JPH03176905A - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
- Publication number
- JPH03176905A JPH03176905A JP31485889A JP31485889A JPH03176905A JP H03176905 A JPH03176905 A JP H03176905A JP 31485889 A JP31485889 A JP 31485889A JP 31485889 A JP31485889 A JP 31485889A JP H03176905 A JPH03176905 A JP H03176905A
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- JP
- Japan
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- powder
- weight
- parts
- conductive paste
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、導電性ペース１〜に関し、詳しくは導電粉末
としてＣｕ粉末を用いた大気焼成可能な導電性ペースト
に関する。
としてＣｕ粉末を用いた大気焼成可能な導電性ペースト
に関する。
（従来の技術）
一般に、導電性ペーストは、導体回路、セラミックコン
デンサの電極、電磁波シールド材プラズマデイスプレー
の電極等に用いられ、特にＤＣ型プラズマデイスプレー
用の電極としての用途が有望視されている。
デンサの電極、電磁波シールド材プラズマデイスプレー
の電極等に用いられ、特にＤＣ型プラズマデイスプレー
用の電極としての用途が有望視されている。
例えばプラズマデイスプレーは、ガラス製のバックプレ
ート基板上に電極（陰極）をプリント形成する一方、カ
バープレートの側に陰極に対向させ透明電極を形成し、
両電極間に電圧を印加して放電させ発色させるものであ
り、これはＮｉ等の金属導電性ペーストをバックプレー
ト基板上にスクリーン印刷して厚膜形成し、その後これ
を乾燥した後、大気焼成して電極を形成する。
ート基板上に電極（陰極）をプリント形成する一方、カ
バープレートの側に陰極に対向させ透明電極を形成し、
両電極間に電圧を印加して放電させ発色させるものであ
り、これはＮｉ等の金属導電性ペーストをバックプレー
ト基板上にスクリーン印刷して厚膜形成し、その後これ
を乾燥した後、大気焼成して電極を形成する。
この種の導電性ペーストにおいては、その製造時、大気
焼成して電極等を形成するときＮｉが酸化されて導電性
を消失しやすいので、従来のペースト組成中にＢを含有
させてＮｉの酸化を防止することが考えられている。そ
の−例が特公昭５５５１２８５号および特公昭６Ｃ）−
１６０４１号公報に開示されている。このうち前者のも
のはＮｉおよびＢを（Ｎｉａ Ｂ）ａ （Ｎｉ３Ｓｉ
）ｂの組成物の形で含有するものであり、後者のものは
Ｎｉ粉末中にＢ粉末を添加させた形態のもので、何れも
Ｂの選択的酸化反応によってＮｉの酸化反応を防止する
ものである。
焼成して電極等を形成するときＮｉが酸化されて導電性
を消失しやすいので、従来のペースト組成中にＢを含有
させてＮｉの酸化を防止することが考えられている。そ
の−例が特公昭５５５１２８５号および特公昭６Ｃ）−
１６０４１号公報に開示されている。このうち前者のも
のはＮｉおよびＢを（Ｎｉａ Ｂ）ａ （Ｎｉ３Ｓｉ
）ｂの組成物の形で含有するものであり、後者のものは
Ｎｉ粉末中にＢ粉末を添加させた形態のもので、何れも
Ｂの選択的酸化反応によってＮｉの酸化反応を防止する
ものである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、これら従来の導電性ペーストは、その製
造法および特性の点で次のような問題を有している。
造法および特性の点で次のような問題を有している。
すなわち、前者の特公昭５５−５１２８５号公報に記載
のものの場合、（Ｎ １３Ｂ） ｓ （Ｎ １３Ｓｉ
）ｂの組成物を製造するにはＮｉにＢを添加して溶解し
凝固させた後粉砕する必要があり、このときＢの比重が
Ｎｉに比べて約１／４と軽いために均一な組成物の製造
が困難であり、しかも粉砕して粒状粉末にするために製
造コストが高くなるのに加えて、粉末形状は角ばった形
状となり、ペーストを基板上に印刷形成する際の印刷性
が悪い。
のものの場合、（Ｎ １３Ｂ） ｓ （Ｎ １３Ｓｉ
）ｂの組成物を製造するにはＮｉにＢを添加して溶解し
凝固させた後粉砕する必要があり、このときＢの比重が
Ｎｉに比べて約１／４と軽いために均一な組成物の製造
が困難であり、しかも粉砕して粒状粉末にするために製
造コストが高くなるのに加えて、粉末形状は角ばった形
状となり、ペーストを基板上に印刷形成する際の印刷性
が悪い。
また後者の特公昭６０−１６０４１号に記載のものの場
合、Ｂが比較的多量に添加されるために（Ｂの添加量は
４〜５０％）、酸化生成したＢ２Ｏ３が表面にガラス状
に浮上し、これら多量のＢ２Ｏ３が不純物となって電気
抵抗値を増大させるという問題がある。
合、Ｂが比較的多量に添加されるために（Ｂの添加量は
４〜５０％）、酸化生成したＢ２Ｏ３が表面にガラス状
に浮上し、これら多量のＢ２Ｏ３が不純物となって電気
抵抗値を増大させるという問題がある。
本発明は、このような問題点を解決するためになされた
もので、本発明が解決しようとする課題は、Ｎｉに代え
て相対的に安価なＣｕを用い、流動性、成形性、印刷性
に優れ、かつ比較的高温の７００℃付近にて大気焼成可
能で、導電性の高い導電性組成物を製造可能な導電性ペ
ーストを提供することにある。
もので、本発明が解決しようとする課題は、Ｎｉに代え
て相対的に安価なＣｕを用い、流動性、成形性、印刷性
に優れ、かつ比較的高温の７００℃付近にて大気焼成可
能で、導電性の高い導電性組成物を製造可能な導電性ペ
ーストを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、前記課題を解決するためになされたもので、
その要旨とするところは、Ｃｕ粉末、Ｂ粉末、Ｓｉ粉末
、Ｂ２Ｏ３粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルよ
りなる導電性ペーストであって、その組成が、（イ）前
記Ｂ粉末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部
に対し３．５〜３．９重量部、（ロ）前記Ｓｉ粉末は、
Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対し２．０
〜２０．０重量部、（ハ）前記Ｂ２Ｏ３粉末は、Ｃｕ粉
末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対し２．０〜３０
．０重量部、（ニ）前記ガラスフリットは、Ｃｕ粉末と
Ｂ粉末の合計重量１００重量部に対し１０〜３０重量部
であることを特徴とする。
その要旨とするところは、Ｃｕ粉末、Ｂ粉末、Ｓｉ粉末
、Ｂ２Ｏ３粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクルよ
りなる導電性ペーストであって、その組成が、（イ）前
記Ｂ粉末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部
に対し３．５〜３．９重量部、（ロ）前記Ｓｉ粉末は、
Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対し２．０
〜２０．０重量部、（ハ）前記Ｂ２Ｏ３粉末は、Ｃｕ粉
末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対し２．０〜３０
．０重量部、（ニ）前記ガラスフリットは、Ｃｕ粉末と
Ｂ粉末の合計重量１００重量部に対し１０〜３０重量部
であることを特徴とする。
本発明による導電性ペーストは、Ｃｕ粉末を主成分に用
いているので製造コストはＮｉ扮粉末用いた場合に比べ
安価なものとなり、またＢ粉末の含有量をＣｕ粉末とＢ
粉末の合計重量１００部に対し３．５〜３．９重量部の
範囲にしその分Ｃｕ粉末を多くしているため導電性が向
上する。したがって、プラズマデイスプレーの電極形成
に本発明を適用した場合に画像の鮮明度が良好となる。
いているので製造コストはＮｉ扮粉末用いた場合に比べ
安価なものとなり、またＢ粉末の含有量をＣｕ粉末とＢ
粉末の合計重量１００部に対し３．５〜３．９重量部の
範囲にしその分Ｃｕ粉末を多くしているため導電性が向
上する。したがって、プラズマデイスプレーの電極形成
に本発明を適用した場合に画像の鮮明度が良好となる。
Ｃｕ粉末の平均粒径は１〜３０μｍとするのが望ましく
、さらに好ましくは５〜２０７ｘ ｍの範囲にする。こ
れは、平均粒径１μｍ未満とすると、Ｃｕ粒子の表面積
が相対的に大きくなり、Ｃｕの酸化反応が促進されやす
く電気抵抗値が大きくなりやすいためであり、平均粒径
３０μｍ以下としたのけ、３０μｍを超えると導電性ペ
ーストの流動性が悪くなり、印刷性および充填性が低下
するからである。
、さらに好ましくは５〜２０７ｘ ｍの範囲にする。こ
れは、平均粒径１μｍ未満とすると、Ｃｕ粒子の表面積
が相対的に大きくなり、Ｃｕの酸化反応が促進されやす
く電気抵抗値が大きくなりやすいためであり、平均粒径
３０μｍ以下としたのけ、３０μｍを超えると導電性ペ
ーストの流動性が悪くなり、印刷性および充填性が低下
するからである。
Ｂ粉末を添加するのは、Ｃｕの酸化防止のためであり、
そのためにはＢ粉末とＣｕ粉末の合計重量１００重量部
に対しＢ粉末は少なくとも３．５重量部が必要であり、
３．９重量部を超えると、その分Ｃｕの含有量が低下し
抵抗値が高くなるので、Ｂ粉末は３．５〜３．９重量部
の範囲にする。
そのためにはＢ粉末とＣｕ粉末の合計重量１００重量部
に対しＢ粉末は少なくとも３．５重量部が必要であり、
３．９重量部を超えると、その分Ｃｕの含有量が低下し
抵抗値が高くなるので、Ｂ粉末は３．５〜３．９重量部
の範囲にする。
すなわち、Ｂは高温において後述するように選択的に酸
化されてＢ２０．になるが、このＢ２０−の融点は５７
７℃程度に低いため、Ｂ量が多いとベース１へを焼成温
度６００〜６２０ ”Ｃ程度で大気焼成したとき選択的
に酸化されたＢｉ Ｏ３が表面に浮上してキラキラ光っ
た状態となり、これが電極特性を低下させ、プラズマデ
イスプレーにおいて画像鮮明度を低下させる原因となる
。この画像鮮明度を低下させる境界域は、Ｂの添加量が
４゜０重量部であり、これより多いと電極表面へのＢ２
Ｏ３の浮上が顕著となって表面がキラキラ光った状態と
なるからである。反対にＢの添加量がこれより少ないと
電極表面におけるキラキラ感が消失し、Ｂ２Ｏ３の浮上
が認められず、プラズマデイスプレーの画像鮮明度が高
（なる。またＢの原料粉末形態は、アモルファス粉末で
あるのが望ましく、もしくは平均粒径５０μｍ以下の粉
末であるのが望ましい。平均粒径５０ Ｉｔ ｍを超え
ると、導電性ペーストの流動性、印刷性等が低下するた
めである。
化されてＢ２０．になるが、このＢ２０−の融点は５７
７℃程度に低いため、Ｂ量が多いとベース１へを焼成温
度６００〜６２０ ”Ｃ程度で大気焼成したとき選択的
に酸化されたＢｉ Ｏ３が表面に浮上してキラキラ光っ
た状態となり、これが電極特性を低下させ、プラズマデ
イスプレーにおいて画像鮮明度を低下させる原因となる
。この画像鮮明度を低下させる境界域は、Ｂの添加量が
４゜０重量部であり、これより多いと電極表面へのＢ２
Ｏ３の浮上が顕著となって表面がキラキラ光った状態と
なるからである。反対にＢの添加量がこれより少ないと
電極表面におけるキラキラ感が消失し、Ｂ２Ｏ３の浮上
が認められず、プラズマデイスプレーの画像鮮明度が高
（なる。またＢの原料粉末形態は、アモルファス粉末で
あるのが望ましく、もしくは平均粒径５０μｍ以下の粉
末であるのが望ましい。平均粒径５０ Ｉｔ ｍを超え
ると、導電性ペーストの流動性、印刷性等が低下するた
めである。
Ｓｉ粉末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部
に対し２．０〜２０．０重量部の範囲にするのが望まし
い。Ｓｉ粉末を添加するのは、温度６００°Ｃ以上でガ
ラス質を形成しＣｕの酸化を効果的に抑制するためであ
り、そのためには少なくとも２．０重量部が必要となる
。また２０．０重量部を超えると、Ｓｉ酸化物がガラス
膜状となり絶縁体を構成しペーストの電気抵抗値が増大
するからである。Ｓｉ粉末の平均粒径ば、５０μｍ以下
にするのが望ましい。これは流動性、充填性および印刷
性等を向上させるためである。
に対し２．０〜２０．０重量部の範囲にするのが望まし
い。Ｓｉ粉末を添加するのは、温度６００°Ｃ以上でガ
ラス質を形成しＣｕの酸化を効果的に抑制するためであ
り、そのためには少なくとも２．０重量部が必要となる
。また２０．０重量部を超えると、Ｓｉ酸化物がガラス
膜状となり絶縁体を構成しペーストの電気抵抗値が増大
するからである。Ｓｉ粉末の平均粒径ば、５０μｍ以下
にするのが望ましい。これは流動性、充填性および印刷
性等を向上させるためである。
Ｂ ２０ ａ粉末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１０
０重量部に対し２．０〜３０．０重量部の範囲にするの
が望ましい。Ｂ２Ｏ３粉末を添加するのは、温度３００
〜５００℃の範囲でガラス質を形成しＣｕの酸化を効果
的に抑制するためであり、そのためには少な（とも２．
０重量部が必要となる。また３０．０重量部を超えると
、Ｂ２Ｏ３がガラス膜状となり絶縁体を構成しペースト
の電気抵抗値が増大するからである。Ｂ ２０３粉末の
平均粒径は、ペーストの流動性、充填性および印刷性等
を向上させるため５０μｍ以下にするのが望ましい。
０重量部に対し２．０〜３０．０重量部の範囲にするの
が望ましい。Ｂ２Ｏ３粉末を添加するのは、温度３００
〜５００℃の範囲でガラス質を形成しＣｕの酸化を効果
的に抑制するためであり、そのためには少な（とも２．
０重量部が必要となる。また３０．０重量部を超えると
、Ｂ２Ｏ３がガラス膜状となり絶縁体を構成しペースト
の電気抵抗値が増大するからである。Ｂ ２０３粉末の
平均粒径は、ペーストの流動性、充填性および印刷性等
を向上させるため５０μｍ以下にするのが望ましい。
ガラスフリットは、軟化点温度４００〜６００℃のもの
で、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対し、
１０〜３０重量部の範囲にするのが望ましい。ガラスフ
リットは、焼成時に温度４００〜６００℃の範囲でガラ
スフリッ１−がガラス状化してＣｕ粉末の周囲に保護層
を形成しＣｕの酸化防止の役割を果たすからであり、そ
のためにはガラスフリットが１０重量部以上必要となる
。
で、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対し、
１０〜３０重量部の範囲にするのが望ましい。ガラスフ
リットは、焼成時に温度４００〜６００℃の範囲でガラ
スフリッ１−がガラス状化してＣｕ粉末の周囲に保護層
を形成しＣｕの酸化防止の役割を果たすからであり、そ
のためにはガラスフリットが１０重量部以上必要となる
。
ガラスフリットが多過ぎると、ガラス膜状の絶縁物を作
り易く、導電性が低下するから、３０重量部以内にする
。
り易く、導電性が低下するから、３０重量部以内にする
。
有機ビヒクルは、導電性ペーストの流動性を確保するた
めに加えるものである。
めに加えるものである。
前述した組成の導電性ペーストは、大気中つまり酸化性
雰囲気中で焼成可能である。また温度は最高７００℃付
近の温度で焼成可能である。
雰囲気中で焼成可能である。また温度は最高７００℃付
近の温度で焼成可能である。
次に、前記導電性ペーストが大気焼成されるとき、前記
各種の添加物によりＣｕの酸化がどのように防止される
のかについて第１図に基づいて説明する。第１図中の矢
印で示す範囲の添加物は、主としてその温度範囲にて酸
化防止効果が働くことを示している。
各種の添加物によりＣｕの酸化がどのように防止される
のかについて第１図に基づいて説明する。第１図中の矢
印で示す範囲の添加物は、主としてその温度範囲にて酸
化防止効果が働くことを示している。
予備焼成後の焼成時、温度を室温から次第に上昇してい
（と、まず常温から約３５０℃までの範囲は、有機ビヒ
クルがＣｕの酸化を防止する。そして３００℃から３５
０℃の範囲においては、有機ビヒクルによるＣｕ酸化防
止が働くとともに、Ｂ２Ｏ３粉末がガラス質に変化する
ことに伴いＣＵの周囲にガラス質層を作ってＣｕの酸化
が防止サレル。３５０℃から４００℃の範囲になると、
Ｂ２Ｏ３のガラス質化によりＣｕの酸化が防止さレル。
（と、まず常温から約３５０℃までの範囲は、有機ビヒ
クルがＣｕの酸化を防止する。そして３００℃から３５
０℃の範囲においては、有機ビヒクルによるＣｕ酸化防
止が働くとともに、Ｂ２Ｏ３粉末がガラス質に変化する
ことに伴いＣＵの周囲にガラス質層を作ってＣｕの酸化
が防止サレル。３５０℃から４００℃の範囲になると、
Ｂ２Ｏ３のガラス質化によりＣｕの酸化が防止さレル。
４００℃から５５０℃の範囲になると、さらにガラスフ
リットがホウケイ酸ガラスを造ることによりＣｕの酸化
が防止される。５５０ ”Ｃを超えると選択的にＢが酸
化されるのに伴いＣｕの酸化が抑制される。６００℃（
”ｌ近においてはこのＢの働きが顕著に作用し、Ｃｕの
酸化が効果的に抑制される。６５０℃を超え７００ ’
Ｃ付近ではＳＬが酸化され易（これに伴いＣｕの酸化が
抑制される。
リットがホウケイ酸ガラスを造ることによりＣｕの酸化
が防止される。５５０ ”Ｃを超えると選択的にＢが酸
化されるのに伴いＣｕの酸化が抑制される。６００℃（
”ｌ近においてはこのＢの働きが顕著に作用し、Ｃｕの
酸化が効果的に抑制される。６５０℃を超え７００ ’
Ｃ付近ではＳＬが酸化され易（これに伴いＣｕの酸化が
抑制される。
これらペースト中の添加物つまり有機ビヒクル、Ｂ２Ｏ
３，ガラスフリット、Ｂ、Ｓｉが、それぞ ０ れ所定の温度域において効果的にＣｕの酸化防止を図る
。これにより、大気中の比較的高温の７００″Ｃ付近に
おいても、酸化抑制効果が顕著に作用し導電性を保持し
つつ焼成可能になる。
３，ガラスフリット、Ｂ、Ｓｉが、それぞ ０ れ所定の温度域において効果的にＣｕの酸化防止を図る
。これにより、大気中の比較的高温の７００″Ｃ付近に
おいても、酸化抑制効果が顕著に作用し導電性を保持し
つつ焼成可能になる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
導電性ペーストの原料としては、平均粒径１０゜４μｍ
の球状Ｃｕ扮粉末、アモルファスＢ粉末と、アモルファ
スＳｉ粉末ど、平均粒径５０μｍ以下のＢ２Ｏ３粉末と
、これにガラスフリットを加え、さらに有機ビヒクルと
してエチルセルロースをテルピネオールに溶解したもの
を使用した。これらを３本ロールミルを用いて混練した
後、＃２００スクリーンを用いて線幅０．５ｍｍＸ長さ
１００ｍｍの線をアルミナ基板上に印刷した。これを１
２０℃で１０分乾燥した後、６００〜８００℃で１５〜
２０分大気焼成した。焼成後の膜厚の平均値は５０μｍ
であった。
の球状Ｃｕ扮粉末、アモルファスＢ粉末と、アモルファ
スＳｉ粉末ど、平均粒径５０μｍ以下のＢ２Ｏ３粉末と
、これにガラスフリットを加え、さらに有機ビヒクルと
してエチルセルロースをテルピネオールに溶解したもの
を使用した。これらを３本ロールミルを用いて混練した
後、＃２００スクリーンを用いて線幅０．５ｍｍＸ長さ
１００ｍｍの線をアルミナ基板上に印刷した。これを１
２０℃で１０分乾燥した後、６００〜８００℃で１５〜
２０分大気焼成した。焼成後の膜厚の平均値は５０μｍ
であった。
得られた焼成部の表面状態を観察し、その焼成部の色相
から表面酸化状態を観察したところ、焼成部の色相は第
１表に示す通りであった。焼成部の比抵抗値について測
定したところ、その結果は第１表に示すとおりであった
。
から表面酸化状態を観察したところ、焼成部の色相は第
１表に示す通りであった。焼成部の比抵抗値について測
定したところ、その結果は第１表に示すとおりであった
。
（以下、余白。）
１
第１表において、実施例１〜９においては、焼成部の比
抵抗が１５Ｘ］Ｏ−’Ωｃｍ以下となり、導電性が高い
値となった。
抵抗が１５Ｘ］Ｏ−’Ωｃｍ以下となり、導電性が高い
値となった。
これに対し、比較例１および比較例２はＳｔを含まず本
発明のＳｉの範囲から逸脱するものであり、比較例３は
Ｂ２Ｏ３を含有しない等の理由により、比抵抗値が極め
て大きいかあるいは測定不能（５００ｃｍより抵抗大）
という結果となった。
発明のＳｉの範囲から逸脱するものであり、比較例３は
Ｂ２Ｏ３を含有しない等の理由により、比抵抗値が極め
て大きいかあるいは測定不能（５００ｃｍより抵抗大）
という結果となった。
また比較例４および比較例５は、それぞれ焼成温度が７
５０℃、８００℃と高温であったこと等により比抵抗値
が大となった。これは、高温において酸化が過度に促進
されたものと推定される。
５０℃、８００℃と高温であったこと等により比抵抗値
が大となった。これは、高温において酸化が過度に促進
されたものと推定される。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の導電性ペーストによれば
、流動性、充填性、印刷性が良好なペーストであり、比
較的高温にて大気焼成時の酸化防止効果が適正に働くの
で、得られる導電体は電気抵抗値が小さいだけでな（、
基板との同時焼成が可能になり、極めて簡単な生産」−
程により良好な導電性をもつ導電体が得られるという効
果がある。
、流動性、充填性、印刷性が良好なペーストであり、比
較的高温にて大気焼成時の酸化防止効果が適正に働くの
で、得られる導電体は電気抵抗値が小さいだけでな（、
基板との同時焼成が可能になり、極めて簡単な生産」−
程により良好な導電性をもつ導電体が得られるという効
果がある。
第１図は導電性ペーストに添加する各種添加物の酸化防
止効果を説明するための説明図である。
止効果を説明するための説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｃｕ粉末、Ｂ粉末、Ｓｉ粉末、Ｂ＿２Ｏ＿３粉末、ガラ
スフリットおよび有機ビヒクルよりなる導電性ペースト
であって、その組成が、 （イ）前記Ｂ粉末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１０
０重量部に対し３．５〜３．９重量部、（ロ）前記Ｓｉ
粉末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対
し２．０〜２０．０重量部、（ハ）前記Ｂ＿２Ｏ＿３粉
末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対し
２．０〜３０．０重量部、 （ニ）前記ガラスフリットは、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計
重量１００重量部に対し１０〜３０重量部であることを
特徴とする導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31485889A JPH03176905A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31485889A JPH03176905A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 導電性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03176905A true JPH03176905A (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=18058466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31485889A Pending JPH03176905A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03176905A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06349316A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Tdk Corp | 導電ペースト |
| JP2011029113A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Jsr Corp | 感光性黒色ペーストおよびバス電極黒層の形成方法 |
| JP2015011979A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | 大研化学工業株式会社 | 大気雰囲気焼成用導電性ペースト及びその製造方法 |
| JP2017535024A (ja) * | 2014-08-28 | 2017-11-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ | 銅含有導電性ペースト、及び銅含有導電性ペーストから作製された電極 |
| US10672922B2 (en) | 2014-08-28 | 2020-06-02 | Dupont Electronics, Inc. | Solar cells with copper electrodes |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP31485889A patent/JPH03176905A/ja active Pending
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