JPH031619B2 - - Google Patents
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- JPH031619B2 JPH031619B2 JP23296483A JP23296483A JPH031619B2 JP H031619 B2 JPH031619 B2 JP H031619B2 JP 23296483 A JP23296483 A JP 23296483A JP 23296483 A JP23296483 A JP 23296483A JP H031619 B2 JPH031619 B2 JP H031619B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は被探傷材の表面欠陥の検出方法、とく
に連続鋳造工程において、赤熱鉄鋼スラブの表面
疵を非接触で検出する方法に関する。
に連続鋳造工程において、赤熱鉄鋼スラブの表面
疵を非接触で検出する方法に関する。
従来例の構成とその問題点
赤熱物の表面疵検出は、接触式、非接触式の２
つの方式が提案されている。しかし、接触式は対
象物体が高温であるため、接触部の耐熱性が要求
されたり、対象物体の平面性が問題となり、十分
な検出精度が期待できない。そこで、一般に赤熱
物体の表面疵の検出は、非接触で検出する方法が
とられている。
つの方式が提案されている。しかし、接触式は対
象物体が高温であるため、接触部の耐熱性が要求
されたり、対象物体の平面性が問題となり、十分
な検出精度が期待できない。そこで、一般に赤熱
物体の表面疵の検出は、非接触で検出する方法が
とられている。
非接触で表面疵を検出する方法は、一般に光学
的方法がとられ、従来、次の２つの方法が提案さ
れている。
的方法がとられ、従来、次の２つの方法が提案さ
れている。
１つは、赤熱物体に対して可視あるいは紫外域
の光を照射して、これにより生ずる赤熱物体表面
の陰影像を撮像し、この映像信号から疵検出を行
なうものである。
の光を照射して、これにより生ずる赤熱物体表面
の陰影像を撮像し、この映像信号から疵検出を行
なうものである。
もう１つは、赤熱物体の自発光によつて検出す
る方法である。これは、赤熱物体の表面と疵によ
つて露出した赤熱物体の内部の温度差を利用して
赤外域で撮像し、この映像信号から疵検出を行な
う方法である。
る方法である。これは、赤熱物体の表面と疵によ
つて露出した赤熱物体の内部の温度差を利用して
赤外域で撮像し、この映像信号から疵検出を行な
う方法である。
しかし、前記２つの方法では、前者は、疵以外
の凹凸が赤熱物体表面上にあれば、これも疵と見
なすといつた誤まつた判断をおこしうること、ま
た、後者は赤熱物体の表面状態によつて表面温度
の不均一性が生じるため、本方法のみではSN比
が十分とれないといつた欠点がある。
の凹凸が赤熱物体表面上にあれば、これも疵と見
なすといつた誤まつた判断をおこしうること、ま
た、後者は赤熱物体の表面状態によつて表面温度
の不均一性が生じるため、本方法のみではSN比
が十分とれないといつた欠点がある。
また、前記２つの方法を１光学系で構成し、疵
の種類に応じて、おのおの別々の系統で疵を検出
する方法が特開昭49−131192号で提案されてい
る。しかし、この方法では、前に述べた２つの光
学的検出方法の欠点を含んだままであり、本質的
な改善とはならない。たとえば、赤熱物体表面に
疵でない凹凸があるとき、可視あるいは紫外域の
光の照射によつて、この凹凸の陰影が生じ、この
方法ではこれを疵と判別する。また自発光による
映像信号のSN比の改善もされていない。
の種類に応じて、おのおの別々の系統で疵を検出
する方法が特開昭49−131192号で提案されてい
る。しかし、この方法では、前に述べた２つの光
学的検出方法の欠点を含んだままであり、本質的
な改善とはならない。たとえば、赤熱物体表面に
疵でない凹凸があるとき、可視あるいは紫外域の
光の照射によつて、この凹凸の陰影が生じ、この
方法ではこれを疵と判別する。また自発光による
映像信号のSN比の改善もされていない。
また、特開昭和52−139482号および特開昭和55
−160837号においても、前記２つの検出方法のそ
れぞれから疵の２値化信号を得、これらの信号の
論理積をとつているため前記２つの方法の欠点を
含んだままであり、本質的な改善となつていな
い。
−160837号においても、前記２つの検出方法のそ
れぞれから疵の２値化信号を得、これらの信号の
