JPH0317122B2 - - Google Patents
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- JPH0317122B2 JPH0317122B2 JP56208575A JP20857581A JPH0317122B2 JP H0317122 B2 JPH0317122 B2 JP H0317122B2 JP 56208575 A JP56208575 A JP 56208575A JP 20857581 A JP20857581 A JP 20857581A JP H0317122 B2 JPH0317122 B2 JP H0317122B2
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- transistor
- current
- output
- electrode
- base
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is DC using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は出力電流制限機能を有する電流供給装
置に係り、きわめて簡単な構成で優れた制限特性
を有する電流供給装置を提供するものである。
置に係り、きわめて簡単な構成で優れた制限特性
を有する電流供給装置を提供するものである。
従来からよく知られているこの種の装置は、例
えば、T.D.S.Hamilton：“Handbook of linear
integrated electronics for research“McGRAW
−HILL Book Company（UK）Limited，
London（1977）の318ページに示されている様に
負荷と直列に電流検出抵抗を挿入し、この検出抵
抗の両端に発生する電圧を検出トランジスタのベ
ース・エミツタ間に印加するという方法が多用さ
れてきた。
えば、T.D.S.Hamilton：“Handbook of linear
integrated electronics for research“McGRAW
−HILL Book Company（UK）Limited，
London（1977）の318ページに示されている様に
負荷と直列に電流検出抵抗を挿入し、この検出抵
抗の両端に発生する電圧を検出トランジスタのベ
ース・エミツタ間に印加するという方法が多用さ
れてきた。
しかしながら、バイポーラトランジスタのベー
ス・エミツタ間のニー電圧（Knee Voltage）は
周知の様に2mV／℃前後の負の温度係数を有し、
しかも電流検出抵抗もモノリシツクICのチツプ
上に構成したとすると、IC内の拡散抵抗の抵抗
値が一般に2000ppm程度の正の温度係数を有して
いるので、全体としては制限電流値が5000ppm位
の負の温度係数を有し、例えば制限電流値を20℃
において1Aに設定したとしても、120℃ではその
値が0.5Aになつてしまい問題が多かつた。
ス・エミツタ間のニー電圧（Knee Voltage）は
周知の様に2mV／℃前後の負の温度係数を有し、
しかも電流検出抵抗もモノリシツクICのチツプ
上に構成したとすると、IC内の拡散抵抗の抵抗
値が一般に2000ppm程度の正の温度係数を有して
いるので、全体としては制限電流値が5000ppm位
の負の温度係数を有し、例えば制限電流値を20℃
において1Aに設定したとしても、120℃ではその
値が0.5Aになつてしまい問題が多かつた。
また、負荷に直列に電流検出抵抗を挿入する
と、その分だけ電力損失が増加し、電源電圧の利
用率も悪化するという問題があつた。
と、その分だけ電力損失が増加し、電源電圧の利
用率も悪化するという問題があつた。
本発明の電流供給装置は以上の様な問題を解消
するものである。
するものである。
第１図は本発明の一実施例に係る電流供給装置
の回路結線図を示したものである。同図におい
て、電源１の両端にはトランジスタ２のコレク
タ・エミツタ間と直列に負荷である直流モータ３
が接続され、前記トランジスタ２のベース・エミ
ツタ間には抵抗４が接続されているとともに同ベ
ースにはトランジスタ５のエミツタが接続されて
いる。前記トランジスタ５のコレクタは抵抗６を
介してプラス側給電線路１に接続され、前記トラ
ンジスタ５のベースとプラス側給電線路１ａの間
には、例えば可変抵抗器などのバイアス供給回路
７が接続されている。
の回路結線図を示したものである。同図におい
て、電源１の両端にはトランジスタ２のコレク
タ・エミツタ間と直列に負荷である直流モータ３
