JPH03161995A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装方法Info
- Publication number
- JPH03161995A JPH03161995A JP30082589A JP30082589A JPH03161995A JP H03161995 A JPH03161995 A JP H03161995A JP 30082589 A JP30082589 A JP 30082589A JP 30082589 A JP30082589 A JP 30082589A JP H03161995 A JPH03161995 A JP H03161995A
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- JP
- Japan
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- belt
- far
- reflow
- solder
- reflecting material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半田バンプ付ＩＣのセラ弓ツタ基板上への実
装方法に関するものである。
装方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
即ち、半田バンプ付ＩＣの実装技術のりフローソルダリ
ングの加熱方式としては、近赤外線法・遠赤外線輻射法
等があり、これは、ベルト式リフロー炉において、上下
両方向から基板及びＩＣを加熱するものである。
ングの加熱方式としては、近赤外線法・遠赤外線輻射法
等があり、これは、ベルト式リフロー炉において、上下
両方向から基板及びＩＣを加熱するものである。
第４図はかかる従来の半導体装置のヘルト式リフロー炉
の構或図である。
の構或図である。
この図において、半田を塗布した基板１上に■Ｃ２が搭
載され、この基板１と共にベルト３上に載置される。そ
して、回転駆動体４によるベルト３の移動に伴って炉内
に搬入され、遠赤外線ヒータ５で加熱された後、炉外へ
搬出される。
載され、この基板１と共にベルト３上に載置される。そ
して、回転駆動体４によるベルト３の移動に伴って炉内
に搬入され、遠赤外線ヒータ５で加熱された後、炉外へ
搬出される。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、上記した半導体装置の実装方法において、ＩＣ
はＳｊウエハから製造されており、裏面が黒色であるた
め、加熱によってＩＣ側の温度が上昇し過ぎてしまい、
満足できる半田リフロー状態が得られなかった。
はＳｊウエハから製造されており、裏面が黒色であるた
め、加熱によってＩＣ側の温度が上昇し過ぎてしまい、
満足できる半田リフロー状態が得られなかった。
ここで、従来のＩＣ裏面に表面処理を行わない場合のＩ
Ｃの温度プロファイルを第５図に示す。
Ｃの温度プロファイルを第５図に示す。
この図において、ａは基板右端、ｂは基板中央、Ｃは基
板左端の各ＩＣの温度を示している。
板左端の各ＩＣの温度を示している。
この図から明らかなように、ＩＣの温度はピークにおい
て２２５゜Ｃ〜２３６゜Ｃに達している。
て２２５゜Ｃ〜２３６゜Ｃに達している。
本発明は、ＩＣ側の温度が上昇し過ぎるという上記問題
点を除去し、良好な半田リフロー状態を得ることができ
る半導体装置の実装方法を提供することを目的とする。
点を除去し、良好な半田リフロー状態を得ることができ
る半導体装置の実装方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達或するために、ヘルト式リフロ
ー炉で上下両方向から基板及び半田ハンプ付ＩＣを遠赤
外線輻射法で加熱し、リフローする半導体装置の実装方
法において、前記ＩＣ（１２）の裏面を熱反射する材料
（１３）で表面処理し、リフローするようにしたもので
ある。
ー炉で上下両方向から基板及び半田ハンプ付ＩＣを遠赤
外線輻射法で加熱し、リフローする半導体装置の実装方
法において、前記ＩＣ（１２）の裏面を熱反射する材料
（１３）で表面処理し、リフローするようにしたもので
ある。
（作用）
本発明によれば、上記したように、Ｉ Ｃ （１２）の
裏面を熱反射する材料（１３）で表面処理し、ベルト式
リフロー炉で、上下両方向から基板（１１）及びＩＣ
（１２）を遠赤外線輻射法で加熱し、リフローするよう
にしたので、リフロー工程でのＩＣの温度上昇を抑える
ことができ、良好な半田リフロー状態を得ることができ
る。
裏面を熱反射する材料（１３）で表面処理し、ベルト式
リフロー炉で、上下両方向から基板（１１）及びＩＣ
（１２）を遠赤外線輻射法で加熱し、リフローするよう
にしたので、リフロー工程でのＩＣの温度上昇を抑える
ことができ、良好な半田リフロー状態を得ることができ
る。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す半導体装置のベルｌ・式
リフロー炉の構或図、第２図は第１図のＡＡ線断面図で
ある。
リフロー炉の構或図、第２図は第１図のＡＡ線断面図で
ある。
これらの図において、裏面が熱反射する材料ｌ３、例え
ば白色の銀ペースト等で表面処理された半田ハンプ付Ｉ
Ｃ１２を基板ｌ１上に載せ、該基板１１をベルト１４上
に載置ずる。そして、ベルト駆動体１５によってベルト
１４を移動させ、リフロー炉内に半田ハンプ付ＩＣ１２
を搬送する。
ば白色の銀ペースト等で表面処理された半田ハンプ付Ｉ
Ｃ１２を基板ｌ１上に載せ、該基板１１をベルト１４上
に載置ずる。そして、ベルト駆動体１５によってベルト
１４を移動させ、リフロー炉内に半田ハンプ付ＩＣ１２
を搬送する。
なお、このベルト式リフー炉（例えば、デンコ一社製、
Ｄ Ｚ３（］− ５−ＲＩＯ）には、上方に３個の遠赤
外線ヒータ２１， ２２． ２４を、下方に２個の遠赤
外線ヒータ２３， ２５を配置する。ここで、各ヒータ
２１〜２５の温度設定は、ヒータ２１を２００゜Ｃ１ヒ
ータ２２を３５０゜Ｃ，ヒータ２３を１４０’Ｃ，ヒー