論理積をとつているため前記２つの方法の欠点を
含んだままであり、本質的な改善となつていな
い。
発明の目的
本発明は、先に述べた光学的検出方法の問題点
を解決することを目的とし、光学的検出手段であ
つて、しかも高精度で疵の検出を可能とする赤熱
物体の表面疵検出装置を提供するものである。
を解決することを目的とし、光学的検出手段であ
つて、しかも高精度で疵の検出を可能とする赤熱
物体の表面疵検出装置を提供するものである。
発明の構成
本発明による装置は、赤熱物体の表面の像を１
つの結像光学系によつて投影し、この投影像を２
光路に分離して、一方の通過波長域を近赤外域と
し、他方の通過波長域を上記近赤外域よりも短波
長域とし、双方の投影面に位置する撮像素子の光
電信号のうち、一方を他方で除算する信号処理部
をもつた、赤熱物体の表面疵検出装置である。さ
らに本装置は上記の通過波長域のひとつである近
赤外域に分光放射をもつ照明装置をもつ。
つの結像光学系によつて投影し、この投影像を２
光路に分離して、一方の通過波長域を近赤外域と
し、他方の通過波長域を上記近赤外域よりも短波
長域とし、双方の投影面に位置する撮像素子の光
電信号のうち、一方を他方で除算する信号処理部
をもつた、赤熱物体の表面疵検出装置である。さ
らに本装置は上記の通過波長域のひとつである近
赤外域に分光放射をもつ照明装置をもつ。
上記構成により、照明によつて赤熱物体の疵の
陰影像を検出するのに近赤外域の長波長側を用
い、赤熱物体の自発光による検出はSN比のよい
可視域の短波長側で行なう。
陰影像を検出するのに近赤外域の長波長側を用
い、赤熱物体の自発光による検出はSN比のよい
可視域の短波長側で行なう。
また、このようにして得られた双方の光電出力
のうち、一方を他方で除算した商について２値化
処理を行なうことにより、それぞれ単独で２値化
した場合に比べて、柔軟性のある疵判別を実現す
ることができる。
のうち、一方を他方で除算した商について２値化
処理を行なうことにより、それぞれ単独で２値化
した場合に比べて、柔軟性のある疵判別を実現す
ることができる。
実施例の説明
第１図は本発明の表面疵検出装置の一例を示す
もので、鉄鋼プラント、とくに連続鋳造設備にお
ける熱間鋼片（スラブ）の表面疵検出装置として
用いられるものである。この場合、スラブの表面
温度は約800〜900℃、内部温度は1300℃である。
この装置は第１図に示すように、赤熱物体、すな
わち熱間スラブ１を照明する近赤外域に主な分光
放射をもつ照明装置２と、この照明装置により照
明されたスラブ表面を撮像する撮像装置３と、こ
の撮像装置からの信号を処理する信号処理部１０
とから構成される。
もので、鉄鋼プラント、とくに連続鋳造設備にお
ける熱間鋼片（スラブ）の表面疵検出装置として
用いられるものである。この場合、スラブの表面
温度は約800〜900℃、内部温度は1300℃である。
この装置は第１図に示すように、赤熱物体、すな
わち熱間スラブ１を照明する近赤外域に主な分光
放射をもつ照明装置２と、この照明装置により照
明されたスラブ表面を撮像する撮像装置３と、こ
の撮像装置からの信号を処理する信号処理部１０
とから構成される。
この照明装置２は、たとえば、白熱電球など赤
外域にも分光放射を有する光源とシヤープカツト
フイルタの組み合せ等によつて構成される。
外域にも分光放射を有する光源とシヤープカツト
フイルタの組み合せ等によつて構成される。
撮像装置３において、４は熱間スラブ１の表面
を投影するための投影光学系である。５は像界側
にもうけたハーフミラーで、これにより光路を２
つに分割し、結像面を２つ形成する。７および９
は上記２つの結像面に配置した撮像素子である。
撮像素子９の光路には、近赤外域に感度を有する
ようにシヤープカツトフイルタ８を配置し、撮像
素子７の光路には、可視域の短波長側に主に感度
を有するように、赤外カツトフイルタ６を配置す
る。
を投影するための投影光学系である。５は像界側
にもうけたハーフミラーで、これにより光路を２
つに分割し、結像面を２つ形成する。７および９
は上記２つの結像面に配置した撮像素子である。
撮像素子９の光路には、近赤外域に感度を有する
ようにシヤープカツトフイルタ８を配置し、撮像
素子７の光路には、可視域の短波長側に主に感度
を有するように、赤外カツトフイルタ６を配置す
る。
第２図は信号処理部１０のブロツクダイヤグラ
ムを示すもので、７，９は撮像素子、３３，３４
は撮像素子の光電信号の利得ならびに線形特性を
調整するための利得調整回路、３５は利得調整回
