JPH03173036A - ディスペンサー陰極 - Google Patents
ディスペンサー陰極Info
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- JPH03173036A JPH03173036A JP2305939A JP30593990A JPH03173036A JP H03173036 A JPH03173036 A JP H03173036A JP 2305939 A JP2305939 A JP 2305939A JP 30593990 A JP30593990 A JP 30593990A JP H03173036 A JPH03173036 A JP H03173036A
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- JP
- Japan
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- scandium
- porous metal
- thin film
- metal substrate
- film layer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/28—Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
- H01J1/142—Solid thermionic cathodes characterised by the material with alkaline-earth metal oxides, or such oxides used in conjunction with reducing agents, as an emissive material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はディスペンサー陰極に係り、特にビーム電流
が高密度化され、その寿命の延びた貯蔵形ディスペンサ
ー陰極（Ｃａｖｉｔｙ ｒｅｓｅｒｗａｉｒｔｙｐｅｄ
ｉｓｐｅｎｓｅｒ ｃａｔｈｏｄｅ ）に関するもので
ある。
が高密度化され、その寿命の延びた貯蔵形ディスペンサ
ー陰極（Ｃａｖｉｔｙ ｒｅｓｅｒｗａｉｒｔｙｐｅｄ
ｉｓｐｅｎｓｅｒ ｃａｔｈｏｄｅ ）に関するもので
ある。
一般に、ディスペンサー陰極はその構造によって貯蔵形
（Ｃａｖｉｔ７ ＋ｅｓｅ＋ｖｏｉ＋ ｔ７ｐｃ ）
Ｎ含浸形（Ｉｚｐ＋ｅｇａ＋ｅｄ ｊｙｐり （第３
図参照）、焼結形（５ｉｎｔｅｒ！ｄ ｔ７ｐａ ）
などで大別されるが、これらの共通的特徴は、ビーム電
流の高密度化が可能であり、その寿命もとても長いとい
うことである。
（Ｃａｖｉｔ７ ＋ｅｓｅ＋ｖｏｉ＋ ｔ７ｐｃ ）
Ｎ含浸形（Ｉｚｐ＋ｅｇａ＋ｅｄ ｊｙｐり （第３
図参照）、焼結形（５ｉｎｔｅｒ！ｄ ｔ７ｐａ ）
などで大別されるが、これらの共通的特徴は、ビーム電
流の高密度化が可能であり、その寿命もとても長いとい
うことである。
しかし、これらのディスペンサー陰極は１１００℃〜１
２００℃程度の高温下で動作されるので、実際ブラウン
管等の電子管に採用しにくいという短所を有している。
２００℃程度の高温下で動作されるので、実際ブラウン
管等の電子管に採用しにくいという短所を有している。
すなわち、熱電子放出がなされるため、大量の熱エネル
ギが要るので大容量のヒータを備えなければならないし
、部品はこのヒータからの熱によっても熱変形の起こら
ない素材でその部品を製造しなければならない。そして
、他の部品、例えば陰極の胴体の支持装置と、制御グリ
ッドと、スクリーングリッドなどのすべての部品も耐熱
性素材で製造されるべきである。
ギが要るので大容量のヒータを備えなければならないし
、部品はこのヒータからの熱によっても熱変形の起こら
ない素材でその部品を製造しなければならない。そして
、他の部品、例えば陰極の胴体の支持装置と、制御グリ
ッドと、スクリーングリッドなどのすべての部品も耐熱
