JPH03167852A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH03167852A JPH03167852A JP1308596A JP30859689A JPH03167852A JP H03167852 A JPH03167852 A JP H03167852A JP 1308596 A JP1308596 A JP 1308596A JP 30859689 A JP30859689 A JP 30859689A JP H03167852 A JPH03167852 A JP H03167852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external lead
- lead terminal
- lid
- semiconductor element
- thickness
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パンケ
ージの改良に関するものである。
ージの改良に関するものである。
（従来の技術）
従来、半導体素子を収容するためのパッケージ、特にガ
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パフケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構威されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形或すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
ラスの溶着によって封止するガラス封止型半導体素子収
納用パフケージは、絶縁基体と蓋体とから成り、内部に
半導体素子を収容する空所を有する絶縁容器と、該容器
内に収容される半導体素子を外部電気回路に電気的に接
続するための外部リード端子とから構威されており、絶
縁基体及び蓋体の相対向する主面に予め封止用のガラス
部材を被着形或すると共に、絶縁基体主面に外部リード
端子を固定し、半導体素子の各電極と外部リード端子と
をワイヤボンド接続した後、絶縁基体及び蓋体のそれぞ
に被着させた封止用のガラス部材を溶融一体化させるこ
とによって内部に半導体素子を気密に封止している。
（発明が解決しようとする課題）
しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９
ｈｔχＮｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔＸＦｅ合
金）や４２ＡＩＩｏｙ（４２ ｔｉｔχＮｉ−５８ Ｗ
ｔＸ Ｆｅ合金）の導電性材料から戒っており、該コバ
ールや４２Ａ Ｉ Ｊｏｙ等は透磁率が高く、且つ導電
率が低いことから以下に述べる欠点を有する。
パッケージは通常、外部リード端子がコバール（２９
ｈｔχＮｉ−１６ ＷｔＸ Ｃｏ−５５ ＷｔＸＦｅ合
金）や４２ＡＩＩｏｙ（４２ ｔｉｔχＮｉ−５８ Ｗ
ｔＸ Ｆｅ合金）の導電性材料から戒っており、該コバ
ールや４２Ａ Ｉ Ｊｏｙ等は透磁率が高く、且つ導電
率が低いことから以下に述べる欠点を有する。
即ち、
■コハーノレや４２八１ Ｊｏｙは鉄（Ｆｅ）、−ｙケ
ノレ（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）といった強磁性体金属
のみから成っており、その透磁率は２５０〜７００ （
ＣＧＳ）と高い。そのためこのコバールや４２＾１１ｏ
ｙ等から成る外部リード端子に電流が流れると外部リー
ド端子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタンス
が発生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなると共
に、該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子に誤
動作を生じさせる、 ■コバールや４２ＡＩＩｏｙはその導電率が３．０〜３
．５χ（ｒＡｃｓ）と低い。そのためこのコバールや４
２ＡＩＩｏｙ等から成る外部リード端子に信号を伝搬さ
せた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとなり、高
速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となってしま
う、 ■半導体素子収納用パフケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記■に
記載のコバールや４２ＡＩＩｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
ノレ（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）といった強磁性体金属
のみから成っており、その透磁率は２５０〜７００ （
ＣＧＳ）と高い。そのためこのコバールや４２＾１１ｏ
ｙ等から成る外部リード端子に電流が流れると外部リー
ド端子中に透磁率に比例した大きな自己インダクタンス
が発生し、これが逆起電力を誘発してノイズとなると共
に、該ノイズが半導体素子に入力されて半導体素子に誤
動作を生じさせる、 ■コバールや４２ＡＩＩｏｙはその導電率が３．０〜３
．５χ（ｒＡｃｓ）と低い。そのためこのコバールや４
２ＡＩＩｏｙ等から成る外部リード端子に信号を伝搬さ
せた場合、信号の伝搬速度が極めて遅いものとなり、高
速駆動を行う半導体素子はその収容が不可となってしま
う、 ■半導体素子収納用パフケージの内部に収容する半導体
素子の高密度化、高集積化の進展に伴い、半導体素子の