が接続され、前記トランジスタ２のベース・エミ
ツタ間には抵抗４が接続されているとともに同ベ
ースにはトランジスタ５のエミツタが接続されて
いる。前記トランジスタ５のコレクタは抵抗６を
介してプラス側給電線路１に接続され、前記トラ
ンジスタ５のベースとプラス側給電線路１ａの間
には、例えば可変抵抗器などのバイアス供給回路
７が接続されている。
一方、前記トランジスタ２のエミツタが接続さ
れたマイナス側給電線路１ｂにはトランジスタ８
のエミツタが接続され、前記トランジスタ８のベ
ースは同コレクタに接続され、同コレクタとプラ
ス側給電線路１ａの間には定電流源９が接続され
ている。さらに、前記トランジスタ２のベースに
はオープンコレクタ出力形式のコンパレータタ１
０の反転入力端子１０ａが接続され、前記コンパ
レータ１０の非反転入力端子１０ｂは前記トラン
ジスタ８のコレクタ（ベース）に接続され、同出
力端子１０ｃは前記トランジスタ５のベースに接
続されている。
れたマイナス側給電線路１ｂにはトランジスタ８
のエミツタが接続され、前記トランジスタ８のベ
ースは同コレクタに接続され、同コレクタとプラ
ス側給電線路１ａの間には定電流源９が接続され
ている。さらに、前記トランジスタ２のベースに
はオープンコレクタ出力形式のコンパレータタ１
０の反転入力端子１０ａが接続され、前記コンパ
レータ１０の非反転入力端子１０ｂは前記トラン
ジスタ８のコレクタ（ベース）に接続され、同出
力端子１０ｃは前記トランジスタ５のベースに接
続されている。
さて、第１図の回路において、少なくともトラ
ンジスタ２とトランジスタ８が同一ICチツプ上
に形成され、前記トランジスタ２は前記トランジ
スタ８の100倍のエミツタ面積を有しているもの
とし、定電流源９の出力電流をIOとし、負荷の直
流モータ３に流れる電流をIMとすると、 IM＞100IO が成立したときに、コンパレータ１０の反転入力
端子１０ａの電位が同非反転入力端子１０ｂの電
位よりも高くなり、バイアス供給回路７から供給
される電流が前記コンパレータ１０の出力端子１
０ｃに吸収されるので、前記トランジスタ２のエ
ミツタ電流は急激に減少する。結局、 IM＝100IO が成立している状態で平衡が保たれるから、負荷
電流IMは定電流源９の出力電流IOに依存すること
になる。
ンジスタ２とトランジスタ８が同一ICチツプ上
に形成され、前記トランジスタ２は前記トランジ
スタ８の100倍のエミツタ面積を有しているもの
とし、定電流源９の出力電流をIOとし、負荷の直
流モータ３に流れる電流をIMとすると、 IM＞100IO が成立したときに、コンパレータ１０の反転入力
端子１０ａの電位が同非反転入力端子１０ｂの電
位よりも高くなり、バイアス供給回路７から供給
される電流が前記コンパレータ１０の出力端子１
０ｃに吸収されるので、前記トランジスタ２のエ
ミツタ電流は急激に減少する。結局、 IM＝100IO が成立している状態で平衡が保たれるから、負荷
電流IMは定電流源９の出力電流IOに依存すること
になる。
すなわち、前記出力電流IOを適当に設定するこ
とにより、負荷電流の制限値を自由に設定するこ
とが出来る。
とにより、負荷電流の制限値を自由に設定するこ
とが出来る。
第１図の回路では負荷に直列に電流検出用の抵
抗が接続されていないので、電流検出抵抗による
電力損失の増大や電流電圧の利用率の悪化なども
無く、また、制限電流値の温度係数もほぼ零にす
ることが出来る。
抗が接続されていないので、電流検出抵抗による
電力損失の増大や電流電圧の利用率の悪化なども
無く、また、制限電流値の温度係数もほぼ零にす
ることが出来る。
第２図は本発明の別の実施例を示したもので、
第２図において、トランジスタ５のベースとマイ
ナス側給電線路１ｂの間には電圧安定化回路を構
成する定電圧ダイオード１１とトランジスタ１２
のベース・エミツタ間が直列に接続され、前記ト
ランジスタ１２のベース・エミツタ間には抵抗１
３が接続されている。
第２図において、トランジスタ５のベースとマイ
ナス側給電線路１ｂの間には電圧安定化回路を構
成する定電圧ダイオード１１とトランジスタ１２
のベース・エミツタ間が直列に接続され、前記ト
ランジスタ１２のベース・エミツタ間には抵抗１
３が接続されている。
また、前記定電圧ダイオード１１と前記トラン
ジスタ５のベースの接続点にはトランジスタ１４
のベースが接続され、前記トランジスタ１４のエ
ミツタは抵抗１５を介してマイナス側給電線路１
ｂに接続されているとともに、同コレクタはトラ
ンジスタ１６のベースおよびコレクタ，トランジ
スタ１７，１８のベースに接続されている。
