JPH06247742A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPH06247742A JPH06247742A JP5055149A JP5514993A JPH06247742A JP H06247742 A JPH06247742 A JP H06247742A JP 5055149 A JP5055149 A JP 5055149A JP 5514993 A JP5514993 A JP 5514993A JP H06247742 A JPH06247742 A JP H06247742A
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- glass
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- bao
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】絶縁基板上に配線回路、結晶質ガラス７０〜９
５重量％を含有する結晶質ガラスの層、非晶質ガラスの
層を設けた電子部品である。結晶質ガラスは重量％で、
ＳｉＯ2 ３５〜４５、Ａｌ2 Ｏ3 ２〜６．５、ＺｎＯ
１２〜１８、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ３０〜
４０、ＺｒＯ2 ＋ＴｉＯ2 ＋ＳｎＯ2 １〜５、を含有す
る。非結晶質ガラスは、ＰｂＯ ５２〜６０、ＳｉＯ2
２２〜３０、Ｂ2 Ｏ3 ８〜１５、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｓｒ
Ｏ＋ＢａＯ ３〜１０、Ａｌ2 Ｏ3１〜５である。 【効果】電気的絶縁破壊電圧が高い。
５重量％を含有する結晶質ガラスの層、非晶質ガラスの
層を設けた電子部品である。結晶質ガラスは重量％で、
ＳｉＯ2 ３５〜４５、Ａｌ2 Ｏ3 ２〜６．５、ＺｎＯ
１２〜１８、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ３０〜
４０、ＺｒＯ2 ＋ＴｉＯ2 ＋ＳｎＯ2 １〜５、を含有す
る。非結晶質ガラスは、ＰｂＯ ５２〜６０、ＳｉＯ2
２２〜３０、Ｂ2 Ｏ3 ８〜１５、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｓｒ
Ｏ＋ＢａＯ ３〜１０、Ａｌ2 Ｏ3１〜５である。 【効果】電気的絶縁破壊電圧が高い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】配線導体上にスクリーン印刷、焼成する
ことによりガラス被覆を施した電子部品は、大気からの
回路の保護および電気的絶縁性の確保の目的で、古くか
ら知られ汎用されている。この被覆用ガラスにも結晶質
ガラスを用いたり非晶質ガラスを用いたり用途によって
様々であるが、いずれの場合も絶縁破壊電圧は５００〜
１０００Ｖ程度である。その理由は結晶質ガラスの場合
は、燒結構造が非晶質ガラスに比べてポーラスとなるた
め高絶縁性化が困難である。
ことによりガラス被覆を施した電子部品は、大気からの
回路の保護および電気的絶縁性の確保の目的で、古くか
ら知られ汎用されている。この被覆用ガラスにも結晶質
ガラスを用いたり非晶質ガラスを用いたり用途によって
様々であるが、いずれの場合も絶縁破壊電圧は５００〜
１０００Ｖ程度である。その理由は結晶質ガラスの場合
は、燒結構造が非晶質ガラスに比べてポーラスとなるた
め高絶縁性化が困難である。
【０００３】一方、非晶質ガラスは軟化点の調整や焼成
条件の適正化により緻密性の高いガラス被覆層の形成は
可能であるが、非晶質ガラスの場合には結晶質ガラスに
比べ下部電極がガラス被覆層に拡散し易く、そのため高
絶縁性が確保し難いという課題があった。しかるにサー
マルヘッド等の用途では、近年２０００Ｖ程度の絶縁破
壊電圧が要求される場合が多く、上述の結晶質ガラス、
非晶質ガラス、いずれの被覆用ガラスでも、その要求を
容易に満足できない場合が多くなっている。
条件の適正化により緻密性の高いガラス被覆層の形成は
可能であるが、非晶質ガラスの場合には結晶質ガラスに
比べ下部電極がガラス被覆層に拡散し易く、そのため高
絶縁性が確保し難いという課題があった。しかるにサー
マルヘッド等の用途では、近年２０００Ｖ程度の絶縁破
壊電圧が要求される場合が多く、上述の結晶質ガラス、
非晶質ガラス、いずれの被覆用ガラスでも、その要求を
容易に満足できない場合が多くなっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
の課題を解決し、電気的絶縁破壊電圧を少なくとも２０
００Ｖ以上とする電子部品を提供するものである。
の課題を解決し、電気的絶縁破壊電圧を少なくとも２０
００Ｖ以上とする電子部品を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上に