タ２４を３５５゜Ｃ、ヒータ２５の温度設定を８２０゜
Ｃとする。また、この時のベル１・１４の移動スピード
は、２８０ｍｍ／分に設定する。
Ｄ Ｚ３（］− ５−ＲＩＯ）には、上方に３個の遠赤
外線ヒータ２１， ２２． ２４を、下方に２個の遠赤
外線ヒータ２３， ２５を配置する。ここで、各ヒータ
２１〜２５の温度設定は、ヒータ２１を２００゜Ｃ１ヒ
ータ２２を３５０゜Ｃ，ヒータ２３を１４０’Ｃ，ヒー
タ２４を３５５゜Ｃ、ヒータ２５の温度設定を８２０゜
Ｃとする。また、この時のベル１・１４の移動スピード
は、２８０ｍｍ／分に設定する。
そして、まず、炉内の温度を安定させるため、温度調節
スイソチをオンしてから、２時間以上放置する。
スイソチをオンしてから、２時間以上放置する。
次に、長さ２７０ｍｍ・幅１２ ． ５ ｍｍのＡ ｕ
’７８１膜パターンを上面に形威したセラジソク基板
１１に、半田ハンプ付ＩＣ１２を載せ、ヘル口４中央に
移動方向と平行に置く。そして、白金（Ｐｔ）熱電対に
より、半田バンブ付ＩＣ１２の両側及び中央の温度を測
定し、温度プロファイルを作或する。
’７８１膜パターンを上面に形威したセラジソク基板
１１に、半田ハンプ付ＩＣ１２を載せ、ヘル口４中央に
移動方向と平行に置く。そして、白金（Ｐｔ）熱電対に
より、半田バンブ付ＩＣ１２の両側及び中央の温度を測
定し、温度プロファイルを作或する。
ここで、ＩＣの裏面を熱反射する材料１３、例えば銀ペ
ーストで表面処理した場合の温度プロファイルを第３図
に示す。なお、ここでの測定条件は第５図の場合と同様
である。
ーストで表面処理した場合の温度プロファイルを第３図
に示す。なお、ここでの測定条件は第５図の場合と同様
である。
この図から明らかなように、本発明の場合は、ＩＣのピ
ーク温度が２０８゜Ｃ〜２１２゜Ｃとなっており、前記
した従来の場合（第５図）に比べて、ＩＣの温度上昇が
抑えられている。
ーク温度が２０８゜Ｃ〜２１２゜Ｃとなっており、前記
した従来の場合（第５図）に比べて、ＩＣの温度上昇が
抑えられている。
なお、本発明は」二記実施例に限定されるものではなく
、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、こ
れらを本発明の範囲から排除するものではない。
、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、こ
れらを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ベルト
式リフロー炉で、上下両方向から基板及び半田バンプ付
ＩＣを遠赤外線輻射法で加熱し、リフローする半導体装
置の実装方法において、ＩＣの裏面を熱反射する材料で
表面処理した後、リフローを行うようにしているので、
リフローエ程でのＩＣの温度」二昇を抑えることができ
る。
式リフロー炉で、上下両方向から基板及び半田バンプ付
ＩＣを遠赤外線輻射法で加熱し、リフローする半導体装
置の実装方法において、ＩＣの裏面を熱反射する材料で
表面処理した後、リフローを行うようにしているので、
リフローエ程でのＩＣの温度」二昇を抑えることができ
る。
従って、良好な半田リフロー状態を得ることができ、信
頼性の高い半導体装置の実装を行うことができる。
頼性の高い半導体装置の実装を行うことができる。
第１図は本発明の実施例を示す半導体装置のヘルト代り
フロー炉の構成図、第２図は本発明の実施例を示す半導
体装置のヘルト式リフロー炉の断面図（第１図のＡ−Ａ
線断面図）、第３図は本発明のＩＣ裏面を熱反射する材
料で表面処理した場合の温度プロファイルを示す図、第
４図は従来の半導体装置のヘルト代りフロー炉の構或図
、第５図は従来の丁Ｃ裏面を表面処理しない場合の温度
プロファイルを示す図である。 １１・・・基板、１２・・・半田パンプ付ＩＣ、１３・
・・熱反射材料、１４・・・ヘルト、１５・・・ヘルト
駆動体、２１〜２５・・・遠赤外線ヒータ。
フロー炉の構成図、第２図は本発明の実施例を示す半導
体装置のヘルト式リフロー炉の断面図（第１図のＡ−Ａ
線断面図）、第３図は本発明のＩＣ裏面を熱反射する材
料で表面処理した場合の温度プロファイルを示す図、第
４図は従来の半導体装置のヘルト代りフロー炉の構或図
、第５図は従来の丁Ｃ裏面を表面処理しない場合の温度
プロファイルを示す図である。 １１・・・基板、１２・・・半田パンプ付ＩＣ、１３・
・・熱反射材料、１４・・・ヘルト、１５・・・ヘルト
駆動体、２１〜２５・・・遠赤外線ヒータ。
Claims (1)
- ベルト式リフロー炉で上下両方向から基板及び半田バン
プ付ＩＣを遠赤外線輻射法で加熱し、リフローする半導
体装置の実装方法において、前記ＩＣの裏面を熱反射す
る材料で表面処理し、リフローすることを特徴とする半
導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30082589A JPH03161995A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30082589A JPH03161995A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03161995A true JPH03161995A (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=17889560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30082589A Pending JPH03161995A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03161995A (ja) |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP30082589A patent/JPH03161995A/ja active Pending
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