JPH03175353A - 超音波探触子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、特に正確な表面観察が要求される超音波顕微
鏡に用いて好適な超音波探触子とその製造方法に関する
。

Ｂ、従来の技術 従来の超音波顕微鏡用超音波探触子の構造を第６図に示
す。この超音波探触子は、音響レンズを構成するレンズ
本体１と、ビーム状超音波を発生するための圧電膜２と
、圧電膜２に電力を供給する上部電極３および下部電極
４とがら構成され、次のように作製される。

（１）レンズ本体１の成膜面１４に真空蒸着によってＣ
ｒ、ｋＡｕを順次に蒸着して下部電極４を形成し、 （２）スパッタリングによって下部電極４の表面に所定
の膜厚でＺｎＯの圧電膜２を形成し。

（３）更にその圧電膜２の表面に真空蒸着によりＣｒと
Ａｕを順次に蒸着して上部電極３を形成する。

発振器５によってパルス波状またはバースト波状の電圧
を発生させ、この電圧を矢印６のようにサーキュレータ
７を介して圧電膜２に印加すると圧電膜２が振動して超
音波ビーム８がレンズ本体１内に放射される。この超音
波ビームは、膜厚に対応して決まる周波数を有しかつ上
部電極３の面積と形状に対応して決まるビーム断面積を
有する。

超音波ビーム８は、レンズ本体１の凹状のしシダ球面部
９と試料ｓｐとの間の媒質、例えば水Ｗの中へ放射され
、そのとき、超音波ビーム８はレンズ球面部９の曲率に
応じて集束される。そして試料ＳＰの表面や内部（例え
ば、ボイドやクラック等）の音響インピーダンスの異な
る部分で反射されてレンズ球面部９からレンズ本体１に
入射し、圧電膜２で検出される。この検出に伴って生じ
た電気信号は矢印１１に示す如く受信器１２に送られ、
ここで増幅されて取り出され、これによって試料ＳＰの
情報を得ることができる。

通常は、ＸＹステージとして構成された試料台１３をＹ
方向に移動するとともにレンズ本体１を直交するＸ方向
に移動して試料ＳＰの表面を走査し、これにより、試料
ＳＰの任意の領域における情報が得られる。

Ｃ０発明が解決しようとする課題 このような従来の超音波探触子では、上述したように、
上部電極３の大きさ、位置に依存した広がりで超音波ビ
ームがレンズ本体１内を進行する。

また、このような音響レンズを設計するとき、上部電極
３．圧電膜２および下部電極４から成る超音波発生部と
レンズ球面部９との距離は、近距離音場限界距離以上と
なるように決定され、また−船釣に上部電極径は、レン
ズ球面部９の開口径と同等かまたは小さく設計される。

しかじな、がら、従来の超音波探触子は上述した製造工
程を経て作製されており、音響レンズ内の音場を決定す
る上部電極３とレンズ球面部９の軸合わせが難しいとい
う問題があった。

すなわち、従来の製造方法では、マスクを用いてＣｒと
Ａｕとを蒸着して上部電極３を成膜するが、そのとき既
に不透明な下部電極４と圧電膜２が成膜されているから
、レンズ球面部９を上方から観察しながらマスクをアラ
イメントすることができない。そのため、マスクは機械
的にアラインメントされるので、レンズ球面部９の中心
と上部電極３の中心とがずれ易い。上述したように、上
部電極３は、その下部面積の大きさに対応した断面積を
有する平面波の超音波ビームを発生するので１以上のよ
うな芯ずれが生じると、レンズ球面部９のエツジ部を通
って外部へ直進する直達波と、芯ずれによってレンズ球
面部９からはみ出た上部電極３の領域に起因するレンズ
本体１内の多重反射波とによってノイズが発生するとい
う不具合が生じる。

このような現象は、第７図に示すように上部電極３の径
を凹状レンズ球面部９の開口径より大きくした超音波探
触子においても生じ、エツジ部を通る直達波１５と上述
した多重反射波１６によってノイズが発生する。

