JPH0239481A - 半導体レーザ製造方法 - Google Patents
半導体レーザ製造方法Info
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- JPH0239481A JPH0239481A JP18920688A JP18920688A JPH0239481A JP H0239481 A JPH0239481 A JP H0239481A JP 18920688 A JP18920688 A JP 18920688A JP 18920688 A JP18920688 A JP 18920688A JP H0239481 A JPH0239481 A JP H0239481A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- manufacturing
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、見開が非常に容易となる半導体レーザの製造
方法に関する。
方法に関する。
［従来の技術］
従来の半導体レーザの製造方法を第５図に示す第３図の
半導体レーザを劈開する場合、まずウェハのエピタキシ
ャル成長層側の面の端部にカッターで共振器方向に垂直
に所望の共振器長の間隔で線状の傷を付ける。そして、
前記半導体レーザウェハの基板側から応力を加え、タン
ザク状に劈開する。さらにタンザク状になった半導体レ
ーザウェハを個々の半導体レーザチップに劈開する。
半導体レーザを劈開する場合、まずウェハのエピタキシ
ャル成長層側の面の端部にカッターで共振器方向に垂直
に所望の共振器長の間隔で線状の傷を付ける。そして、
前記半導体レーザウェハの基板側から応力を加え、タン
ザク状に劈開する。さらにタンザク状になった半導体レ
ーザウェハを個々の半導体レーザチップに劈開する。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の技術では、カッターで傷を付ける工程が
非常に手間がかかる上、傷の付は方により、傷の位置か
らずれた所で半導体レーザウェハが劈開されてしまい、
半導体レーザの共振器長がまちまちになること、また劈
開面が平担にならず半導体レーザの特性が悪化すること
等の問題点を有していた。
非常に手間がかかる上、傷の付は方により、傷の位置か
らずれた所で半導体レーザウェハが劈開されてしまい、
半導体レーザの共振器長がまちまちになること、また劈
開面が平担にならず半導体レーザの特性が悪化すること
等の問題点を有していた。
本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的
は、劈開が非常に容易で、なおかつ平担なり開面を得ら
れる半導体レーザの製造方法を提供するところにある。
は、劈開が非常に容易で、なおかつ平担なり開面を得ら
れる半導体レーザの製造方法を提供するところにある。
ｃ課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために本発明の半導体レーザの製造
方法は、ダブルヘテロ構造を有スるエピタキシャル成長
面側の端部に半導体レーザの共振器方向に垂直に溝を形
成する工程と前記溝を形成した面の反対面から応力を加
え劈開する工程を含むことを特徴とする。
方法は、ダブルヘテロ構造を有スるエピタキシャル成長
面側の端部に半導体レーザの共振器方向に垂直に溝を形
成する工程と前記溝を形成した面の反対面から応力を加
え劈開する工程を含むことを特徴とする。
［実施例コ
第１図は本発明の実施例を示す斜視図である。
（１０１）ｎ型ＧａＡｓ基板に、通常のフォト工程とエ
ツチング工程により端部に５００μｍ間隔で溝を形成す
る（第１図（α）） この溝は深さ１０〜５０μｍで端
から１〜５ｒｔｒｍ程度の長さで形成する。次にＭＯＯ
ＶＤ法により（１０１）ｒＬ型ＧａＡθ基板の溝を形成
した面に（１０２）エピタキシャル成長層を形成する（
第１図（ｂ））。
ツチング工程により端部に５００μｍ間隔で溝を形成す
る（第１図（α）） この溝は深さ１０〜５０μｍで端
から１〜５ｒｔｒｍ程度の長さで形成する。次にＭＯＯ
ＶＤ法により（１０１）ｒＬ型ＧａＡθ基板の溝を形成
した面に（１０２）エピタキシャル成長層を形成する（
第１図（ｂ））。
（１ｏ２）エピタキシャル成長層は基板側から、ル型Ｇ
ａＡｓバッファ層、几型Ａ ｔ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、
ｓ Ａθクラッド層、Ａ ｌ Ｏ，１５Ｇ ａ ｏ、ａ
ｓ Ａ ８活性層、Ｐ型Ａ ｌ Ｏ，５Ｇ ａ ｏ、５
Ａ ｓクラッド層、Ｐ型ＧａＡＢコンタクト層、１型
Ｇ ａ Ａ’ｓブロッキング層からなりダブルヘテロ構
造を有している。次に通常のフォト工程とエツチング工
程により前記几型ＧａＡ３ブロッキング層をストライプ
