JPH03180821A - 非線形光学材料およびその製造法 - Google Patents
非線形光学材料およびその製造法Info
- Publication number
- JPH03180821A JPH03180821A JP1321681A JP32168189A JPH03180821A JP H03180821 A JPH03180821 A JP H03180821A JP 1321681 A JP1321681 A JP 1321681A JP 32168189 A JP32168189 A JP 32168189A JP H03180821 A JPH03180821 A JP H03180821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- doped
- semiconductor
- nonlinear optical
- semiconductors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は非線形光学効果を利用した光デバイスの基礎を
なす、半導体微粒子をドープしたガラス非線形光学材料
およびその製造法に関する。
なす、半導体微粒子をドープしたガラス非線形光学材料
およびその製造法に関する。
従来の技術
現在 光技術は光フアイバ通信 光ディスクを中心とし
て既に活発な実用化の段階に達していもこうした状況に
いたるブレイクスルーは１９６０−７０年代の半導体レ
ーザおよび低損失光ファイバノ開発と１９８０年代の活
発な実用化研究に依って遠戚されたものといえも しか
しながら光技術の持つ特徴（高速性と並列性）を最大限
に活用しようとする次世代の光技瓶 例えば電気処理を
経由しない全光化光通信 光コンピュータ、超高密度メ
モリ。
て既に活発な実用化の段階に達していもこうした状況に
いたるブレイクスルーは１９６０−７０年代の半導体レ
ーザおよび低損失光ファイバノ開発と１９８０年代の活
発な実用化研究に依って遠戚されたものといえも しか
しながら光技術の持つ特徴（高速性と並列性）を最大限
に活用しようとする次世代の光技瓶 例えば電気処理を
経由しない全光化光通信 光コンピュータ、超高密度メ
モリ。
等を想定したとき、より高度な光機能デバイスが必要と
されも 一方 電気技術における様々な処理機能 例え
ば電気信号の増幅や切り替え操作論理メモリ、等の機能
はすべて電気信号に非線形な操作を加えて実現している
ものであり、従って電気技術と同様の機能を光技術に於
て より高速に高機能に実現するためには非線形な動作
をする光デバイスがぜひ必要であも 光は電磁波であるが物質との相互作用においては電気的
効果の寄与が犬きｔ、％ 物質を電界中に置くと、物
質の内部に電気分極が起こも 電気の変位ベクトルＤ、
光電界Ｅと電気分極Ｐには次の関係があも Ｄ＝εａＥ＋Ｐ ここでε・は真空の誘電率であん このＰは非線形性を
考慮に入れると１次のように表現されもＰ＝χ１１１
Ｅ＋χｆ２１Ｅ２＋χ１３）Ｅ２＋・・・・・・ここで
非線形項は８２以上の高次の項であん 通常の光強度で
は χ１１１）、χ（１′等の高次の項の係数が χ■
ゝに比較して充分小さいた幽 上式は近似的に線形にな
も しかしＱスイッチされたＮｄ ： ＹＡＧレーザの
ような大出力光を物質に照射すると、高次の項を無視で
きなくなって非線形応答を示すことになん 代表的な２
次の非線形効果には 第２高調波発生 光整流 光混合
パラメトリック増幅 ポッケルス効果などがあり、
３次の非線形効果に（よ 第３高調波発生 カー効果
光双安定性光混合などがあも 例えばガラスを用いた非
線形光学材料の場合、光強度に対して屈折率が変化し。
されも 一方 電気技術における様々な処理機能 例え
ば電気信号の増幅や切り替え操作論理メモリ、等の機能
はすべて電気信号に非線形な操作を加えて実現している
ものであり、従って電気技術と同様の機能を光技術に於
て より高速に高機能に実現するためには非線形な動作
をする光デバイスがぜひ必要であも 光は電磁波であるが物質との相互作用においては電気的
効果の寄与が犬きｔ、％ 物質を電界中に置くと、物
質の内部に電気分極が起こも 電気の変位ベクトルＤ、
光電界Ｅと電気分極Ｐには次の関係があも Ｄ＝εａＥ＋Ｐ ここでε・は真空の誘電率であん このＰは非線形性を
考慮に入れると１次のように表現されもＰ＝χ１１１
Ｅ＋χｆ２１Ｅ２＋χ１３）Ｅ２＋・・・・・・ここで
非線形項は８２以上の高次の項であん 通常の光強度で
