JPH03176904A - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
- Publication number
- JPH03176904A JPH03176904A JP31485789A JP31485789A JPH03176904A JP H03176904 A JPH03176904 A JP H03176904A JP 31485789 A JP31485789 A JP 31485789A JP 31485789 A JP31485789 A JP 31485789A JP H03176904 A JPH03176904 A JP H03176904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- weight
- parts
- conductive paste
- oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、導電性ペーストに関し、詳しくは導電粉末と
してＣｕ粉末を用いた大気焼成可能な導電性ペーストに
関する。
してＣｕ粉末を用いた大気焼成可能な導電性ペーストに
関する。
（従来の技術）
一般に、導電性ペーストは、導体回路、セラミックコン
デンザの電極、電Ｉ波シールド材プラズマデイスプレー
の電極等に用いられ、特にＤＣ型プラズマデイスプレー
用の電極としての用途が有望視されている。
デンザの電極、電Ｉ波シールド材プラズマデイスプレー
の電極等に用いられ、特にＤＣ型プラズマデイスプレー
用の電極としての用途が有望視されている。
例えばプラズマデイスプレーは、ガラス製のバックプレ
ート基板上に電極（陰極）をプリント形成する一方、カ
バープレートの側に陰極に対向させ透明電極を形成し、
両電極間に電圧を印加して放電させ発色させるものであ
り、これはＮｉ等の金属導電性ペーストをバックプレー
ト基板上にスクリーン印刷して厚膜形成し、その後これ
を乾燥した後、大気焼成して電極を形成する。
ート基板上に電極（陰極）をプリント形成する一方、カ
バープレートの側に陰極に対向させ透明電極を形成し、
両電極間に電圧を印加して放電させ発色させるものであ
り、これはＮｉ等の金属導電性ペーストをバックプレー
ト基板上にスクリーン印刷して厚膜形成し、その後これ
を乾燥した後、大気焼成して電極を形成する。
この種の導電性ペーストにおいては、その製造時、大気
焼成して電極等を形成するどきＮｉが酸化されて導電性
を消失しやすいので、従来のベースト組成中にＢを含有
させてＮｉの酸化を防止することが考えら打ている。そ
の−例が特公昭５５−５１２８５号および特公昭６０−
１６０４１号公報に開示されている。このうち前者のも
のはＮｉおよびＢを（Ｎ１３’Ｂ）ａ （Ｎｉ３Ｓｌ
）ｂ （’）組成物の形で含有するものであり、後者の
ものはＮｉ粉末中にＢ粉末を添加させた形態のもので、
何れもＢの選択的酸化反応によってＮｉの酸化反応を防
止するものである。
焼成して電極等を形成するどきＮｉが酸化されて導電性
を消失しやすいので、従来のベースト組成中にＢを含有
させてＮｉの酸化を防止することが考えら打ている。そ
の−例が特公昭５５−５１２８５号および特公昭６０−
１６０４１号公報に開示されている。このうち前者のも
のはＮｉおよびＢを（Ｎ１３’Ｂ）ａ （Ｎｉ３Ｓｌ
）ｂ （’）組成物の形で含有するものであり、後者の
ものはＮｉ粉末中にＢ粉末を添加させた形態のもので、
何れもＢの選択的酸化反応によってＮｉの酸化反応を防
止するものである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、これら従来の導電性ペーストは、その製
造法および特性の点で次のような問題を有している。
造法および特性の点で次のような問題を有している。
すなわち、前者の特公昭５５−５１２８５号公報に記載
のものの場合、（Ｎ １３Ｂ） ａ （Ｎ １３Ｓｉ
）ｂの組成物を製造するにはＮｉにＢを添加して溶解し
凝固させた後粉砕する必要があり、このときＢρ比重が
Ｎｉに比べて約１／４と軽いために均一な組成物の製造