路３３，３４からの光電出力の一方を他方で除算
し、その商を算出するための除算回路、３７は除
算回路の出力を基準電圧発生部３６と比較して、
２値化するための２値化回路、３８は２値化回路
３７による疵判別信号を表わす。
ムを示すもので、７，９は撮像素子、３３，３４
は撮像素子の光電信号の利得ならびに線形特性を
調整するための利得調整回路、３５は利得調整回
路３３，３４からの光電出力の一方を他方で除算
し、その商を算出するための除算回路、３７は除
算回路の出力を基準電圧発生部３６と比較して、
２値化するための２値化回路、３８は２値化回路
３７による疵判別信号を表わす。
以上のように構成された本実施例の疵検出装置
において、以下その動作を説明する。
において、以下その動作を説明する。
撮像素子９は、照明装置２からの照明光により
生じた熱間スラブ１の陰影像を撮像する。すなわ
ち熱間スラブ１の表面の凹部が影となり、撮像素
子の１ライン走査分に相当する光電信号は第３図
ｂの１７に示すような形態をとる。また撮像素子
７は熱間スラブ１の自発光パターンを撮像する。
すなわち、第３図において熱間スラブ１の表面に
疵１１があると、スラブ内部１４の高温部が露出
するのでｃに示すような疵信号２２を得ることが
できる。
生じた熱間スラブ１の陰影像を撮像する。すなわ
ち熱間スラブ１の表面の凹部が影となり、撮像素
子の１ライン走査分に相当する光電信号は第３図
ｂの１７に示すような形態をとる。また撮像素子
７は熱間スラブ１の自発光パターンを撮像する。
すなわち、第３図において熱間スラブ１の表面に
疵１１があると、スラブ内部１４の高温部が露出
するのでｃに示すような疵信号２２を得ることが
できる。
一般に、すべての物体はその自身の温度と放射
率で定まる熱エネルギーを放射しているといえ
る。この放射エネルギー量、黒体（放射率が１）
の場合、次式で表われる。
率で定まる熱エネルギーを放射しているといえ
る。この放射エネルギー量、黒体（放射率が１）
の場合、次式で表われる。
Meλ＝C1λ1λ5／（expλT／C2−１）〔WCm-2μ-1〕
…(1)
ただし、Meλはスペクトル放射発散度、Ｔは
完全放射体の絶体温度、λは波長、C1、C2は定
数で表わすことができる。
完全放射体の絶体温度、λは波長、C1、C2は定
数で表わすことができる。
第３図において熱間スラブの内部１４の温度が
1300℃、スラブ表面１３の温度が850℃として、
(1)式を図示すると、第４図に示すような分光放射
分布が得られる。
1300℃、スラブ表面１３の温度が850℃として、
(1)式を図示すると、第４図に示すような分光放射
分布が得られる。
第１図において、撮像素子にシリコンを材料と
した固体撮像素子を用いると、この素子の感度波
長域は、0.4μｍ〜1.2μｍである。このため、赤外
カツトフイルタ６の特性も考慮に入れた撮像素子
７の感度波長域は0.4μｍ〜0.7μｍとなる。すなわ
ち、第４図からもわかるように、スラブ疵の自発
光放射のうち、短波長側の、たとえば0.7μｍ以下
の可視域の放射を利用することにより、近赤外域
に比べて十分なSN比をもつ光電信号を得ること
ができる。
した固体撮像素子を用いると、この素子の感度波
長域は、0.4μｍ〜1.2μｍである。このため、赤外
カツトフイルタ６の特性も考慮に入れた撮像素子
７の感度波長域は0.4μｍ〜0.7μｍとなる。すなわ
ち、第４図からもわかるように、スラブ疵の自発
光放射のうち、短波長側の、たとえば0.7μｍ以下
の可視域の放射を利用することにより、近赤外域
に比べて十分なSN比をもつ光電信号を得ること
ができる。
また、シヤープカツトフイルタ８（たとえば、
0.73μｍ以上の光を通過させるＲ−73フイルタ）
の特性を考慮した固体撮像素子９の感度波長域
は、0.73μｍ〜1.2μｍである。一方、照明装置の
シヤープカツトフイルタに上記のＲ−73フイルタ
を用いることにより、照明光の波長帯により陰影
像が、そのまま撮像素子９でとらえられることに
なる。この場合、0.73μｍ〜1.2μｍの自発光放射
も同時に検出することになるので、照明光による
光放射の出力を十分大きくとり、自発光放射との
レベル比を10：１〜20：１程度にとることにより
自発光放射の影響を除くことができる。
0.73μｍ以上の光を通過させるＲ−73フイルタ）
の特性を考慮した固体撮像素子９の感度波長域
は、0.73μｍ〜1.2μｍである。一方、照明装置の
シヤープカツトフイルタに上記のＲ−73フイルタ