以上のように、従来の超音波探触子の性能は上部電極３
を形成するときのマスクの位置合わせ精度に大きく依存
し、精度が低く、音響レンズの歩留まりが悪かった。

本発明の目的は、超音波発生部と凹面レンズ部との位置
合わせ精度を高め、これにより製品歩留まりと性能を向
上させた超音波探触子とその製造方法を提供することに
ある。

０８課題を解決するための手段 一実施例を示す図面により本発明を説明すると、本発明
は、透明な音響レンズ本体１０　（１１０゜２１０）の
一端部には、下部電極４０Ａ　（１４０Ａ、２４０）　
と上部電極３０　（１３０Ａ、２３０）に挟設された圧
電膜２０　（１２ＯＡ、２２０）から成り超音波を音響
レンズ本体内に放射する超音波発生部が、設けられ、音
響レンズ本体１０（１１０，２１０）の他端部には放射
された超音波を集束させるように音響レンズの外方に放
射させる凹面レンズ部９０　（１９０，２９０）が形成
された超音波探触子に適用される。

そして、上述の目的は、請求項１の超音波探触子によれ
ば次の構成で達成される。第１図に対応づけると、下部
電極４０Ａの大きさおよび位置を。

凹面レンズ部９０と同軸でかつ同径または同幅となるよ
うに決定する。

請求項２の超音波探触子においては次の構成で達成され
る。第３図に対応づけると、音響レンズ本体１１０の一
端部には、中央部に下部電極１４０Ａの大きさおよび位
置を規定する孔１６０ａが形成された絶縁薄膜１６０が
設けられ、その孔１６０ａに下部電極１４０Ａが配設さ
れる。

請求項３における請求項１の超音波探触子を製造する方
法においては、第２図に対応づけると、超音波発生部が
形成される音響レンズ本体１０の一端部側に透明なホト
レジスト膜１７を形成し、凹面レンズ部９ｏを上方（ホ
トレジスト膜１７側）から観察しながら、下部電極４０
の大きさを決める露光窓５２を有するマスク５１を、そ
の露光窓５２が凹面レンズ部９０の軸心と合致するよう
に位置決めし、このマスク５１の露光窓５乏を介してホ
トレジスト膜１７を露光した後に現像して下部電極形成
用の孔１７ａを形成し、この下部電極形成用の孔１７ａ
に下部電極４０Ａを形成してからホトレジスト膜１７を
除去し、その下部電極４０Ａ上に圧電膜２０および上部
電極３０を順に積層して超音波発生部を特徴する 請求項４における請求項２の超音波探触子を製造する方
法においては、第３図に対応づけると、超音波発生部が
形成される音響レンズ本体１１０の一端部側に透明な絶
縁薄膜１６０を形成し、絶縁薄膜１６０の上面に透明な
ホトレジスト膜１１７を形成し、凹面レンズ部１９０を
上方から観察しながら、下部電極１４０Ａの大きさを決
める露光窓１５２を有するマスク１５１を、その露光窓
１５２が凹面レンズ部１９０の軸心と合致するように位
置決、めし、このマスク１５１の露光窓１５２を介して
ホトレジスト膜１１７を露光した後に現像して下部電極
形成用の孔１１７ａを形成し、この孔を通して薄膜１６
０をエツチングし、下部電極形成用の孔１６０ａを形成
する。その後、ホトレジスト膜１１７を除去してから少
なくともその下部電極形成用の孔１６０ａに下部電極１
４０Ａを形成し、さらに圧電膜１２ＯＡおよび上部電極
１３０Ａを順に積層して超音波発生部を特徴する請求項
５における請求項２の超音波探触子を製造する方法にお
いては、第５図に対応づけると。

