JPH03162656A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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- JPH03162656A JPH03162656A JP30123789A JP30123789A JPH03162656A JP H03162656 A JPH03162656 A JP H03162656A JP 30123789 A JP30123789 A JP 30123789A JP 30123789 A JP30123789 A JP 30123789A JP H03162656 A JPH03162656 A JP H03162656A
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
サに係り、特にガス感度が高くその安定性に優れるガス
センサに関する． 〔従来の技術〕 酸化スズ．酸化亜鉛等のｎ型金属酸化物半導体は、大気
中で３００〜５００℃の温度に加熱されると粒子表面に
大気中の酸素が活性化吸着して高抵抗化しているが、可
燃性ガスが接触すると吸着酸素と可燃性ガスとが反応し
て吸着酸素が除去され抵抗値が減少する．このような性
質を利用して、酸化スズを用いたガスセンサはＬＰガス
，都市ガス等のガス漏れ警報器に広く用いられている．
従来のガスセンサにおいては、可燃性ガスに対する感度
を高めるために、酸化スズ等のｎ型金属酸化物半導体に
白金．パラジウム等の貴金属を担持して感ガス層として
用いる． 〔発明が解決しようとする！ＩＩＩ） しかしながらこのような従来のセンサにおいては、可燃
性ガスに対する感度は高いものの、感度が経時的に変化
するという問題があった．この発明は上述の点に鑑みて
なされ、その目的は貴金属を担持させるセンサ構或に改
良を加えることにより、可燃性ガスに対する感度が高い
うえその安定性にも優れるガスセンサを提供することに
ある． 〔課題を解決するための手段〕 上述の目的はこの発明によれば、 基板の上に感ガス層と被覆層とを有し、感ガス層は酸化
スズ半導体からなり、 被覆層は酸化スズ半導体に貴金属を２〜ＩＯ重量％担持
したものであるとすることにまり達威される． 〔作用〕 触媒の担持された感ガス層内部において、可燃性ガスの
酸化燃焼が若干おこるが感ガス層の触媒活性劣化ととも
にこの酸化燃焼（が減少し、感ガス層内部の実効的な可
燃性ガス濃度が経時的に増大するものと推定される．被
覆層は触媒濃度が高いので酸化燃焼の変化はないと推定
される．〔実施例〕 次にこの発明の実施例を図面に基いて説明する．第１図
はこの発明の実施例に係るガスセンサを示す模式断面図
である．アルミナ基Ｆｉ３の一方の主面の上に電極１１
， １２、酸化スズからなる感ガス層２、被覆層４、リ
ード線５１． ５２がまた他の主面にヒータ６とリード
ＡＩ７１． ７２が設けられる．惑ガス層２は次のよう
にして形威される．すなわち、平均粒径２ｎの酸化スズ
粉末に水とシリカゾルを加えペースト状としたのち第１
図に示すアルミナ基板３上に設けた電極１１． １２上
に厚さ約５０一となるように感ガス層２を塗布し、７５
０℃で３０分加熱してアルミナ基板３上に焼き付けた．
次いで前記と同様の酸化スズ粉末に塩化白金酸を白金と
して２〜ｘｏ！１％となるように含浸し、６００℃で２
時間加熱して白金を分解させた．この白金の担持された
酸化スズ粉末に水とシリカゾルを加えペースト状とした
のち第１図の感ガス１２を被覆するように約５０ｉｎａ
の厚さに被覆層４を塗布した．これを常温で乾燥後７３
０℃で３０分加熱して被覆層４を形威した．なお触媒と
してパラジウム等を用いることもできる．比較のために
被覆層４を設けないセンサを比較センサＡとし、同じく
被覆層４を有しないが感ガス層２には白金を０．１〜１
重量％担持したセンサを比較センサＢとした． 第２図は可燃性ガス中のセンサ抵抗の通電時間依存性を
示す線図である．センサをヒータ６を用いて所定温度に
保ち、０．２％イソプタンガス中のセンサ抵抗をＲｇ、
センサの初期抵抗をＲｇｏとし、Ｒｇｏを基準とするＲ
Ｅの比即ちＲｇ／Ｒｇｏの値につき経時変化を調べた．
特性＆ｌ２１， ２２はそれぞれ本発明の実施例に係る
ガスセンサ，比較センサＡの特性，特性線２３は比較セ
ンサＢの特性である．感ガス層に触媒を含むと可燃性ガ
ス中のセンサ抵抗が経時変化することがわかる。
サと比較センサＡ，Ｈの通電時間依存性を示す線図であ
る．ガス感度はＲａ／Ｒｇで定義される， Ｒａは空気
中におけるセンサ抵抗， Ｒｇは前述の如＜０．２％イ
ソブタンガス中のセンサ抵抗である．Ｒａは各センサに
つき経時変化はないので、ガス感度 （Ｒａ／Ｒｇ）は
Ｒ．の経時変化によって左右される．特性線３１は本発
明の実施例に係るガスセンサの特性である．感度は１０
以上で大きく、経時変化もない５ガス感度は５以上あれ
ばよいとされている．これに対し比較センサＢは特性線
３３に示すようにガス感度は高いが、経時変化が大きい
．感ガス層に触媒を有しない比較センサＡは特性ｖＡ３
２に示すようにガス感度が小さい。しかしガス感度の経
時変化はない． 本発明に係るガスセンサは以上のようにガス感度が高く
、その安定性にも優れるものであるが、あわせて、エチ
ルアルコール等の妨害ガスの影９も受けないという特長
がある．これは触媒を担持した酸化スズである被覆層４
において、妨害ガスが燃焼除去されるためである．イソ
ブタン等の可燃性ガスは被覆層４において広い温度範囲
