JPH03173156A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JPH03173156A JPH03173156A JP1312722A JP31272289A JPH03173156A JP H03173156 A JPH03173156 A JP H03173156A JP 1312722 A JP1312722 A JP 1312722A JP 31272289 A JP31272289 A JP 31272289A JP H03173156 A JPH03173156 A JP H03173156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external lead
- lead terminal
- semiconductor element
- lid
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケ
ージの改良に関するものである。
ージの改良に関するものである。
（従来の技術）
従来、半導体素子を収容するためのパッケージ、特にガ
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構成されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体止させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パッケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構成されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形成すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体止させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９し
χＮｉ−１６ＷｔχＣｏ−５５ＷｔＺＦｅ合金）や４２
Ａｌｌｏｙ（４２れχＮｉ−５８ＷｔχＦｅ合金）の導
電性材料から成っており、該コバールや４２ＡＩＩｏｙ
等は導電率が低いことから以下に述べる欠点を有する。
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９し
χＮｉ−１６ＷｔχＣｏ−５５ＷｔＺＦｅ合金）や４２
Ａｌｌｏｙ（４２れχＮｉ−５８ＷｔχＦｅ合金）の導
電性材料から成っており、該コバールや４２ＡＩＩｏｙ
等は導電率が低いことから以下に述べる欠点を有する。
即ち、
■コバールや４２Ａ１１ｏｙはその導電率が３．０〜３
．５χ（ＩＡＣＳ）と低い、そのためこのコバールや４
２＾１１ｏν等から成る外部リード端子に信号を伝搬さ
せた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとなり、高
速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となってしま
う、 ■半導体素子収納用パ・７ケージの内部に収容する半導
体素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子
の電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を
外部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて
細くなってきている。そのため外部リード端子は上記の
に記載のコバールや４２＾１１ｏｙの導電率が低いこと
と相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきてお
り、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リー
ド端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部
に収容する半導体素子に信号を正確に人力することがで
きず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
．５χ（ＩＡＣＳ）と低い、そのためこのコバールや４
２＾１１ｏν等から成る外部リード端子に信号を伝搬さ
せた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとなり、高
速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となってしま
う、 ■半導体素子収納用パ・７ケージの内部に収容する半導
体素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子
の電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を
外部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて
細くなってきている。そのため外部リード端子は上記の
に記載のコバールや４２＾１１ｏｙの導電率が低いこと
と相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきてお
り、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リー
ド端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部
に収容する半導体素子に信号を正確に人力することがで
きず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
外部リード端子における信号の減衰を極小となし、内部
に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行うこ
とを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることができる半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。
外部リード端子における信号の減衰を極小となし、内部
に収容する半導体素子への信号の入出力を確実に行うこ
とを可能として半導体素子を長期間にわたり正常、且つ
安定に作動させることができる半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。
また本発明の他の目的は高速駆動を行う半導体素子を収
容することができる半導体素子収納用パッケージを提供
することにある。
容することができる半導体素子収納用パッケージを提供
することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は内部に半導体素子を収容するための空所を有す
る絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着
して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶
縁容器を炭化珪素質焼結体で、外部リード端子を熱膨張
係数３０乃至４０ Ｘ １０− ’／℃、導電率２０χ
（ＩＡＣＳ）以上の金属で、ガラス部材をシリカ６５．
０乃至８０．ＯＷｔχ、酸化ホウ素１０．０乃至２５．
０Ｗｔ％、アルミナ１．０乃至１０．０ＷＬχ、ナトリ
ウム、カリウムの酸化物の少なくとも１種１８０乃至１
０．０ＷｔＸから成るガラスで形成したことを特徴とす
るものである。
る絶縁容器に外部リード端子をガラス部材を介して取着
して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶
縁容器を炭化珪素質焼結体で、外部リード端子を熱膨張
係数３０乃至４０ Ｘ １０− ’／℃、導電率２０χ
（ＩＡＣＳ）以上の金属で、ガラス部材をシリカ６５．
０乃至８０．ＯＷｔχ、酸化ホウ素１０．０乃至２５．
０Ｗｔ％、アルミナ１．０乃至１０．０ＷＬχ、ナトリ
ウム、カリウムの酸化物の少なくとも１種１８０乃至１
０．０ＷｔＸから成るガラスで形成したことを特徴とす
るものである。
（実施例）
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
この絶縁基体ｌと蓋体２とにより絶縁容器３が構成され
る。
る。
前記絶縁基体Ｉ及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導体
素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあり
、絶縁基体ｌの凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあり
、絶縁基体ｌの凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
前記絶縁基体ｌ及び蓋体２は炭化珪素質焼結体から成り
、第１図に示すような絶縁基体ｌ及び蓋体２に対応した
形状を有するプレス型内に、炭化珪素（ＳｉＣ） 、へ
ＩＪ ＩＪア（Ｂｅｄ）等の原料粉末を充填させ、しか
る後、これに一定圧力を印加しながら約２０００〜２２
００℃の温度で加熱焼成することによって製作される。
、第１図に示すような絶縁基体ｌ及び蓋体２に対応した
形状を有するプレス型内に、炭化珪素（ＳｉＣ） 、へ
ＩＪ ＩＪア（Ｂｅｄ）等の原料粉末を充填させ、しか
る後、これに一定圧力を印加しながら約２０００〜２２
００℃の温度で加熱焼成することによって製作される。
尚、前記絶縁基体１及び蓋体２を形成する炭化珪素質焼
結体はその熱膨張係数が３０〜４０ＸｌＯ−’／℃であ
り、後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係に
おいて絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大
きな熱膨張の差が生じることはない。
結体はその熱膨張係数が３０〜４０ＸｌＯ−’／℃であ
り、後述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係に
おいて絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大
きな熱膨張の差が生じることはない。
また前記絶縁基体１及び蓋体２にはその相対向する主面
に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、該
絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
に封止用のガラス部材６が予め被着形成されており、該
絶縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着され
る封止用ガラス部材６は、シリカ６５．０乃至８０．０
詩ｔχ、酸化ホウ素１Ｏ１０乃至２５．Ｏれχ、アルミ
ナ１．０乃至１０．０Ｗｔχ、ナトリウム、カリウムの
酸化物の少なくとも１種１．０乃至１０．０Ｗｔχから
成るガラスより成り、上記各成分を所定の値に秤量混合
すると共に、該混合粉末を約１５００〜１６００℃の温
度で加熱溶融させることによって製作される。
る封止用ガラス部材６は、シリカ６５．０乃至８０．０
詩ｔχ、酸化ホウ素１Ｏ１０乃至２５．Ｏれχ、アルミ
ナ１．０乃至１０．０Ｗｔχ、ナトリウム、カリウムの
酸化物の少なくとも１種１．０乃至１０．０Ｗｔχから
成るガラスより成り、上記各成分を所定の値に秤量混合
すると共に、該混合粉末を約１５００〜１６００℃の温
度で加熱溶融させることによって製作される。
このガラス部材６はその熱膨張係数が３０乃至４５×１
０−’／ ’Ｃである。
０−’／ ’Ｃである。
前記封止用ガラス部材６はその熱膨張係数が３０乃至４
５×１０−’／ ”ｃであり、絶１体１及び蓋体２の各
々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体
２の各々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶
融させ一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素
子４を気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止
用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起
因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体ｌと
蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合するこ
とが可能となる。
５×１０−’／ ”ｃであり、絶１体１及び蓋体２の各
々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体
２の各々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶
融させ一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素
子４を気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止
用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起
因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体ｌと
蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合するこ
とが可能となる。
尚、前記封止用ガラス部材６はシリカ（ＳｉＯｚ）が６
５．０ＷｔＸ未満であるとガラスの結晶化が進んで絶縁
容器３の気密封止が困難とり、また８０．０ＷｔＸを越
えるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体１と蓋体
２の熱膨張と合わなくなることからシリカ（Ｓｉｎ、）
は６５．０〜Ｂ０．ＯＷｔχの範囲に限定される。
５．０ＷｔＸ未満であるとガラスの結晶化が進んで絶縁
容器３の気密封止が困難とり、また８０．０ＷｔＸを越
えるとガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体１と蓋体
２の熱膨張と合わなくなることからシリカ（Ｓｉｎ、）
は６５．０〜Ｂ０．ＯＷｔχの範囲に限定される。
また酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ２）が１０．ＯＷｔχ未満であ
るとガラスの結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困
難とり、また２５．０Ｗｔχを越えるとガラスの耐薬品
形が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性が大きく低
下するため酸化ホウ素（ＢｚＯｚ）は１０．０乃至２５
．ＯＷｔχの範囲に限定される。
るとガラスの結晶化が進んで絶縁容器３の気密封止が困
難とり、また２５．０Ｗｔχを越えるとガラスの耐薬品
形が劣化して絶縁容器３の気密封止の信頼性が大きく低
下するため酸化ホウ素（ＢｚＯｚ）は１０．０乃至２５
．ＯＷｔχの範囲に限定される。
またアルミナ（Ａｈ（ｈ ）が１．ＯＷｔＸ未満である
とガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の
信頼性が大きく低下し、また１０．ＯＷｔχを越えると
ガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体１と蓋体２の熱
膨張と合わなくなることからアルミナ（Ａ１２０３）は
１．０乃至１Ｏ１ＯＷｔχの範囲に限定される。
とガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の気密封止の
信頼性が大きく低下し、また１０．ＯＷｔχを越えると
ガラスの熱膨張が小さくなって絶縁基体１と蓋体２の熱
膨張と合わなくなることからアルミナ（Ａ１２０３）は
１．０乃至１Ｏ１ＯＷｔχの範囲に限定される。
またナトリウム、カリウムの酸化物が１．ＯＷｔＸ未満
であるとガラスを製作する際のガラスの溶融温度が大幅
に上がって作業性が著しく悪くなり、またｌＯ，０Ｗｔ
Ｘを越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の
気密封止の信頼性が大きく低下するためナトリウム、カ
リウムの酸化物は１．０乃至１０．０Ｗｔχの範囲に限
定される。
であるとガラスを製作する際のガラスの溶融温度が大幅
に上がって作業性が著しく悪くなり、またｌＯ，０Ｗｔ
Ｘを越えるとガラスの耐薬品性が劣化して絶縁容器３の
気密封止の信頼性が大きく低下するためナトリウム、カ
リウムの酸化物は１．０乃至１０．０Ｗｔχの範囲に限
定される。
前記封止用ガラス部材６は前述した成分から成るガラス
の粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペ
ーストを従来周知の厚膜手法を採用することによって絶
縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着形成される
。
の粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加して得たガラスペ