ジスタ５のベースの接続点にはトランジスタ１４
のベースが接続され、前記トランジスタ１４のエ
ミツタは抵抗１５を介してマイナス側給電線路１
ｂに接続されているとともに、同コレクタはトラ
ンジスタ１６のベースおよびコレクタ，トランジ
スタ１７，１８のベースに接続されている。
前記トランジスタ１６，１７，１８は前記トラ
ンジスタ１４のコレクタ電流を入力電流とするカ
レントミラー回路を構成しており、前記トランジ
スタ１７はトランジスタ８に定電流を供給する定
電流源として用いられており、前記トランジスタ
１８は前記電圧安定化回路に定電流を供給する定
電流源として用いられている。
ンジスタ１４のコレクタ電流を入力電流とするカ
レントミラー回路を構成しており、前記トランジ
スタ１７はトランジスタ８に定電流を供給する定
電流源として用いられており、前記トランジスタ
１８は前記電圧安定化回路に定電流を供給する定
電流源として用いられている。
さらに、前記トランジスタ１２のコレクタは抵
抗１９を介してプラス側給電線路１ａに接続され
同コレクタにはトランジスタ２０のベースが接続
され、前記トランジスタ２０のエミツタはマイナ
ス側給電線路１ｂに接続されているとともに同コ
レクタは前記トランジスタ１６，１７，１８によ
るカレントミラー回路の共通ベースに接続されて
いる。
抗１９を介してプラス側給電線路１ａに接続され
同コレクタにはトランジスタ２０のベースが接続
され、前記トランジスタ２０のエミツタはマイナ
ス側給電線路１ｂに接続されているとともに同コ
レクタは前記トランジスタ１６，１７，１８によ
るカレントミラー回路の共通ベースに接続されて
いる。
第２図の回路では、直流モータ３には定電圧ダ
イオード１１の端子電圧によつて定まる一定電圧
が供給されるとともに、定電流源１７によつて供
給されるトランジスタ８へのバイアス電流値と前
記トランジスタ８とトランジスタ２のエミツタ面
積比によつて定まる制限電流値以上の電流が負荷
側に流れない様に阻止する機能を有している。
イオード１１の端子電圧によつて定まる一定電圧
が供給されるとともに、定電流源１７によつて供
給されるトランジスタ８へのバイアス電流値と前
記トランジスタ８とトランジスタ２のエミツタ面
積比によつて定まる制限電流値以上の電流が負荷
側に流れない様に阻止する機能を有している。
なお、第２図において、トランジスタ１２のベ
ース・エミツタ間接合はトランジスタ１４のベー
ス・エミツタ間接合と相殺し合つて抵抗１５の両
端に定電圧ダイオード１１の端子電圧がそのまま
現われる様にする目的で用いられているが、それ
と同時に、前記トランジスタ１２は抵抗１９，ト
ランジスタ２０とともにカレントミラー回路のた
めの起動回路を構成している。
ース・エミツタ間接合はトランジスタ１４のベー
ス・エミツタ間接合と相殺し合つて抵抗１５の両
端に定電圧ダイオード１１の端子電圧がそのまま
現われる様にする目的で用いられているが、それ
と同時に、前記トランジスタ１２は抵抗１９，ト
ランジスタ２０とともにカレントミラー回路のた
めの起動回路を構成している。
すなわち、電流電圧が零から次第に上昇してい
つたとき、まず、トランジスタ２０に抵抗１９を
介してベース電流が流れてカレントミラー回路を
起動させ、その後はトランジスタ１４が導通状態
となる。
つたとき、まず、トランジスタ２０に抵抗１９を
介してベース電流が流れてカレントミラー回路を
起動させ、その後はトランジスタ１４が導通状態
となる。
電源電圧がさらに上昇して定電圧ダイオード１
１に電流が流れ始めると、トランジスタ１２にも
ベース電流が流れる様になり、以後は前記トラン
ジスタ１２がオン状態となつて前記トランジスタ
２０は遮断状態に移行する。
１に電流が流れ始めると、トランジスタ１２にも
ベース電流が流れる様になり、以後は前記トラン
ジスタ１２がオン状態となつて前記トランジスタ
２０は遮断状態に移行する。
ところで、第１図および第２図に示した本発明
の実施例では、いずれも負荷として直流モータが
接続され、各トランジスタにはバイポーラトラン
ジスタが用いられているが、モータ以外の負荷を
接続しても良いし、トランジスタはMOS形FET
などのユニポーラトランジスタであつても良く、
その場合、入力電極としてバイポーラトランジス
タのベースにはユニポーラトランジスタのゲート
が対応し、出力電極としてバイポーラトランジス
タのコレクタにはユニポーラトランジスタのドレ
インが対応し、共通電極としてバイポーラトラン
ジスタのエミツタにはユニポーラトランジスタの
ソースが対応する。
の実施例では、いずれも負荷として直流モータが
接続され、各トランジスタにはバイポーラトラン