超音波発生部が形成される音響レンズ本体２１０の一端
部側に透明なホトレジスト膜２１７を形成し、凹面レン
ズ部２９０を上方がら観察しながら、下部電極２４０の
大きさを決める露光窓２５２を有するマスク２５１を、
その露光窓２５２が凹面レンズ部２９０の軸心と合致す
るように位置決めし、このマスク２５１の露光窓２５２
を介してホトレジスト膜２１７を露光した後に現像して
残存するホトレジスト膜２１７Ａで下部電極形成領域を
規定し、規定された下部電極形成領域２１７Ａの周囲に
絶縁薄膜２６０Ａ、２６０Ｂを形成し、残存するホトレ
ジスト膜２１７Ａを除去して（同時に２６ＯＡも除去さ
れる）絶縁薄膜２６０Ｂに下部電極用の孔２６０ａを形
成し、下部電極用孔２６０ａに下部電極２４０を形成し
た後に、圧電膜２２０および上部電極２３０を順に積層
して超音波発生部を形成する（第４図）。

Ｅ０作用 請求項１に係る超音波探触子では、下部電極４０Ａの大
きさおよび位置が、凹面レンズ部９ｏと同軸でかつ同径
または同幅となるように決定されるので、超音波発生部
からレンズ内に放射される超音波ビームの大きさが凹面
レンズ部９ｏと同軸でかつ凹面レンズ部９０からはみ出
すことがない。

その結果、従来のような、直達波によるノイズや凹面レ
ンズ部９０をはみ出した超音波によるレンズ内の多重反
射波によるノイズが抑制され、性能の良い超音波探触子
が得られる。

また、請求項２による超音波探触子では、下部電極１４
　Ｃ）、Ａの周囲を絶縁薄膜１６０で囲繞したり、ある
いは下部電極２４０の大きさを絶縁薄膜２６０Ｂで規定
しているので、レンズ本体１１ｏ。

２１０の一端面と接する下部電極１４０Ａ、２４０の大
きさで音場が確実に規定される。つまり、レンズ本体１
１０，２１０の一端面と接する下部電極１４０Ａ、２４
０の周りに超音波発生部が形成されそこから超音波が発
生しても、絶縁薄膜１６０．２６０Ｂでその超音波が減
衰してレンズ内に進行するのが抑制される。

請求項３〜５の製造方法によれば、透明なホトレジスト
や絶縁薄膜を使用し凹面レンズ部をレンズ上方から観察
しながら下部電極の位置を決定できるので、下部電極形
成領域の軸心が凹面レンズ部の軸心と正確に合致できる
。

Ｆ、実施例 第１図および第２図により本発明の第１の実施例を説明
する。

第１図（Ａ）および（Ｂ）は第１の実施例による超音波
探触子の構成を示し、サファイアなど透明材料から成る
レンズ本体１ｏの下端面にはレンズ開口直径Ｄ１のレン
ズ球面部９ｏが設けられている。

レンズ本体１０の上端面１４には、レンズ球面部９０と
対向して向応でがっ直径がＤｌと同じがまたは小さいＤ
２の下部電極４０Ａと、この下部電極４０Ａの全面を覆
う圧電膜２０と、圧電膜２Ｏの上面に設けられ下部電極
４０Ａの直径Ｄ２より大きい上部電極３０とが順に積層
されている。

また、下部電極４０Ａは圧電膜２０に覆われるため、第
１図（Ｂ）に示す電極取出部４１が設けられる。

なお、超音波発生部から放射される超音波はレンズ本体
１０内を進むにつれて拡がるから、下部電極４０Ａの径
を定めるにあたっては、レンズ球面部９０において超音
波ビームの径がその間口径と一致するようにレンズ長も
考慮して決める。

次に第２図（Ａ）〜（Ｅ）により第１図に示した超音波
探触子の製造方法を説明する。

先ず第２図（Ａ）に示すように、サファイアなどの透明
な材料から成るレンズ本体１０の成膜面１４にホトレジ
ストを塗布し、透明（音響レンズの凹面が観察可能）な
厚さ２μ農程度のホトレジスト膜１７を形成する。

次に第２図（Ｂ）に示すように、ホトレジスト膜１７の
上方よりレンズ本体１ｏを通してレンズ球面部９０を見
ながら、透明ガラス製のマスク５１に形成された露光窓
５２の軸心がレンズ球面部９０の軸心と合致するように
、ホトレジスト膜１７の上方にてマスク５１を位置合わ
せする。なお、露光窓５２はマスク面にクロム膜５３を
蒸着し、形成しようとする下部電極４０Ａと同径（レン
ズ球面部９０の開口径と同径かまたは小さい）の円形に
形成されている。

