JPH03178154A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH03178154A JPH03178154A JP1317306A JP31730689A JPH03178154A JP H03178154 A JPH03178154 A JP H03178154A JP 1317306 A JP1317306 A JP 1317306A JP 31730689 A JP31730689 A JP 31730689A JP H03178154 A JPH03178154 A JP H03178154A
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- Japan
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- cap
- integrated circuit
- circuit device
- semiconductor integrated
- thermally conductive
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
- H10W70/654—Top-view layouts
- H10W70/655—Fan-out layouts
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に気密封止（
ハーメチック・シール）構造を有する半導体集積回路装
置の冷却に適用して効果のある技術に関するものである
。
ハーメチック・シール）構造を有する半導体集積回路装
置の冷却に適用して効果のある技術に関するものである
。
半導体集積回路装置の気密封止構造の一つに、ＣＣＢバ
ンプを介してパッケージ基板に実装された半導体チップ
をキャップで気密封止した、いわゆるチップキャリヤ（
Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）が知られている。このチッ
プキャリヤは、前記パッケージ基板の下面に設けたＣＣ
Ｂバンプを介してモジュール基板に実装されるようにな
っている（特開昭６２−２４９４２９号公報、特開昭６
３−３１０１３９号公報など〉。
ンプを介してパッケージ基板に実装された半導体チップ
をキャップで気密封止した、いわゆるチップキャリヤ（
Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）が知られている。このチッ
プキャリヤは、前記パッケージ基板の下面に設けたＣＣ
Ｂバンプを介してモジュール基板に実装されるようにな
っている（特開昭６２−２４９４２９号公報、特開昭６
３−３１０１３９号公報など〉。
近年、上記チップキャリヤは、集積回路の高密度化に伴
ってチップあたりの消費電力が著しく増大しており、そ
のため回路動作時にチップから発生する熱を如何に効率
よく外部に放出するかがチップの動作信頼性を確保する
上で重要な課題となっている。
ってチップあたりの消費電力が著しく増大しており、そ
のため回路動作時にチップから発生する熱を如何に効率
よく外部に放出するかがチップの動作信頼性を確保する
上で重要な課題となっている。
そこで、上記チップキャリヤにおいては、チップの背面
とキャップの下面とを半田で接合することによって、チ
ップから発生する熱をこの半田を通じてキャップに逃が
すようにしており、さらに、チップキャリヤをモジュー
ル基板に実装する際には、前記キャップの上面に熱伝導
グリースを介して冷却管を重ね合せ、この冷却管内を流
れる冷媒によってキャップを冷却するようにしている。
とキャップの下面とを半田で接合することによって、チ
ップから発生する熱をこの半田を通じてキャップに逃が
すようにしており、さらに、チップキャリヤをモジュー
ル基板に実装する際には、前記キャップの上面に熱伝導
グリースを介して冷却管を重ね合せ、この冷却管内を流
れる冷媒によってキャップを冷却するようにしている。
なお、このようなチップキャリヤの冷却構造については
、特開昭５５−１７８８８５号公報に記載されている。
、特開昭５５−１７８８８５号公報に記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、熱伝導グリースを介してキャップの上面に冷
却管を重合する前記チップキャリヤの冷却構造において
は、キャップの温度が上昇した際に熱伝導グリースの粘
度が低下するため、その−部がキャップの外壁を伝って
パッケージ基板の下面に流れ込む結果、熱伝導グリース