ーストを従来周知の厚膜手法を採用することによって絶
縁基体１及び蓋体２の相対向する主面に被着形成される
。
前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料から成る
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リート端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リート端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
前記外部リード端子５は絶縁基体１と蓋体２の相対向す
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体止さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体ｌと
蓋体２との間に取着される。
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体止さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体ｌと
蓋体２との間に取着される。
前記外部リード端子５はインバー合金（３６，５Ｗｔχ
Ｎｉ−６３，５ＷｔＸ Ｆｅ合金）の上下面に非磁性体
金属である銅（Ｃｕ）を接合させたもの等から成り、そ
の導電率は２０χ（ＩＡＣＳ）以上、熱膨張係数は３０
乃至４０×１０−’／ ”ｃである。
Ｎｉ−６３，５ＷｔＸ Ｆｅ合金）の上下面に非磁性体
金属である銅（Ｃｕ）を接合させたもの等から成り、そ
の導電率は２０χ（ＩＡＣＳ）以上、熱膨張係数は３０
乃至４０×１０−’／ ”ｃである。
前記外部リード端子５はその導電率が２０χ（ＩＡＣＳ
）以上であり、電気を流し易いことから外部リード端子
５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、
絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動させた
としても半４体素子４と外部電気回路との間における信
号の出し入れは常に安定、且つ確実となすことができる
。
）以上であり、電気を流し易いことから外部リード端子
５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことができ、
絶縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動させた
としても半４体素子４と外部電気回路との間における信
号の出し入れは常に安定、且つ確実となすことができる
。
また外部リード端子５の導電率が高いことから外部リー
ド端子５の線幅が細くなったとしても外部リード端子５
の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、外部リ
ード端子５における信号の減衰を極小として内部に収容
する半導体素子４に外部電気回路から供給される電気信
号を正確に入力することができる。
ド端子５の線幅が細くなったとしても外部リード端子５
の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、外部リ
ード端子５における信号の減衰を極小として内部に収容
する半導体素子４に外部電気回路から供給される電気信
号を正確に入力することができる。
更に前記外部リード端子５はその熱膨張係数が３０乃至
４０Ｘ１０−’／ ’Ｃであり、封止用ガラス部材６の
熱膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶縁
基体１と蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定
する際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との間
には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生す
ることはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材６
で強固に固定することも可能となる。
４０Ｘ１０−’／ ’Ｃであり、封止用ガラス部材６の
熱膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶縁
基体１と蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定
する際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との間
には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生す
ることはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材６
で強固に固定することも可能となる。
かくして、この半導体素子収納用パッケージによれば絶
縁基体１の四部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に１妄続させ、しかる後、絶縁基
体１と蓋体２とを該絶縁基体ｌ及び蓋体２の相対向する
主面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融
一体止させることによって接合させ、これによって最終
製品としての半導体装置が完成する。
縁基体１の四部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に１妄続させ、しかる後、絶縁基
体１と蓋体２とを該絶縁基体ｌ及び蓋体２の相対向する
主面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融
一体止させることによって接合させ、これによって最終
製品としての半導体装置が完成する。
（発明の効果）
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、絶縁基
体及び蓋体を炭化珪素質焼結体で、外部リード端子を熱
膨張係数が３０乃至４０×１０−’／ ’ｃ、導電率が
２０χ（ＩＡＣＳ）以上の金属で、ガラス部材をシリカ
６５．０乃至８０．ＯＷｔχ、酸化ホウ素１０．０乃至
２５．０れχ−、アルミナ１．０乃至１０．ＯＷｔχ、
ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくとも１種１．０
乃至１０．０れχから成るガラスで形成したことから外
部リード端子の信号伝搬速度を極めて速いものとなすこ
とができ、絶縁容器内に収容した半導体素子を高速駆動
させたとしても半導体素子と外部電気回路との間におけ
る信号の出し入れを常に安定、且つ確実となすことが可
能となる。
体及び蓋体を炭化珪素質焼結体で、外部リード端子を熱
膨張係数が３０乃至４０×１０−’／ ’ｃ、導電率が
２０χ（ＩＡＣＳ）以上の金属で、ガラス部材をシリカ
６５．０乃至８０．ＯＷｔχ、酸化ホウ素１０．０乃至
２５．０れχ−、アルミナ１．０乃至１０．ＯＷｔχ、
ナトリウム、カリウムの酸化物の少なくとも１種１．０
乃至１０．０れχから成るガラスで形成したことから外
部リード端子の信号伝搬速度を極めて速いものとなすこ
とができ、絶縁容器内に収容した半導体素子を高速駆動
させたとしても半導体素子と外部電気回路との間におけ
る信号の出し入れを常に安定、且つ確実となすことが可
能となる。
また外部リード端子の線幅が細くなったとしても外部リ
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することが可能となる。
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することが可能となる。
更に外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基体、蓋体
及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近領し、絶
縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々を封
止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及び蓋
体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封止用
ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に起因
する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合するこ