マスク５１の位置決め後、光５４を上方より照射してホ
トレジスト膜１７を露光する。次に露光されたホトレジ
スト膜１７を現像すると第２図（Ｃ）に示すようにホト
レジスト膜１７に孔１７ａが形成される。上述したよう
にマスク５１の露光窓５２の径はレンズ球面部９０の開
口径と同径かまたは小さく形成され、しかも窓をレンズ
球面部９０と同軸となるように位置決めしているがら、
孔１７ａはレンズ球面部９ｏと対向してその領域内に同
軸で位置する。

その後、ホトレジスト膜１７の上方からその全面にＣｒ
とＡｕを順次に真空蒸着し、第２図（Ｄ）のように、ホ
トレジスト膜１７の表面と孔１７ａ内のレンズ本体１０
の表面に０．１〜０．３μｍ程度のＣｒとＡｕの薄膜４
０Ａ、４０Ｂを形成する。その後、ホトレジスト膜１７
をアセトン等のホトレジスト剥離剤を用いて溶出させる
と、孔１７ａが存在したレンズ本体１０の表面に下部電
極４０Ａが形成される。

次に、下部電極４０Ａが形成されているレンズ本体１０
の表面の所定範囲に、ＺｎＯをスパッタリングして圧電
膜２０を形成し、この圧電膜２０の上にメタルマスクを
用いてＣｒとＡｕを順次に真空蒸着して上部電極３０を
形成する。このようにして第２図（Ｅ）に示す構成の超
音波探触子が得られる。

第１図か−ら明らかなように、本実施例に係る超音波探
触子では、超音波ビームの放射断面積（音場）を決定し
ているのは下部電極４０Ａであり、この下部電極４０Ａ
がレンズ球面部９ｏの開口径と同径はまたは小さくかつ
同軸で構成されている。

そのため、圧電膜２０によって発生した超音波はすべて
レンズ球面部９０内から試料に対して均一に放射される
。その結果、位置ずれに起因するノイズ等が防止され、
高性能な音響レンズ、更には超音波探触子を実現できる
。また、 （イ）下部電極４０Ａを作製するためのマスク５１を透
明ガラスとするとともにホトレジスト膜１７も透明のも
のを使用しているから、やはり透明なレンズ本体１０を
通しレンズ球面部９０を目視しながらマスク５１の露光
窓５２をレンズ球面部９０に同軸に位置決めでき。

（ロ）ホトリソグラフィーによりホトレジスト膜１７に
孔１７ａを形成するようにしているので、孔１７ａの位
置決めの誤差は数μｍ以下であり、下部電極４０Ａとレ
ンズ球面部９０の直径差に比べて微小であるから、 製造時の位置合わせ精度が高くなり、音響レンズの歩留
まりも向上する。

次に本発明の第２の実施例を第３図に基づいて説明する
。

先ず、第３図（Ａ）に示すように、Ｓｉ○、による透明
な絶縁薄膜１６０をλ／４（λは５１０２中での使用す
る超音波の波長）から離れた値の膜厚に成膜し、その上
にホトレジスト膜１１７を設け、第２図（Ｂ）と同様に
、所望の音場の径とほぼ等しい露光窓１５２を有する透
明なガラス製マスク１５１を、透明なホトレジスト膜１
１７．絶縁薄膜１６０およびレンズ本体１１０を介して
レンズ球面部１９０を見ながら同軸となるように位置決
めし、さらにホトリソグラフィによりホトレジスト膜１
１７に孔１１７ａを形成する。

次に第３図（Ｂ）に示すように、孔１１７ａが形成され
たホトレジスト膜１１７・をマスク層として、この孔１
１７ａの部分の絶縁薄膜１６０をドライエツチングまた
はウェットエツチングする。

