JPH03164721A - 非線形光学材料およびその製造方法 - Google Patents
非線形光学材料およびその製造方法Info
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- JPH03164721A JPH03164721A JP1305444A JP30544489A JPH03164721A JP H03164721 A JPH03164721 A JP H03164721A JP 1305444 A JP1305444 A JP 1305444A JP 30544489 A JP30544489 A JP 30544489A JP H03164721 A JPH03164721 A JP H03164721A
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- nonlinear optical
- glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 非線形光学効果を利用した光デバイスの基
礎をなす非線形光学材料、およびその製造方法に関する
ものであも 従来の技術 従来の技術としては例えばシゝヤーナルオ７゛オブティ
力ルソサエディ第７３巻第６４７頁（Ｊ、Ｏｐｔ、Ｓｏ
ｃ、Ａｍ、 、Ｖｏｌ、７３，６４７．１９８３）に記
載されているよう＋、−ＣｄＳ翼５ｅｔ−ｘをホウケイ
酸ガラスにドープしたカットオフフィルタガラスを非線
形光学材料に用いるものかあもこのカットオフフィルタ
ガラスにｔ、 ＣｄＳｘＳｅ＋−ｘとホウケイ酸ガラ
ス材料を白金ルツボに入札１６００℃程度の高温で溶融
し作製していもま た、 シ′ヤーナル オフ＃ ア
７°ライビ フィシ２フクス第６３巻第９５７頁（Ｊ、
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ６３（３）、９５７．１９８８
）に開示されているようＬ ＣｄＳ微粒子ドープ薄膜
ガラスもあａこの薄膜ガラスはターゲットにコーニング
社製７０５９ガラスと、ＣｄＳとを用い高周波マグネト
ロンスパッタリング法により、７０５９ガラス中にＣｄ
Ｓを２〜４重量％分散させたものである。
礎をなす非線形光学材料、およびその製造方法に関する
ものであも 従来の技術 従来の技術としては例えばシゝヤーナルオ７゛オブティ
力ルソサエディ第７３巻第６４７頁（Ｊ、Ｏｐｔ、Ｓｏ
ｃ、Ａｍ、 、Ｖｏｌ、７３，６４７．１９８３）に記
載されているよう＋、−ＣｄＳ翼５ｅｔ−ｘをホウケイ
酸ガラスにドープしたカットオフフィルタガラスを非線
形光学材料に用いるものかあもこのカットオフフィルタ
ガラスにｔ、 ＣｄＳｘＳｅ＋−ｘとホウケイ酸ガラ
ス材料を白金ルツボに入札１６００℃程度の高温で溶融
し作製していもま た、 シ′ヤーナル オフ＃ ア
７°ライビ フィシ２フクス第６３巻第９５７頁（Ｊ、
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ６３（３）、９５７．１９８８
）に開示されているようＬ ＣｄＳ微粒子ドープ薄膜
ガラスもあａこの薄膜ガラスはターゲットにコーニング
社製７０５９ガラスと、ＣｄＳとを用い高周波マグネト
ロンスパッタリング法により、７０５９ガラス中にＣｄ
Ｓを２〜４重量％分散させたものである。
さらに応用物理学会１９８９年（秋）講演予稿集第９８
９頁に記載されているようく ポリジアセチレン配向膜
からなる非線形光学材料も開示されていも発明が解決し
ようとする課題 従来の半導体微粒子ドープガラスおよび有機非線形物質
には 次のような課題がある。
９頁に記載されているようく ポリジアセチレン配向膜
からなる非線形光学材料も開示されていも発明が解決し
ようとする課題 従来の半導体微粒子ドープガラスおよび有機非線形物質
には 次のような課題がある。
イ）カットオフフィルタガラスの場合：ＣｄＳ＊Ｓｅ＋
−Ｘをホウケイ酸ガラスに４ｗｔ％以上均一に分散さ
せることが困難であり、また１６００℃以上の高温で溶
融しなければ作製できないためガラス組忌半導体組成の
制御も極めて難しいものとなる。