とも可能となる。
及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近領し、絶
縁基体と蓋体との間に外部リード端子を挟み、各々を封
止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及び蓋
体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封止用
ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に起因
する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合するこ
とも可能となる。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １ ・・絶縁基体 ２ ・・蓋体 ３ ・・絶縁容器 ５ ・・外部リード端子 ６ ・・封止用ガラス部材
例を示す断面図、第２図は第１図に示すパッケージの絶
縁基体上面より見た平面図である。 １ ・・絶縁基体 ２ ・・蓋体 ３ ・・絶縁容器 ５ ・・外部リード端子 ６ ・・封止用ガラス部材
Claims (1)
- 内部に半導体素子を収容するための空所を有する絶縁容
器に外部リード端子をガラス部材を介して取着して成る
半導体素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁容器を
炭化珪素質焼結体で、外部リード端子を熱膨張係数３０
乃至４０×１０＾−＾７／℃、導電率２０％（ＩＡＣＳ
）以上の金属で、ガラス部材をシリカ６５．０乃至８０
．０Ｗｔ％、酸化ホウ素１０．０乃至２５．０Ｗｔ％、
アルミナ１．０乃至１０．０Ｗｔ％、ナトリウム、カリ
ウムの酸化物の少なくとも１種１．０乃至１０．０Ｗｔ
％から成るガラスで形成したことを特徴とする半導体素
子収納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312722A JP2736459B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US07/574,472 US5168126A (en) | 1989-08-25 | 1990-08-27 | Container package for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312722A JP2736459B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173156A true JPH03173156A (ja) | 1991-07-26 |
| JP2736459B2 JP2736459B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=18032633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312722A Expired - Lifetime JP2736459B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-11-30 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736459B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851405A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-26 | 京セラ株式会社 | 電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法 |
| JPS6243155A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Hitachi Ltd | 集積回路パッケ−ジ |
| JPS6265954A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | アルミナ封着用硼珪酸ガラス |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1312722A patent/JP2736459B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851405A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-26 | 京セラ株式会社 | 電気絶縁性炭化珪素焼結体の製法 |
| JPS6243155A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Hitachi Ltd | 集積回路パッケ−ジ |
| JPS6265954A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | アルミナ封着用硼珪酸ガラス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2736459B2 (ja) | 1998-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03173156A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167858A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736461B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2747613B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2742617B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2742616B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736458B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736453B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736460B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736463B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736456B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03173164A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2742618B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736454B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736462B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2691308B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2691306B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2736457B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2742611B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167852A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03218660A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167850A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03173159A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167861A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167842A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ |