JPH03173784A - 真空容器 - Google Patents
真空容器Info
- Publication number
- JPH03173784A JPH03173784A JP31063089A JP31063089A JPH03173784A JP H03173784 A JPH03173784 A JP H03173784A JP 31063089 A JP31063089 A JP 31063089A JP 31063089 A JP31063089 A JP 31063089A JP H03173784 A JPH03173784 A JP H03173784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing material
- vacuum
- cap
- container
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空中にガスを導入し、あるいは電界を発生
させた状態で被処理物を処理する真空容器におけるキャ
ップ構造に関し、主として半導体製品を製造するための
製造装置を対象とする。
させた状態で被処理物を処理する真空容器におけるキャ
ップ構造に関し、主として半導体製品を製造するための
製造装置を対象とする。
半導体装置製造用のドライエッチ装置やＣＶＤ（化学気
相堆積法）装置は、真空容器内で腐蝕性ガス（アンモニ
ア、塩素、四塩化炭素、三塩化ホウ素あるいは四塩化ケ
イ素など）や活性ガス（ＯｚやＣＦ４）を使用し、また
、その中でプラズマ放電を発生させる構造になっており
、容器の側面に設けた覗き窓、センサーポートあるいは
メクラ蓋等における保護キャンプは密閉状態を保持する
必要がある。
相堆積法）装置は、真空容器内で腐蝕性ガス（アンモニ
ア、塩素、四塩化炭素、三塩化ホウ素あるいは四塩化ケ
イ素など）や活性ガス（ＯｚやＣＦ４）を使用し、また
、その中でプラズマ放電を発生させる構造になっており
、容器の側面に設けた覗き窓、センサーポートあるいは
メクラ蓋等における保護キャンプは密閉状態を保持する
必要がある。
従来のキャップの構造は、第２図に示すように容器の窓
部５に外側から板状のキャップ部材４をあてがい、容器
外壁とキャップ部材との間には真空シール材２を介挿す
る程度で、キャップ押え３等の手段により外壁ｌに固定
していた。
部５に外側から板状のキャップ部材４をあてがい、容器
外壁とキャップ部材との間には真空シール材２を介挿す
る程度で、キャップ押え３等の手段により外壁ｌに固定
していた。
従来の技術では、保護キャップにおける真空シール材の
材質についてはその形状や構造的な配慮がなされていな
い。すなわち、第２図に示すようにキャップ部材４の容
器と接する面はフラットであって、容器の開口部（窓部
）からシール材２までの距離はきわめて短い。一般の真
空シール材、たとえば硬質ゴムからなるＯリングは、容
器内に導入した腐蝕性ガスや活性ガスが容器外壁との隙
間６を通じて接触しやすく、また真空容器中でプラズマ
を発生させると、真空シール材の劣化速度が非常に大き
くなり、真空シール材自体からの異物発生や真空リーク
が起って、真空中での処理に支障を来し、欠陥処理品を
生じる問題があった。
材質についてはその形状や構造的な配慮がなされていな
い。すなわち、第２図に示すようにキャップ部材４の容
器と接する面はフラットであって、容器の開口部（窓部
）からシール材２までの距離はきわめて短い。一般の真
空シール材、たとえば硬質ゴムからなるＯリングは、容
器内に導入した腐蝕性ガスや活性ガスが容器外壁との隙
間６を通じて接触しやすく、また真空容器中でプラズマ
を発生させると、真空シール材の劣化速度が非常に大き
くなり、真空シール材自体からの異物発生や真空リーク
が起って、真空中での処理に支障を来し、欠陥処理品を
生じる問題があった。
本発明は上記した問題を解決するためのものであって、
その目的は真空容器において真空シール材をガスやプラ
ズマより保護し劣化速度を大幅に抑えることにある。
その目的は真空容器において真空シール材をガスやプラ
ズマより保護し劣化速度を大幅に抑えることにある。
上記目的を達成するために、本発明は容器外壁に設けら
れた窓部を密閉するように容器外部から固定された保護
キャンプを有する真空容器であって、上記保護キャップ
は内側に突出する突出部によって窓部に隙間なく挿嵌さ
れていることを特徴とするものである。
れた窓部を密閉するように容器外部から固定された保護
キャンプを有する真空容器であって、上記保護キャップ
は内側に突出する突出部によって窓部に隙間なく挿嵌さ
れていることを特徴とするものである。
保護キャップに突出部を設けて窓部に隙間なく挿嵌する
構造とすることにより、容器内部の腐蝕性ガスや活性ガ
スが真空シール材のある部分まで入り難くなり、特にプ
ラズマ放電からの影響も少なくなり、真空シール材自体
の変質変化による異物の発生や真空リーク等の事故の発
生を大幅に減少することができる。
構造とすることにより、容器内部の腐蝕性ガスや活性ガ
スが真空シール材のある部分まで入り難くなり、特にプ
ラズマ放電からの影響も少なくなり、真空シール材自体
の変質変化による異物の発生や真空リーク等の事故の発
生を大幅に減少することができる。
以下、本発明をドライエッチ装置に通用した一実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
第１図は真空容器における保護キャップ構造を示す一部
断面図である。
断面図である。
ｌはステンレス・スチール等の材料からなる真空容器の
外壁であって、その一部が窓部５として開口している。
外壁であって、その一部が窓部５として開口している。
２は真空シール材で、たとえばフッ素系樹脂などの硬質
ゴムまたは銅などの金属がらなり、０リングと呼ばれて
いるものである。