を用いることにより、照明光の波長帯により陰影
像が、そのまま撮像素子９でとらえられることに
なる。この場合、0.73μｍ〜1.2μｍの自発光放射
も同時に検出することになるので、照明光による
光放射の出力を十分大きくとり、自発光放射との
レベル比を10：１〜20：１程度にとることにより
自発光放射の影響を除くことができる。
また、照明装置はハロゲン電球などの白熱電球
を使用することにより、検出器の走査周波数に無
関係に安定した照明光が得られ、かつ近赤外域に
効率のよい照明光が得られる。また、放電灯のよ
うな発光管内部の輝点移動に判なう照明光の変動
がない。
を使用することにより、検出器の走査周波数に無
関係に安定した照明光が得られ、かつ近赤外域に
効率のよい照明光が得られる。また、放電灯のよ
うな発光管内部の輝点移動に判なう照明光の変動
がない。
以上の実施例に示すように、スラブ疵の自発光
成分の検出を0.4μｍ〜0.7μｍで行ない、照明装置
によるスラブ疵の陰影像を検出するのに0.7μｍ〜
1.2μｍの波長域を使用することにより、両波長域
ともにSN比の良い疵信号を得ることができる。
成分の検出を0.4μｍ〜0.7μｍで行ない、照明装置
によるスラブ疵の陰影像を検出するのに0.7μｍ〜
1.2μｍの波長域を使用することにより、両波長域
ともにSN比の良い疵信号を得ることができる。
なお、照明装置２および撮像装置３に使用して
いるシヤープカツトフイルタの波長設定は0.73μ
ｍを中心に短波長側および長波長側に移動するこ
とができ、とくに短波長域の光量を補う場合に
は、0.73μｍよりも長波長側のシヤープカツトフ
イルタを使用することにより、両光電信号のバラ
ンスをとることができる。
いるシヤープカツトフイルタの波長設定は0.73μ
ｍを中心に短波長側および長波長側に移動するこ
とができ、とくに短波長域の光量を補う場合に
は、0.73μｍよりも長波長側のシヤープカツトフ
イルタを使用することにより、両光電信号のバラ
ンスをとることができる。
また、ハーフミラー５の代りに、赤反射ダイク
ロイツクミラーを使用することにより、両受光器
への光入射のクロストークを低減し、SN比の良
い疵信号を得ることができる。
ロイツクミラーを使用することにより、両受光器
への光入射のクロストークを低減し、SN比の良
い疵信号を得ることができる。
次に、第３図にもとづき、信号処理部の動作を
説明する。第３ａ図のような断面の熱間スラブ１
を撮像したときの光電信号は、前述のごとく第３
図ｂ，ｃに示す信号となる。陰影像を撮像する撮
像素子９の光電信号１５には、熱間スラブ１の上
の疵１１による疵信号１７のほかに、熱間スラブ
表面の凹部によつて生ずる信号１６や、熱間スラ
ブ表面上の高反射体および低反射体によつて生ず
る信号１８，１９が存在する。また、自発光パタ
ーンを撮像する撮像素子７の光電信号２１には、
熱間スラブ１の上の疵１１による疵信号２２のほ
かに、スラブ表面の不規則な温度分布によつて生
ずる信号２３が存在する。
説明する。第３ａ図のような断面の熱間スラブ１
を撮像したときの光電信号は、前述のごとく第３
図ｂ，ｃに示す信号となる。陰影像を撮像する撮
像素子９の光電信号１５には、熱間スラブ１の上
の疵１１による疵信号１７のほかに、熱間スラブ
表面の凹部によつて生ずる信号１６や、熱間スラ
ブ表面上の高反射体および低反射体によつて生ず
る信号１８，１９が存在する。また、自発光パタ
ーンを撮像する撮像素子７の光電信号２１には、
熱間スラブ１の上の疵１１による疵信号２２のほ
かに、スラブ表面の不規則な温度分布によつて生
ずる信号２３が存在する。
上記２つの信号をそれぞれ個別に２値化すれ
ば、光電信号１５では、１６，１７，１９が、ま
た、光電信号２１では２２，２３がそれぞれ疵信
号としてとらえられ、これらの２系統信号の論理
和はいうに及ばず、論理積をとつても、疵以外の
信号たとえば１９と２３によつて生ずる為信号
は、容易に疵判定をうける。
ば、光電信号１５では、１６，１７，１９が、ま
た、光電信号２１では２２，２３がそれぞれ疵信
号としてとらえられ、これらの２系統信号の論理
和はいうに及ばず、論理積をとつても、疵以外の
信号たとえば１９と２３によつて生ずる為信号
は、容易に疵判定をうける。
本信号処理では、第２図に示すごとく、撮像素
子７および９で得られた光電信号について、疵の
ない部分の平均信号電圧を基準として、利得調整
回路３３および３４においてレベル調整を行な
う。この利得調整回路３３および３４の信号は除
算回路３５において一方の信号を他方で除算す