性素材で製造されるべきである。
そのため、現在、前述のような問題点を改善するための
研究開発がなされつつある。その−例として特開昭６１
−１３５２６号公報には、動作温度が８００〜９００℃
程度に下がったスカンジウム系含浸形陰極が記述されて
いる。このような含浸形陰極は第３図に図示されている
ように、Ｗ−８ｃ２０３を素材とする薄膜層１ａが陰極
物質の含浸されている多孔性金属基体２ａである。しか
し、このような含浸形陰極においては、Ｓ Ｃ２０３の
不均一分布による不安定の熱電子放出と、Ｂａ酸化物と
Ｓｃ酸化物の反応による逆作用が問題となる。これはＢ
ａ酸化物とＳｃ酸化物が反応することになれば、その副
産物としてＢ ａ ３Ｓｃ４０９などが熱電子放出表面
に局部的に生成され凝集されるので、熱電子放出が部分
的に阻害され熱電子放出の不安定状態を招く。さらにＷ
−８ｃ２０３になった薄膜層が多孔性金属基体の表面に
形成されているので、構造上熱伝達が不利になり、そし
て、タングステン酸スカンジウムの生成が遅延されるこ
とになり、電子放出物質表面にＢａ−３ｃ−０によって
構成されている単原子層を形成するための時間、すなわ
ち活性化エンジジグ時間がとても長くなり、結局生産性
が低くなる。
研究開発がなされつつある。その−例として特開昭６１
−１３５２６号公報には、動作温度が８００〜９００℃
程度に下がったスカンジウム系含浸形陰極が記述されて
いる。このような含浸形陰極は第３図に図示されている
ように、Ｗ−８ｃ２０３を素材とする薄膜層１ａが陰極
物質の含浸されている多孔性金属基体２ａである。しか
し、このような含浸形陰極においては、Ｓ Ｃ２０３の
不均一分布による不安定の熱電子放出と、Ｂａ酸化物と
Ｓｃ酸化物の反応による逆作用が問題となる。これはＢ
ａ酸化物とＳｃ酸化物が反応することになれば、その副
産物としてＢ ａ ３Ｓｃ４０９などが熱電子放出表面
に局部的に生成され凝集されるので、熱電子放出が部分
的に阻害され熱電子放出の不安定状態を招く。さらにＷ
−８ｃ２０３になった薄膜層が多孔性金属基体の表面に
形成されているので、構造上熱伝達が不利になり、そし
て、タングステン酸スカンジウムの生成が遅延されるこ
とになり、電子放出物質表面にＢａ−３ｃ−０によって
構成されている単原子層を形成するための時間、すなわ
ち活性化エンジジグ時間がとても長くなり、結局生産性
が低くなる。
一方、陰極の動作時、イオン衝撃によるＷ−８ｃ２０３
薄膜層の損傷の恐れがあるが、これは単原子層の損失に
より電流密度が急激に低下されるようになり、結局はそ
の寿命が大幅に縮まる等の問題点が生ずるのである。
薄膜層の損傷の恐れがあるが、これは単原子層の損失に
より電流密度が急激に低下されるようになり、結局はそ
の寿命が大幅に縮まる等の問題点が生ずるのである。
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、低温
下においてもビーム電流の高密度化のでき、持続的で安
定した電子放出特性を有するディスペンサー陰極を提供
することを目的とする。
下においてもビーム電流の高密度化のでき、持続的で安
定した電子放出特性を有するディスペンサー陰極を提供
することを目的とする。
また、本発明の他の目的は活性化エイジジグ時間が大福
に縮まって製造・生産性を向上させることのできるディ
スペンサー陰極を提供することである。
に縮まって製造・生産性を向上させることのできるディ
スペンサー陰極を提供することである。
前記の目的を達成するため、請求項第１項記載の本発明
のディスペンサー陰極は、ＢａおよびＢａ酸化物の中の
少なくとも−っである電子放出物質と、前記電子放出物
質の上部に置かれて拡散空洞部を提供する多孔性金属基
体とを具備するディスペンサー陰極において、前記電子
放出物質と多孔性金属基体の間にタングステン酸スカン
ジウムおよびＷからなる合金薄膜層を形成してなること
を特徴とする。
のディスペンサー陰極は、ＢａおよびＢａ酸化物の中の
少なくとも−っである電子放出物質と、前記電子放出物