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｒｕ等により配線回路を形成し、配
線回路上に絶縁被覆用ガラスの層を設けた電子部品にお
いて、絶縁被覆用ガラスは、配線回路の上に被覆された
結晶質ガラスの層と、結晶質ガラスの層の上に形成され
た非晶質ガラスの層とからなり、結晶質ガラスの層は、
結晶質ガラス７０〜９５重量％と、フィラーまたは原料
５〜３０重量％とからなり、結晶質ガラスは、重量％
で、 ＳｉＯ2 ３５〜４５ Ａｌ2 Ｏ3 ２〜６．５ ＺｎＯ １２〜１８ ＭｇＯ ０〜４０ ＣａＯ ０〜４０ ＳｒＯ ０〜４０ ＢａＯ ０〜４０ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ３０〜４０ ＺｒＯ2 ０〜５ ＴｉＯ2 ０〜５ ＳｎＯ2 ０〜５ ＺｒＯ2 ＋ＴｉＯ2 ＋ＳｎＯ2 １〜５ Ｌｉ2 Ｏ ０〜３ Ｎａ2 Ｏ ０〜３ Ｋ2 Ｏ ０〜３ Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ ０〜３ からなり、非結晶質ガラスは本質的に重量％表示で、 ＰｂＯ ５２〜６０ ＳｉＯ2 ２２〜３０ Ｂ2 Ｏ3 ８〜１５ ＭｇＯ ０〜１０ ＣａＯ ０〜１０ ＳｒＯ ０〜１０ ＢａＯ ０〜１０ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ３〜１０ Ａｌ2 Ｏ3 １〜５ からなることを特徴とする電子部品を提供する。
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｒｕ等により配線回路を形成し、配
線回路上に絶縁被覆用ガラスの層を設けた電子部品にお
いて、絶縁被覆用ガラスは、配線回路の上に被覆された
結晶質ガラスの層と、結晶質ガラスの層の上に形成され
た非晶質ガラスの層とからなり、結晶質ガラスの層は、
結晶質ガラス７０〜９５重量％と、フィラーまたは原料
５〜３０重量％とからなり、結晶質ガラスは、重量％
で、 ＳｉＯ2 ３５〜４５ Ａｌ2 Ｏ3 ２〜６．５ ＺｎＯ １２〜１８ ＭｇＯ ０〜４０ ＣａＯ ０〜４０ ＳｒＯ ０〜４０ ＢａＯ ０〜４０ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ３０〜４０ ＺｒＯ2 ０〜５ ＴｉＯ2 ０〜５ ＳｎＯ2 ０〜５ ＺｒＯ2 ＋ＴｉＯ2 ＋ＳｎＯ2 １〜５ Ｌｉ2 Ｏ ０〜３ Ｎａ2 Ｏ ０〜３ Ｋ2 Ｏ ０〜３ Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ ０〜３ からなり、非結晶質ガラスは本質的に重量％表示で、 ＰｂＯ ５２〜６０ ＳｉＯ2 ２２〜３０ Ｂ2 Ｏ3 ８〜１５ ＭｇＯ ０〜１０ ＣａＯ ０〜１０ ＳｒＯ ０〜１０ ＢａＯ ０〜１０ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ３〜１０ Ａｌ2 Ｏ3 １〜５ からなることを特徴とする電子部品を提供する。
【０００６】回路に接する１層目を結晶質ガラスの層と
し、その上部に非晶質ガラスの層を形成する。このう
ち、電極材料（成分）のガラス層への拡散を結晶質ガラ
スを設けることにより抑制し、かつ、上部に非晶質ガラ
スを設けることによりガラス被覆層全体の緻密化を実現
する目的で２層構造が必須である。このうち結晶質ガラ
スは、８００〜８５０℃の温度で焼成でき、かつ、熱膨
張係数が６７〜７０（×１０-7／℃）である。
し、その上部に非晶質ガラスの層を形成する。このう
ち、電極材料（成分）のガラス層への拡散を結晶質ガラ
スを設けることにより抑制し、かつ、上部に非晶質ガラ
スを設けることによりガラス被覆層全体の緻密化を実現
する目的で２層構造が必須である。このうち結晶質ガラ
スは、８００〜８５０℃の温度で焼成でき、かつ、熱膨
張係数が６７〜７０（×１０-7／℃）である。
【０００７】次に、結晶質ガラスの組成限定理由と望ま
しい範囲について説明する。 ＳｉＯ2 ：ガラスネットワークフォーマーであると共
に、析出結晶の主成分である。３５％より少ないと熱膨
張が大きくなりすぎると共に結晶化しなくなる。一方、
４５％より多いとガラスの軟化点が高くなりすぎる。望
ましくは３７〜４３％である。 Ａｌ2 Ｏ3 ：結晶化のための必須成分である。２％より
少ないと結晶化しない。６．５％より多いとガラス溶融
過程で失透する恐れがある。望ましくは３〜６％の範囲
である。
しい範囲について説明する。 ＳｉＯ2 ：ガラスネットワークフォーマーであると共
に、析出結晶の主成分である。３５％より少ないと熱膨
張が大きくなりすぎると共に結晶化しなくなる。一方、
４５％より多いとガラスの軟化点が高くなりすぎる。望
ましくは３７〜４３％である。 Ａｌ2 Ｏ3 ：結晶化のための必須成分である。２％より
少ないと結晶化しない。６．５％より多いとガラス溶融
過程で失透する恐れがある。望ましくは３〜６％の範囲
である。
【０００８】ＺｎＯ：フラックス成分として必須であ
る。１２％より少ないと軟化点が高くなりすぎる。１８