中に含まれる導電性フィラーを介してＣＣＢバンプ同士
が短絡するという問題があった。
却管を重合する前記チップキャリヤの冷却構造において
は、キャップの温度が上昇した際に熱伝導グリースの粘
度が低下するため、その−部がキャップの外壁を伝って
パッケージ基板の下面に流れ込む結果、熱伝導グリース
中に含まれる導電性フィラーを介してＣＣＢバンプ同士
が短絡するという問題があった。
本発明の目的は、上述した問題点を改善した半導体集積
回路装置の冷却技術を提供することにある。
回路装置の冷却技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記目的を達成するとともに、半
導体集積回路装置の冷却効率を向上させることのできる
技術を提供することにある。
導体集積回路装置の冷却効率を向上させることのできる
技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本願の一発明は、ＣＣＢバンプを介してパッケージ基板
の主面に実装された半導体チップをキャップで気密封止
してなるパッケージをモジュール基板の主面に実装し、
前記キャップの上面に設けた凹溝内に熱伝導グリースを
充填するとともに、前記キャップの上面に冷却管を重合
した半導体集積回路装置である。
の主面に実装された半導体チップをキャップで気密封止
してなるパッケージをモジュール基板の主面に実装し、
前記キャップの上面に設けた凹溝内に熱伝導グリースを
充填するとともに、前記キャップの上面に冷却管を重合
した半導体集積回路装置である。
上記した手段によれば、キャップの上面に設けた凹溝内
に熱伝導グリースを充填することにより、キャップの温
度が上昇した際における熱伝導グリースの流出が抑制さ
れる。
に熱伝導グリースを充填することにより、キャップの温
度が上昇した際における熱伝導グリースの流出が抑制さ
れる。
〔実施例１〕
第１図に示すように、本実施例１０半導体集積回路装置
は、モジュール基板１の主面に実装されたチップキャリ
ヤ２の上に冷却管３を重ね合わせた構造を有している。
は、モジュール基板１の主面に実装されたチップキャリ
ヤ２の上に冷却管３を重ね合わせた構造を有している。
図示はしないが、モジュール基板ｌの主面には、複数の
チップキャリヤ２が所定の間隔を置いて実装されている
。
チップキャリヤ２が所定の間隔を置いて実装されている
。
チップキャリヤ２は、ＣＣＢバンプ４を介してパッケー
ジ基板５の電極６上にフェイスダウン・ボンディングし
た半導体チップ７をキャップ８で気密封止したパッケー
ジ構造を備えている。このキャップ８は、封止用半田９
を介してパッケージ基板５の主面に接合されている。
ジ基板５の電極６上にフェイスダウン・ボンディングし
た半導体チップ７をキャップ８で気密封止したパッケー
ジ構造を備えている。このキャップ８は、封止用半田９
を介してパッケージ基板５の主面に接合されている。
半導体チップ７の背面（上面）は、伝熱用半田１０を介
してキャップ８の下面に固着されている。
してキャップ８の下面に固着されている。
従って、半導体チップ７から発生した熱は、伝熱用半田
１０を通じてキャップ８に伝達され、さらに冷却管３に
伝達される。この冷却管３の内部には、所定の間隔を置
いて冷媒流路１１が設けられており、それぞれの冷媒流
路ｌｌ内には、水などの冷媒Ｃが流れるようになってい
る。
１０を通じてキャップ８に伝達され、さらに冷却管３に
伝達される。この冷却管３の内部には、所定の間隔を置
いて冷媒流路１１が設けられており、それぞれの冷媒流
路ｌｌ内には、水などの冷媒Ｃが流れるようになってい
る。
パッケージ基板５の下面の電極６には、前記ＣＣＢバン
プ４よりも径の大きいＣＣＢバンプ１２が接合されてお
り、チップキャリヤ２は、このＣＣＢバンプ１２を介し
てモジュール基板１の電極６に接続されている。ＣＣＢ
バンプ１２は、パッケージ基板５内に設けられたＷ（タ
ングステン〉などの内部配線１３を通じてＣＣＢバンプ
４、さらには半導体チップ７と電気的に接続されている
。
プ４よりも径の大きいＣＣＢバンプ１２が接合されてお
り、チップキャリヤ２は、このＣＣＢバンプ１２を介し
てモジュール基板１の電極６に接続されている。ＣＣＢ
バンプ１２は、パッケージ基板５内に設けられたＷ（タ
ングステン〉などの内部配線１３を通じてＣＣＢバンプ
４、さらには半導体チップ７と電気的に接続されている
。
なお、前記パッケージ基板５は、ムライトなどのセラミ
ック材料で構成されており、キャップ８は、例えば窒化
アルミニウム（ＡｆＮ）で構成されている。ＣＣＢバン
プ４は、例えば２重量％程度のＳｎを含有するＰ ｂ
／ Ｓ ｎ合金（融点＝３２０〜３３０℃程度）で構成