が困難であり、しがも粉砕して粒状粉末にするために製
造コストが高（なるのに加えて、粉末形状は角ばった形
状となり、ペーストを基板上に印刷形成する際の印刷性
が悪い。
のものの場合、（Ｎ １３Ｂ） ａ （Ｎ １３Ｓｉ
）ｂの組成物を製造するにはＮｉにＢを添加して溶解し
凝固させた後粉砕する必要があり、このときＢρ比重が
Ｎｉに比べて約１／４と軽いために均一な組成物の製造
が困難であり、しがも粉砕して粒状粉末にするために製
造コストが高（なるのに加えて、粉末形状は角ばった形
状となり、ペーストを基板上に印刷形成する際の印刷性
が悪い。
また後者の特公昭６０−１６０４１号に記載のものの場
合、Ｂが比較的多量に添加されるために（Ｂの添加量は
４〜５０％）、酸化生成したＢ２０、が表面にガラス状
に浮上し、これら多量のＢ２Ｏ３が不純物となって電気
抵抗値を増大させるという問題がある。
合、Ｂが比較的多量に添加されるために（Ｂの添加量は
４〜５０％）、酸化生成したＢ２０、が表面にガラス状
に浮上し、これら多量のＢ２Ｏ３が不純物となって電気
抵抗値を増大させるという問題がある。
本発明は、このような問題点を解決するためになされた
もので、本発明が解決しようとする課題は、Ｎｉに代え
て相対的に安価なＣｕを用い、流動性、成形性、印刷性
に優れ、かつ大気焼成可能で、導電性の高い導電性組成
物を製造可能な導電性ペーストを提供することにある。
もので、本発明が解決しようとする課題は、Ｎｉに代え
て相対的に安価なＣｕを用い、流動性、成形性、印刷性
に優れ、かつ大気焼成可能で、導電性の高い導電性組成
物を製造可能な導電性ペーストを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、前記課題を解決するためになされたもので、
その要旨とするところは、Ｃｕ粉末、Ｂ粉末、ボウ酸ま
たはホウ酸塩粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクル
よりなる導電性ペーストであって、その組成が、（イ）
前記Ｂ粉末はＣｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部
に対し３．５〜３．９重量部、（ロ）前記ホウ酸または
ホウ酸塩粉末はＣｕ粉末とＢ粉末の杏計重量１００重量
部に対し２．０〜５０．０重量部、（ハ）前記ガラスフ
リットはＣｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対
し１０〜３０重量部であることを特徴とする。
その要旨とするところは、Ｃｕ粉末、Ｂ粉末、ボウ酸ま
たはホウ酸塩粉末、ガラスフリットおよび有機ビヒクル
よりなる導電性ペーストであって、その組成が、（イ）
前記Ｂ粉末はＣｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部
に対し３．５〜３．９重量部、（ロ）前記ホウ酸または
ホウ酸塩粉末はＣｕ粉末とＢ粉末の杏計重量１００重量
部に対し２．０〜５０．０重量部、（ハ）前記ガラスフ
リットはＣｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００重量部に対
し１０〜３０重量部であることを特徴とする。
本発明による導電性ペーストは、Ｃｕ粉末を主成分に用
いているのでＮｉ粉末を用いた場合に比べ製造コストは
安価になり、またＢ粉末の含有量をＣｕ粉末とＢ粉末の
合計重量１００部に対し３゜５〜３．９重量部の範囲に
しその分Ｃｕ粉末を多くしているため導電性が向上する
。したがって、プラズマデイスプレーの電極形成に本発
明を適用した場合に画像の鮮明度が良好となる。
いているのでＮｉ粉末を用いた場合に比べ製造コストは
安価になり、またＢ粉末の含有量をＣｕ粉末とＢ粉末の
合計重量１００部に対し３゜５〜３．９重量部の範囲に
しその分Ｃｕ粉末を多くしているため導電性が向上する
。したがって、プラズマデイスプレーの電極形成に本発
明を適用した場合に画像の鮮明度が良好となる。
Ｃｕ粉末の平均粒径は１〜３０μｍとするのが望ましく
、さらに好ましくは５〜２０μｍの範囲にする。これは
、平均粒径１μｍ未満とすると、Ｃｕ粒子の表面積が相
対的に太き（なり、Ｃｕの酸化反応が促進されやすく電
気抵抗値が大きくなりやすいためであり、平均粒径３０
μｍ以下としたのは、３０ ｇ ｍを超えると導電性ペ
ーストの流動性が悪くなり、印刷性および充填性が低下
するからである。
、さらに好ましくは５〜２０μｍの範囲にする。これは
、平均粒径１μｍ未満とすると、Ｃｕ粒子の表面積が相
対的に太き（なり、Ｃｕの酸化反応が促進されやすく電
気抵抗値が大きくなりやすいためであり、平均粒径３０
μｍ以下としたのは、３０ ｇ ｍを超えると導電性ペ
ーストの流動性が悪くなり、印刷性および充填性が低下
するからである。
Ｂ粉末を添加するのは、Ｃｕの酸化防止のためであり、
そのためにはＢ粉末とＣｕ粉末の合計重量１００重量部
に対しＢ粉末は少なくとも３．５重量部が必要であり、
３．９重量部を超えると、その分Ｃｕの含有量が低下し
抵抗値が高くなるので、Ｂ粉末は３．５〜３．９重量部
の範囲にする。
そのためにはＢ粉末とＣｕ粉末の合計重量１００重量部
に対しＢ粉末は少なくとも３．５重量部が必要であり、
３．９重量部を超えると、その分Ｃｕの含有量が低下し
抵抗値が高くなるので、Ｂ粉末は３．５〜３．９重量部
の範囲にする。
すなわち、Ｂは高温において後述するように選択的に酸
化されてＢ２Ｏ３になるが、このＢ２Ｏ３の融点は５７
７℃程度に低いため、Ｂ量が多いとペーストを焼成温度
６００〜６２０℃程度で大気焼成したとき選択的に酸化
されたＢ２０３が表面に浮上してキラキラ光った状態と
なり、これが電極特性を低下させ、プラズマデイスプレ
ーにおいて画像鮮明度を低下させる原因となる。この画
像鮮明度を低下させる境界域は、Ｂの添加量が４゜０重
量部であり、これより多いと電極表面へのＢ２Ｏ３の浮
上が顕著となって表面がキラキラ光った状態となるから
である。反対にＢの添加量がこれより少ないと電極表面
におりるキラキラ感が消失し、Ｂ２Ｏ３の浮上が認めら
れず、プラズマデイスプレーの画像鮮明度が高くなる。
化されてＢ２Ｏ３になるが、このＢ２Ｏ３の融点は５７
７℃程度に低いため、Ｂ量が多いとペーストを焼成温度
６００〜６２０℃程度で大気焼成したとき選択的に酸化
されたＢ２０３が表面に浮上してキラキラ光った状態と
なり、これが電極特性を低下させ、プラズマデイスプレ
ーにおいて画像鮮明度を低下させる原因となる。この画
像鮮明度を低下させる境界域は、Ｂの添加量が４゜０重
量部であり、これより多いと電極表面へのＢ２Ｏ３の浮
上が顕著となって表面がキラキラ光った状態となるから
である。反対にＢの添加量がこれより少ないと電極表面
におりるキラキラ感が消失し、Ｂ２Ｏ３の浮上が認めら
れず、プラズマデイスプレーの画像鮮明度が高くなる。
またＢの原料粉末形態は、アモルファス粉末であるのが
望ましく、もしくは平均粒径５０ＬＬｍ以下の粉末であ
るのが望ましい。平均粒径５０ Ｈｔ、 ｍを超えると
、導電性ペーストの流動性、印刷性等が低下するためで
ある。
望ましく、もしくは平均粒径５０ＬＬｍ以下の粉末であ
るのが望ましい。平均粒径５０ Ｈｔ、 ｍを超えると
、導電性ペーストの流動性、印刷性等が低下するためで
ある。
ホウ酸またはホウ酸塩粉末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計
重量１００重量部に対し２０〜５０重量部の範囲にする
。ホウ酸またはホウ酸塩粉末を添加するのは温度３００
〜５００℃の範囲でガラス質を形成しＣｕの酸化を効果
的に抑制するためであり、そのためには少なくとも２．
０重量部が必要となる。また５０重量部を超えると、Ｂ
２０１のガラス膜状となり絶縁体を構成しベースＩ・の
抵抗値が増大するからである。
重量１００重量部に対し２０〜５０重量部の範囲にする
。ホウ酸またはホウ酸塩粉末を添加するのは温度３００
〜５００℃の範囲でガラス質を形成しＣｕの酸化を効果
的に抑制するためであり、そのためには少なくとも２．
０重量部が必要となる。また５０重量部を超えると、Ｂ
２０１のガラス膜状となり絶縁体を構成しベースＩ・の
抵抗値が増大するからである。
ホウ酸は、例えば、３００°Ｃで次式に示す反応が促進
される。
される。
２Ｈ３ＢＯ２□→Ｂ２０３＋３Ｈ２０