％より多いとガラス溶融中に失透が起こる。望ましくは
１３〜１７％である。 ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ：結晶化のために少な
くとも１種は、必要である。これらの成分の合量が、３
０％より少ないと結晶化しなく、４０％より多いと熱膨
張が高くなりすぎる。望ましくは３２〜３８％である。
る。１２％より少ないと軟化点が高くなりすぎる。１８
％より多いとガラス溶融中に失透が起こる。望ましくは
１３〜１７％である。 ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ：結晶化のために少な
くとも１種は、必要である。これらの成分の合量が、３
０％より少ないと結晶化しなく、４０％より多いと熱膨
張が高くなりすぎる。望ましくは３２〜３８％である。
【０００９】ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 ：結晶核生
成のため少なくとも１種は必要である。これらの成分の
合量が、１％より少ないとその効果がなく、一方、５％
より多いとガラス溶解過程で失透化する傾向にある。望
ましくは２〜４％である。 Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ：選択成分として、これら
の成分を、合量で３％まで導入しても差し支えない。こ
れらの成分の合量が、３％を超えると熱膨張が大きくな
りすぎて反りが発生する。望ましくは２％以下である。
成のため少なくとも１種は必要である。これらの成分の
合量が、１％より少ないとその効果がなく、一方、５％
より多いとガラス溶解過程で失透化する傾向にある。望
ましくは２〜４％である。 Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ：選択成分として、これら
の成分を、合量で３％まで導入しても差し支えない。こ
れらの成分の合量が、３％を超えると熱膨張が大きくな
りすぎて反りが発生する。望ましくは２％以下である。
【００１０】前記結晶化ガラスの層は、結晶化ガラス７
０〜９５重量％であって、残部はフィラーまたは顔料５
〜３０重量％となる組成物である。フィラーおよび顔料
はα−アルミナ、ジルコン、α−石英、コバルト化合
物、クロム化合物から選ばれた少なくとも１種を用い
る。フィラーおよび顔料は、５％より少ないとガラスが
導体もしくは抵抗体と反応し、導体抵抗もしくは抵抗体
の特性の変化およびガラス絶縁性の低下が起こる。一
方、３０％より多いとガラス絶縁層の焼結が不十分とな
り絶縁性低下が発生する。望ましくは７〜２５％であ
る。
０〜９５重量％であって、残部はフィラーまたは顔料５
〜３０重量％となる組成物である。フィラーおよび顔料
はα−アルミナ、ジルコン、α−石英、コバルト化合
物、クロム化合物から選ばれた少なくとも１種を用い
る。フィラーおよび顔料は、５％より少ないとガラスが
導体もしくは抵抗体と反応し、導体抵抗もしくは抵抗体
の特性の変化およびガラス絶縁性の低下が起こる。一
方、３０％より多いとガラス絶縁層の焼結が不十分とな
り絶縁性低下が発生する。望ましくは７〜２５％であ
る。
【００１１】次に、非晶質ガラスの組成限定理由と望ま
しい範囲について説明する。 ＰｂＯ：フラックス成分として必須であるが５２％より
少ないと軟化点が高くなりすぎる。一方、６０％より多
いと熱膨張係数が大きくなりすぎる。望ましくは５４〜
５８％である。 ＳｉＯ2 ：ガラスネットワークフォーマーであり必須成
分である。２２％より少ないとガラスの化学的安定性の
低下が起きる。一方、３０％より多いと軟化点が高くな
りすぎる。望ましくは２４〜２８％である。
しい範囲について説明する。 ＰｂＯ：フラックス成分として必須であるが５２％より
少ないと軟化点が高くなりすぎる。一方、６０％より多
いと熱膨張係数が大きくなりすぎる。望ましくは５４〜
５８％である。 ＳｉＯ2 ：ガラスネットワークフォーマーであり必須成
分である。２２％より少ないとガラスの化学的安定性の
低下が起きる。一方、３０％より多いと軟化点が高くな
りすぎる。望ましくは２４〜２８％である。
【００１２】Ｂ2 Ｏ3 ：フラックス成分として必須であ
る。８％より少ないと軟化点が高くなりすぎる。１５％
より多いと化学的安定性の低下が起こる。望ましくは８
〜１４％である。 ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ：熱膨張係数および軟
化点などの特性制御として、少なくとも１種は、必要で
ある。これらの成分の合量が、３％より少ないとその効
果は期待できない。一方、１０％より多いと熱膨張が高
くなりすぎる。望ましくは４〜９％である。
る。８％より少ないと軟化点が高くなりすぎる。１５％
より多いと化学的安定性の低下が起こる。望ましくは８
〜１４％である。 ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ：熱膨張係数および軟