されており、ＣＣＢバンプ１２は、例えば３０重量％程
度のＳｎを含有するＰ ｂ ／ Ｓ ｎ合金（融点＝２
５０〜２６０℃程度）で構成されている。封止用半田９
および伝熱用半田ＩＯは、例えばｌＯ重量％程度のＳｎ
を含有するＰ ｂ ／ Ｓ ｎ合金（Ｍ点−２９０〜３
００℃程度）で構成されている。冷却管３は、セラミッ
クや金属のような熱伝導率の高い材料で構成されている
。
ック材料で構成されており、キャップ８は、例えば窒化
アルミニウム（ＡｆＮ）で構成されている。ＣＣＢバン
プ４は、例えば２重量％程度のＳｎを含有するＰ ｂ
／ Ｓ ｎ合金（融点＝３２０〜３３０℃程度）で構成
されており、ＣＣＢバンプ１２は、例えば３０重量％程
度のＳｎを含有するＰ ｂ ／ Ｓ ｎ合金（融点＝２
５０〜２６０℃程度）で構成されている。封止用半田９
および伝熱用半田ＩＯは、例えばｌＯ重量％程度のＳｎ
を含有するＰ ｂ ／ Ｓ ｎ合金（Ｍ点−２９０〜３
００℃程度）で構成されている。冷却管３は、セラミッ
クや金属のような熱伝導率の高い材料で構成されている
。
本実施例１のチップキャリヤ２は、キャップ８の上面中
央部に凹溝１４が設けられている。また、この凹溝１４
内には、熱伝導グリース１５が隙間なく充填されている
。そのため、半導体チップ７から発生した熱は、伝熱用
半田１０を通じてキャップ８に伝達された後、主として
凹溝１４内の熱伝導グリース１５を通じて冷却管３に伝
達される。
央部に凹溝１４が設けられている。また、この凹溝１４
内には、熱伝導グリース１５が隙間なく充填されている
。そのため、半導体チップ７から発生した熱は、伝熱用
半田１０を通じてキャップ８に伝達された後、主として
凹溝１４内の熱伝導グリース１５を通じて冷却管３に伝
達される。
また、キャップ８に伝達された熱の一部は、キャップ８
と冷却管３との接触面（キャップ８の上面周縁部）を通
じて冷却管３に伝達される。
と冷却管３との接触面（キャップ８の上面周縁部）を通
じて冷却管３に伝達される。
上記熱伝導グリース１５には、ダイヤモンド粉末からな
る熱伝導媒体（図示せず）が含有されている。このダイ
ヤモンド粉末が含有されることにより、熱伝導グリース
１５は、その熱伝導率が大きくなるとともに、粘性も高
くなる。
る熱伝導媒体（図示せず）が含有されている。このダイ
ヤモンド粉末が含有されることにより、熱伝導グリース
１５は、その熱伝導率が大きくなるとともに、粘性も高
くなる。
一方、キャップ８の上面周縁部、すなわちキャップ８が
冷却管３と接触する面には、Ａｕのメタライズ層１６が
設けられている。Ａｕは、軟質の金属であるため、キャ
ップ８上に冷却管３を重ね合わせた後、冷却管３の上面
に適度の圧力を印加することにより、メタライズ層１６
の表面が僅かに変形してキャップ８と冷却管３との接触
面の密着性が向上する。
冷却管３と接触する面には、Ａｕのメタライズ層１６が
設けられている。Ａｕは、軟質の金属であるため、キャ
ップ８上に冷却管３を重ね合わせた後、冷却管３の上面
に適度の圧力を印加することにより、メタライズ層１６
の表面が僅かに変形してキャップ８と冷却管３との接触
面の密着性が向上する。
以上のように構成された本実施例１の半導体集積回路装
置においては、下記のような効果を得ることができる。
置においては、下記のような効果を得ることができる。
〔１）、モジュール基板１の主面に実装されたチップキ
ャリヤ２のキャップ８上に冷却管３を重ね合わせた半導
体集積回路装置において、上記キャップ８の上面に凹溝
１４を設け、その内部に熱伝導グリース１５を充填した
ことにより、キャップ８の温度上昇に伴って熱膨張する
熱伝導グリース１５がキャップ８の外壁を伝ってパッケ
ージ基板５の下面に流れ込むのを抑制することができる
ので、ＣＣＢバンプ１２同士の短絡を防止することがで
きる。
ャリヤ２のキャップ８上に冷却管３を重ね合わせた半導
体集積回路装置において、上記キャップ８の上面に凹溝
１４を設け、その内部に熱伝導グリース１５を充填した
ことにより、キャップ８の温度上昇に伴って熱膨張する
熱伝導グリース１５がキャップ８の外壁を伝ってパッケ
ージ基板５の下面に流れ込むのを抑制することができる
ので、ＣＣＢバンプ１２同士の短絡を防止することがで
きる。
（２）、熱伝導グリース１５にダイヤモンド粉末を含有
させたことにより、熱伝導グリース１５の粘性が高くな
り、キャップ８の温度上昇に伴う熱伝導グリース１５の
粘性低下が抑制されるので、上記（１）の効果をより確
実に得ることができる。
させたことにより、熱伝導グリース１５の粘性が高くな
り、キャップ８の温度上昇に伴う熱伝導グリース１５の