質の上部に置かれて拡散空洞部を提供する多孔性金属基
体とを具備するディスペンサー陰極において、前記電子
放出物質と多孔性金属基体の間にタングステン酸スカン
ジウムおよびＷからなる合金薄膜層を形成してなること
を特徴とする。
また、請求項第２項記載の本発明のディスペンサー陰極
は、前記タングステン酸スカンジウムがＳｃ Ｗ Ｏ，
Ｓｃ６Ｗ０１２の中の少な（とも２３．１２ 一つであることを特徴とする請求項第３項記載のディス
ペンサー陰極は、タングステン酸スカンジウムの含有量
が薄膜層総重量の２〜５０％であることを特徴とする。
は、前記タングステン酸スカンジウムがＳｃ Ｗ Ｏ，
Ｓｃ６Ｗ０１２の中の少な（とも２３．１２ 一つであることを特徴とする請求項第３項記載のディス
ペンサー陰極は、タングステン酸スカンジウムの含有量
が薄膜層総重量の２〜５０％であることを特徴とする。
また、請求項第４項記載の本発明のディスペンサー陰極
は、ＢａおよびＢａ酸化物の中の少なくとも一つである
電子放出物質と、前記電子放出物質の上部に置かれて拡
散空洞部を提供する多孔性金属基体とを具備するディス
ペンサー陰極において、前記電子放出物質と多孔性金属
基体の間にりジグステン酸スカンジウムによって形成さ
れているペレットを介在させたことを特徴とする。
は、ＢａおよびＢａ酸化物の中の少なくとも一つである
電子放出物質と、前記電子放出物質の上部に置かれて拡
散空洞部を提供する多孔性金属基体とを具備するディス
ペンサー陰極において、前記電子放出物質と多孔性金属
基体の間にりジグステン酸スカンジウムによって形成さ
れているペレットを介在させたことを特徴とする。
また、請求項第５項記載の本発明のディスペンサー陰極
は、前記タングステン酸スカンジウムがＳ ｃ Ｗ
ＯＳ ｃ Ｗ Ｏ１２の中の少なくとも２ ３
１２ゝ ６ 一つであることを特徴とする。
は、前記タングステン酸スカンジウムがＳ ｃ Ｗ
ＯＳ ｃ Ｗ Ｏ１２の中の少なくとも２ ３
１２ゝ ６ 一つであることを特徴とする。
本発明のディスペンサー陰極は、仕事関係の低い単原子
層の一元素であるスカンジウムが多孔性金属基体と電子
放出物質との間に、請求項第１項から第３項においては
薄膜層の形態として介在されており、請求項第４項およ
び第５項においてはペレットの形態として介在されてる
ので、スカンジウムの十分な供給を通じて安定で持続的
な熱電子放出が可能である。
層の一元素であるスカンジウムが多孔性金属基体と電子
放出物質との間に、請求項第１項から第３項においては
薄膜層の形態として介在されており、請求項第４項およ
び第５項においてはペレットの形態として介在されてる
ので、スカンジウムの十分な供給を通じて安定で持続的
な熱電子放出が可能である。
以下、本発明の実施例を第１図および第２図について説
明する。
明する。
第１図は本発明の貯蔵形のディスペンサー陰極の第１実
施例を示している。
施例を示している。
この陰極は貯蔵槽３ｂと、これに装入される電子放出物
質２ｂと、前記電子放出物質２ｂの上部に置かれる多孔
性金属基体ｉｂと、前記電子放出物質２ｂと多孔性金属
基体１ｂとの間に置かれる合金薄膜層６ｂ、前記貯蔵槽
３ｂを支持固定しヒータ５ｂを内臓するスリーブ４ｂと
を具備する前記貯蔵槽３ｂとスリーブ４ｂとは、ＭＯｌ
Ｔａ等の高融点金属によって形成され、前記の電子放出
物質２ｂはバリウムカルシウムアルミネートによって形
成されている圧縮成形体である。そして、前記合金薄膜
層６ｄはタングステン酸スカンジウム（Ｓ Ｃ２Ｗ ３
Ｏ１２またはＳｃ６ＷＯ１２）とＷによって形成されて
いる合金コーティング層である。一方、前記多孔性金属
基体１ｂはＷ等の耐熱性金属粉末を焼結処理して形成さ
れており、場合によってＩ ｒ、Ｏｓ、Ｒｕ５Ｒｅ等の
白金族元素が選択的に含有されている。
質２ｂと、前記電子放出物質２ｂの上部に置かれる多孔
性金属基体ｉｂと、前記電子放出物質２ｂと多孔性金属
基体１ｂとの間に置かれる合金薄膜層６ｂ、前記貯蔵槽
３ｂを支持固定しヒータ５ｂを内臓するスリーブ４ｂと