化点などの特性制御として、少なくとも１種は、必要で
ある。これらの成分の合量が、３％より少ないとその効
果は期待できない。一方、１０％より多いと熱膨張が高
くなりすぎる。望ましくは４〜９％である。
【００１３】Ａｌ2 Ｏ3 ：化学的安定性向上のために必
須である。１％より少ないとその効果はない。一方、５
％より多いと軟化点が高くなりすぎる。望ましくは２〜
４％である。
須である。１％より少ないとその効果はない。一方、５
％より多いと軟化点が高くなりすぎる。望ましくは２〜
４％である。
【００１４】
【実施例】表１に挙げたガラス組成となるように原料を
調合・混合し、１４００〜１５００℃の温度にて均質撹
拌しながら溶融しガラス化した。次いで溶融ガラスを水
砕またはフレーク化した後、ボールミル等により粉末と
した。次いで、結晶質ガラスとフィラーまたは顔料とを
同表に記載した割合で混合した。フィラーとしては、α
−アルミナを主体とするものを使用した。結晶質ガラス
とフィラーまたは顔料との混合は、ガラスを粉末化する
際同時に混合も兼ねる方法、もしくはガラスのみ粉末化
し、ペースト化する際に混合する方法いずれでもよい。
調合・混合し、１４００〜１５００℃の温度にて均質撹
拌しながら溶融しガラス化した。次いで溶融ガラスを水
砕またはフレーク化した後、ボールミル等により粉末と
した。次いで、結晶質ガラスとフィラーまたは顔料とを
同表に記載した割合で混合した。フィラーとしては、α
−アルミナを主体とするものを使用した。結晶質ガラス
とフィラーまたは顔料との混合は、ガラスを粉末化する
際同時に混合も兼ねる方法、もしくはガラスのみ粉末化
し、ペースト化する際に混合する方法いずれでもよい。
【００１５】アルミナ等の絶縁基板に塗布形成する方法
は、通常スクリーン印刷により行われるため、ガラス粉
末は有機ビヒクルを用いてペースト化する必要がある。
有機ビヒクルは、エチルセルロース、アクリル系樹脂、
スチレン系樹脂、フェノール系樹脂等一般的な有機高分
子樹脂をα−テルピネオール、トリメチルペンタンジオ
ールモノイゾブチレート等の溶剤に均質溶解させたもの
を用いた。
は、通常スクリーン印刷により行われるため、ガラス粉
末は有機ビヒクルを用いてペースト化する必要がある。
有機ビヒクルは、エチルセルロース、アクリル系樹脂、
スチレン系樹脂、フェノール系樹脂等一般的な有機高分
子樹脂をα−テルピネオール、トリメチルペンタンジオ
ールモノイゾブチレート等の溶剤に均質溶解させたもの
を用いた。
【００１６】ペーストは通常よく知られた方法、すなわ
ち、粗混練の後、３本ロールミルによる均質分散を行
い、所望のペースト粘度に調整した。このようにして得
られたペーストを用いて、下部電極を形成したアルミナ
基板上に結晶質ガラスをスクリーン印刷・乾燥し、約８
００℃雰囲気の炉中に投入・焼成した。その上部に非晶
質ガラスを同様に印刷・乾燥し、約７００〜７５０℃の
炉中に投入・焼成し、さらに上部電極を形成し、絶縁破
壊電圧を測定した。
ち、粗混練の後、３本ロールミルによる均質分散を行
い、所望のペースト粘度に調整した。このようにして得
られたペーストを用いて、下部電極を形成したアルミナ
基板上に結晶質ガラスをスクリーン印刷・乾燥し、約８
００℃雰囲気の炉中に投入・焼成した。その上部に非晶
質ガラスを同様に印刷・乾燥し、約７００〜７５０℃の
炉中に投入・焼成し、さらに上部電極を形成し、絶縁破
壊電圧を測定した。
【００１７】これらの結果を同表に併記した。同表に
は、比較例も示した。同表より明らかなように、本発明
によるものは、２０００Ｖ以上の絶縁破壊電圧を有す
る。
は、比較例も示した。同表より明らかなように、本発明
によるものは、２０００Ｖ以上の絶縁破壊電圧を有す
る。
【００１８】絶縁破壊電圧の測定にあたっては、上部電
極を＋極、下部電極を−極とし、両電極間に順次電圧を
負荷していき絶縁ガラスが破壊された電圧値を絶縁破壊
電圧とした。
極を＋極、下部電極を−極とし、両電極間に順次電圧を
負荷していき絶縁ガラスが破壊された電圧値を絶縁破壊
電圧とした。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【発明の効果】本発明は、少なくとも２０００Ｖ以上の
電気的絶縁破壊電圧を満たす高絶縁性被覆用電子部品を
提供するものである。
電気的絶縁破壊電圧を満たす高絶縁性被覆用電子部品を
提供するものである。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｒｕ等に
より配線回路を形成し、配線回路上に絶縁被覆用ガラス
の層を設けた電子部品において、絶縁被覆用ガラスは、
配線回路の上に被覆された結晶質ガラスの層と、結晶質
ガラスの層の上に形成された非晶質ガラスの層とからな
り、結晶質ガラスの層は、結晶質ガラス７０〜９５重量
％と、フィラーまたは顔料５〜３０重量％とからなり、
