JPH0316291A - 半導体レーザ装置の作製方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の作製方法Info
- Publication number
- JPH0316291A JPH0316291A JP1151815A JP15181589A JPH0316291A JP H0316291 A JPH0316291 A JP H0316291A JP 1151815 A JP1151815 A JP 1151815A JP 15181589 A JP15181589 A JP 15181589A JP H0316291 A JPH0316291 A JP H0316291A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ridge
- semiconductor laser
- laser device
- width
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光情報処理，光通信などに用いられる半導体
レーザ装置の作製方法に関するものである。
レーザ装置の作製方法に関するものである。
従来の技術
近年、光ディスクなどの光情報処理の分野において、半
導体レーザの高出力化の要望が高まっているが、それに
答えるものとして基板上に形威された２つの平行なリッ
ジ間のｎ部上に活性領域を有する半導体レーザがある。
導体レーザの高出力化の要望が高まっているが、それに
答えるものとして基板上に形威された２つの平行なリッ
ジ間のｎ部上に活性領域を有する半導体レーザがある。
第２図（ａ）〜（Ｃ）に従来のリッジ構造半導体レーザ
の作製方法を示す。第２図（ａ）に示すようなメサを有
するｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓブロッキング層
を成長させ、その上に二つの平行なリッジをエッチング
により形或する（第２図（ｂ））。このリッジ上に液相
エビタキシャル法により、活１１ｌ！層を含むダブルへ
テロのレーザ楕造を形成する（第２図（Ｃ）〉。このよ
うな作製方法により、桔品成長の異方性を利用して、リ
ッジ上に高出力発振に適した薄膜活性層を制御性良く形
成することができる。
の作製方法を示す。第２図（ａ）に示すようなメサを有
するｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓブロッキング層
を成長させ、その上に二つの平行なリッジをエッチング
により形或する（第２図（ｂ））。このリッジ上に液相
エビタキシャル法により、活１１ｌ！層を含むダブルへ
テロのレーザ楕造を形成する（第２図（Ｃ）〉。このよ
うな作製方法により、桔品成長の異方性を利用して、リ
ッジ上に高出力発振に適した薄膜活性層を制御性良く形
成することができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような作製方法では次のような問
題があった。
題があった。
通常、半導体レーザの成長に用いられるスライドボート
法による戒長では数センチ角と、レーザのチップサイズ
（２５０μｍ角）よりも非常に大きな基板が用いられる
。そのため成長時にガリウムルメルトに最功に触れる部
分と最後に触れる部分とでは基板内で溶液の状態が異な
ってしまう。
法による戒長では数センチ角と、レーザのチップサイズ
（２５０μｍ角）よりも非常に大きな基板が用いられる
。そのため成長時にガリウムルメルトに最功に触れる部
分と最後に触れる部分とでは基板内で溶液の状態が異な
ってしまう。
その結果、従来例の方法を用いて戒長速度を抑制しても
溶液の状態の違いのためにやはり基板面内で或長嘆厚の
差ができてしまっていた。
溶液の状態の違いのためにやはり基板面内で或長嘆厚の
差ができてしまっていた。
課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するために、本発明の半導体１ノ−
ザ装置の作製方法は、基板上に形成された２つの平行な
リッジ間の溝部上に活性領域を有する半導体レーザ装置
の作製において、基板上の成長速度の速い部分の前記リ
ッジ幅は狭く、成長速度の遅い部分の前記リッジ幅は広
くすることを特徴としている。
ザ装置の作製方法は、基板上に形成された２つの平行な
リッジ間の溝部上に活性領域を有する半導体レーザ装置
の作製において、基板上の成長速度の速い部分の前記リ
ッジ幅は狭く、成長速度の遅い部分の前記リッジ幅は広
くすることを特徴としている。
作用
上記の構成により、溶液の状態の違いによって生じた成
長速度の違いをリッジ幅の違いによって相殺することが
できる。何故ならば、リッジによる戒長速度の抑制の度
合いはリッジの幅に依存し、リッジ幅が狭い程、抑制の
度合いは大きいためである。
長速度の違いをリッジ幅の違いによって相殺することが
できる。何故ならば、リッジによる戒長速度の抑制の度
合いはリッジの幅に依存し、リッジ幅が狭い程、抑制の
度合いは大きいためである。
実施例
第１図（ａ）〜（Ｃ）に本発明の１実施例を示す。
第１図（ａ）に示すようなメサを有するｐ型ＧａＡｓ基
板上にｎ型ＧａＡｓブロツキング層を成長させ、その上
に二つのリッジをエッチングにより形成する（第１図（
ｂ））。このリッジの幅は図に示すように一方の端面は
狭く幅１０μｍ、他方の端面ば広く幅３０μｍとする。
板上にｎ型ＧａＡｓブロツキング層を成長させ、その上
に二つのリッジをエッチングにより形成する（第１図（
ｂ））。このリッジの幅は図に示すように一方の端面は
狭く幅１０μｍ、他方の端面ば広く幅３０μｍとする。
このリッジ上に液相エビタキシャル法により、活性層を
含むダブルへテロのレーザ構造を形成する（第１図（Ｃ
））。この第２回の成長において、リッジ幅の広い方は
溶液にさきに触れる側（Ｂ側〉に、リッジ幅の狭い方は
溶液に後から触れる側（Ａ側）にセットする。
含むダブルへテロのレーザ構造を形成する（第１図（Ｃ
））。この第２回の成長において、リッジ幅の広い方は
溶液にさきに触れる側（Ｂ側〉に、リッジ幅の狭い方は
溶液に後から触れる側（Ａ側）にセットする。
上記のようにして成長を行うことにより、均一な成長膜
厚を得ることができる。その理由を次に説明する。第２
図に示す襟な従来の方法により桔晶或長を行うと、第３
図に示すような膜厚の傾きが生してしまう。すなわち、
溶液にさきに触れるＢ側の膜厚は薄く、後から触れるＡ
側の膜厚は厚くなる。一方、リッジ上の戒長速度はリッ
ジ幅に依存し、リッジ幅が狭いほど遅くなるために、Ｊ
ツジ上の膜厚は成長時間が一定のときリッジ幅に対して