電極数が大幅に増大しており、半導体素子の各電極を外
部電気回路に接続する外部リード端子の線幅も極めて細
くなってきている。そのため外部リード端子は上記■に
記載のコバールや４２ＡＩＩｏｙの導電率が低いことと
相俊って電気抵抗が極めて大きなものになってきており
、外部リード端子に信号を伝搬させると、該外部リード
端子の電気抵抗に起因して信号が大きく減衰し、内部に
収容する半導体素子に信号を正確に入力することができ
ず、半導体素子に誤動作を生じさせてしまう、 等の欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
外部リード端子で発生するノイズ及び外部リード端子．
における信号の減衰を極小となし、内部に収容する半導
体素子への信号の入出力を確実に行うことを可能として
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることができる半導体素子収納用パフケージを提供する
ことにある。
外部リード端子で発生するノイズ及び外部リード端子．
における信号の減衰を極小となし、内部に収容する半導
体素子への信号の入出力を確実に行うことを可能として
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることができる半導体素子収納用パフケージを提供する
ことにある。
また本発明の他の目的は高速駆動を行う半導体素子を収
容することができる半導体素子収納用パソケージを提供
することにある。
容することができる半導体素子収納用パソケージを提供
することにある。
（課題を解決するこめの手段）
本発明は絶縁基体と蓋体とから戒り、内部に半導体素子
を収容するための空所を有する絶縁容器と、該容器内に
収容される半導体素子を外部電気回路に接続するための
外部リード端子とから成る半導体素子収納用パッケージ
において、前記絶縁基体及び蓋体を窒化アルミニウム質
焼結体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体の少なく
とも１種で、外部リード端子をニッケル２８．５乃至２
９．５ＷｔＸ 、コハル｝ １５．５乃至１６．５Ｗｔ
Ｘ 、鉄５４．０乃至５６．０Ｗｔχの合金から成る板
状体の上下面に、該板状体の厚みに対し１０乃至２０χ
の厚みの銅板を接合させた金属体で形成したことを特徴
とするものである。
を収容するための空所を有する絶縁容器と、該容器内に
収容される半導体素子を外部電気回路に接続するための
外部リード端子とから成る半導体素子収納用パッケージ
において、前記絶縁基体及び蓋体を窒化アルミニウム質
焼結体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体の少なく
とも１種で、外部リード端子をニッケル２８．５乃至２
９．５ＷｔＸ 、コハル｝ １５．５乃至１６．５Ｗｔ
Ｘ 、鉄５４．０乃至５６．０Ｗｔχの合金から成る板
状体の上下面に、該板状体の厚みに対し１０乃至２０χ
の厚みの銅板を接合させた金属体で形成したことを特徴
とするものである。
（実施例）
次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は本発明の半導体素子収納用パソケー
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
ジの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体である。
この絶縁基体１と蓋体２とにより絶縁容器３が構威され
る。
る。
前記絶縁基体１及び蓋体２はそれぞれの中央部に半導体
素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあり
、絶縁基体ｌの凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
素子を収容する空所を形成するための凹部が設けてあり
、絶縁基体ｌの凹部底面には半導体素子４が樹脂、ガラ
ス、ロウ剤等の接着剤を介し取着固定される。
前記絶縁基体１及び蓋体２は窒化アルミニウム質焼結体
、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体の少なくとも１
種から成り、第１図に示すような絶縁基体ｌ及び蓋体２
に対応した形状を有するプレス型内に、窒化アルミニウ
ム質焼結体の場合は窒化アルミニウム（ＡＩＮ） 、イ
フトリア（ＹｚＯ：＋＋等の原料粉末を、ムライト質焼
結体の場合はアルミナ（ Ａ１ｚＯｚ ） 、シリカ（
Ｓｉ（ｈ）等の原料粉末を、ジルコン質焼結体の場合は
酸化ジルコニウム（ＺｒＯｚ）、シリカ（Ｓｉ（ｈ）等
の原料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して威
形し、しかる後、戒形品を約１３００〜１８００℃の温
度で焼戒することによって製作される。
、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体の少なくとも１
種から成り、第１図に示すような絶縁基体ｌ及び蓋体２
に対応した形状を有するプレス型内に、窒化アルミニウ
ム質焼結体の場合は窒化アルミニウム（ＡＩＮ） 、イ
フトリア（ＹｚＯ：＋＋等の原料粉末を、ムライト質焼
結体の場合はアルミナ（ Ａ１ｚＯｚ ） 、シリカ（
Ｓｉ（ｈ）等の原料粉末を、ジルコン質焼結体の場合は
酸化ジルコニウム（ＺｒＯｚ）、シリカ（Ｓｉ（ｈ）等
の原料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して威
形し、しかる後、戒形品を約１３００〜１８００℃の温
度で焼戒することによって製作される。
尚、前記絶縁基体１及び蓋体２を形或する窒化アルミニ