にわたって燃焼することがない．このようにしてガス感
度が高い上にその経時変化がなく、さらにエチルアルコ
ールの妨害も受けることのない優れたガスセンサが得ら
れる． 〔発明の効果〕 この発明によれば、 基板の上に感ガス層と被覆層とを有し、感ガス層は酸化
スズ半導体からなり、 被覆層は酸化スズ半導体に貴金属を２〜１０重量％担持
したものであるので、感ガス層内部での可燃性ガスの燃
焼の問題がなくなりガス感度と安定性に優れるガスセン
サが得られる．
図、第２図はこの発明の実施例に係るガスセンサにつき
可燃性ガス中のセンサ抵抗の通電時間依存性を比較セン
サＡ，Ｂの特性と対比して示す線図、第３図はこの発明
の実施例に係るガスセンサにつきそのガス感度の通電時
間依存性を比較センサＡ，Ｈの特性と対比して示す線図
である．為》“み竜 第１ 閉
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板の上に感ガス層と被覆層とを有し、感ガス層は
酸化スズ半導体からなり、 被覆層は酸化スズ半導体に貴金属を２〜１０重量％担持
したものであることを特徴とするガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301237A JP2570440B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1301237A JP2570440B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162656A true JPH03162656A (ja) | 1991-07-12 |
| JP2570440B2 JP2570440B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17894434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1301237A Expired - Lifetime JP2570440B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570440B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1082755A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-03-31 | Lg Electron Inc | 炭化水素ガスセンサ並びにその製造方法 |
| KR100551225B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2006-02-09 | 전자부품연구원 | 반도체식 가스 센서용 촉매-도핑된 산화주석 분말의 제조방법 |
| KR20160008475A (ko) * | 2014-07-14 | 2016-01-22 | 송재훈 | 유해물질 누출 감지 시스템 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263145A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-25 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体式ガスセンサ |
| JPH0390848A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-16 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1301237A patent/JP2570440B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263145A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-25 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体式ガスセンサ |
| JPH0390848A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-16 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1082755A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-03-31 | Lg Electron Inc | 炭化水素ガスセンサ並びにその製造方法 |
| KR100551225B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2006-02-09 | 전자부품연구원 | 반도체식 가스 센서용 촉매-도핑된 산화주석 분말의 제조방법 |
| KR20160008475A (ko) * | 2014-07-14 | 2016-01-22 | 송재훈 | 유해물질 누출 감지 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2570440B2 (ja) | 1997-01-08 |
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