ
クの概略断面図、第２図は同実施例の要部拡大断面図、
第３図（イ），（口〉 （ハ）はそれぞれ本発明のプレ
ーナ型ダイアツクの製造方法を順を追って説明する工程
説明図である。 第４図及ひ第Ｓ図は従来の異なるプレーナ型ダイアック
の概略断面図、第６図はプレーナ型ダイアックの一般的
なＶ−１特性図である。 １・・・Ｐ一型低濃度基板、 ２ａ．２ｂ・・・Ｐ十型高濃度拡散層、ー１３ー ３ａ，３ｂ・・・Ｎ十型高濃度拡散層、５ａ．５１＋・
・・電極、 ７・・・第１の拡散窓、 ８・・・第２の拡散窓、 ＼ｖ２・・・Ｐ十型高ａ度拡散層の幅、Ｄ２・・・Ｐ十
型高濃度拡散層の深さ。 特 許 出 願 人 間西日本電気株式会社 −１４− （，ｎ１；− 第４図 第６図 第５図 手続補正書 （方式） 平成 ２年 ６月２８日
クの概略断面図、第２図は同実施例の要部拡大断面図、
第３図（イ），（口〉 （ハ）はそれぞれ本発明のプレ
ーナ型ダイアツクの製造方法を順を追って説明する工程
説明図である。 第４図及ひ第Ｓ図は従来の異なるプレーナ型ダイアック
の概略断面図、第６図はプレーナ型ダイアックの一般的
なＶ−１特性図である。 １・・・Ｐ一型低濃度基板、 ２ａ．２ｂ・・・Ｐ十型高濃度拡散層、ー１３ー ３ａ，３ｂ・・・Ｎ十型高濃度拡散層、５ａ．５１＋・
・・電極、 ７・・・第１の拡散窓、 ８・・・第２の拡散窓、 ＼ｖ２・・・Ｐ十型高ａ度拡散層の幅、Ｄ２・・・Ｐ十
型高濃度拡散層の深さ。 特 許 出 願 人 間西日本電気株式会社 −１４− （，ｎ１；− 第４図 第６図 第５図 手続補正書 （方式） 平成 ２年 ６月２８日
Claims (2)
- （１）一導電型の低濃度基板の両面に一導電型の高濃度
拡散層を対向させてそれぞれ有すると共に、該高濃度拡
散層の表面内側に他導電型の高濃度拡散層を有し、上記
一導電型拡散層の表面での水平方向の幅を垂直方向の深
さより短くし、上記他導電型の高濃度拡散層の表面に電
極を形成してなるプレーナ型ダイアック。 - （２）一導電型の低濃度基板の両面に酸化膜を形成し、
両酸化膜に第１の拡散窓をそれぞれ形成して一導電型の
高濃度拡散層を拡散する工程と、上記両酸化膜に前記第
１の拡散窓をより広い第２の拡散窓をそれぞれ形成して
、他導電型の高濃度拡散層を拡散する工程と、 上記他導電型の高濃度拡散層の表面にそれぞれ電極を形
成する工程とを含むことを特徴とするプレーナ型ダイア
ックの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302495A JPH03161976A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | プレーナ型ダイアック及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302495A JPH03161976A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | プレーナ型ダイアック及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03161976A true JPH03161976A (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=17909647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1302495A Pending JPH03161976A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | プレーナ型ダイアック及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03161976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448645U (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-24 |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP1302495A patent/JPH03161976A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448645U (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900000981A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JPH02151067A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05347413A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0077004B1 (en) | Semiconductor rectifier diode | |
| JPH04107877A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US4021837A (en) | Symmetrical semiconductor switch having carrier lifetime degrading structure | |
| JPH03161976A (ja) | プレーナ型ダイアック及びその製造方法 | |
| CN103474348A (zh) | 一种穿通型沟槽肖特基器件结构及其制造方法 | |
| JPS5921170B2 (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置 | |
| JPS61170067A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05335558A (ja) | 双方向２端子サイリスタ | |
| KR970024275A (ko) | 안전 동작 영역을 증가시킨 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| JPS62195181A (ja) | 半導体放射線検出素子 | |
| CN107195692B (zh) | 沟槽肖特基二极管及其制作方法 | |
| JPS5989464A (ja) | サイリスタ | |
| KR930003559B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JPS61231776A (ja) | 光検知半導体装置 | |
| JPS6156444A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100192966B1 (ko) | 모스 콘트롤 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPS60210864A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH07120788B2 (ja) | プレ−ナ型半導体装置 | |
| JP3101015B2 (ja) | 受光素子及び受光素子の製造方法 | |
| JPH04206780A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0235779A (ja) | 半導体装置 | |
| KR830001930B1 (ko) | 반도체장치의 전극구조 |