ここに、■ホウ酸にはオルトホウ酸（Ｈ３ＢＯ。
）、メタホウ酸（ＨＢＯ２）、四ボウ酸（Ｈ□Ｂ４Ｏ７
）を含む。また、■ホウ酸塩は、一般式％式％ ５／２．４に相当するそれぞれオルトホウ酸塩、ニホウ
酸塩、メタホウ酸塩、四ホウ酸塩、五ホウ酸塩、へホウ
酸塩などがある。例えば、Ｃｏ Ｂ ４０７ 、ＣｕＢ
４Ｏ？ 、Ｎａ２Ｂ４０７ 、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ、，２Ｚｎ
０ ・３Ｂ２０３ ・３．５Ｈ２０、Ｋ２ Ｂ４０？
’ ４■］１０．ＣａＢ４Ｏ？ ・６Ｈ２０、ＭｎＢ
ａ ０？ −８８２０等である。
）を含む。また、■ホウ酸塩は、一般式％式％ ５／２．４に相当するそれぞれオルトホウ酸塩、ニホウ
酸塩、メタホウ酸塩、四ホウ酸塩、五ホウ酸塩、へホウ
酸塩などがある。例えば、Ｃｏ Ｂ ４０７ 、ＣｕＢ
４Ｏ？ 、Ｎａ２Ｂ４０７ 、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ、，２Ｚｎ
０ ・３Ｂ２０３ ・３．５Ｈ２０、Ｋ２ Ｂ４０？
’ ４■］１０．ＣａＢ４Ｏ？ ・６Ｈ２０、ＭｎＢ
ａ ０？ −８８２０等である。
ガラスフリットは、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１００
重量部に対し、］Ｏ〜３０重量部の範囲にするのが望ま
しい。ガラスフリットを添加するの（Ｊ、焼成時に温度
４００〜６００℃の範囲でガラスフリットがガラス状化
してＣｕ粉末の周囲に保護層を形成しＣｕの酸化防止の
役割を果たすからであり、そのためにはガラスフリット
が１０重量部以上必要となる。ガラスフリットが多過ぎ
るど、ガラス膜状の絶縁物を作り易（、導電性が低下す
るから、３０重量部以内にする。
重量部に対し、］Ｏ〜３０重量部の範囲にするのが望ま
しい。ガラスフリットを添加するの（Ｊ、焼成時に温度
４００〜６００℃の範囲でガラスフリットがガラス状化
してＣｕ粉末の周囲に保護層を形成しＣｕの酸化防止の
役割を果たすからであり、そのためにはガラスフリット
が１０重量部以上必要となる。ガラスフリットが多過ぎ
るど、ガラス膜状の絶縁物を作り易（、導電性が低下す
るから、３０重量部以内にする。
有機ビヒクルは、導電性ペーストの流動性を確保するた
めに加えるものである。
めに加えるものである。
前述した組成の導電性ペーストは、大気中つまり酸化性
雰囲気中で焼成可能である。また温度は最高６００℃の
温度で焼成可能である。
雰囲気中で焼成可能である。また温度は最高６００℃の
温度で焼成可能である。
次に、前記導電性ペーストが大気焼成されるとき、前記
各種の添加物によりＣｕの酸化がどのように防止される
のかについて第１図に基づいて説明する。第１図に示す
矢印の範囲の添加物は、主どしてその温度範囲にて酸化
防止効果が働くことを示している。
各種の添加物によりＣｕの酸化がどのように防止される
のかについて第１図に基づいて説明する。第１図に示す
矢印の範囲の添加物は、主どしてその温度範囲にて酸化
防止効果が働くことを示している。
予備焼成後の焼成時、温度を室温から次第に上昇してい
くと、まず常温から約３５０℃までの範囲Ｃ」、有機ビ
ヒクルがＣｕの酸化を防止する。そして３００℃から３
５０℃の範囲においては、有機ビヒクルによるＣｕ酸化
防止が（動（とともに、ホウ酸またはホウ酸塩粉末がガ
ラス質に変化することに伴いＣｕの周囲にガラス質層を
作ってＣｕの酸化が防止される。３５０°Ｃから４００
℃の範囲になると、ホウ酸またはホウ酸塩粉末のＢ２Ｏ
３へのガラス質化によりＣｕの酸化が防止される。
くと、まず常温から約３５０℃までの範囲Ｃ」、有機ビ
ヒクルがＣｕの酸化を防止する。そして３００℃から３
５０℃の範囲においては、有機ビヒクルによるＣｕ酸化
防止が（動（とともに、ホウ酸またはホウ酸塩粉末がガ
ラス質に変化することに伴いＣｕの周囲にガラス質層を
作ってＣｕの酸化が防止される。３５０°Ｃから４００
℃の範囲になると、ホウ酸またはホウ酸塩粉末のＢ２Ｏ
３へのガラス質化によりＣｕの酸化が防止される。
４００℃から５５０°Ｃの範囲になると、さらにガラス