は χ１１１）、χ（１′等の高次の項の係数が χ■
ゝに比較して充分小さいた幽 上式は近似的に線形にな
も しかしＱスイッチされたＮｄ ： ＹＡＧレーザの
ような大出力光を物質に照射すると、高次の項を無視で
きなくなって非線形応答を示すことになん 代表的な２
次の非線形効果には 第２高調波発生 光整流 光混合
パラメトリック増幅 ポッケルス効果などがあり、
３次の非線形効果に（よ 第３高調波発生 カー効果
光双安定性光混合などがあも 例えばガラスを用いた非
線形光学材料の場合、光強度に対して屈折率が変化し。
その研究例として０ｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、１２
，８３２（１９８７）には光双安定性の発現が記載され
ている。
，８３２（１９８７）には光双安定性の発現が記載され
ている。
このような用途に使用されるガラス系非線形光学材料の
従来の技術として例えば イ） Ｊ、Ｏｐｔ、Ｓｏｃ、Ａｍ、、７３，６４７（１
９８３）に記載されているＣｄＳにＳｅ＋−１＋をホウ
ケイ酸ガラス（これがガラスマトリックスになる）にド
ープしたシャープカットフィルタガラスを非線形光学材
料に用いるものがある。このガラスはＣｄＯ，ＣｄＳ、
ＣｄＳｅ、 ＺｎＳ、 Ｓ、 Ｓｅ等とホウケイ酸ガ
ラスを白金坩堝に入れ１６００℃以上の高温で溶融し作
製していも また ｏ ） Ｊ、 ＡｐｐＬ、 Ｐｈｙｓ、 、 ６３（３
）、 ９５７（１９８８）に記載されているようなＣｄ
Ｓ微粒子をドープした薄膜ガラスがある。この薄膜ガラ
スはターゲットとしてコーニング製７０５９ガラスの上
にＣｄＳを載せたものを用（＼ 高周波マグネトロンス
パッタリング法により７０５９ガラス（これがガラスマ
トリックスになる）にＣｄＳを２〜４重量％分散させた
ものであも 発明が解決しようとする課題 従来技術の半導体微粒子をドープしたガラスの製造方法
では次のような問題点があったイ）シャープカットフィ
ルタガラスの場合、ｉａｏ。
従来の技術として例えば イ） Ｊ、Ｏｐｔ、Ｓｏｃ、Ａｍ、、７３，６４７（１
９８３）に記載されているＣｄＳにＳｅ＋−１＋をホウ
ケイ酸ガラス（これがガラスマトリックスになる）にド
ープしたシャープカットフィルタガラスを非線形光学材
料に用いるものがある。このガラスはＣｄＯ，ＣｄＳ、
ＣｄＳｅ、 ＺｎＳ、 Ｓ、 Ｓｅ等とホウケイ酸ガ
ラスを白金坩堝に入れ１６００℃以上の高温で溶融し作
製していも また ｏ ） Ｊ、 ＡｐｐＬ、 Ｐｈｙｓ、 、 ６３（３
）、 ９５７（１９８８）に記載されているようなＣｄ
Ｓ微粒子をドープした薄膜ガラスがある。この薄膜ガラ
スはターゲットとしてコーニング製７０５９ガラスの上
にＣｄＳを載せたものを用（＼ 高周波マグネトロンス
パッタリング法により７０５９ガラス（これがガラスマ
トリックスになる）にＣｄＳを２〜４重量％分散させた
ものであも 発明が解決しようとする課題 従来技術の半導体微粒子をドープしたガラスの製造方法
では次のような問題点があったイ）シャープカットフィ
ルタガラスの場合、ｉａｏ。
℃以上の高温で溶融しなければならないため半導体微粒
子が分脈 昇華しやすく、このためＣｄＳｘ ５ｅ１−
×をホウケイ酸ガラス中に数％より多く分散させること
が困難であり、またガラス組恵 半導体微粒子の種類も
自由に変えることは困難であつ氾口）スパッタリング法
を用いた場合、特に７０５９のような二酸化珪素（Ｓｉ
（ｈ）の多いガラスの場合スパッタリング速度が小さい
ので薄膜を形成するのに時間がかかり、また従来のター
ゲットを用いた方法ではガラスマトリックスに半導体微
粒子が均一に多量にドープされた薄膜を得るのが困難で
ありｔも 課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明ζよ ガラスマトリッ
クスとしてリン系ガラスを用いるものである。また該リ
ン系ガラスマトリックスに半導体微粒子が均一に多量に
ドープされた構造の非線形光学材料を作製する方法を提
供すも 作用 本発明の非線形光学材料Ｃａｔ、 マトリックスとし
てのリン系ガラスの溶融温度が１０００を以下であるた
べ 半導体微粒子が分脈 昇華することが少なく、この
ためガラス中に多量に分散させることが可能であり、ま
たガラス組成 半導体の種類も自由に変えることが可能
であも さらにまた半導体とリン系ガラスの複合ガラス
をターゲットとして、スパッタリング法を用いて半導体
微粒子がガラスマトリックスに均一に多量にドープされ
