JPH03176657A - 集積型センサとその製造方法 - Google Patents

集積型センサとその製造方法

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JPH03176657A
JPH03176657A JP1316729A JP31672989A JPH03176657A JP H03176657 A JPH03176657 A JP H03176657A JP 1316729 A JP1316729 A JP 1316729A JP 31672989 A JP31672989 A JP 31672989A JP H03176657 A JPH03176657 A JP H03176657A
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oxygen
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博章 鈴木
Fumio Takei
文雄 武井
Akio Sugama
明夫 菅間
Naomi Kojima
小嶋 尚美
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 酸素電極または酵素電極同士、或いは組み合わせからな
る集積型センサに関し、 集積型センサを実用化することを目的とし、シリコン基
板に異方性エツチングを行って傾斜したエツチング面を
もつ穴を作り、該基板の表面に酸化膜を設けて絶縁基板
とした後、紋穴の底部より基板面に亙って二個の電極を
設け、前記穴の中に電解液を含有するゲルを充填した後
、穴の上面をガス透過性膜で被覆して構成される酸素電
極、或いは該酸素電極のガス透過膜の上に更に酵素を固
定して構成される酵素電極、の各センサについて、同種
或いは異種のセンサ同士を基板裏面で接合して構成する
と共に、この接合が、異方性エツチングが終わり、酸化
膜を除去したシリコン基板面を硫酸と過酸化水素との混
合液中で洗浄して親水性にした後に乾燥し、張り合わせ
た状態で加熱して脱水縮合させることを特徴として集積
型センサの製造方法を構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積型センサとその製造方法に関する。
小形酸素電極は溶存酸素濃度の測定に用いられている。
例えば、水質保全の見地から水中の生化学的酸素供給量
(Biological Oxygen Demand
  略称BOD)の測定が行われているが、この溶存酸
素濃度の測定には酸素電極が使用されている。
また、醗酵工業において、効率よくアルコール醗酵を進
めるためには、醗酵槽中の溶存酸素濃度の調整が必要で
あり、この測定に酸素電極が使われ、また、グルコース
やアミノ酸の測定には酵素電極が使われている。
また、臨床医療の分野において、酸素電極や酵素電極は
カテーテル(Katheter)に装着し、体内に挿入
して使用されている。
〔従来の技術〕
従来の酸素電極や酵素電極はガラスや高分子化合物から
なり、先端が開口した円筒状のセルの中に陽極と陰極を
設け、また、このセルの中に電解液を充填すると共に、
先端の開口部に酸素透過膜を設けて酸素電極が形成され
ている。
また酵素電極の場合は更にこの酸素透過膜の上に酵素を
固定して形成されている。
然し、このような構造をとる限り、小形化には限度があ
り、また量産も困難であった。
そこで、この問題を解決するため、発明者等はシリコン
(Si)基板を用い、異方性エツチングを行って多数の
穴をパターン精度よく開けた後、写真蝕刻技術(フォト
リソグラフィ)を用いて二つの電極を形成し、この穴の
中に電解液含有体を収容し、最後に穴の上面をガス透過
膜で覆った新しいタイプの小型酸素電極を提案している
(特願昭62−71739.昭和62年3月27日出願
)この酸素電極は小型で特性の変動が少なく、また量産
に適している。
そして、電解液含有体としてはアガロースゲル(寒天)
を使用していた。
然し、アガロースゲルの場合はSi基板上の微少な穴の
中にマイクロピペットを用いて1回ずつ繰り返し注入し
なければならないと云う煩わしさがあった。
そこで、発明者等はポリアクリルアミドゲルを用い、S
i基板上に設けた多くの微少穴の中にのみ一括してゲル
を注入する方法を見出し出願を行っている。
(特願昭62−148221.昭和62年6月15日出
願)また、アルギン酸カルシウムゲルを用いるものにつ
いても同様に出願を行っている。
(特願昭63−176978.昭和63年7月18日出
願)後者の製造方法について説明すると、写真蝕刻技術
と異方性エツチング技術を用いて多数の穴を開けて後、
電極を形成したSi基板上に1、この穴の部分を除いて
ネガ型のレジストを被覆し、この基板を電解液を含んだ
アルギン酸ナトリウム水溶液に浸漬し、それぞれの穴に
水溶液を満たした状態で、電解液を含む塩化カルシウム
水溶液に浸漬することにより、電解液を含んだアルギン
酸カルシウムの多孔質担体を穴の中に析出させる方法で
ある。
第2図はこのようにして製造された小型酸素電極lの斜
視図、また第3図は第2図X−X−線における小型酸素
電極の断面図、また第4図はこの製造プロセスの断面図
を示すものである。
いま、この構造と製造プロセスを説明すると次のように
なる。
第2図と第3図において、(100)面を表面にもつシ
リコン(Si)基板2を写真蝕刻技術(フォトリソグラ
フィ)を用いて異方性エツチングを行って角形の穴を開
けた後、熱酸化により二酸化シリコン(5iOz)から
なる酸化膜3を設けて絶縁し、この穴の中から基板2の
表面にかけて電極4゜4′を対向してパターン形成を行
う。
次に、この穴の中に電解液を含んだアルギン酸カルシウ
ムからなる電解液含有ゲル6を入れ、この上にガス透過
膜7で覆った構造である。
第4図(A)〜(D)はこの製造工程を具体的に示すも
のである。
すなわち、(100)面を基板面とし、厚さが350μ
mで直径が2インチのSi基板2を過酸化水素(H20
□)とアンモニア(NH,)の混合溶液と濃硝酸(HN
O3)で洗浄した後、このSi基板2を水蒸気の存在の
もとて約1000℃でウェット酸化し、Si基板2の全
面に厚さが約0.8μmのSiO2からなる酸化膜3を
形成する。
次に、粘度が約60cPのネガ型レジスト(東京応化製
、 OMR−83)をSi基板2の表裏にスピンコード
してレジスト膜を形成した後、表面のレジスト膜に投影
露光を行い、穴形成部を窓開けする。
次に、50%弗酸(f(F) : 40%弗化アンモン
(Nl(4F)=l:6の水溶液にSi基板2を浸漬し
、露出部の酸化膜3を除いた後、引き続いて硫酸(H2
SO,) :H2O2= 2 : 1溶液を用いてレジ
ストを除去する。
次に、液温か80°Cで濃度が35%の水酸化カリウム
(KOH)水溶液に浸漬して異方性エツチングを行い、
深さが300μmまでエツチングした後、Si基板2を
純水でよく洗浄する。
その後、エツチング時に使用したSiO□膜を先と同じ
50%HF : 40%NH4F= l : 6の水溶
液を用いて除去した後、再びウェット酸化を行って膜厚
0.8μmのSiO2よりなる酸化膜3を形成する。
次に、このSi基板2の上に真空蒸着法でクローム(C
r)を400Aと金(Au)を4000人を形成した後
、先と同じネガ型レジスト(OMR−83)を使用して
電凰形成用のレンストパターンを形成した後、Au膜は
沃化カリ(KI)4gと法度(12)Igを40 m+
1の水に溶した液で、またCr膜は苛性ソーダ0.5g
とフェリシアン化カリ (K3Fe(CN)s 〕を4
 mi!の水に溶した液を用いでエツチングし、電極4
,4′を形成する。(以上第4図A) 次に、Si基板2の上で穴と、電極引き出し部を除<S
i基板2の上をネガ型レジスト(OMR−83)で覆っ
てレジスト膜5を形成した後、濃度1モルのNaOH溶
液に浸漬してレジストで覆われていない部分を親水性に
する。
(以上同図B) 次に、アルギン酸ナトリウムを0.1モルの塩化カリ(
KCj2)水溶液に溶解して0.2%濃度としたA液と
、 5%の塩化カルシウム(CaC12)を含む0.1モル
のKIJ’水溶液からなるB液を準備する。
そして、先ずSi基板をA液に浸漬し、ゆっくりと引き
上げるとレジスト膜5は疎水性のためA液は穴の中にの
み残っており、次いでB液に浸すとアルギン酸カルシウ
ムからなる電解波含有ゲル6ができる。(以上同図C) 次に、電解液含有ゲル6の上に、そのゲルを覆うように
レジスト(例えばOMR−83)などからなるガス透過
膜7を被覆することにより、小型酸素電極が完成する。
(以上同図D) 以上記した小型の酸素電極の製造方法は量産に適した方
法であり、コスト低減が可能となった。
然し、バイオセンサの用途としては溶存酸素濃度のみを
単独に測定する場合よりも、溶存酸素濃度とグルコース
濃度、また、溶液中のアミノ酸濃度とグルコース濃度と
云うように、種類の異なる物質の濃度を同時測定する用
途が多い。
そのため、同時測定が可能なバイオセンサの実用化が望
まれていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
発明者等が提案している小型センサはSi基板を用いて
なる単一のバイオセンサであって、複数種の濃度を同時
測定するには複数の酵素電極あるいはこれと酸素電極を