る。
子７および９で得られた光電信号について、疵の
ない部分の平均信号電圧を基準として、利得調整
回路３３および３４においてレベル調整を行な
う。この利得調整回路３３および３４の信号は除
算回路３５において一方の信号を他方で除算す
る。
第３図のｄに示す信号出力２５は、光電信号２
１を光電信号１５で除算した結果を示すもので、
割れ疵信号２７は２つの光電信号から強調される
が、他の光電信号波形１６，１８，１９，２３は
すべて相殺される。
１を光電信号１５で除算した結果を示すもので、
割れ疵信号２７は２つの光電信号から強調される
が、他の光電信号波形１６，１８，１９，２３は
すべて相殺される。
上記判定方法の原理を第５図をもとに説明す
る。第５図ａは従来例に示した疵判別方法を図示
したもので、陰影光がＱより減小するか、自発光
がＰより大きくなると、疵と判定される。すなわ
ち、Ｉの領域以外の、、の領域で疵と判定
することを示している。
る。第５図ａは従来例に示した疵判別方法を図示
したもので、陰影光がＱより減小するか、自発光
がＰより大きくなると、疵と判定される。すなわ
ち、Ｉの領域以外の、、の領域で疵と判定
することを示している。
これに対し、第５図ｂではP′Q′で結ぶ曲線より
上の部分、すなわちＩの領域では疵と判定され
ず、このP′Q′より下の領域、すなわち自発光に
よる光電出力を陰影光のそれで割るための除算回
路の出力が一定値以上となる場合に疵と判定する
ことを示している。
上の部分、すなわちＩの領域では疵と判定され
ず、このP′Q′より下の領域、すなわち自発光に
よる光電出力を陰影光のそれで割るための除算回
路の出力が一定値以上となる場合に疵と判定する
ことを示している。
第５図のａとｂを比較した場合、本発明はＩの
領域中の３９，４０の領域が疵なしと判定され、
４１の領域が逆に疵と判定されていることを示
す。第４図の測定例を第５図にあてはめると、陰
影光の光電信号のうち１６と１９が領域３９に属
し、自発光の光電信号のうち２３が領域４０に属
することがわかり、本発明による疵判定方法が、
従来例に比べて柔軟な判定ができることを示して
いる。すなわち、自発光および陰影光の光電信号
の利得は利得調整回路３３，３４によつて変える
ことができるため、実測データに応じて、一定限
度内で任意の線形特性をもつ判定曲線P′Q′が設定
でき、疵判別に際して柔軟なアルゴリズム形成が
できる。
領域中の３９，４０の領域が疵なしと判定され、
４１の領域が逆に疵と判定されていることを示
す。第４図の測定例を第５図にあてはめると、陰
影光の光電信号のうち１６と１９が領域３９に属
し、自発光の光電信号のうち２３が領域４０に属
することがわかり、本発明による疵判定方法が、
従来例に比べて柔軟な判定ができることを示して
いる。すなわち、自発光および陰影光の光電信号
の利得は利得調整回路３３，３４によつて変える
ことができるため、実測データに応じて、一定限
度内で任意の線形特性をもつ判定曲線P′Q′が設定
でき、疵判別に際して柔軟なアルゴリズム形成が
できる。
なお、上記の実施例では、両光電信号の除算回
路の出力に対して、１つのスレツシヨールドで２
値化しているが、２値化回路３７の代りに多値化
回路方式を配置して、疵の種類に応じて領域の
部分を分割してもよい。また、投影光学系の汚れ
などによる光電出力の低下によつて、第５図ｂの
判定レベルが変化するのを防ぐため、利得調整回
路３３，３４の出力信号を適宜記憶し、この情報
をもとに基準電圧発生部３６の基準電圧を自動的
にシフトする機能をもうけることにより、長期間
にわたつて安定な判定動作を維持できる。
路の出力に対して、１つのスレツシヨールドで２
値化しているが、２値化回路３７の代りに多値化
回路方式を配置して、疵の種類に応じて領域の
部分を分割してもよい。また、投影光学系の汚れ
などによる光電出力の低下によつて、第５図ｂの
判定レベルが変化するのを防ぐため、利得調整回
路３３，３４の出力信号を適宜記憶し、この情報
をもとに基準電圧発生部３６の基準電圧を自動的
にシフトする機能をもうけることにより、長期間
にわたつて安定な判定動作を維持できる。
発明の効果
本発明による赤熱物体の表面疵検出装置は、可
視放射の短波長域で赤熱物体の自発光を検出し、
近赤外域で疵による陰影光をとらえ、これらの２
つの光電信号を、それぞれの利得調整回路を通し
て除算回路に入力し、この除算回路の出力を２値
化することにより、実測の疵判定データに応じた
疵判定基準が設定でき、これにより正確かつ柔軟