ウム質焼結体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体は
その熱膨張係数が４０〜５０Ｘ１０−’／℃であり、後
述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係において
絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな熱
膨張の差が生じることはない。
ウム質焼結体、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体は
その熱膨張係数が４０〜５０Ｘ１０−’／℃であり、後
述する封止用ガラス部材の熱膨張係数との関係において
絶縁基体１及び蓋体２と封止用ガラス部材間に大きな熱
膨張の差が生じることはない。
また前記絶縁基体１及び蓋体２にはその相対向する主面
に封止用のガラス部材６が予め被着形戒されており、該
絶縁基体ｌ及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
に封止用のガラス部材６が予め被着形戒されており、該
絶縁基体ｌ及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガ
ラス部材６を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁
容器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁基体ｌ及び蓋体２の相対向する主面に被着され
る封止用ガラス部材６は、例えばホウケイ酸鉛系ガラス
にフィラーを添加したものから威り、原料［，ｌＬての
酸化鉛（ ＰｂＯ ）７０．０ 〜９０．０れχ、酸化
ホウ素（ Ｂ２０：Ｉ ）１２．０〜１３．ＯＷｔ！
， シ’）力（ＳｉＯｚ）０．５ 〜３．Ｏ ＷｔＸ及
び７ ）ｌｉ ５ ナ（ＡＩ ２０３） ０．５〜３．
Ｏ ＷｔＸ ニ７イ−７−トしテチタン酸鉛（ＰｂＴｉ
Ｏｉ）、β−ユークリプタイト（ＬｉＪｈＳｉｚＯｓ）
、コージライト（ＭｇｚＡｌｔＳｉｓＯ＋ｓ）、ジ７
Ｌ／］ ン（ＺｒＳｉ０４）、酸化スズ（Ｓｎｕｇ）、
ウィレマイト（ＺｎｚＳｉＯｔ）等を４０〜５０ＶｏＩ
Ｘ添加混合すると共に、該混合粉末を９５０ −１１０
０℃の温度で加熱溶融させることによって製作される。
る封止用ガラス部材６は、例えばホウケイ酸鉛系ガラス
にフィラーを添加したものから威り、原料［，ｌＬての
酸化鉛（ ＰｂＯ ）７０．０ 〜９０．０れχ、酸化
ホウ素（ Ｂ２０：Ｉ ）１２．０〜１３．ＯＷｔ！
， シ’）力（ＳｉＯｚ）０．５ 〜３．Ｏ ＷｔＸ及
び７ ）ｌｉ ５ ナ（ＡＩ ２０３） ０．５〜３．
Ｏ ＷｔＸ ニ７イ−７−トしテチタン酸鉛（ＰｂＴｉ
Ｏｉ）、β−ユークリプタイト（ＬｉＪｈＳｉｚＯｓ）
、コージライト（ＭｇｚＡｌｔＳｉｓＯ＋ｓ）、ジ７
Ｌ／］ ン（ＺｒＳｉ０４）、酸化スズ（Ｓｎｕｇ）、
ウィレマイト（ＺｎｚＳｉＯｔ）等を４０〜５０ＶｏＩ
Ｘ添加混合すると共に、該混合粉末を９５０ −１１０
０℃の温度で加熱溶融させることによって製作される。
このホウケイ酸鉛系のガラスはその熱膨張係数が４０
〜６０ｘｌＯ−’／ ”ｃである。
〜６０ｘｌＯ−’／ ”ｃである。
前記封止用ガラス部材６はその熱膨張係数が４０〜６０
Ｘ１０−’／ ’Ｃであり、絶縁基体１及び蓋体２の各
々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体
２の各々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶
融させ一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素
子４を気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止
用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起
因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と
蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合するこ
とが可能となる。
Ｘ１０−’／ ’Ｃであり、絶縁基体１及び蓋体２の各
々の熱膨張係数と近似することから絶縁基体１及び蓋体
２の各々に被着されている封止用ガラス部材６を加熱溶
融させ一体化させることにより絶縁容器３内の半導体素
子４を気密に封止する際、絶縁基体１及び蓋体２と封止
用ガラス部材６との間には両者の熱膨張係数の相違に起
因する熱応力が発生することは殆どなく、絶縁基体１と
蓋体２とを封止用ガラス部材６を介し強固に接合するこ
とが可能となる。
尚、前記封止用ガラス部材６はフィラーを添加したホウ
ケイ酸鉛系ガラスの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加
して得たガラスペーストを従来周知の厚膜手法を採用す
ることによって絶縁基体ｌ及び蓋体２の相対向する主面
に被着形成される。
ケイ酸鉛系ガラスの粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加
して得たガラスペーストを従来周知の厚膜手法を採用す
ることによって絶縁基体ｌ及び蓋体２の相対向する主面
に被着形成される。
また前記封止用ガラス部材６はフィラーを添加したホウ
ケイ酸鉛系のガラスに限定されるものではなく、熱膨張
係数が４０〜６０Ｘ１０−’／ ’Ｃの範囲のガラスで
あればいかなるものでも使用することができる。
ケイ酸鉛系のガラスに限定されるものではなく、熱膨張
係数が４０〜６０Ｘ１０−’／ ’Ｃの範囲のガラスで