組み合わせて使用する必要がある。
そこで、これらが一体化した集積型のバイオセンサを開
発することが課題である。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題はSi基板に異方性エツチングを行って傾斜
したエツチング面をもつ穴を作り、この基板の表面に酸
化膜を設けて絶縁基板とした後、穴の底部より基板面に
亙って二個の電極を設け、この穴の中に電解液を含有す
るゲルを充填した後、穴の上面をガス透過性膜で被覆し
て構成される酸素電極、或いは該酸素電極のガス透過膜
の上に更に酵素を固定して構成される酵素電極、の各セ
ンサについて、同種或いは異種のセンサ同士を基板裏面
で接合して構成すると共に、この接合が、異方性エツチ
ングが終わり、酸化膜を除去したSi基板面を硫酸と過
酸化水素との混合液中で洗浄して親水性にした後に乾燥
し、張り合わせた状態で加熱して脱水縮合させることを
特徴として集積型センサの製造方法を構成することによ
り解決することができる。
〔作用〕
複数のセンサを一体化する方法としては、■ 同一基板
上に種類の異なるセンサを作り、複数個を単位として切
断し分離する方法。
■ 基板の表裏に種類の異なるセンサを作り、この基板
を切断して分離する方法。
■ 種類の異なるセンサを作った二枚の基板を張り合わ
せ、この基板を切断して表裏に異なるセンサを作る方法
などがある。
然し、■については、酸素電極と酵素電極或いは種類の
異なる酵素電極をSi基板上の片面にマトリックス上に
多数形成することはデ、ソドスペースとクロストークの
問題があり、センサの配列の決定には試行錯誤を必要と
する。
また、■についてはSi基板として数100μmと薄い
基板を用いるために、両面より深さが300μm程度の
穴を開けると相互に貫通する恐れがあり、また、薬品処
理により基板の材質が脆くなることから製造歩留まりが
極端に低下すると云う問題がある。
以上のことから、■の張り合わせ構造が適している。
次に、張り合わせ法としては基板の裏面同士を接着剤を
用いて接着する方法もあるが、このセンサは水溶液中で
使用するものであり、長い間には接着剤が劣化して剥離
したり、絶縁性が低下したりする。
そこで、この集積型センサの製造においては、平坦なS
i基板面を親水性にした後に接着し、高温に加熱するこ
とにより脱水縮合させて接合する方法をとる。
すなわち、Si基板を親水性にして表面のSi原子に水
酸基(OH基)を付着させた状態で接着し、OH基同士
が吸引しあった状態で高温に加熱すると、20H→0 
 +  H2O・・・(1)の脱水縮合反応により8.
0がとれ、5i−0−3iの強固な接合ができあがる。
本発明はこの方法により集積型センサを形成するもので
ある。
〔実施例〕
以下の工程は酸素濃度とグルコース濃度を同時に測定で
きる酸素電極と酵素電極からなる集積型センサの製造例
である。
まず、(100)面を表面にもつ厚さが350μmで直
径が2インチのSiウエハニ枚を用意し、過酸化水素(
H20□)とアンモニア(NH3)の混合溶液と濃硝酸
(HNO3)を用いて洗浄した。
次に、このSiウェハをウェット熱酸化し、この全面に
膜厚が0.8μmの5if2膜を形成した。
次に、ネガ型のフォトレジスト(東京応化製。
OMR−83,粘度60 cP)を使用してウェハの表
裏に塗布し、80℃で30分加熱した後、ウェハの表面
にエツチング用レジストパターンを形成した。
次に、50%弗酸(HF) : 40%弗化アンモニウ
ム(NH4F)= 1 : 6の水溶液にウェハを浸漬
し、フォトレジストが被覆されていない露出部のSiO
□膜をエツチングにより除去し、引き続いて硫酸(H,
504) : H2O2= 2 二lの溶液を用いてレ
ジストを除去した。
次に、80℃の35%水酸化カリウム(KOH)溶液中
でSiの異方性エツチングを行い、深さ300μmの穴
を開けた後、ウェハを純水で洗浄した。
この異方性エツチングの終了後に50%HF:40%N
l(、F= 1 : 6の水溶液にウェハを浸漬し、エ
ツチング時に使用した5i02膜を除去した。
(以上第1図A) 次に、H2SO4:H2O2=2 : lの溶液中で5
分間洗浄した後、沸騰した純水で良く洗浄し、乾燥した
後、清浄な雰囲気の許で位置合わせを行いながら張り合
わせ、N2雰囲気の許で1000°Cで3時間加熱する
とウェハ同士は強固に接着した。(以上同図B) 次に、SiウェハをH20□とNH3の混合溶液と濃H
NO3を用いて洗浄した後、1000°Cでウェット酸
化して膜厚が0.8μmの5i02膜11を形成した。
次に、真空蒸着法により厚さが400Aのクローム(C
r)膜と、この上に厚さが400OAの金(Au)の薄
膜を形成し、ネガ型フォトレジスト(東京応化製。
OMR−83,粘度60cP)を使用してSin□膜上
に電極形成用のレジストパターンを形成した。
そして、露出したAu膜はAuのエツチング液(4gの
Klと1gの■2を40 mlのH,0に溶した液)で
、またCrはCrのエツチング液(0゜5gのNa0f
(とIgのに3Fe(CN)eを4mlのLOに溶した
液)を使用して除去した後、純水で洗浄した後、H,S
O4:H20□−2:1の溶液に浸漬してレジストを除
去し、接合した基板の両面にAu電極12を形成した。
(以上同図C) 次に、本体表面で穴および電気的コンタクトをとるパッ
ド以外のところをネガ型フォトレジスト(OMR−83
)で被覆してレジスト膜13を作り、この状態でチップ
の切り出しを行った。
次に、チップを1モルのNaOH水溶液に浸漬すると、
レジストに覆われていない所が親水性になった。
次に、アルギン酸カルシウムを充填するために次のA液
とB液とを準備した。
A液ニアルギン酸ナトリウムを0.1モルのKCl溶、
夜中に溶解したもの、こ\でアルギン酸ナトリウムの濃
度は0.4%。
B液: CaCl2を0.1モルのKCI水溶液中に溶
解したもの、こ5でCaC12の濃度は5%。
先ず、A液にチップを浸漬してゆっくりと引き上げたと
ころ、ネガ型のレジスト膜13は疎水性であるので、A
液はレジスト膜13から弾かれて穴の中にのみ残った。
このチップをB液に浸漬したところA液は瞬時にゲル化
して電解液含有ゲル14ができた。
(以上同図D) 次に、チップをシリコーン樹脂液(KR−5240,信
越シリコーン製)に浸漬することにより、電解液含有ゲ
ル14の上にガス透過性膜15を被覆することができ、
これにより二つの酸素電極16ができた。
(以上同図E) 次に、一方の酸素電極16のガス透過性膜I5の上にグ
ルコースオキシダーゼ17を固定した。
この固定法は、一方の酸素電極16でガス透過性膜15
が付いている感応部をグルコースオキシダーゼ5 mg
、 10%牛血清アルブミン200μl、25%グルタ
ルアルデヒドlOμlを含む混合溶液中に浸漬し、引き
上げて反応させた後、純水で濯ぐことにより行い、これ
により酵素電極18ができた。
以上の方法により酸素電極16と酵素電極18とからな
る集積型センサが完成した。(以上同図F)〔発明の効
果〕 本発明の実施により、センサ相互間のクロストークがな
く、小型な集積型センサを大量且つ容易に製造すること
ができる。
第2図は小型酸素電極の斜視図、 第3図は第2図X−X−線における小型酸素電極の断面
図、 第4図は小型酸素電極の製造プロセスを示す断面図、 である。
13はレジスト膜、    14は電解液含有ゲル、1
5はガス透過性膜、   16は酸素電極、17はグル
コースオキシダーゼ、 18は酵素電極、 である。
小型酸系電極 ノ1\さ凭酸素電1Mの芽ントネ具り巨1第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シリコン基板に異方性エッチングを行って傾斜し
    たエッチング面をもつ穴を作り、該基板の表面に酸化膜
    を設けて絶縁基板とした後、該穴の底部より基板面に亙
    って二個の電極を設け、前記穴の中に電解液を含有する
    ゲルを充填した後、穴の上面をガス透過性膜で被覆して
    構成される酸素電極、或いは該酸素電極のガス透過膜の
    上に更に酵素を固定して構成される酵素電極、の各セン
    サについて、 同種或いは異種のセンサ同士を基板裏面で接合してなる
    ことを特徴とする集積型センサ。
  2. (2)前記センサ基板の接合が、異方性エッチングが終
    わり、酸化膜を除去したシリコン基板面を硫酸と過酸化
    水素との混合液中で洗浄して親水性にした後に乾燥し、
    張り合わせた状態で加熱して脱水縮合させることを特徴
    とする集積型センサの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7144486B1 (en) * 1997-04-30 2006-12-05 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Multilayer microcavity devices and methods
JP2014006128A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Omron Corp ガスセンサおよびガスセンシング方法

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