を具備する前記貯蔵槽３ｂとスリーブ４ｂとは、ＭＯｌ
Ｔａ等の高融点金属によって形成され、前記の電子放出
物質２ｂはバリウムカルシウムアルミネートによって形
成されている圧縮成形体である。そして、前記合金薄膜
層６ｄはタングステン酸スカンジウム（Ｓ Ｃ２Ｗ ３
Ｏ１２またはＳｃ６ＷＯ１２）とＷによって形成されて
いる合金コーティング層である。一方、前記多孔性金属
基体１ｂはＷ等の耐熱性金属粉末を焼結処理して形成さ
れており、場合によってＩ ｒ、Ｏｓ、Ｒｕ５Ｒｅ等の
白金族元素が選択的に含有されている。
第２図は本発明の他の実施例を示している。
本実施例においては、貯蔵槽３ｃと、これに装入される
電子放出物質２Ｃと、前記電子放出物質２Ｃの上部に置
かれる多孔性金属基体ＩＣと、前記電子放出物質２Ｃと
多孔性金属基体ＩＣとの間に置かれるペレット６ｃ、前
記貯蔵槽３ｃを支持固定しヒータ５Ｃを内臓するスリー
ブ４Ｃとを具備する。
電子放出物質２Ｃと、前記電子放出物質２Ｃの上部に置
かれる多孔性金属基体ＩＣと、前記電子放出物質２Ｃと
多孔性金属基体ＩＣとの間に置かれるペレット６ｃ、前
記貯蔵槽３ｃを支持固定しヒータ５Ｃを内臓するスリー
ブ４Ｃとを具備する。
前記の貯蔵槽３ｃとスリーブ４ｃとはＭｏ、Ｔａ等の高
融点金属によって形成され、前記電子放出物質２．ｃは
バリウムカルシウムアルミネートによって形成されてい
る圧縮成形体である。そして、前記ペレット６ＣはＳ
Ｃ２Ｗ ａ Ｏ１２粉末またはＳｃ ＷＯ１２粉末あ
るいはこれらの混合粉末によって形成されているタング
ステン酸スカンジウムの圧縮成形体である。一方、前記
多孔性金属基体ＩＣはタングステン等の耐熱性金属粉末
を焼結処理して形成されており、場合によってはＩｒ、
Ｏｓ、Ｒｕ５Ｒｅ等の白金族元素が選択的に含有されて
いる。
融点金属によって形成され、前記電子放出物質２．ｃは
バリウムカルシウムアルミネートによって形成されてい
る圧縮成形体である。そして、前記ペレット６ＣはＳ
Ｃ２Ｗ ａ Ｏ１２粉末またはＳｃ ＷＯ１２粉末あ
るいはこれらの混合粉末によって形成されているタング
ステン酸スカンジウムの圧縮成形体である。一方、前記
多孔性金属基体ＩＣはタングステン等の耐熱性金属粉末
を焼結処理して形成されており、場合によってはＩｒ、
Ｏｓ、Ｒｕ５Ｒｅ等の白金族元素が選択的に含有されて
いる。
このようなディスペンサー陰極の製造方法は次の通りで
ある。
ある。
１） Ｂ ａ ＣＯ１Ｃａ ＣＯ、Ａ Ｉｔ ２０３
を４：３ １：１または５：３：２のモル（ｍｏ ｌ ｅ）比に混
合した後、１２００ないし１４００℃の範囲の温度で約
８時間焼成する。そして焼成完了後、前記焼成体、すな
わちバリウムカルシウムアルミネートにタングステン粉
末を２０〜５０％の重量比に混合する。
を４：３ １：１または５：３：２のモル（ｍｏ ｌ ｅ）比に混
合した後、１２００ないし１４００℃の範囲の温度で約
８時間焼成する。そして焼成完了後、前記焼成体、すな
わちバリウムカルシウムアルミネートにタングステン粉
末を２０〜５０％の重量比に混合する。
２） ＷとＳ Ｃ２０３の粉末を適正比に混合後、酸
化性雰囲気下で焼成してタングステン酸スカンジウム（
Ｓ Ｃ２Ｗ ａ ＯＩ ２またはＳｃ６ＷＯ１２）を製
造する。そして、これにＷを混合した後、スパッタリン
グ用ターゲットを製造する。この際、タングステン酸ス
カンジウムは総重量の２〜５０ｗｔ％となるよう成分比
を調節する。
化性雰囲気下で焼成してタングステン酸スカンジウム（
Ｓ Ｃ２Ｗ ａ ＯＩ ２またはＳｃ６ＷＯ１２）を製
造する。そして、これにＷを混合した後、スパッタリン
グ用ターゲットを製造する。この際、タングステン酸ス
カンジウムは総重量の２〜５０ｗｔ％となるよう成分比
を調節する。
３） 約５μｍの粒径を有するタングステン粉末を圧縮
成形した後、これを焼結処理して多孔性金属基体を製造
する。この際、Ｉｒ、Ｏｓ等の白金族元素を選択的に含
有させる。
成形した後、これを焼結処理して多孔性金属基体を製造
する。この際、Ｉｒ、Ｏｓ等の白金族元素を選択的に含
有させる。