フリットがホウケイ酸ガラスを造ることによりＣｕの酸
化が防止される。５５０°Ｃを超えるとＢが選択的に酸
化されるのに伴いＣｕの酸化が抑制される。６００℃付
近においてはこのＢの働きが顕著に作用し、Ｃｕの酸化
が効果的に抑制される。
フリットがホウケイ酸ガラスを造ることによりＣｕの酸
化が防止される。５５０°Ｃを超えるとＢが選択的に酸
化されるのに伴いＣｕの酸化が抑制される。６００℃付
近においてはこのＢの働きが顕著に作用し、Ｃｕの酸化
が効果的に抑制される。
これらの有機ビヒクル、ホウ酸またはホウ酸塩粉末、ガ
ラスフリット、Ｂがそれぞれ所定の温度域において効果
的にＣｕの酸化防止を図る。これにより、大気中６００
°Ｃ付、近の温度においても、酸化抑制効果が顕著に作
用し電動性を保持しつつ焼成可能になる。
ラスフリット、Ｂがそれぞれ所定の温度域において効果
的にＣｕの酸化防止を図る。これにより、大気中６００
°Ｃ付、近の温度においても、酸化抑制効果が顕著に作
用し電動性を保持しつつ焼成可能になる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
０
導電性ペーストの原料としては、平均粒径１０゜４μｍ
の球状Ｃｕ扮粉末、アモルファスＢ粉末と、ホウ酸また
はホウ酸塩粉末と、これにガラスフリットを加え、さら
に有機ビヒクルとしてエチルセルロースをテルピネオー
ルに溶解したものを使用した。これらを３本ロールミル
を用いて混練した後、＃２００スクリーンを用いて線幅
０．５ｍｍ×長さ１００ｍｍの線をアルミナ基板上に印
刷した。これを１２０℃で１０分乾燥した後、６００〜
６５０°Ｃで１５〜２０分大気焼成した。焼成後の膜厚
の平均値は５０μｍであった。
の球状Ｃｕ扮粉末、アモルファスＢ粉末と、ホウ酸また
はホウ酸塩粉末と、これにガラスフリットを加え、さら
に有機ビヒクルとしてエチルセルロースをテルピネオー
ルに溶解したものを使用した。これらを３本ロールミル
を用いて混練した後、＃２００スクリーンを用いて線幅
０．５ｍｍ×長さ１００ｍｍの線をアルミナ基板上に印
刷した。これを１２０℃で１０分乾燥した後、６００〜
６５０°Ｃで１５〜２０分大気焼成した。焼成後の膜厚
の平均値は５０μｍであった。
得られた焼成部の表面状態を観察し、その焼成部の色相
から表面酸化状態を観察したところ、焼成部の色相は第
１表に示す通りであった。焼成部の比抵抗値について測
定したところ、その結果は第１表に示すとおりであった
。
から表面酸化状態を観察したところ、焼成部の色相は第
１表に示す通りであった。焼成部の比抵抗値について測
定したところ、その結果は第１表に示すとおりであった
。
（以下、余白。）
■
第１表において、実施例１〜１０においては、焼成部の
比抵抗値が２］Ｘｌ０−’Ωｃｍ以下となり、導電性が
高いことが判明した。
比抵抗値が２］Ｘｌ０−’Ωｃｍ以下となり、導電性が
高いことが判明した。
これに対し、比較例１〜４はＢの含有量は本発明の範囲
から逸脱するものであり、比較例５および比較例６はボ
ウ酸またはホウ酸塩粉末を含有しない等の理由により、
比抵抗値が極めて大きいかあるい（ｊ測定不能（５０Ω
ｃｍより抵抗大）という結果となった。また比較例７お
よび８は、それぞれ焼成温度が６２０℃、６５０°Ｃと
高温であったこと等により比抵抗値が大となった。これ
は、高温において酸化が過度に促進されたものと推定さ
れる。
から逸脱するものであり、比較例５および比較例６はボ
ウ酸またはホウ酸塩粉末を含有しない等の理由により、
比抵抗値が極めて大きいかあるい（ｊ測定不能（５０Ω
ｃｍより抵抗大）という結果となった。また比較例７お
よび８は、それぞれ焼成温度が６２０℃、６５０°Ｃと
高温であったこと等により比抵抗値が大となった。これ
は、高温において酸化が過度に促進されたものと推定さ
れる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の導電性ペース１へにＪ：
Ａ１ば、流動性、充填性、印刷性が良好なペーストで
あり、高温の大気焼成時にも酸化防止効果が適正に働く
ので、得られる導電体は電気抵抗値が小さいだけでなく
、基板との同時焼成が可能になり、簡単な生産工程によ
