JPH03175685A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH03175685A JPH03175685A JP31419789A JP31419789A JPH03175685A JP H03175685 A JPH03175685 A JP H03175685A JP 31419789 A JP31419789 A JP 31419789A JP 31419789 A JP31419789 A JP 31419789A JP H03175685 A JPH03175685 A JP H03175685A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- fabry
- humidity
- resonator
- perot resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、例えば光通信の光源に用いられ、半導体レ
ーザの放射光の波長を安定化させる半導体レーザ装置に
関する。
ーザの放射光の波長を安定化させる半導体レーザ装置に
関する。
(従来の技術)
従来より、光通信に用いる半導体レーザ装置として第3
図に示すものがある。第3図において、11は半導体レ
ーザであり、発振波長(発振周波数)を制御することが
できる。この半導体レーザ11の図中左側より出射され
た光S1はレンズ12.13を介して通信用光ファイバ
14の入力端に集光される。また、半導体レーザ11の
図中右側より出射された光S2はレンズ15によって平
行光に変換された後、ビームスプリッタ16によって2
方向に分岐される。分岐された一方の光S3はレンズ1
7を介してフォトダイオード18に集光される。他方の
光S4はファブリペロー共振器19に入射される。
図に示すものがある。第3図において、11は半導体レ
ーザであり、発振波長(発振周波数)を制御することが
できる。この半導体レーザ11の図中左側より出射され
た光S1はレンズ12.13を介して通信用光ファイバ
14の入力端に集光される。また、半導体レーザ11の
図中右側より出射された光S2はレンズ15によって平
行光に変換された後、ビームスプリッタ16によって2
方向に分岐される。分岐された一方の光S3はレンズ1
7を介してフォトダイオード18に集光される。他方の
光S4はファブリペロー共振器19に入射される。
このファブリペロ−共振器19は一対の反射鏡191.
192を互いに光軸上で対向させ、距離りだけ離間させ
て構成したもので、この」(振器19を透過した光は、
第4図に示すような自由スペクトル間隔λ2/2nL(
λ:波長、n:ファブリペロー共振器1つ中の屈折率)
を周期として繰返す特性を持つ光となり、レンズ20を
介してフォトダイオード21に集光される。
192を互いに光軸上で対向させ、距離りだけ離間させ
て構成したもので、この」(振器19を透過した光は、
第4図に示すような自由スペクトル間隔λ2/2nL(
λ:波長、n:ファブリペロー共振器1つ中の屈折率)
を周期として繰返す特性を持つ光となり、レンズ20を
介してフォトダイオード21に集光される。
よって、フォトダイオード21の受光信号は共振器1つ
の透過光が受けた周波数変化に応じて変化する。したが
って、フォトダイオード18゜21の各受光出力の比を
測定すれば、半導体レーザ11の発振波長λを知ること
ができる。一般に、この半導体レーザ11の発振波長を
制御するには、フォトダイオード18.21の出力値の
比から半導体レーザ11の発振波長を検出し、半導体レ
ーザ11の温度、または注入電流を変化させることによ
り、欲する波長に制御する。
の透過光が受けた周波数変化に応じて変化する。したが
って、フォトダイオード18゜21の各受光出力の比を
測定すれば、半導体レーザ11の発振波長λを知ること
ができる。一般に、この半導体レーザ11の発振波長を
制御するには、フォトダイオード18.21の出力値の
比から半導体レーザ11の発振波長を検出し、半導体レ
ーザ11の温度、または注入電流を変化させることによ
り、欲する波長に制御する。
ところで、このような装置に用いられる従来のファブリ
ペロ−共振器の反射鏡は誘電体多層膜で形成されている
。この誘電体多層膜は空気中の湿度により波長特性がシ
フトすることが知られているが、従来ではファブリペロ
ー共振器に用いる反射鏡としては以下の理由により十分
と考えられている。
ペロ−共振器の反射鏡は誘電体多層膜で形成されている
。この誘電体多層膜は空気中の湿度により波長特性がシ
フトすることが知られているが、従来ではファブリペロ
ー共振器に用いる反射鏡としては以下の理由により十分
と考えられている。
■ファプリベロー共振器の特性は、
a−4πnLeosθ/λ
F−πJR/ (1−R)
で与えられる。ここで、αは位相差、θはファブリペロ
−共振器への光入剃角、Fはファブリペロー共振器のフ
ィネス、Rは反射鏡の反射率である。