−Ｘをホウケイ酸ガラスに４ｗｔ％以上均一に分散さ
せることが困難であり、また１６００℃以上の高温で溶
融しなければ作製できないためガラス組忌半導体組成の
制御も極めて難しいものとなる。
口）スパッタリング法を用いた場合： 装置が高価であ
るとともにガラス薄膜の形成に時間がかかり（特にスパ
ッタリング速度の小さな５ｉ０２ガラスの形成の場合）
、厚膜を形成するのが困難である。
るとともにガラス薄膜の形成に時間がかかり（特にスパ
ッタリング速度の小さな５ｉ０２ガラスの形成の場合）
、厚膜を形成するのが困難である。
また従来のターゲットでは 不均一なターゲットである
た敢 均一な膜を得るのが難しくｔハ）有ｍ薄膜状非線
形物質の場合： 有機非線形光学材料で、薄膜状に成形
可能で、大きな３次の非線形感受率を有し かつ耐レー
ザ性に優れた物質を得ることが困難であも 本発明は 係る従来の課題に対してなされた提案で、非
線形光学物質をマトリックスとなる物質にドープする半
導体微粒子の制御が容易て 均一薄膜化ができ、耐レー
ザ性に優れた３次の非線形光学材料とその製造方法とを
提供することを目的とする。
た敢 均一な膜を得るのが難しくｔハ）有ｍ薄膜状非線
形物質の場合： 有機非線形光学材料で、薄膜状に成形
可能で、大きな３次の非線形感受率を有し かつ耐レー
ザ性に優れた物質を得ることが困難であも 本発明は 係る従来の課題に対してなされた提案で、非
線形光学物質をマトリックスとなる物質にドープする半
導体微粒子の制御が容易て 均一薄膜化ができ、耐レー
ザ性に優れた３次の非線形光学材料とその製造方法とを
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明（よ ゼオライトに担
持した非線形光学特性を有する物質を、マトリックスと
なる物質に分散させた非線形光学材料であり、その製造
方法としては次の方法がある。
持した非線形光学特性を有する物質を、マトリックスと
なる物質に分散させた非線形光学材料であり、その製造
方法としては次の方法がある。
（イ）ゼオライトに担持した非線形光学特性を有する物
質を、ガラスマトリックスとなるゾルに分散させた後ゲ
ル化焼成し ゼオライトに担持された非線形光学特性を
有する物質をガラスマトリックス中に分散させる。
質を、ガラスマトリックスとなるゾルに分散させた後ゲ
ル化焼成し ゼオライトに担持された非線形光学特性を
有する物質をガラスマトリックス中に分散させる。
（ロ）ゼオライトに担持された非線形光学特性を有する
物質を有機化合物に混合、成型することによりゼオライ
トに担持された非線形光学特性を有する物質をフィルム
状高分子化合物中に分散させる。
物質を有機化合物に混合、成型することによりゼオライ
トに担持された非線形光学特性を有する物質をフィルム
状高分子化合物中に分散させる。
作用
本発明の非線形光学材料４；！、 ゼオライトに非線
形光学物質を担持後、さらにマトリックス中に分散させ
ることにより、高濃度で均一に非線形光学物質を保持す
ることが可能であるたべ 大きな３次の非線形光学特性
を有する材料を得ることができる。
形光学物質を担持後、さらにマトリックス中に分散させ
ることにより、高濃度で均一に非線形光学物質を保持す
ることが可能であるたべ 大きな３次の非線形光学特性
を有する材料を得ることができる。
実施例
本発明の担体となるゼオライト（山 一般に次のＫ
ＭｅＯ−Ａｌ２Ｏ５−ｍ５ｉＯ＊ −ｎＨ２Ｏ（但しＭ
ｅ：金属イオン、ｍ、ｎ：任意の整数）で示され黴 ア
ルカリ土類金属の結晶性含水アルミノケイ酸塩である。
ＭｅＯ−Ａｌ２Ｏ５−ｍ５ｉＯ＊ −ｎＨ２Ｏ（但しＭ
ｅ：金属イオン、ｍ、ｎ：任意の整数）で示され黴 ア
ルカリ土類金属の結晶性含水アルミノケイ酸塩である。
この中でも特く 細孔径５〜ＩＯＡ、比表面積１０００
ｍ’／ｇを有する合成ゼオライトが好まし１、）− 非線形光学特性を示す物質として（よ 次に示す材料等
が挙げられも １）半導体微粒子： ＣｕＣ１等のＩ−ＶＩＩ族化合物
半導体ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＯ，ＣｄＴｅ、Ｚｎ５ｅ