結晶質ガラスは、重量％で、 ＳｉＯ2 ３５〜４５ Ａｌ2 Ｏ3 ２〜６．５ ＺｎＯ １２〜１８ ＭｇＯ ０〜４０ ＣａＯ ０〜４０ ＳｒＯ ０〜４０ ＢａＯ ０〜４０ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ３０〜４０ ＺｒＯ2 ０〜５ ＴｉＯ2 ０〜５ ＳｎＯ2 ０〜５ ＺｒＯ2 ＋ＴｉＯ2 ＋ＳｎＯ2 １〜５ Ｌｉ2 Ｏ ０〜３ Ｎａ2 Ｏ ０〜３ Ｋ2 Ｏ ０〜３ Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ ０〜３ からなり、非結晶質ガラスは本質的に重量％表示で、 ＰｂＯ ５２〜６０ ＳｉＯ2 ２２〜３０ Ｂ2 Ｏ3 ８〜１５ ＭｇＯ ０〜１０ ＣａＯ ０〜１０ ＳｒＯ ０〜１０ ＢａＯ ０〜１０ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ３〜１０ Ａｌ2 Ｏ3 １〜５ からなることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5055149A JPH06247742A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5055149A JPH06247742A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06247742A true JPH06247742A (ja) | 1994-09-06 |
Family
ID=12990707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5055149A Pending JPH06247742A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06247742A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4013400A1 (de) * | 1989-04-28 | 1990-10-31 | Fuji Heavy Ind Ltd | Steuersystem fuer eine reibkupplung eines kraftfahrzeugs |
| US5421440A (en) * | 1992-08-31 | 1995-06-06 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Control system for automotive clutch |
| KR970042353A (ko) * | 1995-12-15 | 1997-07-24 | 김익명 | 절연용 유리조성물 |
| WO2002000563A1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-03 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Ceramic coloring composition and method for bending flat glass |
| JP2007024615A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| JP2011527663A (ja) * | 2008-07-09 | 2011-11-04 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 絶縁層およびその製造方法 |
| CN102276150A (zh) * | 2011-06-02 | 2011-12-14 | 重庆仪表材料研究所 | 一种耐高温高压密封用玻璃材料及其制备方法 |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP5055149A patent/JPH06247742A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4013400A1 (de) * | 1989-04-28 | 1990-10-31 | Fuji Heavy Ind Ltd | Steuersystem fuer eine reibkupplung eines kraftfahrzeugs |
| US5421440A (en) * | 1992-08-31 | 1995-06-06 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Control system for automotive clutch |
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| CN102276150A (zh) * | 2011-06-02 | 2011-12-14 | 重庆仪表材料研究所 | 一种耐高温高压密封用玻璃材料及其制备方法 |
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