−共振器への光入剃角、Fはファブリペロー共振器のフ
ィネス、Rは反射鏡の反射率である。
このことから、特性の波長軸に影響を!jえる量はnL
eO8θのみであり、多層膜の波長シフトには依存しな
い。
eO8θのみであり、多層膜の波長シフトには依存しな
い。
■ファブリペロー共振器に用いる誘電体多層膜の反射率
特性は波長にして緩やかに変化する特性である。したが
って、湿度変化による多層膜の波長シフトが生じても反
対率の変化は極めて小さく、問題とならない。
特性は波長にして緩やかに変化する特性である。したが
って、湿度変化による多層膜の波長シフトが生じても反
対率の変化は極めて小さく、問題とならない。
しかし、上記の見解について高精度な実験により確めて
みたところ、実際には反射鏡を形成している誘電体多層
膜が湿度の影響を受けて屈折率が5〜6%変化してしま
い、これによって反射波の位相が変化し、共振器の波長
特性がシフトしてしまった。このようにファブリペロー
共振器の波長特性がシフトすると、該共振器を波長基準
としている半導体レーザの発振波長もシフトしてしまう
ので、湿度に対して安定した動作が得られなくなる。一
般に、湿度は温度とも関係するので、湿度安定性が悪い
装置は温度安定性も良くない傾向にある。
みたところ、実際には反射鏡を形成している誘電体多層
膜が湿度の影響を受けて屈折率が5〜6%変化してしま
い、これによって反射波の位相が変化し、共振器の波長
特性がシフトしてしまった。このようにファブリペロー
共振器の波長特性がシフトすると、該共振器を波長基準
としている半導体レーザの発振波長もシフトしてしまう
ので、湿度に対して安定した動作が得られなくなる。一
般に、湿度は温度とも関係するので、湿度安定性が悪い
装置は温度安定性も良くない傾向にある。
(発明が解決しようとする課題)
以上述べたように従来の半導体レーザ装置では、ファブ
リペロー共振器の反射鏡に用いる誘電体多層膜の屈折率
が湿度変化に伴って変化し、反射波の位相が変化して、
共振器の波長特性をシフトさせてしまうため、湿度に対
して安定した動作が得られなかった。
リペロー共振器の反射鏡に用いる誘電体多層膜の屈折率
が湿度変化に伴って変化し、反射波の位相が変化して、
共振器の波長特性をシフトさせてしまうため、湿度に対
して安定した動作が得られなかった。
この発明は上記の課題を解決するためになされたもので
、湿度変化に対して安定性がよい半導体レーザ装置を提
供することを目的とする。
、湿度変化に対して安定性がよい半導体レーザ装置を提
供することを目的とする。
〔発明の構成]
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するためにこの発明は、半導体レーザの
放射光の一部を誘電体多層膜による反射鏡を組合わせて
構成されるファブリペロ−共振器を介して受光素子で受
光し、この受光信号に基づいて前記半導体レーザの発振
を制御して放射光の波長を安定化する半導体レーザ装置
において、gl:c!ソフアリペロ−共振器を完全気密
封止し、該共振器が湿度の影響を受けないようにする湿
度補償手段を具備して構成される。
放射光の一部を誘電体多層膜による反射鏡を組合わせて
構成されるファブリペロ−共振器を介して受光素子で受
光し、この受光信号に基づいて前記半導体レーザの発振
を制御して放射光の波長を安定化する半導体レーザ装置
において、gl:c!ソフアリペロ−共振器を完全気密
封止し、該共振器が湿度の影響を受けないようにする湿
度補償手段を具備して構成される。
特に、前記湿度補償手段は、前記ファブリペロ−共振器
をその先人出射端近傍に窓部材を配置したパッケージに
収納することにより完全気密封止することをl特徴とす
る。
をその先人出射端近傍に窓部材を配置したパッケージに
収納することにより完全気密封止することをl特徴とす
る。
また、前記パッケージ内に高純度不活性ガスもしくは窒
素ガスを封入することを特徴とする特(作 用) 上記構成の半導体レーザ装置では、ファブリペロ−共振
器を完全気密封止することにより、誘7は体多jφ膜の
湿度による屈折率変化をなくし、反射波の位相変化を抑
え、・これによってファブリペロ−共振器の波長特性シ
フトを抑圧するようにしている。
素ガスを封入することを特徴とする特(作 用) 上記構成の半導体レーザ装置では、ファブリペロ−共振
器を完全気密封止することにより、誘7は体多jφ膜の
湿度による屈折率変化をなくし、反射波の位相変化を抑
え、・これによってファブリペロ−共振器の波長特性シ
フトを抑圧するようにしている。
特に、ファブリペロ−共振器をその先人出射端近傍に窓
部材を配置したパッケージに収納することにより完全気
密封止すれば、外部との干渉がなくなり、さらに温度に
よる影響が少なくなる。
部材を配置したパッケージに収納することにより完全気
密封止すれば、外部との干渉がなくなり、さらに温度に
よる影響が少なくなる。
また、前記パッケージ内に高純度ガスを封入すれば、パ