状にエツチングしたのち（１０３）Ｆ型オーミック電極
を形成するさらに（１０１）ｒＬ型（）ａＡ６基板を１
００μｍまで研磨しく１０４）ｎ型オーミック電極を形
成する（第１図（Ｃ））。以上のようにして製造された
半導体レーザウェハは（ｉｏ４）ｒＬ５オーミック電極
電極面から応力を加えることにより簡単にかつ平担なり
開面でタンザク状に劈開できる（第１図（ｄ、））。そ
してタンザク状半導体レーザウェハーを表面のストライ
プとストライプの間で劈開すれば半導体レーザチップが
得られる。
ａＡｓバッファ層、几型Ａ ｔ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、
ｓ Ａθクラッド層、Ａ ｌ Ｏ，１５Ｇ ａ ｏ、ａ
ｓ Ａ ８活性層、Ｐ型Ａ ｌ Ｏ，５Ｇ ａ ｏ、５
Ａ ｓクラッド層、Ｐ型ＧａＡＢコンタクト層、１型
Ｇ ａ Ａ’ｓブロッキング層からなりダブルヘテロ構
造を有している。次に通常のフォト工程とエツチング工
程により前記几型ＧａＡ３ブロッキング層をストライプ
状にエツチングしたのち（１０３）Ｆ型オーミック電極
を形成するさらに（１０１）ｒＬ型（）ａＡ６基板を１
００μｍまで研磨しく１０４）ｎ型オーミック電極を形
成する（第１図（Ｃ））。以上のようにして製造された
半導体レーザウェハは（ｉｏ４）ｒＬ５オーミック電極
電極面から応力を加えることにより簡単にかつ平担なり
開面でタンザク状に劈開できる（第１図（ｄ、））。そ
してタンザク状半導体レーザウェハーを表面のストライ
プとストライプの間で劈開すれば半導体レーザチップが
得られる。
第２図は本発明の他の実施例を示す斜視図である。（２
０１）ｒＬ型ＧａＡθ基板に液相成長法により（２０２
）エピタキシャル成長層を形成する（第２図（α））。
０１）ｒＬ型ＧａＡθ基板に液相成長法により（２０２
）エピタキシャル成長層を形成する（第２図（α））。
（２０２）エピタキシャル成長層は、基板側よりル型Ｇ
ａＡｓバッファ層、几型Ａ Ｌ ｏ、ｓ Ｇ ’ａ ｏ
、ｓ Ａ Ｂクラッド層、Ａ ｔＯ，１５Ｇ ａＯ，８
５Ａ ８活性層）ｐ型Ａ Ｌ Ｏ，５Ｇ ａ Ｏ，５Ａ
θクラッド層、Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、几型ＧａＡ
ｓブロックング４層からなりダブルヘテロ構造を有して
いる。次に通常のフォト工程とエツチング工程により端
部に２５０μｍ間隔で、深さ１０〜５０μｍ１端より１
〜５闇の溝を形成する（第２図（ｂ））。再びフォト工
程とエツチング工程により前記ル型ブロッキング層をス
トライプ状にエツチングしたのち（２０５）Ｐ型オーミ
ック電極を形成する。さらに（２０１）ｎ型ＧａＡｓ基
板を１００μｍまで研磨しく２０４）ｎ型オーミック電
極を形成する（第２図（Ｃ））。以上のようにして製造
された半導体レーザウェハは（２０４）ｒＬ型オーミッ
ク電極側の面から応力を加えることにより簡単に劈開で
き、その劈開面は平担でクラックのない共振器端面とな
る（第２図（ｄ））。さらにタンザク状半導体レーザウ
ェハを表面のストライプとストライプの間で劈開すれば
半導体レーザチップが得られる。
ａＡｓバッファ層、几型Ａ Ｌ ｏ、ｓ Ｇ ’ａ ｏ
、ｓ Ａ Ｂクラッド層、Ａ ｔＯ，１５Ｇ ａＯ，８
５Ａ ８活性層）ｐ型Ａ Ｌ Ｏ，５Ｇ ａ Ｏ，５Ａ
θクラッド層、Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、几型ＧａＡ
ｓブロックング４層からなりダブルヘテロ構造を有して
いる。次に通常のフォト工程とエツチング工程により端
部に２５０μｍ間隔で、深さ１０〜５０μｍ１端より１
〜５闇の溝を形成する（第２図（ｂ））。再びフォト工
程とエツチング工程により前記ル型ブロッキング層をス
トライプ状にエツチングしたのち（２０５）Ｐ型オーミ
ック電極を形成する。さらに（２０１）ｎ型ＧａＡｓ基
板を１００μｍまで研磨しく２０４）ｎ型オーミック電
極を形成する（第２図（Ｃ））。以上のようにして製造
された半導体レーザウェハは（２０４）ｒＬ型オーミッ
ク電極側の面から応力を加えることにより簡単に劈開で
き、その劈開面は平担でクラックのない共振器端面とな
る（第２図（ｄ））。さらにタンザク状半導体レーザウ
ェハを表面のストライプとストライプの間で劈開すれば
半導体レーザチップが得られる。
本実施例では利得導波型の半導体レーザの製造方法にお
ける例をあげたが、埋め込み構造を有する半導体レーザ
など他の構造であっても同様に本発明を実施できる。
ける例をあげたが、埋め込み構造を有する半導体レーザ
など他の構造であっても同様に本発明を実施できる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、半導体レーザを劈開
する工程でのカッターによる傷入れの工程を省略でき、
さらにカッターよりも精度良く劈開の案内溝を形成でき
るという効果を有する。また溝に溢って正確に劈開でき
、半導体レーザの共振器長のばらつきがなくなる。そし
て劈開面が非常に平担となり、劈開によるマイクロクラ
ックの発生もなくなり、半導体レーザの特性にばらつき
がなく、歩留シも大きく向上するという効果も有する。
する工程でのカッターによる傷入れの工程を省略でき、
さらにカッターよりも精度良く劈開の案内溝を形成でき
るという効果を有する。また溝に溢って正確に劈開でき
、半導体レーザの共振器長のばらつきがなくなる。そし
て劈開面が非常に平担となり、劈開によるマイクロクラ
ックの発生もなくなり、半導体レーザの特性にばらつき
がなく、歩留シも大きく向上するという効果も有する。
第１図（α）〜Ｃｄ）は本発明の実施例を示す半導体レ
ーザの製造方法の斜視図！ある。 第２図（α）〜Ｃｄ）は本発明の他の実施例を示す半導
体レーザの製造方法の斜視図である。 第６図は従来の半導体レーザの製造方法の斜視図である
。 八日基板 シャル成長層 （１０５）（２０′５） ミンク電極 ミンク電極 ）・・・・・・１型Ｇ ・・・・・・エピタキ ・・・・・・ｐ型オー ・・ル型オー 以 上
ーザの製造方法の斜視図！ある。 第２図（α）〜Ｃｄ）は本発明の他の実施例を示す半導
体レーザの製造方法の斜視図である。 第６図は従来の半導体レーザの製造方法の斜視図である
。 八日基板 シャル成長層 （１０５）（２０′５） ミンク電極 ミンク電極 ）・・・・・・１型Ｇ ・・・・・・エピタキ ・・・・・・ｐ型オー ・・ル型オー 以 上
Claims (1)
- ダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル成長面側の端
部に半導体レーザの共振器方向に垂直に溝を形成する工
程と前記溝を形成した面の反対面から応力を加え劈開す
る工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18920688A JPH0239481A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 半導体レーザ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18920688A JPH0239481A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 半導体レーザ製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0239481A true JPH0239481A (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=16237311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18920688A Pending JPH0239481A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 半導体レーザ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0239481A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003044871A1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-05-30 | Eblana Photonics Limited | A method of manufacturing a semiconductor device |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP18920688A patent/JPH0239481A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003044871A1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-05-30 | Eblana Photonics Limited | A method of manufacturing a semiconductor device |
| US7083994B2 (en) | 2001-10-11 | 2006-08-01 | Eblana Photonics Limited | Method of manufacturing a semiconductor device with outline of cleave marking regions and alignment or registration features |
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