粘性低下が抑制されるので、上記（１）の効果をより確
実に得ることができる。
（３）、キャップ８の上面周縁部にＡｕのメタライズ層
１６を形成し、キャップ８と冷却管３との接触面の密着
性を向上させたことにより、上記（１）の効果をより確
実に得ることができる。
１６を形成し、キャップ８と冷却管３との接触面の密着
性を向上させたことにより、上記（１）の効果をより確
実に得ることができる。
（４）、熱伝導グリース１５にダイヤモンド粉末を含有
させてその熱伝導率を大きくしたことにより、凹溝１４
内の熱伝導グリース１５を通じて冷却管３に伝達される
熱量が増大するので、半導体集積回路装置の冷却効率が
向上する。
させてその熱伝導率を大きくしたことにより、凹溝１４
内の熱伝導グリース１５を通じて冷却管３に伝達される
熱量が増大するので、半導体集積回路装置の冷却効率が
向上する。
（５）、キャップ８の上面周縁部にＡｕのメタライズ層
１６を形成し、キャップ８と冷却管３との接触面の密着
性を向上させたことにより、この接触面を通じて冷却管
３に伝達される熱量が増大するので、半導体集積回路装
置の冷却効率が向上する。
１６を形成し、キャップ８と冷却管３との接触面の密着
性を向上させたことにより、この接触面を通じて冷却管
３に伝達される熱量が増大するので、半導体集積回路装
置の冷却効率が向上する。
〔実施例２〕
本実施例２の半導体集積回路装置は、前記実施例１゛と
同じくモジュール基板１の主面に実装されたチップキャ
リヤ２のキャップ８上に冷却管３を重ね合わせた構造を
有している。図示はしないが、モジュール基板１の主面
には、複数のチップキャリヤ２が所定の間隔を置いて実
装されている。
同じくモジュール基板１の主面に実装されたチップキャ
リヤ２のキャップ８上に冷却管３を重ね合わせた構造を
有している。図示はしないが、モジュール基板１の主面
には、複数のチップキャリヤ２が所定の間隔を置いて実
装されている。
第２図に示すように、本実施例２のチップキャリヤ２に
おいては、キャップ８の上面中央部に設けられた凹ａ１
４内に熱伝導グリース１５を充填するとともに、この凹
溝１４内に、上記熱伝導グリース１５がキャップ８の横
方向に沿って熱膨張することのできるような隙間１７を
設けている。
おいては、キャップ８の上面中央部に設けられた凹ａ１
４内に熱伝導グリース１５を充填するとともに、この凹
溝１４内に、上記熱伝導グリース１５がキャップ８の横
方向に沿って熱膨張することのできるような隙間１７を
設けている。
前記実施例１のように、凹溝１４内に熱伝導グリース１
５を隙間なく充填した場合には、熱伝導グリース１５が
冷却管３を持ち上げるように熱膨張するので、これによ
って生じたキャップ８と冷却管３の隙間を通じて熱伝導
グリース１５が凹溝１４外に流出する虞れがあった。こ
れに対して、凹溝１４内に前記隙間１７を設けた本実施
例２においては、熱伝導グリース１５がキャップ８の横
方向に沿って熱膨張するため、冷却管３が持ち上げられ
る虞れはない。従って、熱伝導グリース１５が凹溝１４
外に流出してパッケージ基板５の下面に流れ込むのを確
実に防止することができるので、ＣＣＢバンプ１２同士
の短絡をより確実に防止することができる。
５を隙間なく充填した場合には、熱伝導グリース１５が
冷却管３を持ち上げるように熱膨張するので、これによ
って生じたキャップ８と冷却管３の隙間を通じて熱伝導
グリース１５が凹溝１４外に流出する虞れがあった。こ
れに対して、凹溝１４内に前記隙間１７を設けた本実施
例２においては、熱伝導グリース１５がキャップ８の横
方向に沿って熱膨張するため、冷却管３が持ち上げられ
る虞れはない。従って、熱伝導グリース１５が凹溝１４
外に流出してパッケージ基板５の下面に流れ込むのを確
実に防止することができるので、ＣＣＢバンプ１２同士
の短絡をより確実に防止することができる。
また、第２図に示すように、本実施例２のチップキャリ
ヤ２においては、冷却管３の下面に脚部１８が設けられ
ており、この脚部１８の底面とキャップ８の周縁部とが
互いに接触するようになっている。
ヤ２においては、冷却管３の下面に脚部１８が設けられ
ており、この脚部１８の底面とキャップ８の周縁部とが
互いに接触するようになっている。
上記脚部１８の底面は、その凸部と凹部との段差が、例
えば１０μｍ程度以下となるように平坦化されており、
キャップ８と冷却管３との接触面の密着性が極めて良好
となっている。これにより、冷却管３とキャップ８との
接触面を通じて冷却管３に伝達される熱量が前記実施例
１の場合よりも増大するので、半導体集積回路装置の冷
却効率をさらに向上させることができる。
えば１０μｍ程度以下となるように平坦化されており、