た薄膜を作製することが容易であも 実施例 本発明のガラスマトリックスにはリン系ガラスが好まし
く、特にガラスの安定法 溶融の容易化半導体微粒子の
分解法 分散性を考慮した場合、少なくともＰｂＯ，Ｐ
２Ｏ５を主成分とするガラスが好ましい。
子が分脈 昇華しやすく、このためＣｄＳｘ ５ｅ１−
×をホウケイ酸ガラス中に数％より多く分散させること
が困難であり、またガラス組恵 半導体微粒子の種類も
自由に変えることは困難であつ氾口）スパッタリング法
を用いた場合、特に７０５９のような二酸化珪素（Ｓｉ
（ｈ）の多いガラスの場合スパッタリング速度が小さい
ので薄膜を形成するのに時間がかかり、また従来のター
ゲットを用いた方法ではガラスマトリックスに半導体微
粒子が均一に多量にドープされた薄膜を得るのが困難で
ありｔも 課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明ζよ ガラスマトリッ
クスとしてリン系ガラスを用いるものである。また該リ
ン系ガラスマトリックスに半導体微粒子が均一に多量に
ドープされた構造の非線形光学材料を作製する方法を提
供すも 作用 本発明の非線形光学材料Ｃａｔ、 マトリックスとし
てのリン系ガラスの溶融温度が１０００を以下であるた
べ 半導体微粒子が分脈 昇華することが少なく、この
ためガラス中に多量に分散させることが可能であり、ま
たガラス組成 半導体の種類も自由に変えることが可能
であも さらにまた半導体とリン系ガラスの複合ガラス
をターゲットとして、スパッタリング法を用いて半導体
微粒子がガラスマトリックスに均一に多量にドープされ
た薄膜を作製することが容易であも 実施例 本発明のガラスマトリックスにはリン系ガラスが好まし
く、特にガラスの安定法 溶融の容易化半導体微粒子の
分解法 分散性を考慮した場合、少なくともＰｂＯ，Ｐ
２Ｏ５を主成分とするガラスが好ましい。
ここで微粒子としてはＣｕＣ１，ＣｕＢｒ等のＩ−ＶＩ
Ｉ族金属塩化ｉｉ ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＯ，Ｃｄ
Ｔｅ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＯ，ＺｎＴｅ、Ｉ（ｇＴｅ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体Ｃｄ５Ｓｅ、Ｉ（ｇＣｄＴｅ等
の混晶ＩＩ−ＶＩ族化合物半導＆ ＧａＡｓ、ＧａＮ
、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、 ＩｎＰ、 ＩｎＳｂ
、 ＧａＡｌＡｓ、 ＩｎＡｌＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体 あるいはＳｉ、 Ｇｅ等のＩＶ族半導体が
好ましくｔ 以下本発明の実施例について詳細に説明す
る。
Ｉ族金属塩化ｉｉ ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＯ，Ｃｄ
Ｔｅ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＯ，ＺｎＴｅ、Ｉ（ｇＴｅ等のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体Ｃｄ５Ｓｅ、Ｉ（ｇＣｄＴｅ等
の混晶ＩＩ−ＶＩ族化合物半導＆ ＧａＡｓ、ＧａＮ
、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、 ＩｎＰ、 ＩｎＳｂ
、 ＧａＡｌＡｓ、 ＩｎＡｌＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体 あるいはＳｉ、 Ｇｅ等のＩＶ族半導体が
好ましくｔ 以下本発明の実施例について詳細に説明す
る。
（実施例１）
第１表に示す組成のＰｂＯ，ＰｚＯｓを主成分とするガ
ラス原材料とＣｕＣ１あるいはＣｄＳｘ Ｓｅｔ −Ｘ
（Ｘ−０，１）とを白金または金相場に入れ８５０〜
１０００℃で溶敵 かくはんした後３００℃に加熱した
金型に流し込んで厚み１、ｍｍの板状ガラスとし丸 さ
らに室温まで冷却したガラスを再度３００℃にて１時間
加熱してＣｕｅ １あるいはＣｄＳｘＳｅｔ−）ｌの結
晶を成長させ九このガラス中のＣｕＣｌドープ量は１０
ｗｔ％であり粒子径は３０〜６０人であっｔラ また
ＣｄＳｘＳｅｔ−※のドープ量は１２ｗｔ％であり粒子
径は６０〜１００人であっｔ４ 上記２種の半導体を
ドープしたガラスの吸収スペクトルから得られたバンド
ギャップはそれぞれバルクの半導体に比べて０．９ｅＶ
、 ０．７ｅＶブルーシフトしていることから半導体が
量子ドツトとなっていることがわかった また上記半導体以外にもＣｕＢｒ、 Ｃｄ８． ｅｄｇ
ｅ、 ＣｄＯ，ＣｄＴｅ、 Ｚｎ５ｅ、 ＺｎＯ，Ｚｎ
Ｔｅ、 Ｉ（ｇＴｅ、 Ｉ（ｇＣｄＴｅもドープするこ
とができｔも 第１表 （単位） ｗｔ％ （実施例２） 第↓表Ｂに示す組成のリン系ガラスを合成し粉砕後これ
に４０ｗｔ％のＣｕＣ１を混合した抵 直径８０ｍ叫厚
み５ｎｏｎに成形して４００℃で焼結し 複合ガラス板
を作製し九 同様にＣｄＳｘＳｅｔ −Ｘ （Ｘ＝０．
１ ）を４０ｗｔ％混合した複合ガラス板を作製した
このようにして作製したガラス板をターゲットに使用し
高周波スパッタリング装置によりこのガラスの薄膜化を
行なっ九 スパッタリングはＡｒガス雰囲気で行なっ九
膜厚２００μｍの薄膜ガラスを石英ガラス基板（厚み
０．３１１１１１１）上に形成した後、３００℃にて１
時間加熱してＣｕＣＬあるいはＣｄＳｘ Ｓｅｔ −Ｈ
の結晶を成長させｔうこのガラス中のＣｕＣ１ドープ量
は３１ｗｔ％であり粒子径は４０〜６０人であツｆ’−
ｏ またＣｄＳｘ Ｓｅｔ −Ｘのドープ量は２８ｗ
ｔ％であり粒子径は５０〜９０人であった 上記２種の
半導体をドープしたガラスの吸収スペクトルから得られ
たバンドギャップはそれぞれバルクの半導体に比べて１
．１ｅＶ、 ０．９ｅＶブルーシフトしていることから
半導体が量子ドツトとなっていることがわかっ九 また上記半導体以外にもＣｕＢｒ、 ＣｄＳ、 ＣｄＳ
ｅ、 ＣｄＯ，ＣｄＴｅ、 Ｚｎ５ｅ、 ＺｎＯ，Ｚｎ
Ｔｅ、 ＨｇＴｅ、 ＨｇＣｄＴｅをガラス中１０〜４
０ｗｔ％混合した複合ガラスを作製することができｔも
（実施例３） 実施例２の方法により作製したＣｕＣｌドープトガラス
薄膜およびＣｄＳｘＳｅｔ −ｘ （Ｘ−０，１）ドー
プトガラス薄膜を用い光双安定素子を作製し？Ｑ、
この素子の石英ガラス基板側から波長３５０ｎｍのレー
ザ光（Ｎ２光励起色素レーザ光）をスポット径５μｍで
入射した 次に入射光の強度と出射光の強度の関係を２
５℃で測定したところ第１図に示した双安定性を示した （実施例４） 実施例２の方法において膜厚を２．５μｍとしたＣｕｃ
１ドープトガラス薄膜およびＣｄＳｘＳｅｔ−ｘ（Ｘ−
０，１）ドープトガラス薄膜を用い光双安定素子を作製
したこの素子の石英ガラス基板側から波長３５０ｎｍの
レーザ光（Ｎ２光励起色素レーザ光）をスポット径５μ
ｍで入射した 次に入射光の強度と出射光の強度の関係
を２５℃で測定したところ第２図に示したような双安定
性を示しら 発明の効果 本発明の半導体分散リン系ガラスに半導体微粒子を分散
させているの玄 半導体微粒子を高濃度に均一にドープ
した薄膜が得られ 大きな非線形光学特性を有するガラ
ス材料を得ることが可能になも また 半導体とリン系
ガラスとの複合ガラスをターゲットとしスパッタリング
法を用いて分散させているの℃ より光濃度の薄膜が得
られもそして良好な光双安定素子等を製造することが出
来る。
ラス原材料とＣｕＣ１あるいはＣｄＳｘ Ｓｅｔ −Ｘ
（Ｘ−０，１）とを白金または金相場に入れ８５０〜
１０００℃で溶敵 かくはんした後３００℃に加熱した
金型に流し込んで厚み１、ｍｍの板状ガラスとし丸 さ
らに室温まで冷却したガラスを再度３００℃にて１時間
加熱してＣｕｅ １あるいはＣｄＳｘＳｅｔ−）ｌの結
晶を成長させ九このガラス中のＣｕＣｌドープ量は１０
ｗｔ％であり粒子径は３０〜６０人であっｔラ また
ＣｄＳｘＳｅｔ−※のドープ量は１２ｗｔ％であり粒子
径は６０〜１００人であっｔ４ 上記２種の半導体を
ドープしたガラスの吸収スペクトルから得られたバンド
ギャップはそれぞれバルクの半導体に比べて０．９ｅＶ
、 ０．７ｅＶブルーシフトしていることから半導体が
量子ドツトとなっていることがわかった また上記半導体以外にもＣｕＢｒ、 Ｃｄ８． ｅｄｇ
ｅ、 ＣｄＯ，ＣｄＴｅ、 Ｚｎ５ｅ、 ＺｎＯ，Ｚｎ
Ｔｅ、 Ｉ（ｇＴｅ、 Ｉ（ｇＣｄＴｅもドープするこ
とができｔも 第１表 （単位） ｗｔ％ （実施例２） 第↓表Ｂに示す組成のリン系ガラスを合成し粉砕後これ
に４０ｗｔ％のＣｕＣ１を混合した抵 直径８０ｍ叫厚
み５ｎｏｎに成形して４００℃で焼結し 複合ガラス板
を作製し九 同様にＣｄＳｘＳｅｔ −Ｘ （Ｘ＝０．
１ ）を４０ｗｔ％混合した複合ガラス板を作製した
このようにして作製したガラス板をターゲットに使用し
高周波スパッタリング装置によりこのガラスの薄膜化を
行なっ九 スパッタリングはＡｒガス雰囲気で行なっ九
膜厚２００μｍの薄膜ガラスを石英ガラス基板（厚み
０．３１１１１１１）上に形成した後、３００℃にて１
時間加熱してＣｕＣＬあるいはＣｄＳｘ Ｓｅｔ −Ｈ
の結晶を成長させｔうこのガラス中のＣｕＣ１ドープ量
は３１ｗｔ％であり粒子径は４０〜６０人であツｆ’−
ｏ またＣｄＳｘ Ｓｅｔ −Ｘのドープ量は２８ｗ
ｔ％であり粒子径は５０〜９０人であった 上記２種の
半導体をドープしたガラスの吸収スペクトルから得られ
たバンドギャップはそれぞれバルクの半導体に比べて１
．１ｅＶ、 ０．９ｅＶブルーシフトしていることから
半導体が量子ドツトとなっていることがわかっ九 また上記半導体以外にもＣｕＢｒ、 ＣｄＳ、 ＣｄＳ
ｅ、 ＣｄＯ，ＣｄＴｅ、 Ｚｎ５ｅ、 ＺｎＯ，Ｚｎ
Ｔｅ、 ＨｇＴｅ、 ＨｇＣｄＴｅをガラス中１０〜４
０ｗｔ％混合した複合ガラスを作製することができｔも
（実施例３） 実施例２の方法により作製したＣｕＣｌドープトガラス
薄膜およびＣｄＳｘＳｅｔ −ｘ （Ｘ−０，１）ドー
プトガラス薄膜を用い光双安定素子を作製し？Ｑ、
この素子の石英ガラス基板側から波長３５０ｎｍのレー
ザ光（Ｎ２光励起色素レーザ光）をスポット径５μｍで
入射した 次に入射光の強度と出射光の強度の関係を２
５℃で測定したところ第１図に示した双安定性を示した （実施例４） 実施例２の方法において膜厚を２．５μｍとしたＣｕｃ
１ドープトガラス薄膜およびＣｄＳｘＳｅｔ−ｘ（Ｘ−
０，１）ドープトガラス薄膜を用い光双安定素子を作製
したこの素子の石英ガラス基板側から波長３５０ｎｍの
レーザ光（Ｎ２光励起色素レーザ光）をスポット径５μ
ｍで入射した 次に入射光の強度と出射光の強度の関係
を２５℃で測定したところ第２図に示したような双安定
性を示しら 発明の効果 本発明の半導体分散リン系ガラスに半導体微粒子を分散
させているの玄 半導体微粒子を高濃度に均一にドープ
した薄膜が得られ 大きな非線形光学特性を有するガラ
ス材料を得ることが可能になも また 半導体とリン系
ガラスとの複合ガラスをターゲットとしスパッタリング
法を用いて分散させているの℃ より光濃度の薄膜が得
られもそして良好な光双安定素子等を製造することが出
来る。
第１図および第２図は本発明の実施例になる半導体ドー
プトガラスを用いた双安定素子の光双安定特性図である
。
プトガラスを用いた双安定素子の光双安定特性図である
。
Claims (4)
- （１）半導体微粒子をリン系ガラスマトリックスに分散
させたことを特徴とする非線形光学材料。 - （２）リン系ガラスマトリックスが少なくともＰｂＯ、
Ｐ＿２Ｏ＿５を主成分とするガラスであることを特徴と
する請求項１記載の非線形光学材料。 - （３）半導体とリン系ガラスとを混合、溶融して半導体
微粒子を前記ガラスマトリックスに分散させた半導体ド
ープトガラスを製造することを特徴とする非線形光学材
料の製造法。 - （４）半導体とリン系ガラスの複合ガラスをターゲット
としてスパッタリング法を用いて半導体微粒子を前記ガ
ラスマトリックスに分散させた半導体ドープトガラス薄
膜を製造することを特徴とする非線形光学材料の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321681A JPH03180821A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 非線形光学材料およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321681A JPH03180821A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 非線形光学材料およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180821A true JPH03180821A (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=18135235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321681A Pending JPH03180821A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 非線形光学材料およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03180821A (ja) |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1321681A patent/JPH03180821A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5113473A (en) | Nonlinear, optical thin-films and manufacturing method thereof | |
| Bairy et al. | An investigation of third-order nonlinear optical and limiting properties of spray pyrolysis-deposited Co: CdS nanostructures for optoelectronics: R. Bairy et al. | |
| Du et al. | Coloration and nonlinear optical properties of ZnTe quantum dots in ZnO–TeO 2–P 2 O 5 glasses | |
| CN103524037A (zh) | 一种银纳米颗粒复合块体铋酸盐玻璃材料及其制备方法 | |
| Xia et al. | Effect of Al2O3 on the formation of color centers and CdSe/Cd1− xZ nxSe quantum dots in SiO2–Na2O–ZnO glasses | |
| CN105293906B (zh) | 一种CdTe量子点掺杂玻璃及其制备方法 | |
| Hosono et al. | Large third‐order optical nonlinearity of nanometer‐sized amorphous semiconductor: Phosphorous colloids formed in SiO2 glass by ion implantation | |
| Zhang et al. | Lithium Niobate Crystal Preparation, Properties, and Its Application in Electro-Optical Devices. | |
| Sudarsan | Optical materials: fundamentals and applications | |
| JP5717349B2 (ja) | 光変調材料およびその製造方法 | |
| Chakrabarti et al. | Glass–ceramics: A Potential Material for Energy Storage and Photonic Applications | |
| Truong et al. | Second harmonic generation in germanotellurite bulk glass‐ceramics | |
| US5134095A (en) | Matrix glass composition for glass doped with dispersed microcrystallites | |
| JPH042632A (ja) | 非線形光学材料の製造方法 | |
| JPH02271933A (ja) | 非線形光学材料の製造方法 | |
| JP2881961B2 (ja) | 非線形光学材料およびその製造方法 | |
| JPH03164721A (ja) | 非線形光学材料およびその製造方法 | |
| JP2851694B2 (ja) | 非線形光学薄膜 | |
| JPS63218928A (ja) | 光導波路 | |
| JPH03164724A (ja) | 非線形光学材料およびその製造方法 | |
| CN100375727C (zh) | 超快光开关用硫卤玻璃及其制备方法 | |
| Ojha et al. | Photonic Glass Ceramics | |
| Mackenzie et al. | Sol-gel process for glass integrated optics | |
| CN1544368A (zh) | 碲铌基玻璃及其制备方法、用途 | |
| JPH03168728A (ja) | 非線形光学材料およびその製造方法 |