第４図のようになる。このために、本発明の方法のよう
にＡ側にはリッジの狭い部分を、Ｂ側にはリッジの広い
部分を置くことにより、両者の或長速度の差が相殺され
て、全面で均一な威長膜厚を得ることができる。
厚を得ることができる。その理由を次に説明する。第２
図に示す襟な従来の方法により桔晶或長を行うと、第３
図に示すような膜厚の傾きが生してしまう。すなわち、
溶液にさきに触れるＢ側の膜厚は薄く、後から触れるＡ
側の膜厚は厚くなる。一方、リッジ上の戒長速度はリッ
ジ幅に依存し、リッジ幅が狭いほど遅くなるために、Ｊ
ツジ上の膜厚は成長時間が一定のときリッジ幅に対して
第４図のようになる。このために、本発明の方法のよう
にＡ側にはリッジの狭い部分を、Ｂ側にはリッジの広い
部分を置くことにより、両者の或長速度の差が相殺され
て、全面で均一な威長膜厚を得ることができる。
発明の効果
以上のように本発明の半導体レーザ装置の作製方法は、
基板上に形成された２つの平行なリッジ間の溝部上に活
性領域を有する半導体レーザ装置の作製において、基板
上に戊長速度の速い部分のリッジ幅は狭く、成長速度の
遅い部分のりッジ輻は広くすることにより、溶液の状態
の違いによって生じた成長速度の違いをリッジ幅の違い
によって相殺してウェハー全面で均一な膜厚を得ること
ができ、実用的効果は大なるものがある。
基板上に形成された２つの平行なリッジ間の溝部上に活
性領域を有する半導体レーザ装置の作製において、基板
上に戊長速度の速い部分のリッジ幅は狭く、成長速度の
遅い部分のりッジ輻は広くすることにより、溶液の状態
の違いによって生じた成長速度の違いをリッジ幅の違い
によって相殺してウェハー全面で均一な膜厚を得ること
ができ、実用的効果は大なるものがある。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の半導体レーザ装置の作
製方法の各工程図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来のリッ
ジ構造の半導体レーザ装置の作製方法の各工程図、第３
図は従来の作製方法を行っ場合のウエハー位置による膜
厚の変化を示す図、第４図は戒長時間を一定としたとき
の、リッジ幅に対するリッジ上の膜厚の変化を示す図で
ある。 １・・・・・・ｐ型ＧａＡｓ基板、２・・・・・・ｎ型
ＧａＡｓブロッキング層、３・・・・・・ｐ型ＧａＡｅ
Ａｓクラッド層、４・・・・・・ＧａＡｅ Ａ活性層、
５・・・・・・ｎ型ＧａＡ（！Ａｓクラッド層、６・・
・・・・ｎ型ＧａＡｓコンタクト層。
製方法の各工程図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来のリッ
ジ構造の半導体レーザ装置の作製方法の各工程図、第３
図は従来の作製方法を行っ場合のウエハー位置による膜
厚の変化を示す図、第４図は戒長時間を一定としたとき
の、リッジ幅に対するリッジ上の膜厚の変化を示す図で
ある。 １・・・・・・ｐ型ＧａＡｓ基板、２・・・・・・ｎ型
ＧａＡｓブロッキング層、３・・・・・・ｐ型ＧａＡｅ
Ａｓクラッド層、４・・・・・・ＧａＡｅ Ａ活性層、
５・・・・・・ｎ型ＧａＡ（！Ａｓクラッド層、６・・
・・・・ｎ型ＧａＡｓコンタクト層。
Claims (1)
- 基板上に形成された２つの平行なリッジ間の溝部上に
活性領域を有する半導体レーザ装置の作製方法において
、基板上の成長速度の速い部分の前記リッジ幅は狭く、
成長速度の遅い部分の前記リッジ幅は広くすることを特
徴とする半導体レーザ装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151815A JPH0316291A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体レーザ装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151815A JPH0316291A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体レーザ装置の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316291A true JPH0316291A (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15526918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1151815A Pending JPH0316291A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 半導体レーザ装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316291A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5737352A (en) * | 1995-11-08 | 1998-04-07 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor diode laser, in particular a laser amplifier, and method of manufacturing this laser |
| JP2008106540A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 軒樋吊具 |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP1151815A patent/JPH0316291A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5737352A (en) * | 1995-11-08 | 1998-04-07 | U.S. Philips Corporation | Semiconductor diode laser, in particular a laser amplifier, and method of manufacturing this laser |
| JP2008106540A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 軒樋吊具 |
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