キャップ８と冷却管３との接触面の密着性が極めて良好
となっている。これにより、冷却管３とキャップ８との
接触面を通じて冷却管３に伝達される熱量が前記実施例
１の場合よりも増大するので、半導体集積回路装置の冷
却効率をさらに向上させることができる。
なお、本実施例２の半導体集積回路装置は、上述した点
を除いては前記実施例１と同一の構成となっているため
、実施例１と同一部分の説明は省略する。
を除いては前記実施例１と同一の構成となっているため
、実施例１と同一部分の説明は省略する。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例１．２に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例１．２に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。
前記実施例１では、ダイヤモンド粉末からなる熱伝導媒
体を含有させることによって、熱伝導グリースの熱伝導
率および粘性を高くしたが、例えばカーボン粉末などの
熱伝導媒体を含有させることによっても、熱伝導グリー
スの熱伝導率を高くすることができる。
体を含有させることによって、熱伝導グリースの熱伝導
率および粘性を高くしたが、例えばカーボン粉末などの
熱伝導媒体を含有させることによっても、熱伝導グリー
スの熱伝導率を高くすることができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
（１）、ＣＣＢバンプを介してパッケージ基板の主面に
実装された半導体チップをキャップで気密封止してなる
パッケージをモジュール基板の主面に実装し、前記キャ
ップの上面に設けた凹溝内に熱伝導グリースを充填する
とともに、前記キャップの上面に冷却管を重合した本発
明の半導体集積回路装置によれば、キャップの温度が上
昇した際に熱伝導グリースがキャップの外壁を伝ってパ
ッケージ基板の下面に流れ込むのを抑制することができ
るので、パッケージ基板の下面に設けられたＣＣＢバン
プ同士の短絡を防止することができる。
実装された半導体チップをキャップで気密封止してなる
パッケージをモジュール基板の主面に実装し、前記キャ
ップの上面に設けた凹溝内に熱伝導グリースを充填する
とともに、前記キャップの上面に冷却管を重合した本発
明の半導体集積回路装置によれば、キャップの温度が上
昇した際に熱伝導グリースがキャップの外壁を伝ってパ
ッケージ基板の下面に流れ込むのを抑制することができ
るので、パッケージ基板の下面に設けられたＣＣＢバン
プ同士の短絡を防止することができる。
（２）、上記した本発明の半導体集積回路装置において
、キャップの上面に設けた凹溝内に、熱伝導グリースが
キャップの横方向に沿って熱膨張することのできるよう
な隙間を設けることにより、熱伝導グリースが凹溝外に
流出してパッケージ基板の下面に流れ込むのを確実に防
止することができるので、ＣＣＢバンプ同士の短絡をよ
り確実に防止することができる。
、キャップの上面に設けた凹溝内に、熱伝導グリースが
キャップの横方向に沿って熱膨張することのできるよう
な隙間を設けることにより、熱伝導グリースが凹溝外に
流出してパッケージ基板の下面に流れ込むのを確実に防
止することができるので、ＣＣＢバンプ同士の短絡をよ
り確実に防止することができる。
第１図は、本発明の一実施例である半導体集積回路装置
の要部断面図、 第２図は、本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の要部断面図である。 １・・・モジュール基板、２・・・チップキャリヤ、３
・・・冷却管、４，１２・・・ＣＣＢバンプ、５・・・
パッケージ基板、６・・・電極、７・・・半導体チップ
、８・・・キャップ、９・・・封止用半田、ｌＯ・・・
伝熱用半田、１１・・・冷媒流路、１３・・・内部配線
、１４・・・凹溝、１５・・・熱伝導グリース、１６・
・・メタライズ層、１７・・・隙間、１８・・・脚部、
Ｃ・・・冷媒。
の要部断面図、 第２図は、本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の要部断面図である。 １・・・モジュール基板、２・・・チップキャリヤ、３
・・・冷却管、４，１２・・・ＣＣＢバンプ、５・・・
パッケージ基板、６・・・電極、７・・・半導体チップ
、８・・・キャップ、９・・・封止用半田、ｌＯ・・・
伝熱用半田、１１・・・冷媒流路、１３・・・内部配線
、１４・・・凹溝、１５・・・熱伝導グリース、１６・
・・メタライズ層、１７・・・隙間、１８・・・脚部、