ゴムまたは銅などの金属がらなり、０リングと呼ばれて
いるものである。
３はキャップ押えであって、図示されないがボルト・ナ
ツト等の緊締具を利用してキャップを容器外壁に固定す
るようになっている。
ツト等の緊締具を利用してキャップを容器外壁に固定す
るようになっている。
４は保護キャップであって、覗き窓の場合は透明な５ｉ
Ｏｚまたはガラスの板がらなり、メクラ蓋の場合は不透
明な材料、たとえば金属の板であってもよい。
Ｏｚまたはガラスの板がらなり、メクラ蓋の場合は不透
明な材料、たとえば金属の板であってもよい。
７は突出部で保護キャップ４と同質の材料によりこれと
一体的に形成してあり、容器内部（低圧側、真空側）に
向いて窓部に挿嵌されている。
一体的に形成してあり、容器内部（低圧側、真空側）に
向いて窓部に挿嵌されている。
この突出部７があることにより窓部との隙間６がきわめ
て小さくなっている。その結果、隙間を通じての腐蝕ガ
スや活性ガス等の真空シール材への侵入は少なくなり、
真空シール材近傍でのプラズマ発生もなく、シール材の
劣化を低減することができる。
て小さくなっている。その結果、隙間を通じての腐蝕ガ
スや活性ガス等の真空シール材への侵入は少なくなり、
真空シール材近傍でのプラズマ発生もなく、シール材の
劣化を低減することができる。
本発明は以上説明したように構成されており、容器内の
ガスやプラズマで放電によるシール材への影響を極力少
なくでき、異物の発生や真空リーク等によるトラブルを
大幅に減少させ、被処理品の欠陥をなくす効果を奏する
。
ガスやプラズマで放電によるシール材への影響を極力少
なくでき、異物の発生や真空リーク等によるトラブルを
大幅に減少させ、被処理品の欠陥をなくす効果を奏する
。
第１図は本発明の一実施例を示す真空容器の一部断面図
である。 第２図は従来例を示す容器の一部断面図であるｌ・・・
真空容器外壁、 ２・・・真空シール、３・・・キャン
プ押え、 ４・・・保護キャップ、５・・・窓部、６・
・・隙間、７・・・突出部。
である。 第２図は従来例を示す容器の一部断面図であるｌ・・・
真空容器外壁、 ２・・・真空シール、３・・・キャン
プ押え、 ４・・・保護キャップ、５・・・窓部、６・
・・隙間、７・・・突出部。
Claims (2)
- １．容器外壁に設けられた窓部を密閉するように容器外
部から固定された保護キャップを有する真空容器であっ
て、上記保護キャップは内側に突出する突出部によって
窓部に隙間なく挿嵌されていることを特徴とする真空容
器。 - ２．請求項１に記載された真空容器において、容器内に
は腐蝕性ガスまたは活性ガスが導入されるようになって
いる。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31063089A JPH03173784A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 真空容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31063089A JPH03173784A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 真空容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173784A true JPH03173784A (ja) | 1991-07-29 |
Family
ID=18007571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31063089A Pending JPH03173784A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 真空容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03173784A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0680071A3 (en) * | 1994-04-29 | 1996-04-03 | Applied Materials Inc | Protective sleeve for vacuum sealing in a plasma etching reactor. |
| JP2014214863A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | Smc株式会社 | ゲートバルブ |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP31063089A patent/JPH03173784A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0680071A3 (en) * | 1994-04-29 | 1996-04-03 | Applied Materials Inc | Protective sleeve for vacuum sealing in a plasma etching reactor. |
| US5722668A (en) * | 1994-04-29 | 1998-03-03 | Applied Materials, Inc. | Protective collar for vacuum seal in a plasma etch reactor |
| JP2014214863A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | Smc株式会社 | ゲートバルブ |
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