ジスタが用いられているが、モータ以外の負荷を
接続しても良いし、トランジスタはMOS形FET
などのユニポーラトランジスタであつても良く、
その場合、入力電極としてバイポーラトランジス
タのベースにはユニポーラトランジスタのゲート
が対応し、出力電極としてバイポーラトランジス
タのコレクタにはユニポーラトランジスタのドレ
インが対応し、共通電極としてバイポーラトラン
ジスタのエミツタにはユニポーラトランジスタの
ソースが対応する。
第３図は、エンハンスメント型MOSトランジ
スタを用いて構成した本発明の別の実施例を示す
回路結線図である。同図において、Ｎチヤンネル
エンハンスメント型MOSトランジスタ１０１の
ドレインとプラス側給電線路１ａの間には、負荷
としての直流モータ３が接続され、前記直流モー
タ３に連結された周波数発電機（FG）１０３の
出力は回転速度制御回路１０７に印加され、前記
回転速度制御回路１０７の出力が前記Ｎチヤンネ
ルエンハンスメント型MOSトランジスタ１０１
のゲートに印加されている。
スタを用いて構成した本発明の別の実施例を示す
回路結線図である。同図において、Ｎチヤンネル
エンハンスメント型MOSトランジスタ１０１の
ドレインとプラス側給電線路１ａの間には、負荷
としての直流モータ３が接続され、前記直流モー
タ３に連結された周波数発電機（FG）１０３の
出力は回転速度制御回路１０７に印加され、前記
回転速度制御回路１０７の出力が前記Ｎチヤンネ
ルエンハンスメント型MOSトランジスタ１０１
のゲートに印加されている。
一方、ソースがマイナス側給電線路に接続さ
れ、ゲートがドレインに接続されたＮチヤンネル
エンハンスメント型MOSトランジスタ１０８に
は定電流源１０９によつてドレイン電流が供給さ
れ、同ドレインにはコンパレータ１１０（コンパ
レータ１０と同様にオープンコレクタあるいはオ
ープンドレイン出力形式であるものとする。）の
非反転入力端子１１０ｂが接続され、前記コンパ
レータ１１０の反転入力端子１１０ａおよび同出
力端子１１０ｃは前記Ｎチヤンネルエンハンスメ
ント型MOSトランジスタ１０１のゲートに接続
されている。
れ、ゲートがドレインに接続されたＮチヤンネル
エンハンスメント型MOSトランジスタ１０８に
は定電流源１０９によつてドレイン電流が供給さ
れ、同ドレインにはコンパレータ１１０（コンパ
レータ１０と同様にオープンコレクタあるいはオ
ープンドレイン出力形式であるものとする。）の
非反転入力端子１１０ｂが接続され、前記コンパ
レータ１１０の反転入力端子１１０ａおよび同出
力端子１１０ｃは前記Ｎチヤンネルエンハンスメ
ント型MOSトランジスタ１０１のゲートに接続
されている。
なお、前記Ｎチヤンネルエンハンスメント型
MOSトランジスタ１０１のゲートとソースの間
には抵抗１０４が接続されている。
MOSトランジスタ１０１のゲートとソースの間
には抵抗１０４が接続されている。
第３図において、回転速度制御回路１０７は周
波数発電機１０３からの情報をもとに直流モータ
３の回転速度をあらかじめ定められた値に定速制
御するための回路であつて、前記直流モータ３の
回転軸に連結された負荷の大小に応じて、Ｎチヤ
ンネルエンハンスメント型MOSトランジスタ１
の通電量を調整するためのゲートバイアス電圧を
発生する機能を有している。
波数発電機１０３からの情報をもとに直流モータ
３の回転速度をあらかじめ定められた値に定速制
御するための回路であつて、前記直流モータ３の
回転軸に連結された負荷の大小に応じて、Ｎチヤ
ンネルエンハンスメント型MOSトランジスタ１
の通電量を調整するためのゲートバイアス電圧を
発生する機能を有している。
第３図の回路における出力電流の制御動作につ
いては第１図の回路と同様であるので、ここでの
説明は省略する。
いては第１図の回路と同様であるので、ここでの
説明は省略する。
以上の様に本発明の電流供給装置は、出力電極
（バイポーラトランジスタにおいてはコレクタ、
MOSトランジスタにおいてはドレイン。）と共通
電極（バイポーラトランジスタにおいてはエミツ
タ、MOSトランジスタにおいてはソース。）の一
方が負荷の一端に接続され他方が電源の一端に接
続された第１のトランジスタ（第１図，第２図の
実施例においてはトランジスタ２が該当し、第３
図の実施例においてはMOSトランジスタ１０１
が該当する。）と、共通電極が前記第１のトラン
ジスタの共通電極に接続され、入力電極（バイポ
ーラトランジスタにおいてはベース、MOSトラ
ンジスタにおいてはゲート。）が出力電極に接続
されるとともにその出力電極に所定量の電流が供