ッケージ内の水分がなくなり、完全に湿度による影響を
なくすことができる。
ッケージ内の水分がなくなり、完全に湿度による影響を
なくすことができる。
(実施例)
以下、この発明の実施例を第1図及び第2図を参照して
説明する。但し、第1図及び第2図において第3図と同
一部分には同一符号を付して示し、ここでは異なる部分
を中心に説明する。
説明する。但し、第1図及び第2図において第3図と同
一部分には同一符号を付して示し、ここでは異なる部分
を中心に説明する。
第1図は第1の実施例を示すもので、反射鏡19+、1
9□は誘電体多層膜で形成されている。
9□は誘電体多層膜で形成されている。
このため、前述のように湿度の影響を受けて反射光の位
相が変化し、その結果ファプリペロー共振器19の波長
特性がシフトする。そこで、ここではファブリペロ−共
振器19を完全気密封止するため、装置全体をパッケー
ジ22内に収納する。
相が変化し、その結果ファプリペロー共振器19の波長
特性がシフトする。そこで、ここではファブリペロ−共
振器19を完全気密封止するため、装置全体をパッケー
ジ22内に収納する。
このような構成によれば、水分の出入りがなくなり、フ
ァブリペロ−共振器19に対する湿度が一定となる。す
なわち、通常、半導体レーザ装置はペルチェ素子等によ
り温度制御を行うので、水分量、温度が一定ならばパッ
ケージ22内の湿度は一定値になる。温度制御しない場
合には、水分量が一定でも湿度は一定にならないので、
水分のない高純度な不活性ガスあるいは窒素を封入して
おく。
ァブリペロ−共振器19に対する湿度が一定となる。す
なわち、通常、半導体レーザ装置はペルチェ素子等によ
り温度制御を行うので、水分量、温度が一定ならばパッ
ケージ22内の湿度は一定値になる。温度制御しない場
合には、水分量が一定でも湿度は一定にならないので、
水分のない高純度な不活性ガスあるいは窒素を封入して
おく。
したがって、上記構成による半導体レーザ装置は、ファ
ブリペロー共振器19に対する湿度が一定となるため、
反射鏡19+、19□の屈折率も一定となって高い精度
で半導体レーザ11の発振波長を検出できるようになり
、これによって波長の安定した放射光を得ることができ
る。
ブリペロー共振器19に対する湿度が一定となるため、
反射鏡19+、19□の屈折率も一定となって高い精度
で半導体レーザ11の発振波長を検出できるようになり
、これによって波長の安定した放射光を得ることができ
る。
第2図は第2の実施例を示すものである。この夫地例で
は、ファブリペロ−共振器30は平行板30、の先人出
面に反射鏡302,303を形成して構成される。この
ファブリペロ−共振器30は完全気密封止するため、窓
部材311,312を備えた蓋313及び筺体314か
らなるパッケージ31内に収められ、湿度の影響を受け
ないようになされている。窓部材311.312はガラ
ス、サファイア等を用いればよい。
は、ファブリペロ−共振器30は平行板30、の先人出
面に反射鏡302,303を形成して構成される。この
ファブリペロ−共振器30は完全気密封止するため、窓
部材311,312を備えた蓋313及び筺体314か
らなるパッケージ31内に収められ、湿度の影響を受け
ないようになされている。窓部材311.312はガラ
ス、サファイア等を用いればよい。
この構成の特徴は以下の点にある。すなわち、第1の実
施例では、パッケージ22内に高純度ガスを充填すると
、組立て時とは異なる波長特性にシフトしてしまうが、
第2の実施例では、予めファブリペロ−具振器30をパ
ッケージ31内に収納した後にレーザ装置に取付けるの
で、パッケージ31に収納して波長特性がシフ)・シて
も、レーザ装置に取付ける際に入射角度を調整すること
により波長特性を決めることができる。したがって、第
2の実施例の構成によれば、高純度ガスの封入を容易に
行うことができる。
施例では、パッケージ22内に高純度ガスを充填すると
、組立て時とは異なる波長特性にシフトしてしまうが、
第2の実施例では、予めファブリペロ−具振器30をパ
ッケージ31内に収納した後にレーザ装置に取付けるの
で、パッケージ31に収納して波長特性がシフ)・シて
も、レーザ装置に取付ける際に入射角度を調整すること
により波長特性を決めることができる。したがって、第
2の実施例の構成によれば、高純度ガスの封入を容易に
行うことができる。
尚、この発明の適用はtjSl、第2の実施例に示すよ
うな波長検出系に限定されるものではなく、例えばファ
ブリペロ−共振器の共振器長を交流信号で変調し、ファ
ブリペロー共振器の透過光を受光し、この受光信号と前
記交流信号を同期検波することにより、波長の誤差信号
を得るものに対しても適用できる。
うな波長検出系に限定されるものではなく、例えばファ
ブリペロ−共振器の共振器長を交流信号で変調し、ファ
ブリペロー共振器の透過光を受光し、この受光信号と前
記交流信号を同期検波することにより、波長の誤差信号
