JPH0316357B2 - - Google Patents

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JPH0316357B2
JPH0316357B2 JP55084981A JP8498180A JPH0316357B2 JP H0316357 B2 JPH0316357 B2 JP H0316357B2 JP 55084981 A JP55084981 A JP 55084981A JP 8498180 A JP8498180 A JP 8498180A JP H0316357 B2 JPH0316357 B2 JP H0316357B2
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JP
Japan
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group
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alkoxy
alkyl
general formula
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JP55084981A
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Eiji Ooki
Sadao Oida
Akira Yoshida
Teruo Hayashi
Shinichi Sugawara
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Sankyo Co Ltd
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Sankyo Co Ltd
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Priority to CH3723/81A priority patent/CH651037A5/de
Priority to NL8102736A priority patent/NL8102736A/nl
Priority to FR8111191A priority patent/FR2483924A1/fr
Priority to ES502828A priority patent/ES8300769A1/es
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Publication of JPH0316357B2 publication Critical patent/JPH0316357B2/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02ATECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
    • Y02A50/00TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
    • Y02A50/30Against vector-borne diseases, e.g. mosquito-borne, fly-borne, tick-borne or waterborne diseases whose impact is exacerbated by climate change
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、一般式 を有するペネム−3−カルボン酸誘導体を製造す
る方法に関するものである。 上記式()中、R1は水素原子、アルキル基
またはR4A−基(式中、R4は水酸基、アルコキ
シ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキ
シ基、アルキルチオ基またはアシルアミノ基を示
し、Aはトリフルオロメチルで置換されてもよい
アルキリデン基を示す。)を表わし、R2はアルキ
ル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基
またはR5−B−基(式中、R5は水酸基、アルコ
キシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオ
キシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル
基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチ
オ基またはアシルアミノ基を示し、Bはアルキレ
ン基を示す。)を表わし、R3はカルボキシル基の
保護基を表わし、Yは酸素原子、硫黄原子あるい
はメチレン基若しくはアルキル置換メチレン基を
表わし、またR2−Y−基はメチル基を表わして
もよい。 前記一般式()において、R1は好適には水
素原子、例えばメチル、エチル、n−プロピル、
イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−
ブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、イソペン
チルのような直鎖状若しくは分枝鎖状の低級アル
キル基またはR4A−基(式中、R4は水酸基、例
えばメトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソ
プロポキシのような低級アルコキシ基、例えばア
セトキシ、プロピオニルオキシ、n−ブチリルオ
キシ、イソブチリルオキシのような低級脂肪族ア
シルオキシ基若しくはベンジルオキシカルボニル
オキシ、p−ニトロベンジルオキシカルボニルオ
キシ、o−ニトロベンジルオキシカルボニルオキ
シのようなアラルキルオキシカルボニルオキシ基
などのアシルオキシ基、例えばtert−ブチルジメ
チルシリルオキシのようなトリ低級アルキルシリ
ルオキシ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、n
−プロピルチオ、イソプロピルチオのような低級
アルキルチオ基、例えばアセチルアミノ、プロピ
オニルアミノ、n−ブチリルアミノ、イソブチリ
ルアミノのような低級脂肪族アシルアミノ基若し
くはベンジルオキシカルボニルアミノ、p−ニト
ロベンジルオキシカルボニルアミノ、o−ニトロ