４） 前記の段階を経て製造された前記のバリウムカル
シウムアルミネートおよびＷ混合金属粉末を貯蔵槽３ｂ
に装入した後、プレスジグで圧縮することによって貯蔵
槽３ｂ内の電子放出物質２ｂを成形する。
シウムアルミネートおよびＷ混合金属粉末を貯蔵槽３ｂ
に装入した後、プレスジグで圧縮することによって貯蔵
槽３ｂ内の電子放出物質２ｂを成形する。
５） タングステン酸スカンジウムとＷで製造された前
記ターゲットを、前記多孔性金属基体の底面または前記
電子放出物質の上面にスパッタリングして５０〜５００
０ ｎｍ厚さの薄膜層を形成する。
記ターゲットを、前記多孔性金属基体の底面または前記
電子放出物質の上面にスパッタリングして５０〜５００
０ ｎｍ厚さの薄膜層を形成する。
６） 前記の多孔性金属基体１ｂを前記薄膜層６ｂの上
部に位置させた後、貯蔵槽３ｂに溶接固定する。
部に位置させた後、貯蔵槽３ｂに溶接固定する。
以上の通り詳細に述べた本発明によるディスペンサー陰
極は、低い仕事関数を有するＢａ−８ｃ−〇の単原子層
の生成元素たるＳｃの供給源が従来と違って多孔性金属
基体の底部に置かれるように構成されている。
極は、低い仕事関数を有するＢａ−８ｃ−〇の単原子層
の生成元素たるＳｃの供給源が従来と違って多孔性金属
基体の底部に置かれるように構成されている。
これによれば、Ｓｃ酸化物とＢａ酸化物の反応による副
産物が電子放出表面に生成されるのを押さえる。
産物が電子放出表面に生成されるのを押さえる。
これを更に詳細に説明すると次の通りである。
ヒータからの熱により電子放出物質が加熱されると、多
孔性金属基体の底部に置かれたタングステン酸スカンジ
ウムとＢａとの反応が起こり、Ｓｃ２Ｗ３Ｏ１２＋３Ｂ
ａ＝３ＢａＷＯ４＋２ＳＣに表現される反応をもってＳ
ｃが生成される。
孔性金属基体の底部に置かれたタングステン酸スカンジ
ウムとＢａとの反応が起こり、Ｓｃ２Ｗ３Ｏ１２＋３Ｂ
ａ＝３ＢａＷＯ４＋２ＳＣに表現される反応をもってＳ
ｃが生成される。
したがって、前記のＳｃは遊離Ｂ ａ （Ｄｉｆｆｕｓ
ｅＢａ） とともに、その上部の多孔性金属基体の空洞
部を通じて拡散された後、多孔性金属基体の表面に達し
てはＢａ−３ｃ−０の単原子層を形成する。この過程の
中で、Ｂａの酸化物とＳｃ酸化物との副産物は多孔性金
属基体の表面までは到達できない。
ｅＢａ） とともに、その上部の多孔性金属基体の空洞
部を通じて拡散された後、多孔性金属基体の表面に達し
てはＢａ−３ｃ−０の単原子層を形成する。この過程の
中で、Ｂａの酸化物とＳｃ酸化物との副産物は多孔性金
属基体の表面までは到達できない。
このように本発明は構成され作用するものであるから、
多孔性金属基体の表面に均一の組織の単原子層が生成さ
れることによって持続的で安定した熱電子放出ができる
。
多孔性金属基体の表面に均一の組織の単原子層が生成さ
れることによって持続的で安定した熱電子放出ができる
。
また、本発明のディスペンサー陰極の活性化エイジジグ
時間は２時間程度で、１０時間程度かかった従来のＳｃ
系含浸形陰極に比べて大幅に縮められた。従来のＳｃ系
含浸形陰極の場合、ＷとＳｃ２０３によって形成された
薄膜層が陰極物質表面に形成されるので、構造上熱伝達
が不利になってタングステン酸スカンジウムの生成が円
滑でない反面、本発明のディスペンサー陰極は電子放出
物質にタングステン酸スカンジウムが含まれるか、その
上部に置かれるので、蒸発ＳＣの生成が速やかになされ
る。
時間は２時間程度で、１０時間程度かかった従来のＳｃ
系含浸形陰極に比べて大幅に縮められた。従来のＳｃ系
含浸形陰極の場合、ＷとＳｃ２０３によって形成された
薄膜層が陰極物質表面に形成されるので、構造上熱伝達
が不利になってタングステン酸スカンジウムの生成が円
滑でない反面、本発明のディスペンサー陰極は電子放出
物質にタングステン酸スカンジウムが含まれるか、その
上部に置かれるので、蒸発ＳＣの生成が速やかになされ
る。
また、Ｓｃ供給源たるタングステン酸スカンジウムおよ
びＷの薄膜層がイオン衝撃の激しい多孔性金属基体の表