性のある疵判定方法を提供することができ、その
実用的価値は極めて大きいものといえる。
視放射の短波長域で赤熱物体の自発光を検出し、
近赤外域で疵による陰影光をとらえ、これらの２
つの光電信号を、それぞれの利得調整回路を通し
て除算回路に入力し、この除算回路の出力を２値
化することにより、実測の疵判定データに応じた
疵判定基準が設定でき、これにより正確かつ柔軟
性のある疵判定方法を提供することができ、その
実用的価値は極めて大きいものといえる。
第１図は、本発明による構成のうち、照明装
置、撮像装置および信号処理部の原理図を表わし
たものである。第２図は信号処理部のブロツクダ
イヤグラム、第３図ａは熱間スラブ表面の形状、
第３図ｂ〜ｄは前記ａに対応して得られる光電信
号、第３図ｅは疵検出信号、第４図は(1)式にもと
づいて計算した、スラブ表面の分光放射分布、第
５図ａは疵信号検出原理の従来例、第５図ｂは本
発明による疵検出原理図を、それぞれ表わす。 １……熱間スラブ、２……照明装置、３……撮
像装置、４……投影光学系、５……ハーフミラ
ー、７……撮像素子、８……シヤープカツトフイ
ルタ、９……撮像素子、１０……信号処理部。
置、撮像装置および信号処理部の原理図を表わし
たものである。第２図は信号処理部のブロツクダ
イヤグラム、第３図ａは熱間スラブ表面の形状、
第３図ｂ〜ｄは前記ａに対応して得られる光電信
号、第３図ｅは疵検出信号、第４図は(1)式にもと
づいて計算した、スラブ表面の分光放射分布、第
５図ａは疵信号検出原理の従来例、第５図ｂは本
発明による疵検出原理図を、それぞれ表わす。 １……熱間スラブ、２……照明装置、３……撮
像装置、４……投影光学系、５……ハーフミラ
ー、７……撮像素子、８……シヤープカツトフイ
ルタ、９……撮像素子、１０……信号処理部。
Claims (1)
- １ 白熱電球と前記白熱電球の出力光から近赤外
域の光を選択する手段を有する照明装置と、この
照明装置によつて選択された光を照明された赤熱
物体を投影するための結像光学系と、この結像光
学系から２系統の結像面を得るための光学素子
と、２系統に分割した光路上のそれぞれに別々に
設けた近赤外域の放射を通過させるフイルタおよ
び前記近赤外域より短波長側の可視放射を通過さ
せるフイルタと、前記２系統の結像面にそれぞれ
位置する撮像素子と、この撮像素子からの光電信
号のうち一方を他方で除算する手段と、前記除算
手段の出力を２値化するための信号処理部とから
なる赤熱物体の表面疵検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232964A JPS60125546A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 赤熱物体の表面疵検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232964A JPS60125546A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 赤熱物体の表面疵検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60125546A JPS60125546A (ja) | 1985-07-04 |
| JPH031619B2 true JPH031619B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=16947628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232964A Granted JPS60125546A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 赤熱物体の表面疵検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60125546A (ja) |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58232964A patent/JPS60125546A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60125546A (ja) | 1985-07-04 |
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