ベンジルオキシカルボニルアミノのようなアラル
キルオキシカルボニルアミノ基などのアシルアミ
ノ基を示し、Aはメチレン、エチリデン、プロピ
リデン、ブチリデン、ベンチリデン、2,2,2
−トリフルオロエチリデン、3,3,3−トリフ
ルオロプロピリデンのようなトリフルオロメチル
基で置換されてもよいアルキリデン基を示す。)
であり、R2は好適には例えばメチル、エチル、
n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソ
ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、n−ペン
チル、イソペンチルのような直鎖状若しくは分枝
鎖状の低級アルキル基、例えばアリル、2−ブテ
ニル、3−メチル−2−ブテニル、2−ペンテニ
ルのような直鎖状若しくは分枝鎖状の低級アルケ
ニル基、例えば芳香環にメチル、エチル、n−プ
ロピル、イソプロピルのような低級アルキル基、
メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロ
ポキシのような低級アルコキシ基若しくはフツ
素、塩素、臭素のようなハロゲン原子を置換分と
して有するか有しないベンジル、フエネチル、フ
エニルプロピルのようなアラルキル基、例えば芳
香環にメチル、エチル、n−プロピル、イソプロ
ピルのような低級アルキル基、メトキシ、エトキ
シ、n−プロポキシ、イソプロポキシのような低
級アルコキシ基若しくはフツ素、塩素、臭素のよ
うなハロゲン原子を置換分として有するか有しな
いフエニルのようなアリール基またはR5B−基
(式中、R5は水酸基、例えばメトキシ、エトキ
シ、n−プロポキシ、イソプロポキシのような低
級アルコキシ基、例えばアセトキシ、プロピオニ
ルオキシ、n−ブチリルオキシ、イソブチリルオ
キシのような低級脂肪族アシルオキシ基、メトキ
サリルオキシ、エトキサリルオキシ、n−プロポ
キサリルオキシのような低級アルコキシオキサリ
ルオキシ基若しくはベンジルオキシカルボニルオ
キシ、p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキ
シのようなアラルキルオキシカルボニルオキシ基
などのアシルオキシ基、例えばtert−ブチルジメ
チルシリルオキシのような低級アルキルシリルオ
キシ基、カルボキシル基、例えばメトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、n−プロポキシカル
ボニル、イソプロポキシカルボニルのような低級
アルコキシカルボニル基、例えばベンジルオキシ
カルボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ルのようなアラルキルオキシカルボニル基、例え
ばメチルチオ、エチルチオ、n−プロピルチオ、
イソプロピルチオのような低級アルキルチオ基、
例えばアセチルアミノ、プロピオニルアミノ、n
−ブチリルアミノ、イソブチリルアミノのような
低級脂肪族アシルアミノ基、若しくは例えばベン
ジルオキシカルボニルアミノ、p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニルアミノ、o−ニトロベンジル
オキシカルボニルアミノのようなアラルキルオキ
シカルボニルアミノ基などのアシルアミノ基を示
し、Bは例えばメチレン、エチレン、トリメチレ
ン、プロピレン、テトラメチレン、ペンタメチレ
ンのような直鎖状若しくは分枝鎖状の低級アルキ
レン基を示す。)であり、R3は好適には例えばメ
チル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n
−ブチル、イソブチル、tert−ブチルのような直
鎖状若しくは分枝鎖状の低級アルキル基、例えば
メトキシメチル、エトキシメチル、n−プロポキ
シメチル、イソプロポキシメチル、n−ブトキシ
メチル、イソブトキシメチルのような低級アルコ
キシメチル基、例えばアセトキシメチル、プロピ
オニルオキシメチル、n−ブチリルオキシメチ
ル、イソブチリルオキシメチル、ピバロイルオキ
シメチルのような低級脂肪族アシルオキシメチル
基、例えば1−メトキシカルボニルオキシエチ
ル、1−エトキシカルボニルオキシエチル、1−
n−プロポキシカルボニルオキシエチル、1−イ
ソプロポキシカルボニルオキシエチル、1−n−
ブトキシカルボニルオキシエチル、1−イソブト
キシカルボニルオキシエチルのような1−低級ア
ルコキシカルボニルオキシエチル基、例えばベン
ジル、p−メトキシベンジル、o−ニトロベンジ
ル、p−ニトロベンジル基またはフタリジル基で
あり、Yは酸素原子、硫黄原子あるいはメチル、
エチル、n−プロピル、イソプロピルのような低
級アルキル基で置換されていてもよいメチレン基
であり、またR2Y−基はメチル基を表わしてもよ
い。 なお、前記一般式()を有する化合物におい
ては不斉炭素原子に基く光学異性体および立体異
性体が存在し、これらの異性体がすべて単一の式
で示されているが、これによつて本発明の記載の
範囲は限定されるものではない。しかしながら、
好適には5位の炭素原子がペニシリン類と同一配
位すなわちR配位を有する化合物を選択すること
ができる。 本発明にふくまれる製造法に関して、以下に詳
しく説明する。 出発原料は一般式 (式中、R1,R2,R3およびYは前述したもの
と同意義を示し、Xは酸素原子または硫黄原子を
示す。) を有する化合物であり、好適には
【式】 と合一して表現する場合、X=S,=Sのような
〔(アルキル)チオ〕チオカルボニル〕チオ基、X
=S,Y=Oのような〔(アルコキシ)チオカル
ボニル〕チオ基、X=S,Y=CH2−のような
〔(アルキル)チオカルボニル〕チオ基、X=O,
Y=Sのような〔(アルキルチオ)カルボニル〕
チオ基X=O,Y=Oのような(アルコキシカル
ボニル)チオ基、X=O,Y=CH2−のようなア
シルチオ基で示され、これらの化合物は文献〔S.
Oida,A.Yoshida,T.Hayashi,N.Takeda,T.
Nishimura and E.Ohki,J.Antibiotics33,107
(1980);I.Ernest,J.Gosteli,C.W.Greengrass,
W.Holick,D.E.Jackman,H.R.Pfaendler,and
R.B.Woodward,J.Am.chem.Soc.,100,8214
(1978)〕 の方法にしたがつて合成して得られる一般式 (式中、R1,R2,XおよびYは前述したもの