り良好な導電体が得られるという効果がある。
Ａ１ば、流動性、充填性、印刷性が良好なペーストで
あり、高温の大気焼成時にも酸化防止効果が適正に働く
ので、得られる導電体は電気抵抗値が小さいだけでなく
、基板との同時焼成が可能になり、簡単な生産工程によ
り良好な導電体が得られるという効果がある。
第１図は導電性ペーストに添加する各種添加物の酸化防
止効果を説明するための説明図である。
止効果を説明するための説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｃｕ粉末、Ｂ粉末、ホウ酸またはホウ酸塩粉末、ガラス
フリットおよび有機ビヒクルよりなる導電性ペーストで
あって、その組成が、 （イ）前記Ｂ粉末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量１０
０重量部に対し３．５〜３．９重量部、（ロ）前記ホウ
酸またはホウ酸塩粉末は、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計重量
１００重量部に対し２．０〜５０．０重量部、 （ハ）前記ガラスフリットは、Ｃｕ粉末とＢ粉末の合計
重量１００重量部に対し１０〜３０重量部であることを
特徴とする導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31485789A JPH03176904A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31485789A JPH03176904A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 導電性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03176904A true JPH03176904A (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=18058453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31485789A Pending JPH03176904A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03176904A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08203330A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| JP2019032993A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜導体形成用組成物および厚膜導体の製造方法 |
| JPWO2022054775A1 (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP31485789A patent/JPH03176904A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08203330A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| US5618470A (en) * | 1995-01-23 | 1997-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrically conductive paste |
| JP2019032993A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜導体形成用組成物および厚膜導体の製造方法 |
| JPWO2022054775A1 (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 |
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