、ＺｎＯ，ＺｎＴｅ、ＨｇＴｅ等のＩＩ−ＶＴ族化合物
半導体Ｃｄ５Ｓｅ、ＨｇＣｄＴｅ等の混晶１ｌ−ＶＩ族
化合物半導恢ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、Ｇａｒｂ、Ｉ
ｎＡｓ、 ＩｎＰ、 ＩｎＳｂ、 ＧａＡｌＡｓ、 Ｉ
ｎＡｌＡｓ等のｌｌｌ−Ｖ族化合物半導体 あるいはＳ
ｉ、 Ｇｅ等のＩＶ族半導俟２）有機化合物： パラ
ニトロアリニン、４−Ｂｒ−４’−メトキシカルコン（
ｍｅｔｈｏｘｙｃｈａｌｃｏｎｅ）等のカルコ ン。
ｍ’／ｇを有する合成ゼオライトが好まし１、）− 非線形光学特性を示す物質として（よ 次に示す材料等
が挙げられも １）半導体微粒子： ＣｕＣ１等のＩ−ＶＩＩ族化合物
半導体ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＯ，ＣｄＴｅ、Ｚｎ５ｅ
、ＺｎＯ，ＺｎＴｅ、ＨｇＴｅ等のＩＩ−ＶＴ族化合物
半導体Ｃｄ５Ｓｅ、ＨｇＣｄＴｅ等の混晶１ｌ−ＶＩ族
化合物半導恢ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、Ｇａｒｂ、Ｉ
ｎＡｓ、 ＩｎＰ、 ＩｎＳｂ、 ＧａＡｌＡｓ、 Ｉ
ｎＡｌＡｓ等のｌｌｌ−Ｖ族化合物半導体 あるいはＳ
ｉ、 Ｇｅ等のＩＶ族半導俟２）有機化合物： パラ
ニトロアリニン、４−Ｂｒ−４’−メトキシカルコン（
ｍｅｔｈｏｘｙｃｈａｌｃｏｎｅ）等のカルコ ン。
またマトリックスとなるガラス材料にζよ 金属アルコ
キシドから合成可能な石英ガラスやホウケイ酸ガラス等
の物理 化学的に安定な物質が好ましい。
キシドから合成可能な石英ガラスやホウケイ酸ガラス等
の物理 化学的に安定な物質が好ましい。
さらにマトリックスとなる高分子材料（合成樹脂）には
特にフィルム状に成形容易なポリスチレン、ポリエチ
レンあるいはＡＳ樹脂（アクリロニトリル／スチレン共
重合ポリマー）等が好ましい。
特にフィルム状に成形容易なポリスチレン、ポリエチ
レンあるいはＡＳ樹脂（アクリロニトリル／スチレン共
重合ポリマー）等が好ましい。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
平均細孔径１０Ａ、比表面積１１００ｍ’／ｇを有する
合成ゼオライト粉末（直径３０μｍ）を、アンモニア水
に錯イオンとして溶解させたＣｕＣ１溶液に浸漬後焼成
ＬＡ １０ｗｔ％のＣｕＣｌをゼオライトに担持した このＣｕｅ １担持ゼオライトを、シリコンのアルコキ
シド、メタノーノＩＬ、、 ＆ そして触媒として
の塩酸混合ゾルに入れ撹拌機 石英基板にスピンコート
レ ゲル化させ、そして焼成することにより膜厚４００
μｍの被膜を得九 このガラス中のＣｕＣ１のドープ量は４ｗｔ％であり、
粒子径は３０〜６０Ａであつｔら ＣｕＣ１をドープしたガラス薄膜の吸収スペクトルから
得られたバンドギャップ（よ バルクの半導体に比べ０
．７ｅＶブルーシフトしていることかｉニー）、 Ｃ
ｕＣ１が量子ドツトとなっていることがわかっ九実施例
２ 平均細孔径１０Ａ、比表面積１１００ｍ”／ｇを有する
合成ゼオライト粉末（直径３０μｍ）を、熱希硝酸に溶
解させたＣｄＳ溶液に浸漬後焼成ＬＡ１２ｗｔ％のＣｄ
Ｓをゼオライトに担持し九このＣｄＳ担持ゼオライトを
、シリコンのアルコキシド、メタノーノｋ ＆ そ
して触媒としての塩酸混合ゾルに入れ撹拌機 石英基板
にスピンコートレ ゲル化させ、そして焼成することに
より膜厚４００μｍの被膜を得九 このガラス中のＣｄＳのドープ量は６ｗｔ％であり、粒
子径は６０〜９０Ａであった ＣｄＳをドープしたガラス薄膜の吸収スペクトルから得
られたバンドギャップζ上 バルクの半導体に比べ０．
８ｅＶブルーシフトしていることか＝ ＣｄＳが量子
ドツトとなっていることがわかっｆ。
合成ゼオライト粉末（直径３０μｍ）を、アンモニア水
に錯イオンとして溶解させたＣｕＣ１溶液に浸漬後焼成
ＬＡ １０ｗｔ％のＣｕＣｌをゼオライトに担持した このＣｕｅ １担持ゼオライトを、シリコンのアルコキ
シド、メタノーノＩＬ、、 ＆ そして触媒として
の塩酸混合ゾルに入れ撹拌機 石英基板にスピンコート