ウェットエ、ツチングの場合、フッ酸：フッ化アンモニ
ウム＝１＝６のエツチング液を使用する。このエツチン
グによって絶縁薄膜１６０に成膜面１１４に至る孔１６
０ａを形成する。そしてホトレジスト膜１］、７を剥離
した後、第２図（Ｄ）と同じようにＣｒ、Ａｕを順次に
真空蒸着して全面にＣｒ　／　Ａ　ｕ層１４ＯＡ、１４
０Ｂを形成する（第３図（Ｃ））。

その後、Ｃｒ　／　Ａ　ｕ層１４０Ａ、１４０Ｂの上面
にＺｎＯを所定領域のみ堆積させてＺｎ０層１−２ＯＡ
、１２０Ｂを形成するとともに、その上面にＣｒ、Ａｕ
を順次に真空蒸着してＣｒ　／　Ａ　ｕ層１３０Ａ、１
３０Ｂを形成する（第３図（Ｄ））。

これにより、下部電極１４０Ａ、圧電膜１２ＯＡおよび
上部電極１３０Ａから成る超音波発生部を備えた第２の
実施例の超音波探触子が作製される。

なお、図示は省略するが、下部電極１４０Ａのリード引
き出し部も第１図（Ｂ）に示したと同様に形成される。

このような超音波探触子では、絶縁薄膜１６０の膜厚が
λ／４から離れた値の厚みに設定されるので、絶縁薄膜
１６０の上面に形成された圧電膜１２０Ｂによって超音
波がもし発生したとしても、絶縁薄膜１６０に入射した
超音波は絶縁薄膜１６０内で多重反射を繰り返し、その
大部分がレンズ本体１１０に入射することなく絶縁薄膜
１６０内で減衰する。

したがって、この実施例の超音波探触子では超音波の発
生する領域が孔１６０ａによって規定される。

また、この実施例では、レンズ本体１１０としてサファ
イアを使用することにより、レンズ本体１１０と絶縁薄
膜１６０との界面における反射あるいは減衰割合が大き
くなり、音響レンズとしての効率が向上する。更に、絶
縁薄膜１６０は透明膜であれば良く、例えばＣＶＤ法に
よるＳｉＮｘ膜でも良い。

なお、第３図（Ｄ）の後で絶縁薄膜１６０を除去し、下
部電極１４０Ａ、圧電膜１２０Ａおよび上部電極１３０
Ａのみを残すようにしてもよい。

第４図お、よび第５図により第３の実施例に係る超音波
探触子を説明する。

第４図は超音波探触子の全体を示し、レンズ本体２１０
はサファイア等、透明な材質から成り、その上面には光
学研摩された成膜面２１４が形成されるとともに、その
下面には光学研摩等によりレンズ球面部２９０が形成さ
れている。レンズ球面部２９０にはスパッタリングある
いはＣＶＤ法により膜厚がλ／４の音響整合層３６０が
形成されている。レンズ本体２１０の成膜面２１４全面
には、その中心部のレンズ球面部２９０と対峙する領域
を除いた領域に膜厚λ／２の絶縁薄膜２６０Ｂが形成さ
れている。すなわち、絶縁薄膜２６０Ｂの中心部には、
レンズ球面部２９０の開口径と同径またはそれよりも小
さい径でかつ同軸状態に下部電極形状用の孔が形成され
、この孔を覆ってＣｒとＡｕの２層構造の下部電極２４
０が設けられている。さらにこの下部電極２４０の上面
にやや小径のＺｎＯ圧電膜２２０が設けられ、ＺｎＯ圧
電膜２２０の上面に上記孔よりやや大径で圧電膜２２０
より小径にＣｒとＡｕの２層構造の上部電極２３０が設
けられている。

このような第３の実施例に係る超音波探触子は次のよう
に製造することができる。

第５図（Ａ）に示すように、レンズ本体２１０を光学顕
微鏡の試料台にセットし、レンズ本体２１０をその上面
から観察しつつレンズ球面部２９０の頂点Ｘを光学顕微
鏡ＭＳの視野中心に合致させる。