給される第２のトランジスタ（第１図，第２図の
実施例においてはトランジスタ８が該当し、第３
図の実施例においてはMOSトランジスタ１０８
が該当する。）と、前記第２のトランジスタの出
力電極に電流を供給する電流供給手段（第１図の
実施例においては定電流源９、第２図の実施例に
おいてはトランジスタ１７、第３図の実施例にお
いては定電流源１０９がそれぞれ該当する。）と、
前記第１のトランジスタの入力電極の電位と前記
第２のトランジスタの入力電極の電位を比較する
比較手段（第１図，第２図の実施例においてはコ
ンパレータ１０が該当し、第３図の実施例におい
てはコンパレータ１１０が該当する。）と、少な
くとも前記比較手段からの比較出力信号に依存し
た電流値あるいは電圧値を含む出力電流あるいは
出力電圧を、前記第１のトランジスタの入力電極
に供給する出力段駆動手段（第１図，第２図の実
施例においてはバイアス供給回路７とトランジス
タ５によつて出力段駆動手段が構成され、第３図
の実施例においては回転速度制御回路１０７の出
力信号とコンパレータ１１０の出力信号の合成接
続が出力段駆動手段が構成されている。）とを具
備し、前記第１のトランジスタの出力電極あるい
は共通電極から負荷に電流を供給する様に構成し
たことを特徴とするものであり、抵抗素子を負荷
に直列に接続することなく、負荷電流の検出が行
なえるので、電源電圧の利用効率が悪化すること
なく、周囲温度の変化に対しても優れた制限特性
が実現できるなど、大なる効果を奏する。
（バイポーラトランジスタにおいてはコレクタ、
MOSトランジスタにおいてはドレイン。）と共通
電極（バイポーラトランジスタにおいてはエミツ
タ、MOSトランジスタにおいてはソース。）の一
方が負荷の一端に接続され他方が電源の一端に接
続された第１のトランジスタ（第１図，第２図の
実施例においてはトランジスタ２が該当し、第３
図の実施例においてはMOSトランジスタ１０１
が該当する。）と、共通電極が前記第１のトラン
ジスタの共通電極に接続され、入力電極（バイポ
ーラトランジスタにおいてはベース、MOSトラ
ンジスタにおいてはゲート。）が出力電極に接続
されるとともにその出力電極に所定量の電流が供
給される第２のトランジスタ（第１図，第２図の
実施例においてはトランジスタ８が該当し、第３
図の実施例においてはMOSトランジスタ１０８
が該当する。）と、前記第２のトランジスタの出
力電極に電流を供給する電流供給手段（第１図の
実施例においては定電流源９、第２図の実施例に
おいてはトランジスタ１７、第３図の実施例にお
いては定電流源１０９がそれぞれ該当する。）と、
前記第１のトランジスタの入力電極の電位と前記
第２のトランジスタの入力電極の電位を比較する
比較手段（第１図，第２図の実施例においてはコ
ンパレータ１０が該当し、第３図の実施例におい
てはコンパレータ１１０が該当する。）と、少な
くとも前記比較手段からの比較出力信号に依存し
た電流値あるいは電圧値を含む出力電流あるいは
出力電圧を、前記第１のトランジスタの入力電極
に供給する出力段駆動手段（第１図，第２図の実
施例においてはバイアス供給回路７とトランジス
タ５によつて出力段駆動手段が構成され、第３図
の実施例においては回転速度制御回路１０７の出
力信号とコンパレータ１１０の出力信号の合成接
続が出力段駆動手段が構成されている。）とを具
備し、前記第１のトランジスタの出力電極あるい
は共通電極から負荷に電流を供給する様に構成し
たことを特徴とするものであり、抵抗素子を負荷
に直列に接続することなく、負荷電流の検出が行
なえるので、電源電圧の利用効率が悪化すること
なく、周囲温度の変化に対しても優れた制限特性
が実現できるなど、大なる効果を奏する。
第１図，第２図および第３図はいずれも本発明
の各実施例に係る電流供給装置の回路結線図であ
る。 １……電流、２，８，１７……トランジスタ、
３……直流モータ（負荷）、７……バイアス供給
回路、９，１０９……定電流源、１０，１１０…
…コンパレータ、１０１，１０８……Ｎチヤンネ
ルエンハンスメントMOS型トランジスタ、１０
７……回転速度制御回路。
の各実施例に係る電流供給装置の回路結線図であ
る。 １……電流、２，８，１７……トランジスタ、
３……直流モータ（負荷）、７……バイアス供給
回路、９，１０９……定電流源、１０，１１０…
…コンパレータ、１０１，１０８……Ｎチヤンネ
ルエンハンスメントMOS型トランジスタ、１０
７……回転速度制御回路。
Claims (1)
- １ 出力電極と共通電極の一方が負荷の一端に接
続され他方が電源の一端に接続された第１のトラ
ンジスタと、共通電極が前記第１のトランジスタ