レ ゲル化させ、そして焼成することにより膜厚４００
μｍの被膜を得九 このガラス中のＣｕＣ１のドープ量は４ｗｔ％であり、
粒子径は３０〜６０Ａであつｔら ＣｕＣ１をドープしたガラス薄膜の吸収スペクトルから
得られたバンドギャップ（よ バルクの半導体に比べ０
．７ｅＶブルーシフトしていることかｉニー）、 Ｃ
ｕＣ１が量子ドツトとなっていることがわかっ九実施例
２ 平均細孔径１０Ａ、比表面積１１００ｍ”／ｇを有する
合成ゼオライト粉末（直径３０μｍ）を、熱希硝酸に溶
解させたＣｄＳ溶液に浸漬後焼成ＬＡ１２ｗｔ％のＣｄ
Ｓをゼオライトに担持し九このＣｄＳ担持ゼオライトを
、シリコンのアルコキシド、メタノーノｋ ＆ そ
して触媒としての塩酸混合ゾルに入れ撹拌機 石英基板
にスピンコートレ ゲル化させ、そして焼成することに
より膜厚４００μｍの被膜を得九 このガラス中のＣｄＳのドープ量は６ｗｔ％であり、粒
子径は６０〜９０Ａであった ＣｄＳをドープしたガラス薄膜の吸収スペクトルから得
られたバンドギャップζ上 バルクの半導体に比べ０．
８ｅＶブルーシフトしていることか＝ ＣｄＳが量子
ドツトとなっていることがわかっｆ。
またＣｄＳ以外にＣｄＳｅ、 ＣｄＯ，ＣｄＴｅ、 Ｚ
ｎ５ｅ、 ＺｎＯ，ＺｎＴｅ、 ＨｇＴｅ ＸＨｇＣｄ
Ｔｅをマトリックスガラスに対し ４〜１３ｗｔ％含大
した薄膜を作製するこすることもでき九 実施例３ 平均細孔径１０Ａ、比表面積１１００ｍ２／ｇを有する
合成ゼオライト粉末（直径３０μｍ）を、ベンゼンに溶
解させた４−Ｂｒ−４°−メトキシカルコンに浸漬し６
ｗｔ％のカルコンをゼオライトに担持し１゜このカルコ
ン担持ゼオライトを、シリコンのアルコキシド、メタノ
−／ｋ 人 そして触媒としての塩酸混合ゾルに入
れ撹拌後、石英基板にスピンコードＬ ゲル化させ、そ
して焼成することにより膜厚５００μｍの被膜を得九 実施例４ 平均細孔径１０Ａ、比表面積１１００ｍ”／ｇを有する
合成ゼオライト粉末（直径３０μｍ）を、塩酸に溶解さ
せたバラニトロアニリンに浸漬し６ｗｔ％のバラニトロ
アニリンをゼオライトに担持し九 このパラニトロアリニン担持ゼオライトを、シリコンの
アルコキシド、メタノ−／ｋ ＆ そして触媒として
の塩酸混合ゾルに入れ撹拌後、石英基板にスピンコード
Ｌ ゲル化させ、そして焼成することにより膜厚５０
０μｍの被膜を得九実施例５ 実施例１〜４の方法により調整したＣｕＣ１，ＣｄＳ。
ｎ５ｅ、 ＺｎＯ，ＺｎＴｅ、 ＨｇＴｅ ＸＨｇＣｄ
Ｔｅをマトリックスガラスに対し ４〜１３ｗｔ％含大
した薄膜を作製するこすることもでき九 実施例３ 平均細孔径１０Ａ、比表面積１１００ｍ２／ｇを有する
合成ゼオライト粉末（直径３０μｍ）を、ベンゼンに溶
解させた４−Ｂｒ−４°−メトキシカルコンに浸漬し６
ｗｔ％のカルコンをゼオライトに担持し１゜このカルコ
ン担持ゼオライトを、シリコンのアルコキシド、メタノ
−／ｋ 人 そして触媒としての塩酸混合ゾルに入
れ撹拌後、石英基板にスピンコードＬ ゲル化させ、そ
して焼成することにより膜厚５００μｍの被膜を得九 実施例４ 平均細孔径１０Ａ、比表面積１１００ｍ”／ｇを有する
合成ゼオライト粉末（直径３０μｍ）を、塩酸に溶解さ
せたバラニトロアニリンに浸漬し６ｗｔ％のバラニトロ
アニリンをゼオライトに担持し九 このパラニトロアリニン担持ゼオライトを、シリコンの
アルコキシド、メタノ−／ｋ ＆ そして触媒として
の塩酸混合ゾルに入れ撹拌後、石英基板にスピンコード
Ｌ ゲル化させ、そして焼成することにより膜厚５０
０μｍの被膜を得九実施例５ 実施例１〜４の方法により調整したＣｕＣ１，ＣｄＳ。
カルコン、そしてバラニトロアニリンを担持した合成ゼ
オライト粉末（直径３０μｍ）を、ポリエチレン粉末と
混合、加熱し 厚み３００μｍのフィルム状とし九 このＣｕＣｌもしくはＣｄＳを分散したフィルムの吸収
スペクトルから得られたバンドギャップ（よ バルクの
半導体に比べそれぞれ０．７ｅＶ及び０．８ｅＶずつブ
ルーシフトしてい九 実施例６ 実施例１〜４の方法により調整したＣｕＣ１，ＣｄＳ。
オライト粉末（直径３０μｍ）を、ポリエチレン粉末と