レンズ本体２１０の上面にネガタイプの透明なホトレジ
スト膜２１７を塗布し、第５図（Ｂ）に示すように、は
ぼレンズ球面部２９０の開口径と同径の円形露光窓２５
２を有するメタルマスク２５１を、その露光窓２５２が
レンズ球面部２９０と同軸となるように光学顕微＠ＭＳ
で観察しながら位置合わせをする。つまり露光窓２５２
の中心を顕微鏡の視野中心に位置決めする。

この状態でホトレジスト膜２１７を露光、現像すると第
５図（Ｃ）に示すように、レンズ球面部２９０と同軸、
同径のホトレジスト膜２１７Ａが円形形状に設けられる
。次いで第５図（Ｄ）に示すように、全面にスパッタリ
ングまたはＣｖＤによってＳｉｏ２膜２６ＯＡ、２６０
Ｂを形成する。

その後、ホトレジスト膜２１７Ａを除去し、第５図（Ｅ
）に示すようにＳｉ○２膜２６０Ｂのみを残す。

さらに、マスクを用いてＣｒ、Ａｕを順次に真空蒸着さ
せて下部電極２４０を形成する（第５図（Ｆ））。

その後、第４図に示したような径にＺｎＯをスパッタリ
ングして圧電膜２２０を成膜し、その上面に第４図に示
したような径の上部電極２３０をＣｒとＡｕの２層構造
として真空蒸着する。

なお、この第３の実施例では、下部電極２４０の周縁が
表面に露出しているから、第１図（Ｂ）に示したような
リード引き出し部４１は不要となる。

このような第３の実施例による超音波探触子においても
、先に説明した第２の実施例と同様の作用効果が得られ
る。

以上説明した第１〜第３の実施例はいずれもポイントフ
ォーカス型、すなわちレンズ本体が円柱状で超音波が一
点に集束される音響レンズについて説明したが１本発明
はラインフォーカス型、すなわち、レンズ本体が長方体
で超音波が線状に集束されるものについても同様に適用
できる。この場合、下部電極は細長い帯状に、そしてレ
ンズ凹面部は円筒面に形成され、下部電極の長手軸心が
レンズ凹面部円筒面の長手軸心に合致される。そしてポ
イントフォーカス型レンズの開口径に対しラインフォー
カス型レンズの開口幅および下部電極幅とが対応する。

Ｇ１発明の効果 請求項１に係る超音波探触子では、下部電極の大きさお
よび位置が、凹面シン５ズ部と同軸でかつ同径または同
幅となるように決定されるので、超音波発生部からレン
ズ内に放射される超音波ビームが凹面レンズ部と同軸で
かつ凹面レンズ部からはみ出すことがない。その結果、
従来のような直達波によるノイズや凹面レンズ部をはみ
出した超音波による。レンズ内の多重反射波によるノイ
ズが抑制され、性能の良い超音波探触子が得られる。

また、請求項２による超音波探触子では、下部電極の周
囲を絶縁薄膜で囲繞したり、あるいは下部電極の大きさ
を絶縁薄膜で規定しているので、レンズ本体の一端面と
接する下部電極の大きさで音場が確実に規定される。つ
まり、レンズ本体の一端面と接する下部電極の周りに超
音波発生部がもし形成されそこから超音波が発生しても
、絶縁薄膜でその超音波が減衰してレンズ内に進行する
のが抑制される。

請求項３〜５の製造方法によれば、透明なホトレジスト
や絶縁薄膜を使用し凹面レンズ部をレンズ上方から観察
しながら下部電極の位置を決定できるので、下部電極形
成領域の軸心が凹面レンズ部の軸心と正確に合致できる
。従って、製品歩留りも大幅に向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る超音波探触子を示す構成図である
。 第２図はその製造方法を示す工程図である。 第３図は第２の実施例の超音波探触子の構成と製造方法
を示す図である。 第４図は第３の実施例の超音波探触子の構成を示す構成
図である。 第５図は第３の実施例の超音波探触子の製造方法を示す
工程図である。 第６図は従来の超音波探触子を示す構成図である。 第６＠はその問題点を説明する図である。 １０．１１０．２１０：レンズ本体 ２０．１２０Ａ、２２０：圧電膜 ３０．１３０Ａ、２３０：上部電極 ４０．１４０Ａ、２４０：下部電極 ６０．１６０，２６０：絶縁薄膜 ５１．２５１：マスク ５２．２５２：露光窓