と同意義を示す。) で表されるアゼチジノン誘導体を参考例に記す如
く溶剤中1乃至4当量のトリエチルアミンのよう
な有機塩基の存在下、1乃至4当量の一般式 XCOCOOR3 () (式中、Xは塩素原子または臭素原子のような
ハロゲン原子を示し、R3は前述したものと同意
義を示す。) で表わされるアルコキサリルハライドと反応せし
めて準備することができる。 本発明の方法における反応は、上述の原料すな
わち一般式()であらわされるアゼチジノン誘
導体を溶媒の存在下、2乃至20当量の一般式 (R43P () (式中、R4はアルコキシ基またはジアルキル
アミノ基を表わす。) で表わされる亜リン酸トリメチル若しくは亜リン
酸トリエチル等の亜リン酸エステルあるいはトリ
ス(ジメチルアミノ)フオスフイン等の亜リン酸
アミドと接触せしめる事により、一般式()で
表わされるペネム−3−カルボン酸誘導体を製造
するものである。 本反応を実施するにあたつて、使用される溶剤
としては本反応に関与しないものであれば特に限
定はないが、メタノール、エタノール、プロパノ
ール、イソプロパノール等のアルコール類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、酢
酸エチルエステル、酢酸ブチルエステル等のエス
テル類、ベンゼン、トルエンのような芳香族炭化
水素、クロロホルム、メチレンクロリドのような
ハロゲン化炭化水素、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミドのようなジアルキル脂肪酸ア
ミド、アセトニトリルのようなニトリル類並びに
これらの有機溶剤の混合溶剤が好適である。反応
温度は特に限定はなく通常は室温乃至150℃付近
で行なうことができるが、好適には50゜乃至150℃
付近で加熱して行なう。反応に要する時間は主に
原料の種類および反応温度により異なるが、約5
時間乃至4日間である。 反応終了後、本工程の目的化合物()は常法
に従つて反応混合物から採取される。例えば反応
混合物を必要ならば不溶物を別して後、水洗、
乾燥し溶剤および過剰の試薬を留去することによ
つて得ることができる。 このようにして得られた目的化合物は、必要な
らば常法、例えば再結晶法、分取用薄層クロマト
グラフイー、カラムクロマトグラフイーなどによ
つてさらに精製することができる。 本反応において原料化合物()を前記一般式
()で表わされる亜リン酸トリアルキルあるい
は亜リン酸トリアミドと溶剤中で室温乃至90℃ぐ
らいの比較的低温で接触せしめる場合、一般式 (式中、R1,R2,R3,R4,XおよびYは前述
したものと同意義を示す。) で表わされるイリド化合物を得ることができる
が、これをそのまゝ精製することなく加熱処理し
て目的のペネム−3−カルボン酸誘導体()に
みちびく方法も含まれるものである。この場合の
加熱温度は100乃至150℃であり、反応時間は約4
時間乃至48時間である。 本発明によつて得られる一般式()を有する
化合物は、ペニシリンの2位と3位に二重結合を
有するペネム誘導体に属し、その2位に各種置換
アルキル基、アルキルチオあるいはアルキルオキ
シ基を有する化合物の一群であり、一般式()
中に示されたR1およびR2にふくまれる水酸基お
よびアミノ基の保護基並びにカルボン酸保護基
R3を既知の方法により除去することによつて、
例えば特願昭54−44050号に記載されているよう
な優れた抗菌活性を有する医薬として有用なペネ
ム−3−カルボン酸類にみちびくことができる重
要合成中間体である。 本発明は従来のペネム誘導体の製法に比較して
次の点で優れている。 ペネム誘導体の製法として下記の反応式で示さ
れる方法(特開昭52−71460、特開昭53−137951
および特開昭54−119486号公報)が知られてい
る。 式中、XおよびYは酸素もしくは硫黄原子また
はメチレン基を示す。 すなわちアゼチジノン誘導体1にグリオキシル
酸エステルを反応させ付加物2とし、これをチオ
ニルクロライドでハロゲン化しクロル体3とし、
化合物3を塩基の存在下トリフエニルホスインと
反応させ4とし、ついで化合物4を加熱するとペ
ネム誘導体5が得られる。 この方法では2から4は一つの反応容器内で連
続して反応させることができるので1工程と考え
られ、化合物1から3工程でペネム誘導体5が得
られます。 これに対して、本発明のペネム誘導体の製法
は、下記の反応式に従つて合成する方法である。 すなわちアゼチジノン誘導体1をオキサリル化
してオキサルイミド体6とし、化合物6とホスフ
アイト誘導体(P(OR43)とを反応させ化合物
7とした後、7を加熱するとペネム誘導体5が得
られる。この方法では化合物7を単離する必要が
ないので化合物1から2工程でペネム誘導体5が
得られる。また本方法により化合物1から好収率
でペネム誘導体5が得られる。 このように従来法が化合物1から3工程で化合
物5を得ることができるのに対して、本発明の製
法が化合物1から2工程で化合物5を得ることが
できる。従つて本製法は従来法に比較して優れた
ペネム誘導体の製法である。 なお本発明の製法では、80℃で加熱しても化合
物7から化合物5が得られるのに対して、化合物
4は100℃に加熱してもほとんど化合物5が得ら
れず、120℃位に加熱すると化合物5が得られる。
一般に化学反応では低温のほうが副生成物が少な
いと考えられるので、この点からも本発明の製法
が、従来法に比較し優れている。 また本方法は従来法に比較して反応時間が短
い。すなわち本方法では1から5を得るための反
応時間はおよそ5時間であるのに対し、従来法で
は3から4を得るのに必要な反応時間が約40時間
であり、4から5を得るための反応時間が約15時
間である。従つて本方法のほうが従来法よりペネ
ム誘導体の実生産方法として優れている。 実施例 1 2−メチルペネム−3−カルボン酸メチルエス
テル N−メトキサリル−4−アセチルチオアゼチジ
ン−2−オン40mg(0.17mmol)と亜リン酸トリ
メチル65mg(0.52mmol)のジオキサン1ml溶液
を、窒素気流中95℃で15時間加熱した後、さらに
2.5時間加熱還流する。溶剤留去後の残留物を分
取用薄層クロマトグラフイー〔展開溶剤:ベンゼ
ン−酢酸エチル(5:1)〕で分離精製し、8mg
(収率23%)の目的物を結晶として得る。ヘキサ
ン−酢酸エチル混合溶剤で再結晶すると、融点