あればいかなるものでも使用することができる。
前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料から成る
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
外部リード端子５が配されており、該外部リード端子５
は半導体素子４の各電極がワイヤ７を介し電気的に接続
され、外部リード端子５を外部電気回路に接続すること
によって半導体素子４が外部電気回路に接続されること
となる。
前記外部リード端子５は絶縁基体１と蓋体２の相対向す
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１と
蓋体２との間に取着される。
る主面に被着させた封止用ガラス部材６を溶融一体化さ
せ、絶縁容器３を気密封止する際に同時に絶縁基体１と
蓋体２との間に取着される。
前記外部リード端子５はニッケル２８．５乃至２９．５
Ｗｔ！ ， コハｎｔ ト１５．５乃至１６．５ＷｔＸ
，鉄５４．０乃至５６．ＯＷｔχの合金から戒る板状
体の上下面に、該板状体の厚みに対し１０乃至２０χの
厚みの銅板を接合させた金属体から威り、その透磁率は
約１８５ （ＣＧＳ）、導電率ハ２３．１！（ＩＡＣＳ
） 、熱膨張係数は約４９Ｘ１０−’／℃である。
Ｗｔ！ ， コハｎｔ ト１５．５乃至１６．５ＷｔＸ
，鉄５４．０乃至５６．ＯＷｔχの合金から戒る板状
体の上下面に、該板状体の厚みに対し１０乃至２０χの
厚みの銅板を接合させた金属体から威り、その透磁率は
約１８５ （ＣＧＳ）、導電率ハ２３．１！（ＩＡＣＳ
） 、熱膨張係数は約４９Ｘ１０−’／℃である。
尚、前記外部リード端子５はニッケルーコバルトー鉄合
金（Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合金）の板状体の上下面に銅（Ｃ
ｕ）板を圧接し、しかる後、これを圧延することによっ
て形成される。
金（Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合金）の板状体の上下面に銅（Ｃ
ｕ）板を圧接し、しかる後、これを圧延することによっ
て形成される。
また前記外部リード端子５はニッケル（Ｎｉ）、コバル
ト（ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）の量及び板状体と銅板の厚みが
上述の範囲を外れると外部リード端子５の透磁率が所望
する小さな値に、導電率が大きな値にならず、また熱膨
張係数も絶縁基体及び蓋体の熱膨張係数と合わなくなる
。そのため外部リード端子５はニッケル２８．５乃至２
９．５Ｗｔｌ ，コバルト１５．５乃至１６．５Ｗｔχ
、鉄５４．０乃至５６．ＯＷｔＸ （７）合金から成る
板状体の上下面に、該板状体の厚みに対し１０乃至２０
Ｘの厚みの銅板を接合させた金属体で形成することに限
定される。
ト（ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）の量及び板状体と銅板の厚みが
上述の範囲を外れると外部リード端子５の透磁率が所望
する小さな値に、導電率が大きな値にならず、また熱膨
張係数も絶縁基体及び蓋体の熱膨張係数と合わなくなる
。そのため外部リード端子５はニッケル２８．５乃至２
９．５Ｗｔｌ ，コバルト１５．５乃至１６．５Ｗｔχ
、鉄５４．０乃至５６．ＯＷｔＸ （７）合金から成る
板状体の上下面に、該板状体の厚みに対し１０乃至２０
Ｘの厚みの銅板を接合させた金属体で形成することに限
定される。
前記外部リード端子５はその透磁率が１８５ （ＣＧＳ
）であり、透磁率が低いことから外部リード端子５に電
流が流れたとしても外部リード端子５中には大きな自己
インダクタンスが発生することはなく、その結果、前記
自己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因し
たノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子４を
常に正常に作動させることができる。
）であり、透磁率が低いことから外部リード端子５に電
流が流れたとしても外部リード端子５中には大きな自己
インダクタンスが発生することはなく、その結果、前記
自己インダクタンスにより誘発される逆起電力に起因し
たノイズを極小となし、内部に収容する半導体素子４を
常に正常に作動させることができる。
また前記外部リード端子５はその導電率が２３．１χ（
ＩＡＣＳ）であり、電気を流し易いことから外部リード
端子５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことがで
き、ｗＡ縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動
させたとしても半導体素子４と外部電気回路との間にお
ける信号の出し入れは常に安定、且つ確実となすことが
できる。
ＩＡＣＳ）であり、電気を流し易いことから外部リード
端子５の信号伝搬速度を極めて速いものとなすことがで
き、ｗＡ縁容器３内に収容した半導体素子４を高速駆動
させたとしても半導体素子４と外部電気回路との間にお
ける信号の出し入れは常に安定、且つ確実となすことが
できる。
また同時に外部リード端子５の導電率が高いことから外
部リード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード
端子５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、
外部リード端子５における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子４に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に人力することができる。