混合、加熱し 厚み３００μｍのフィルム状とし九 このＣｕＣｌもしくはＣｄＳを分散したフィルムの吸収
スペクトルから得られたバンドギャップ（よ バルクの
半導体に比べそれぞれ０．７ｅＶ及び０．８ｅＶずつブ
ルーシフトしてい九 実施例６ 実施例１〜４の方法により調整したＣｕＣ１，ＣｄＳ。
カルコン、そしてバラニトロアニリンを担持した合成ゼ
オライト粉末（直径３０μｍ）を、ＡＳ樹脂のＤＭＦ溶
液に入れ 厚み３００μｍのフィルム状とし九 このＣｕＣ１，ＣｄＳ、 カルコン、そしてバラニト
ロアニリンを分散したフィルムの吸収スペクトルがら得
られたバンドギャップはバルクの半導体に比べそれぞれ
０．８〜０．９ｅＶずつブルーシフトしてぃ九実施例７ 実施例１に示した方法により作製したＣｕＣｌドブトガ
ラス薄膜を用し＼ 光双安定素子を作製したこの素子の
石英ガラス基板側か収 波長３５０ｎｍのレーザ光（Ｎ
２光励起色素レーザ光）をスポット径５μｍで入射し九 次に入射光の強度と出射光の強度の関係を、室温（２５
℃）にて測定したとこへ 第１図に示した双安定特性を
示し九 実施例８ 実施例２〜６に示した種々の薄膜を用（（光双安定素子
を作製し九 この素子の石英ガラス基板側か収 波長３５０ｎｍのレ
ーザ光（Ｎａ光励起色素レーザ光）をスポット径５μｍ
で入射し九 次に入射光の強度と出射光の強度の関係を、室温（２５
℃）にて測定したとこへ 第１図に示したような双安定
特性を示した 発明の効果 本発明の非線形光学材料（戴 ゼオライトに非線形光学
物質を担持後、さらにマトリックス中に分散させるた敢
高濃度に均一に非線形光学物質を含入することが可能
であも また大きな３次の非線形光学特性を有する材料を得るこ
とが可能で、その応用として光双安定素子等を作製する
ことができも
オライト粉末（直径３０μｍ）を、ＡＳ樹脂のＤＭＦ溶
液に入れ 厚み３００μｍのフィルム状とし九 このＣｕＣ１，ＣｄＳ、 カルコン、そしてバラニト
ロアニリンを分散したフィルムの吸収スペクトルがら得
られたバンドギャップはバルクの半導体に比べそれぞれ
０．８〜０．９ｅＶずつブルーシフトしてぃ九実施例７ 実施例１に示した方法により作製したＣｕＣｌドブトガ
ラス薄膜を用し＼ 光双安定素子を作製したこの素子の
石英ガラス基板側か収 波長３５０ｎｍのレーザ光（Ｎ
２光励起色素レーザ光）をスポット径５μｍで入射し九 次に入射光の強度と出射光の強度の関係を、室温（２５
℃）にて測定したとこへ 第１図に示した双安定特性を
示し九 実施例８ 実施例２〜６に示した種々の薄膜を用（（光双安定素子
を作製し九 この素子の石英ガラス基板側か収 波長３５０ｎｍのレ
ーザ光（Ｎａ光励起色素レーザ光）をスポット径５μｍ
で入射し九 次に入射光の強度と出射光の強度の関係を、室温（２５
℃）にて測定したとこへ 第１図に示したような双安定
特性を示した 発明の効果 本発明の非線形光学材料（戴 ゼオライトに非線形光学
物質を担持後、さらにマトリックス中に分散させるた敢
高濃度に均一に非線形光学物質を含入することが可能
であも また大きな３次の非線形光学特性を有する材料を得るこ
とが可能で、その応用として光双安定素子等を作製する
ことができも
第１図は本発明の非線形光学材料を用いた光双安定素子
等の光双安定特性を示す図である。
等の光双安定特性を示す図である。
Claims (5)
- （１）ゼオライトに担持した非線形光学特性を有する物
質を、マトリックスとなる物質に分散させたことを特徴
とする非線形光学材料。 - （２）非線形光学特性を有する物質が、半導体または有
機化合物であることを特徴とする、請求項１記載の非線
形光学材料。 - （３）マトリックスとなる物質が、ガラス質あるいは高
分子化合物であることを特徴とする、請求項１記載の非
線形光学材料。 - （４）ゼオライトに担持した非線形光学特性を有する物
質を、ガラスマトリックスとなるゾルに分散させた後ゲ
ル化焼成し、前記ガラスマトリックス中に分散させたこ
とを特徴とする非線形光学材料の製造方法。 - （５）ゼオライトに担持された非線形光学特性を有する
物質を高分子材料に混合、成型することにより前記高分
子材料中に分散させたことを特徴とする、非線形光学材
料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305444A JPH03164721A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 非線形光学材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305444A JPH03164721A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 非線形光学材料およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03164721A true JPH03164721A (ja) | 1991-07-16 |
Family
ID=17945214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1305444A Pending JPH03164721A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 非線形光学材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03164721A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005056176A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Sogang University Corporation | Zeolites with incorporated dipolar nonlinear optical molecules in uniform orientation and preparation thereof |
| CN100417592C (zh) * | 2004-12-01 | 2008-09-10 | 长春理工大学 | 沸石与硫化镉纳米复合材料及其制备方法 |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP1305444A patent/JPH03164721A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005056176A1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Sogang University Corporation | Zeolites with incorporated dipolar nonlinear optical molecules in uniform orientation and preparation thereof |
| US7674405B2 (en) | 2003-12-15 | 2010-03-09 | Industry-University Cooperation Foundation Sogang University | Zeolites with incorporated dipolar nonlinear optical molecules in uniform orientation and preparation thereof |
| JP4825134B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2011-11-30 | インダストリー−ユニバーシティ コオペレーション ファウンデーション ソギャン ユニバーシティ | ゼオライトに双極子型非線形光学分子を単一方向に整列して内包させた複合体及びこれの製造方法 |
| CN100417592C (zh) * | 2004-12-01 | 2008-09-10 | 长春理工大学 | 沸石与硫化镉纳米复合材料及其制备方法 |
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