79.5〜80℃の針状晶を与える。 元素分析値 C8H9NO3Sとして 計算値:C,48.22;H,4.55;N,7.03; S,16.09 実測値:C,48.40;H,4.59;N,6.99; S,16.08 IRスペクトル νNujol naxcm-1: 1768,1707,1581 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 2.30(3H,s)、3.36(1H,dd,J=172Hz)、
3.75(1H,dd,J=12,4Hz)、3.77(3H,s)、
5.68(1H,dd,J=4,2Hz) 実施例 2 2−メチルペネム−3−カルボン酸p−ニトロ
ペンジルエステル N−p−ニトロベンジルオキシオキサリル−4
−アセチルチオアゼチジン−2−オン84mg
(0.24mmol)と亜リン酸トリメチル238mg
(1.92mmol)の酢酸エチル11ml溶液を窒素気流下
65℃で24時間撹拌し溶剤及び揮発性物質を60℃で
減圧下留去すると、粗製4−アセチルチオ−1−
〔1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)ト
リメトキシホスホラニリデンメチル〕アゼチジン
−2−オン112mgが得られる。かくして得られた
ホスホラン112mgに触媒量のp−ハイドロキノン
を加えてキシレン10mlに溶解し、窒素気流下21時
間にわたつて105℃に加熱する。溶剤留去した後
の残留物を分取用薄層クロマトグラフイー〔展開
溶剤:酢酸エチル−ベンゼン(1:8)〕で分離
精製し37mg(48%)の目的物を得る。塩化メチレ
ン−エーテルより再結晶すると、融点132〜135℃
の針状晶が得られる。本品はWoodwardら
〔Woodwardet al,J.Am.Chem.Soc.1016296
(1979)〕によつて合成された化合物(融点130〜
132℃)とIRスペクトル、NMRスペクトルが一
致する。 実施例 3 (5R,6S)−2−(2−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルアミノエチル)−6−〔(R)−1
−tert−ブチルジメチルシリルオキシエチル〕
ペネム−3−カルボン酸p−ニトロベンジルエ
ステル (3S,4R)−N−p−ニトワベンジルオキシオ
キサリル−4−(3−p−ニトロベンジルオキシ
カルボニルアミノプロピオニルチオ)−3−〔(R)
−1−tert−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル〕アゼチジン−2−オン130mg(0.18mmol)と
亜リン酸トリメチル180mg(1.45mmol)の酢酸エ
チル17ml溶液を窒素気流下65℃で26時間撹拌し、
溶剤及び揮発性物質を60℃で減圧下留去して、粗
製(3S,4R)−4−(3−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルアミノプロピオニルチオ)−3−
〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル〕−1−〔1−(p−ニトロベンジルオキシ
カルボニル)トリメトキシホスホラニリデンメチ
ル〕アゼチジン−2−オン155mgを得る。これに
触媒量のp−ハイドロキノンを加え、キシレン15
ml中、窒素気流下で24時間にわたつて105℃で加
熱する。溶剤に留去した後、残留物を分取用薄層
クロマトグラフイー〔展開溶剤:ベンゼン−酢酸
エチル(1:1)混合溶剤〕で分離精製し、目的
物43mg(収率35%)を油状物質として得る。 IRスペクトル νliq naxcm-1: 3400,1797,1700〜1740 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 0.05(3H,s)、0.08(3H,s)、0.80(9H,s)、
1.16(3H,d,J=6.5Hz)、2.8〜3.5(4H,m)、
3.70(1H,dd,J=4,1.5Hz)、4.20(1H,
m)、5.18(2H,s)、5.14(1H,d,J=15
Hz)、5.38(1H,d,J=15Hz)、5.60(1H,d,
J=1.5Hz)、7.3〜8.4(8H) 実施例 4 2−ブチルチオペネム−3−カルボン酸p−ニ
トロベンジルエステル N−メトキサリル−4−〔(ブチルチオ)チオカ
ルボニル〕チオアゼチジン−2−オン171mg
(0.53mmol)と亜リン酸トリメチル132mg
(1.06mmol)のアセトニトリル3.5ml溶液を窒素
気流中55℃で16.5時間撹拌する。溶剤留去後の残
留物を分取用薄層クロマトグラフイー〔展開溶
剤:ベンゼン−酢酸エチル(10:1)〕で分離精
製し、39mg(収率27%)の目的物を結晶として得
る。エタノールから再結晶すると、融点100〜
101.5℃の板状晶を与える。 元素分析値 C11H15NO3S2として 計算値:C,48.32;H,5.53;N,5.12 分析値:C,48.14;H,5.52;N,5.03 IRスペクトル νNujol naxcm-1; 1769,1702 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 0.96(3H,t−様)、〜1.6(4H,m)、2.99(2H,
t,J=7Hz)、3.49(1H,dd,J=17,2
Hz)、3.84(3H,s)、3.86(1H,dd,J=17,
4Hz)、5.74(1H,dd,J=4,2Hz) 実施例 5 2−ブチルチオペネム−3−カルボン酸p−ニ
トロベンジルエステル N−p−ニトロベンジルオキシオキサリル−4
−〔(ブチルチオ)チオカルボニル〕チオアゼチジ
ン−2−オン116mg(0.26mmol)と亜リン酸トリ
メチル260mg(2.10mmol)の酢酸エチル14ml溶液
を窒素気流下70℃で22時間撹拌する。溶剤を留去
した後の残留物131mgをシリカゲル6gを用いる
カラムクロマトグラフイーに付し、ベンゼン−酢
酸エチル(20:1〜10:1)で溶出される部分よ
り融点128〜129℃を有する目的物36mg(収率35
%)を結晶として得る。 本品は特願昭53−81658号(特開昭55−9034号)
に記載されている4−〔(ブチルチオ)チオカルボ
ニル〕チオ−1−〔1−(p−ニトロベンジルオキ
シカルボニル)トリフエニルホスホラニリデンメ
チル〕アゼチジン−2−オンの分子内ウイツテイ
ヒ反応により得られる化合物と融点、赤外線吸収
スペクトラム、核磁気共鳴スペクトラムが一致す
る。 IRスペクトル νnujol naxcm-1; 1786,1677 nmrスペクトル(CDCl3)δppm; 0.93(3H,t,J=6Hz)、2.98(2H,t,J=
7Hz)、3.50(1H,dd,J=17,2Hz)、3.91
(1H,dd,J=17,3.5Hz)、5.26(1H,d,J
=14Hz)、5.55(1H,d,J=14Hz)、5.77(1H,
dd,J=3.5,2Hz)、7.70(2H,d)、8.32
(2H,d) 実施例 6 (5R,6S)−2−〔〔2−(p−ニトロベンジル
オキシカルボニルアミノ)エチル〕チオ〕−6
−〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリルオ
キシエチル〕ペネム−3−カルボン酸p−ニト
ロベンジルエステル (3S,4R)−N−p−ニトロベンジルオキシオ
キサリル−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメチ
ルシリルオキシエチル〕−4−〔〔〔2−(p−ニト
ロベンジルオキシカルボニルアミノ)エチル〕チ
オ〕チオカルボニル〕チオアゼチジン−2−オン
71mg(0.093mmol)と亜リン酸トリメチル92mg
(0.74mmol)のトルエン9ml溶液を窒素気流中、
65〜75℃で34時間加熱撹拌する。溶剤留去後の残
留物を分取用薄層クロマトグラフイー(展開溶
剤:クロロホルム−酢酸エチル(5:1)で分離
精製し、31mg(47%)の目的物を油状物質として
得る。本品は特願昭54−44050号に記載されてい
る化合物とIR、NMRスペクトルが一致する。 IRスペクトル νnujol naxcm-1: 1780,1710,1670 nmrスペクトル(CDCl3)δppm: 0.03(3H,s)、0.07(3H,s)、0.80(9H,s)、
1.20(3H,d,J=6Hz)、3.04(2H,m)、
3.38(2H,t,J=5Hz)、3.66(1H,dd,J=
4,2Hz)、4.12(1H,m)、5.04(1H,d,J
=14Hz)、5.10(2H,s)、5.37(1H,d,J=
14Hz)、5.57(1H,d,J=2Hz)、7.38(2H,
d,J=9Hz)、7.50(2H,d,J=9Hz)、
8.58(4H,d,J=9Hz) 実施例 7 2−メチルチオペネム−3−カルボン酸p−ニ
トロベンジルエステル及び2−メトキシペネム
−3−カルボン酸p−ニトロベンジルエステル
【式】
【式】 N−p−ニトロベンジルオキシオキサリル−4
−〔(メトキシ)チオカルボニル〕チオアゼチジン
−2−オン256mg(0.67mmol)と亜リン酸トリメ
チル495mg(3.99mmol)の酢酸エチル33ml溶液を
窒素気流下65℃で22時間撹拌する。溶剤及び揮発
性物質を減圧下留去し粗製4−〔(メトキシ)チオ
カルボニル〕チオ−1−〔1−(p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル)トリメトキシホスホラニリ
デンメチル〕アゼチジン−2−オン307mgを得る。 IRスペクトル νCHCl3 naxcm-1: 1760,1637,1603,1513,1341 この粗製ホスホラン307mgとp−ハイドロキノ
ン触媒量のキシレン32ml溶液を窒素気流下130℃
で18時間加熱し、溶剤を留去する。残留物を分取
用薄層クロマトグラフイ(展開溶剤:ベンゼン−
酢酸エチル(2:1)〕で分離精製し、2−メチ
ルチオペネム誘導体42mg(収率18%、N−p−ニ
トロベンジルオキシオキサリル誘導体にもとづ
く)及び2−メトキシペネム誘導体8mg(収率
3.6%、N−p−ニトロベンジルオキシオキサリ
ル誘導体にもとづく)をそれぞれ結晶として得
る。 ここに得られた2−メチルチオ誘導体をアセト
ンから再結晶すると、融点165〜166℃の針状晶が
得られる。 元素分析値 C14H12N2O5S2として 計算値:C,47.71;H,3.43;N,7.95; S,18.20 実測値:C,47.77;H,3.45;N,7.83; S,18.14 IRスペクトル νKBr naxcm-1: 1800,1683 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 2.54(3H,s)、3.51(1H,dd,J=16,2Hz)、
3.84(1H,dd,J=16,3.5Hz)、5.24(1H,d,
J=14Hz)、5.47(1H,d,J=14Hz)、5.73
(1H,dd,J=3.5,2Hz)、7.62(2H,d,J
=8.5Hz)、8.22(2H,d,J=8.5Hz) また、2−メトキシペネム誘導体をクロロホル
ム−ベンゼン混合溶剤で再結晶すると、融点196
〜198℃のプリズム晶が得られる。 元素分析値 C14H12N2O6Sとして 計算値:C,50.00;H,3.60;N,8.33 実測値:C,49.98;H,3.60;N,8.16 IRスペクトル νKBr naxcm-1: 1788,1689,1603,1563,1508,1339 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 3.43(1H,dd,J=17,2Hz)、3.86(1H,dd,
J=17,3.5Hz)、4.03(3H,s)、5.16(1H,
d,J=14Hz)、5.42(1H,d,J=14Hz)、
5.66(1H,dd,J=3.5,2Hz)、7.56(2H,d,
J=9Hz)、8.20(2H,d,J=9Hz) 実施例 8 (5R,6S)−2−[[(R)−1−メチル−2−
(p−ニトロベンジルオキシカルボニルアミノ)
エチル]チオ]−6−[(R)−1−tert−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル]ペネム−3−カ
ルボン酸p−ニトロベンジルエステル (3S,4R)−3−[(R)−1−tert−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル]−4−[[[(R)−1−
メチル−2−(p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニルアミノ)エチル]チオ]チオカルボニル]チ
オ−1−(p−ニトロベンジルオキサリル)アゼ
チジン−2−オン374mg(0.48mmol)及び亜リン
酸トリメチル475mg(3.83mmol)のジオキサン40
ml溶液を、窒素気流下75℃で91時間撹拌する。溶
剤を留去し、残留物を分取用薄層クロマトグラフ
イー〔展開溶剤、ベンゼン:酢酸エチル=1:
2〕で精製した後、さらに分取用薄層クロマトグ
ラフイー〔展開溶剤、クロロホルム:酢酸エチル