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）透明な音響レンズ本体の一端部には、下部電極と上
   部電極に挟設された圧電膜から成り超音波を音響レンズ
   本体内に放射する超音波発生部が設けられ、前記音響レ
   ンズの他端部には前記放射された超音波を集束させるよ
   うに音響レンズの外方に放射させる凹面レンズ部が形成
   された超音波探触子において、 前記下部電極の大きさおよび位置を、前記凹面レンズ部
   と同軸でかつ同径または同幅となるように決定すること
   を特徴とする超音波探触子。 ２）請求項１の超音波探触子において、 前記音響レンズの一端部には、中央部に前記下部電極の
   大きさおよび位置を規定する孔が形成された透明な絶縁
   薄膜が設けられ、その孔に前記下部電極が配設されてい
   ることを特徴とする超音波探触子。 ３）請求項１の超音波探触子を製造する方法において、 前記超音波発生部が形成される前記音響レンズ本体の一
   端部側に透明なホトレジスト膜を形成し、前記凹面レン
   ズ部を上方から観察しながら、前記下部電極の大きさを
   決める露光窓を有するマスクを、その露光窓が凹面レン
   ズ部の軸心と合致するように位置決めし、 このマスクの露光窓を介してホトレジスト膜を露光した
   後に現像して下部電極形成用の孔を形成し、 この下部電極形成用の孔に下部電極を形成してからホト
   レジスト膜を除去し、さらにその下部電極上に圧電膜お
   よび上部電極を順に積層して超音波発生部を形成するこ
   とを特徴とする超音波探触子の製造方法。 ４）請求項２の超音波探触子を製造する方法において、 前記超音波発生部が形成される前記音響レンズ本体の一
   端部側に透明な絶縁薄膜を形成し、前記絶縁薄膜の上面
   に透明なホトレジスト膜を形成し、 前記凹面レンズ部を上方から観察しながら、前記下部電
   極の大きさを決める露光窓を有するマスクを、その露光
   窓が凹面レンズ部の軸心と合致するように位置決めし、 このマスクの露光窓を介してホトレジスト膜を露光した
   後に現像して下部電極形成用の孔を形成し、 前記ホトレジスト膜の下部電極形成用の孔に対応する前
   記絶縁薄膜をエッチングして下部電極形成用の孔を形成
   し、 前記ホトレジスト膜を除去してから少なくともその下部
   電極形成用の孔に下部電極を形成し、さらに圧電膜およ
   び上部電極を順に積層して超音波発生部を形成すること
   を特徴とする超音波探触子の製造方法。 ５）請求項２の超音波探触子を製造する方法において、 前記超音波発生部が形成される前記音響レンズ本体の一
   端部側に透明なホトレジスト膜を形成し、前記凹面レン
   ズ部を前記ホトレジスト膜側から観察しながら、前記下
   部電極の大きさを決める露光窓を有するマスクを、その
   露光窓が凹面レンズ部の軸心と合致するように位置決め
   し、 このマスクの露光窓を介してホトレジスト膜を露光した
   後に現像して残存するホトレジスト膜で下部電極形成領
   域を規定し、 規定された下部電極形成領域の周囲に絶縁薄膜を形成し
   、 残存するホトレジスト膜を除去して前記絶縁薄膜に下部
   電極用の孔を形成し、 その孔に下部電極を形成し、さらに圧電膜および上部電
   極を順に積層して超音波発生部を形成することを特徴と
   する超音波探触子の製造方法。 ６）請求項１または２に記載の超音波探触子において、 前記下部電極は前記凹面レンズ部の径または幅と同等ま
   たは小さいことを特徴とする超音波探触子。