Ｃ・・・冷媒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＣＣＢバンプを介してパッケージ基板の主面に実装
された半導体チップをキャップで気密封止してなるパッ
ケージを備え、前記パッケージをモジュール基板の主面
に実装するとともに、前記キャップの上面に冷却管を重
合してなる半導体集積回路装置であって、前記キャップ
の上面に凹溝を設け、前記凹溝内に熱伝導グリースを充
填したことを特徴とする半導体集積回路装置。 ２、前記凹溝内に、前記熱伝導グリースがキャップの横
方向に沿って熱膨張することのできるような隙間を設け
たことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置
。 ３、前記熱伝導グリースは、熱伝導媒体を含有している
ことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。 ４、前記キャップと冷却管との接触面にＡｕのメタライ
ズ層を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体集
積回路装置。 ５、前記キャップと冷却管との接触面に平坦化処理を施
したことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317306A JPH03178154A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317306A JPH03178154A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178154A true JPH03178154A (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=18086742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1317306A Pending JPH03178154A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03178154A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0717440A3 (en) * | 1994-12-15 | 1997-11-26 | Hitachi, Ltd. | Cooling device of multi-chip module |
| WO2006087770A1 (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-24 | Fujitsu Limited | パッケージユニット |
| JP2008004745A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Denso Corp | 電子装置 |
| JP2011071550A (ja) * | 2010-12-21 | 2011-04-07 | Denso Corp | 電子装置 |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP1317306A patent/JPH03178154A/ja active Pending
Cited By (8)
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| EP0717440A3 (en) * | 1994-12-15 | 1997-11-26 | Hitachi, Ltd. | Cooling device of multi-chip module |
| US5751062A (en) * | 1994-12-15 | 1998-05-12 | Hitachi, Ltd. | Cooling device of multi-chip module |
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| JPWO2006087770A1 (ja) * | 2005-02-15 | 2008-07-03 | 富士通株式会社 | パッケージユニット |
| US7800218B2 (en) | 2005-02-15 | 2010-09-21 | Fujitsu Limited | Package unit |
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