を得るものに対しても適用できる。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、ファブリペロー共振器
を完全気密封止しているので、湿度に対して安定化され
、また湿度は温度にも関係するので、環境の温度変化に
対しても安定化され、さらに一般的な信頼性向上も期待
できる半導体レーザ装置を捉供することができる。
を完全気密封止しているので、湿度に対して安定化され
、また湿度は温度にも関係するので、環境の温度変化に
対しても安定化され、さらに一般的な信頼性向上も期待
できる半導体レーザ装置を捉供することができる。
第1図はこの発明に係る半導体レーザ装置の第1の実施
例の構成を示す斜蜆図、第2図はこの発明に係る半導体
レーザ装置の他の実施例の構成を示す斜視図、第3図は
従来の半導体レーザ装置の一般的な構成を示す斜視図、
第4図は上記半導体レーザ装置に用いられるファブリペ
ロ−共振器の波長特性を示す特性図である。 11・・・半導体レーザ、12,13,15゜17.2
0・・・レンズ、14・・・通信用光ファイバ、16・
・・ビームスプリッタ、18.21・・・フォトダイオ
ード、19.30・・・ファブリペロー共振器、191
.192,302.30*・・・反射鏡、22゜31・
・・パッケージ、23,311.31□・・・窓部材、
30.・・・平行板、313・・・蓋、314・・・筐
体。
例の構成を示す斜蜆図、第2図はこの発明に係る半導体
レーザ装置の他の実施例の構成を示す斜視図、第3図は
従来の半導体レーザ装置の一般的な構成を示す斜視図、
第4図は上記半導体レーザ装置に用いられるファブリペ
ロ−共振器の波長特性を示す特性図である。 11・・・半導体レーザ、12,13,15゜17.2
0・・・レンズ、14・・・通信用光ファイバ、16・
・・ビームスプリッタ、18.21・・・フォトダイオ
ード、19.30・・・ファブリペロー共振器、191
.192,302.30*・・・反射鏡、22゜31・
・・パッケージ、23,311.31□・・・窓部材、
30.・・・平行板、313・・・蓋、314・・・筐
体。
Claims (3)
- (1)半導体レーザの放射光の一部を、誘電体多層膜に
よる反射鏡を組合わせて構成されるファブリペロー共振
器を介して受光素子で受光し、この受光信号に基づいて
前記半導体レーザの発振を制御して放射光の波長を安定
化する半導体レーザ装置において、前記ファブリペロー
共振器を完全にに気密封止し、該共振器が湿度の影響を
受けないようにする湿度補償手段を具備する半導体レー
ザ装置。 - (2)前記湿度補償手段は、ファブリペロー共振器をそ
の光入出射端近傍に窓部材を配置したパッケージに収納
することにより完全気密封止することを特徴とする請求
項(1)記載の半導体レーザ装置。 - (3)前記パッケージ内に高純度不活性ガスもしくは窒
素ガスを封入することを特徴とする請求項(2)記載の
半導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31419789A JPH03175685A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体レーザ装置 |
| GB9006980A GB2231713B (en) | 1989-03-30 | 1990-03-28 | Semiconductor laser apparatus |
| US07/501,045 US4998256A (en) | 1989-03-30 | 1990-03-29 | Semiconductor laser apparatus |
| GB9316180A GB2268323B (en) | 1989-03-30 | 1993-08-04 | Semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31419789A JPH03175685A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175685A true JPH03175685A (ja) | 1991-07-30 |
Family
ID=18050439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31419789A Pending JPH03175685A (ja) | 1989-03-30 | 1989-12-05 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03175685A (ja) |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31419789A patent/JPH03175685A/ja active Pending
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