部リード端子５の線幅が細くなったとしても外部リード
端子５の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果、
外部リード端子５における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子４に外部電気回路から供給される
電気信号を正確に人力することができる。
また更に前記外部リード端子５はその熱膨張係数が約４
９Ｘ１０−７／ ’Ｃであり、封止用ガラス部材６の熱
膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶縁基
休１と蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定す
る際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との間に
は両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生する
ことはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で
強固に固定することも可能となる。
９Ｘ１０−７／ ’Ｃであり、封止用ガラス部材６の熱
膨張係数と近似することから外部リード端子５を絶縁基
休１と蓋体２の間に封止用ガラス部材６を用いて固定す
る際、外部リード端子５と封止用ガラス部材６との間に
は両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力が発生する
ことはなく、外部リード端子５を封止用ガラス部材６で
強固に固定することも可能となる。
か《して、この半導体素子収納用パソケージによれば絶
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完戒する。
縁基体１の凹部底面に半導体素子４を取着固定するとと
もに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ７に
より外部リード端子５に接続させ、しかる後、絶縁基体
１と蓋体２とを該絶縁基体１及び蓋体２の相対向する主
面に予め被着させておいた封止用ガラス部材６を溶融一
体化させることによって接合させ、これによって最終製
品としての半導体装置が完戒する。
（発明の効果）
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、半導体
素子を収容するための絶縁容器を構戒する絶縁基体及び
蓋体を窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、
ジルコン質焼結体の少なくとも１種で、外部リード端子
をニソケル２８．５乃至２９．５Ｗｔχ、コバルト１５
．５乃至１６．５Ｗｔχ、鉄５４．０乃至５６．ＯＷｔ
χの合金から成る板状体の上下面に、該板状体の厚みに
対し１０乃至２０χの厚みの銅板を接合させた透磁率が
約１８５ （ＣＧＳ）、導電率が２３．ｌχ（Ｉ八ＣＳ
）、熱膨張係数が約４９Ｘ１０−’／ ”Ｃの金属体で
形戊したことから外部リード端子に電流を流したとして
も該外部リード端子中に大きな自己インダクタンスが発
生することはな《、その結果、前記自己インダクタンス
により誘発される逆起電力に起因したノイズを極小とな
し、内部に収容する半導体素子を常に正常に作動させる
ことが可能となる。
素子を収容するための絶縁容器を構戒する絶縁基体及び
蓋体を窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、
ジルコン質焼結体の少なくとも１種で、外部リード端子
をニソケル２８．５乃至２９．５Ｗｔχ、コバルト１５
．５乃至１６．５Ｗｔχ、鉄５４．０乃至５６．ＯＷｔ
χの合金から成る板状体の上下面に、該板状体の厚みに
対し１０乃至２０χの厚みの銅板を接合させた透磁率が
約１８５ （ＣＧＳ）、導電率が２３．ｌχ（Ｉ八ＣＳ
）、熱膨張係数が約４９Ｘ１０−’／ ”Ｃの金属体で
形戊したことから外部リード端子に電流を流したとして
も該外部リード端子中に大きな自己インダクタンスが発
生することはな《、その結果、前記自己インダクタンス
により誘発される逆起電力に起因したノイズを極小とな
し、内部に収容する半導体素子を常に正常に作動させる
ことが可能となる。
また外部リード端子の信号伝搬速度を極めて速いものと
なすことができ、絶縁容器内に収容した半導体素子を高
速駆動させたとしても半導体素子と外部電気回路との間
における信号の出し入れを常に安定、且つ確実となすこ
とが可能となる。
なすことができ、絶縁容器内に収容した半導体素子を高
速駆動させたとしても半導体素子と外部電気回路との間
における信号の出し入れを常に安定、且つ確実となすこ
とが可能となる。
更に外部リード端子の線幅が細くなったとしても外部リ
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することが可能となる。
ード端子の電気抵抗を低く抑えることができ、その結果
、外部リード端子における信号の減衰を極小として内部
に収容する半導体素子に外部電気回路から供給される電
気信号を正確に入力することが可能となる。
また更に外部リード端子はその熱膨張係数が絶縁基体、
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し
、絶縁基体と蓋体この間に外部リード端子を挟み、各々
を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及