=8:1〕で再精製し、目的物92mg(収率26%)
を得た。ベンゼンより再結晶をおこない、融点
163−164℃を有する純品を得た。 IRスペクトル νKBr naxcm-1:3400(br.),1785,
1735,1690 比旋光度〔α〕25 D+29.6゜(C=0.47,CHCl3) NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 0.03,0.06(6H,s)、0.83(9H,s)、1.23
(3H,d,J=6Hz)、〜1.3(3H,m)、3.45
(3H,m)、3.71(1H,dd,J=4,1.5Hz)、
4.2(2H,m)、5.17(2H,s)、5.18(1H,d,
J=14.5Hz)、5.38(1H,d,J=14.5Hz)、〜
5.4(1H,m)、5.61(1H,d,J=1.5Hz)、7.48
(2H,d)、7.60(2H,d)、8.16(4H,d) 参考例 1 N−メトキサリル−4−アセチルチオアゼチジ
ン−2−オン 4−アセチルチオアゼチジン−2−オン977mg
(6.74mmol)とトリエチルアミン1.02g
(10.1mmol)の塩化メチレン20ml溶液に、氷冷
下、撹拌しながらメトキサリルクロリド1.24g
(10.1mmol)を加え、同温度に20分間保つ。反応
液を塩化メチレンで希釈し、リン酸緩衝液(PH
7)で洗浄し乾燥する。溶剤を留去した後の残留
物をシリカゲル20gを用いるカラムクロマトグラ
フイーに付し、ベンゼン−酢酸エチル(10:1〜
9:1)混合溶剤によつて溶出される部分を集
め、1.40g(収率90%)の目的物を結晶として得
る。アセトン−ジイソプロピルエーテル混合溶剤
で再結晶すると、融点69〜70.5℃のプリズム晶が
得られる。 元素分析値 C8H9NO5Sとして 計算値:C,41.56;H,3.92;N,6.06; S,13.87 実測値:C,41.49;H,3.88;N,6.06; S,13.93 IRスペクトル νNujol naxcm-1: 1812,1746,1720,1701 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 2.39(3H,s)、3.23(1H,dd,J=18,4Hz)、
3.81(1H,dd,J=18,6.5Hz)、3.92(3H,
s)、5.81(1H,dd,J=6.5,4Hz) 参考例 2 N−p−ニトロベンジルオキシオキサリル−4
−アセチルチオアゼチジン−2−オン 氷冷下4−アセチルチオアゼチジン−2−オン
1.19g(8.2mmol)の塩化メチレン16ml溶液に、
トリエチルアミン1.08g(10.7mmol)、p−ニト
ロベンジルオキシオキサリルクロリド2.60g
(10.7mmol)を順次加え、35分間同温度で撹拌す
る。ついで、塩化メチレンで希釈した後、リン酸
緩衝液(PH7.0)で2回洗浄し乾燥する。溶剤を
留去した後の残留物をシリカゲル25gを用いるカ
ラムクロマトグラフイーに付す。ベンゼン−酢酸
エチル(10:1)混合溶剤によつて溶出される部
分を集めベンゼン−ジイソプロピルエーテルより
再結晶すると、2.50g(85%)の目的物が針状
晶、融点117〜118℃として得られる。 元素分析値 C14H12N2O7Sとして 計算値:C,47.73;H,3.43;N,7.95; S,9.10 実測値:C,47.94;H,3.46;N,8.01; S,8.99 IRスペクトル νNujol axcm-1 1803,1747,1718,1702,1602,1522,1350 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 2.31(3H,s)、3.21(1H,dd,J=18,4Hz)、
3.76(1H,dd,J=18,6Hz)、5.39(2H,s)、
5.71(1H,dd,J=6,4Hz)、7.59(2H,d,
J=9Hz)、8.23(2H,d,J=9Hz) 参考例 3 (3S,4R)−N−p−ニトロベンジルオキシオ
キサリル−4−(3−p−ニトロベンジルオキ
シカルボニルアミノプロピオニルチオ)−3−
〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリルオキ
シエチル〕アゼチジン−2−オン (3S,4R)−4−(3−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルアミノプロピオニルチオ)−3−
〔(R)−1−tert−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル〕アゼチジン−2−オン150mg
(0.29mmol)とトリエチルアミン89mg
(0.88mmol)の塩化メチレン3ml溶液を−10℃に
冷却し、撹拌しながらp−ニトロベンジルオキシ
オキサリルクロリド214mg(0.88mmol)を加え、
同温度に30分間保持する。ついで、氷冷したリン
酸緩衝液と塩化メチレンを加え、有機層を水洗す
る。乾燥後、溶剤を留去し残留物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーに付す。ベンゼン−酢酸
エチル(3:1)混合溶剤で溶出される部分を集
め、目的物148mg(収率70%)を結晶として得る。 IRスペクトル νNujol naxcm-1: 1805,1745,1730,1715,1700 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 0.05(3H,s)、0.10(3H,s)、0.91(9H,s)、
1.21(3H,d,J=7Hz)、2.7〜3.8(5H,m)、
4.12(1H,m)、5.20(2H,s)、5.39(2H,s)、
5.78(3H,d,J=4Hz)、7.45(2H,d,J=
9Hz)、7.51(2H,d,J=9Hz)、8.14(2H,
d,J=9Hz)、8.18(2H,d,J=9Hz) 参考例 4 N−メトキサリル−4−〔(ブチルチオ)チオカ
ルボニル〕チオアゼチジン−2−オン 4−〔(ブチルチオ)チオカルボニル〕チオアゼ
チジン−2−オン235mg(1.0mmol)とトリエチ
ルアミン151mg(1.5mmol)の塩化メチレン4ml
溶液にメトキシサリルクロリド183mg(1.5mmol)
を、氷冷下、撹拌しながら加え、そのまま30分間
撹拌を続ける。塩化メチレンで反応液を希釈した
後、リン酸緩衝液(PH7)で洗浄し乾燥する。溶
剤留去後の残留物をシリカゲル6gを用いるカラ
ムクロマトグラフイーに付し、ベンゼンで溶出さ
れる部分を集め、262mg(収率82%)の目的物を
油状物質として得る。 IRスペクトル νCHCl3 naxcm-1: 1820,1755,1710 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 0.88(3H,t−様,J=6Hz)、〜1.5(4H,
m)、3.25(1H,dd,J=17,3.5Hz)、3.33
(2H,t,J=7Hz)、3.89(3H,s)、3.89
(1H,dd,J=17,6Hz)、6.15(1H,dd,J
=6,3.5Hz) 参考例 5 N−p−ニトロベンジルオキシオキサリル−4
−〔(ブチルチオ)チオカルボニル〕チオアゼチ
ジン−2−オン 4−〔(ブチルチオ)チオカルボニル〕チオアセ
チジン−2−オン226g(0.96mmol)とトリエチ
ルアミン132mg(1.31mmol)の塩化メチレン7ml
溶液を−15℃に冷却し、撹拌しながらp−ニトロ
ベンジルオキシオキサリルクロリド316mg
(1.30mmol)を加える。30分間同温度で撹拌した
後、塩化メチレンで希釈しリン酸緩衝液(PH7)
で洗う。乾燥後、溶剤を留去し残留物をシリカゲ
ル11gを用いるカラムクロマトグラフイーに付
し、ベンゼン−酢酸エチル(20:1〜15:1)混
合溶剤で溶出される部分を集め、390mg(収率88
%)の目的物を油状物質として得る。 IRスペクトル νCHCl3 naxcm-1: 1820,1761,1713,1603,1517,1342 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 0.91(3H,t−様)、〜1.6(4H,m)、3.29(1H,
dd,J=17.5,4Hz)、3.34(2H,t,J=7
Hz)、3.93(1H,dd,J=17.5,6Hz)、5.45
(2H,s)、6.19(1H,dd,J=6,4Hz)、
7.67(2H,d,J=8.5Hz)、8.31(2H,d,J
=8.5Hz) 参考例 6 (3S,4R)−N−p−ニトロベンジルオキシオ
キサリル−3−〔(R)−1−tert−ブチルジメ
チルシリルオキシエチル〕−4−〔〔〔2−(p−
ニトロベンジルオキシカルボニルアミノ)エチ
ル〕チオ〕チオカルボニル〕チオアゼチジン−
2−オン (3S,4R)−3−〔(R)−1−tert−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル〕−4−〔〔〔2−(p−
ニトロベンジルオキシカルボニルアミノ)エチ
ル〕チオ〕チオカルボニルチオ〕チオアゼチジン
−2−オン100mg(0.18mmol)とトリエチルアミ
ン54mg(0.53mmol)の塩化メチレン3ml溶液を
−10℃に冷却し、p−ニトロベンジルオキシオキ
サリルクロリド130mg(0.53mmol)を加え、同温
度に20分間保つ。氷冷したリン酸緩衝液(PH7)、
塩化メチレンを順次加え、有機層を水洗し乾燥す
る。溶剤留去後の残留物209mgをシリカゲル5g
を用いるカラムクロマトグラフイーに付しベンゼ
ン−酢酸エチル(15:1)混合溶剤で溶出される
部分を集め、106mg(収率77%)の目的物を油状
物質として得る。 IRスペクトル νCHCl3 naxcm-1 3460,1823,1769,1730,1607,1517,1353 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 0.00(3H,s)、0.10(3H,s)、0.83(9H,s)、
1.23(3H,d,J=6Hz)、〜3.6(4H,m)、
4.40(1H,td,J=6,4Hz)5.16(2H,s)、
5.40(2H,s)、〜5.4(1H,m)、6.72(1H,d,
J=4Hz)、7.50(2H,d,J=9Hz)、7.56
(2H,d,J=9Hz)、8.19(2H,d,J=9
Hz)、8.23(2H,d,J=9Hz) 参考例 7 N−p−ニトロベンジルオキシオキサリル−4
−〔(メトキシ)チオカルボニル〕チオアゼチジ
ン−2−オン 4−〔(メトキシ)チオカルボニル〕チオアゼチ
ジン−2−オン250mg(1.41mmol)とトリエチル
アミン185mg(1.83mmol)の塩化メチレン6ml溶
液を−10℃に冷却し、撹拌下p−ニトロベンジル
オキシオキサリルクロリド447mg(1.83mmol)を
加え、20分間さらに撹拌する。反応液に氷冷した
リン酸緩衝液(PH7)、塩化メチレンを順次加え、
有機層を水洗する。乾燥後、溶剤を留去し残留物
をシリカゲル11gを用いるカラムクロマトグラフ
イーに付し、ベンゼン−酢酸エチル(30:1〜
20:1)混合溶剤で溶出される部分を集め、目的
物536mg(収率99%)を油状物質として得る。 IRスペクトル νCHCl3 naxcm-1: 1821,1762,1717,1605,1520 NMRスペクトル(CDCl3)δppm: 3.26(1H,dd,J=17,4Hz)、3.86(1H,dd,
J=17,6Hz)、4.16(3H,s)、5.36(2H,
s)、5.81(1H,dd,J=6,4Hz)、7.53(2H,
d,J=8Hz)、8.16(2H,d,=8Hz) 参考例 8 (3S,4R)−3−[(R)−1−tert−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル]−4−[[[(R)−1
−メチル−2−(p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニルアミノ)エチル]チオ]チオカルボニ
ル]チオ−1−(p−ニトロベンジルオキサリ
ル)アセチジン−2−オン (3S,4R)−3−[(R)−tert−ブチルジメチ
ルシリルオキシエチル]−4−[[[(R)−1−メチ
ル−2−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル
アミノ)エチル]チオ]チオカルボニル]チオア
ゼチジン−2−オン326mg(0.57mmol)とトリエ
チルアミン172mg(1.70mmol)の塩化メチレン10
ml溶液を塩−氷浴で−10℃に冷却し、窒素気流
下、撹拌しながらp−ニトロベンジルオキサリル
クロリド416mg(1.71mmol)を加える。同温度で
25分間撹拌した後リン酸緩衝液(PH7)10mlを加
え、クロロホルムで抽出し水洗する。抽出液を乾
燥後、溶剤を留去し、残留物をシリカゲル5gを
用いるカラムクロマトグラフイーに付し、ベンゼ
ン−酢酸エチル(15:1)混合溶剤で溶出される
部分を集め、目的物385mg(収率87%)を油状物
質として得た。 IRスペクトル νCHCl3 naxcm-1:1815,1760,1720,
1607,1511 NMRスペクトル(CDCl3)δppm:0.10(6H,
s)、0.83(9H,s)、1.21(3H,d,J=6
Hz)、1.43(3H,d,J=7Hz)、3.2〜3.7(3H,
m)、4.0〜4.6(2H,m)、5.13(2H,s)、5.34
(2H,s)、6.70(1H,d,J=4Hz)、7.43
(2H,d)、7.50(2H,d)、8.13(2H,d)、
8.17(2H,d)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中、R1は水素原子、アルキル基または
    R4A−基(式中R4は水酸基、アルコキシ基、ア
    シルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、ア
    ルキルチオ基、またはアシルアミノ基を示し、A
    はトリフルオロメチル基で置換されていてもよい
    アルキリデン基を示す。)を表わし、R2はアルキ
    ル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール
    基、またはR5B−基(式中、R5は水酸基、アル
    コキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリル
    オキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニ
    ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキル
    チオ基、またはアシルアミノ基を示し、Bはアル
    キレン基を示す。)を表わし、R3はカルボキシル
    基の保護基を表わし、Xは酸素原子または硫黄原
    子を表わし、Yは酸素原子、硫黄原子またはメチ
    レン基若しくはアルキル置換メチレン基を表わ
    し、またR2−Y−基はメチル基を表わしてもよ
    い。〕 を有するアゼチジン−2−オン誘導体を亜リン酸
    トリエステルあるいは亜リン酸トリアミドと加熱
    することを特徴とする一般式 (式中、R1,R2,R3およびYは上述したもの
    と同意義を示す。) を有するペネム−3−カルボン酸誘導体を製造す
    る方法。 2 一般式 〔式中、R1は水素原子、アルキル基または
    R4A−基(式中、R4は水酸基、アルコキシ基、
    アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、
    アルキルチオ基またはアシルアミノ基を示し、A
    はトリフルオロメチル基で置換されていてもよい
    アルキリデン基を示す。)を表わし、R2はアルキ
    ル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基
    またはR5−B−基(式中、R5は水酸基、アルコ
    キシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオ
    キシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル
    基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチ
    オ基またはアシルアミノ基を示し、Bはアルキレ
    ン基を示す。)を表わし、R3はカルボキシル基の
    保護基を表わし、Xは酸素原子または硫黄原子を
    表わし、Yは酸素原子、硫黄原子またはメチレン
    基若しくはアルキル置換メチレン基を表わし、ま
    たR2−Y−基はメチル基を表わしてもよい。〕 を有するアゼチジン−2−オン誘導体を一般式 (R43P (式中、R4はアルコキシ基またはジアルキル
    アミノ基を表わす。) を有する亜リン酸トリアルキルあるいは亜リン酸
    トリアミドと反応させて一般式 (式中、R1,R2,R3,R4,XおよびYは前述
    したものと同意義を示す。) を有するリン−イリド化合物を製造し、これを単
    離し次いでこれを加熱することを特徴とする一般
    (式中、R1,R2,R3およびYは前述したもの
    と同意義を示す。) を有するペネム−3−カルボン酸誘導体を製造す
    る方法。 3 一般式 〔式中、R1は水素原子、アルキル基または
    R4A−基(式中、R4は水酸基、アルコキシ基、
    アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、
    アルキルチオ基またはアシルアミノ基を示し、A
    はトリフルオロメチル基で置換されていてもよい
    アルキリデン基を示す。)を表わし、R2はアルキ
    ル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基
    またはR5−B−基(式中、R5は水酸基、アルコ
    キシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオ
    キシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル
    基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチ
    オ基またはアシルアミノ基を示し、Bはアルキレ
    ン基を示す。)を表わし、R3はカルボキシル基の
    保護基を表わし、Xは酸素原子または硫黄原子を
    表わし、Yは酸素原子、硫黄原子またはメチレン
    基若しくはアルキル置換メチレン基を表わし、ま
    たR2−Y−基はメチル基を表わしてもよく、R4
    はアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を表わ
    す。〕 を有するリン−イリド化合物を加熱することを特
    徴とする一般式 (式中、R1,R2,R3およびYは前述したもの
    と同意義を示す。) を有するペネム−3−カルボン酸誘導体を製造す
    る方法。
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