の共通電極に接続され、入力電極が出力電極に接
続されるとともにその出力電極に所定量の電流が
供給される第２のトランジスタと、前記第２のト
ランジスタの出力電極に電流を供給する電流供給
手段と、前記第１のトランジスタの入力電極の電
位と前記第２のトランジスタの入力電極の電位を
比較する比較手段と、少なくとも前記比較手段か
らの比較出力信号に依存した電流値あるいは電圧
値を含む出力電流あるいは出力電圧を、前記第１
のトランジスタの入力電極に供給する出力段駆動
手段とを具備し、前記第１のトランジスタの出力
電極あるいは共通電極から負荷に電流を供給する
様に構成したことを特徴とする電両供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208575A JPS58107921A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 電流供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208575A JPS58107921A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 電流供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107921A JPS58107921A (ja) | 1983-06-27 |
| JPH0317122B2 true JPH0317122B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16558448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56208575A Granted JPS58107921A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 電流供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107921A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2578655Y2 (ja) * | 1993-07-10 | 1998-08-13 | 株式会社 三栄水栓製作所 | 二口混合栓 |
| DE102006008839B4 (de) * | 2006-02-25 | 2007-12-27 | Sitronic Gesellschaft für elektrotechnische Ausrüstung mbH. & Co. KG | Elektronische Einrichtung zur Regelung der Spannung über einer sich in High-Side befindlichen Last |
| DE102006016338A1 (de) | 2006-04-05 | 2007-10-18 | Sitronic Gesellschaft für elektrotechnische Ausrüstung mbH. & Co. KG | Regeleinrichtung zur Regelung der Spannung über einer sich in High-Side befindlichen Last |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4879233U (ja) * | 1971-12-29 | 1973-09-28 | ||
| JPS50127632U (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-20 | ||
| JPS5236746A (en) * | 1975-09-18 | 1977-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Stabilizing circuit of voltage |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP56208575A patent/JPS58107921A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58107921A (ja) | 1983-06-27 |
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