び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封
止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に
起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合す
ることも可能となる。
蓋体及び封止用ガラス部材の各々の熱膨張係数と近似し
、絶縁基体と蓋体この間に外部リード端子を挟み、各々
を封止用ガラス部材で取着接合したとしても絶縁基体及
び蓋体と封止用ガラス部材との間、外部リード端子と封
止用ガラス部材との間のいずれにも熱膨張係数の相違に
起因する熱応力は発生せず、すべてを強固に取着接合す
ることも可能となる。
第１図は本発明の半導体素子収納用バ・７ケージの一実
施例を示す断面図、第２図は第１図に示すパ・ノケージ
の絶縁基体上面より見た平面図である。 ｌ ・・絶縁基体 ２ ・・蓋体 ３ ・・絶縁容器 ５ ・・外部リード端子 ６ ・・封止用ガラス部材
施例を示す断面図、第２図は第１図に示すパ・ノケージ
の絶縁基体上面より見た平面図である。 ｌ ・・絶縁基体 ２ ・・蓋体 ３ ・・絶縁容器 ５ ・・外部リード端子 ６ ・・封止用ガラス部材
Claims (1)
- 絶縁基体と蓋体とから成り、内部に半導体素子を収容
するための空所を有する絶縁容器と、該容器内に収容さ
れる半導体素子を外部電気回路に接続するための外部リ
ード端子とから成る半導体素子収納用パッケージにおい
て、前記絶縁基体及び蓋体を窒化アルミニウム質焼結体
、ムライト質焼結体、ジルコン質焼結体の少なくとも１
種で、外部リード端子をニッケル２８．５乃至２９．５
Ｗｔ％、コバルト１５．５乃至１６．５Ｗｔ％、鉄５４
．０乃至５６．０Ｗｔ％の合金から成る板状体の上下面
に、該板状体の厚みに対し１０乃至２０％の厚みの銅板
を接合させた金属体で形成したことを特徴とする半導体
素子収納用パッケージ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308596A JP2736452B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
| US07/573,406 US5057905A (en) | 1989-08-25 | 1990-08-24 | Container package for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308596A JP2736452B2 (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167852A true JPH03167852A (ja) | 1991-07-19 |
| JP2736452B2 JP2736452B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17982944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308596A Expired - Lifetime JP2736452B2 (ja) | 1989-08-25 | 1989-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736452B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043851A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-03-08 | オリン コ−ポレ−シヨン | 被覆金属リ−ドフレ−ム基板 |
| JPS6243155A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Hitachi Ltd | 集積回路パッケ−ジ |
| JPS63169056A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-13 | Kobe Steel Ltd | リ−ドフレ−ム材料 |
| JPS63314855A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | セラミツクパツケ−ジ |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP1308596A patent/JP2736452B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043851A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-03-08 | オリン コ−ポレ−シヨン | 被覆金属リ−ドフレ−ム基板 |
| JPS6243155A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Hitachi Ltd | 集積回路パッケ−ジ |
| JPS63169056A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-13 | Kobe Steel Ltd | リ−ドフレ−ム材料 |
| JPS63314855A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | セラミツクパツケ−ジ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2736452B2 (ja) | 1998-04-02 |
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