面ではなくその底部に置かれているので、イオン衝撃の
よる薄膜層の損失を破らないし、活性化エンジジグの結
果で生成された単原子層が陰極動作時イオン衝撃により
損われても、蒸発Ｓｃが持続的に多孔性金属基体の表面
に達することによって直ちに復旧されるところ、結局安
定した熱電子放出がなされる。
びＷの薄膜層がイオン衝撃の激しい多孔性金属基体の表
面ではなくその底部に置かれているので、イオン衝撃の
よる薄膜層の損失を破らないし、活性化エンジジグの結
果で生成された単原子層が陰極動作時イオン衝撃により
損われても、蒸発Ｓｃが持続的に多孔性金属基体の表面
に達することによって直ちに復旧されるところ、結局安
定した熱電子放出がなされる。
一実施例を示す断面図、第２図は本発明の他の実施例を
示す断面図、第３図は従来のＳｃ系含浸形陰極の断面図
である。
示す断面図、第３図は従来のＳｃ系含浸形陰極の断面図
である。
ｌｂ、ｌｃ・・・多孔性金属基体、２ｂ、２ｃ・・・電
子放出物質、３ｂ、３ｃ・・・貯蔵槽、４ｂ、４ｃ・・
・スリーブ、５ｂ、Ｓｃ・・・ヒータ、６ｂ・・・薄膜
層、６ｃ・・・ペレット。
子放出物質、３ｂ、３ｃ・・・貯蔵槽、４ｂ、４ｃ・・
・スリーブ、５ｂ、Ｓｃ・・・ヒータ、６ｂ・・・薄膜
層、６ｃ・・・ペレット。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＢａおよびＢａ酸化物の中の少なくとも一つである
電子放出物質と、前記電子放出物質の上部に置かれて拡
散空洞部を提供する多孔性金属基体とを具備するディス
ペンサー陰極において、前記電子放出物質と多孔性金属
基体の間にタングステン酸スカンジウムおよびＷからな
る合金薄膜層を形成してなることを特徴とするディスペ
ンサー陰極。 ２）前記タングステン酸スカンジウムがＳｃ＿２Ｗ＿３
Ｏ＿１＿２、Ｓｃ＿６ＷＯ＿１＿２の中の少なくとも一
つであることを特徴とする請求項第１項記載のディスペ
ンサー陰極。 ３）タングステン酸スカンジウムの含有量が薄膜層総重
量の２〜５０％であることを特徴とする請求項第１項ま
たは第２項記載のディスペンサー陰極。 ４）ＢａおよびＢａ酸化物の中の少なくとも一つである
電子放出物質と、前記電子放出物質の上部に置かれて拡
散空洞部を提供する多孔性金属基体とを具備するディス
ペンサー陰極において、前記電子放出物質と多孔性金属
基体の間にタングステン酸スカンジウムによって形成さ
れているペレットを介在させたことを特徴とするディス
ペンサー陰極。 ５）前記タングステン酸スカンジウムがＳｃ＿２Ｗ＿３
Ｏ＿１＿２、Ｓｃ＿６ＷＯ＿１＿２の中の少なくとも一
つであることを特徴とする請求項第４項記載のディスペ
ンサー陰極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890016224A KR920001334B1 (ko) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 디스펜서 음극 |
| KR16224 | 1989-11-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173036A true JPH03173036A (ja) | 1991-07-26 |
| JP2584534B2 JP2584534B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=19291468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30593990A Expired - Lifetime JP2584534B2 (ja) | 1989-11-09 | 1990-11-09 | ディスペンサー陰極 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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