JPH03180025A - 半導体基板の作製方法 - Google Patents
半導体基板の作製方法Info
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- JPH03180025A JPH03180025A JP1319732A JP31973289A JPH03180025A JP H03180025 A JPH03180025 A JP H03180025A JP 1319732 A JP1319732 A JP 1319732A JP 31973289 A JP31973289 A JP 31973289A JP H03180025 A JPH03180025 A JP H03180025A
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- mixed crystal
- crystal semiconductor
- mixed
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＡｌＧａＡｓ、 ｒｎＧａＡｓＰ＋ ＧａＡｓ
、 ＩｎＰなどの混晶半導体基板および化合物半導体基
板の作製方法に関するものである。
、 ＩｎＰなどの混晶半導体基板および化合物半導体基
板の作製方法に関するものである。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課Ｂ）ＧａＡ
ｓ、 ＩｎＰ等の化合物半導体基板は、ＬＥＣ法ブリブ
リッジマン法より作製された、大きなインゴット単結晶
を薄く切取り、表面研磨する方法により広く作製されて
いる。また、上記基板の上にＬＰＥ法あるいはＶＰＥ、
ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ法により、更に高品質膜を形成した
エピタキシャル層を形成することも行われている。他方
、ＡｌＧａＡｓ。
ｓ、 ＩｎＰ等の化合物半導体基板は、ＬＥＣ法ブリブ
リッジマン法より作製された、大きなインゴット単結晶
を薄く切取り、表面研磨する方法により広く作製されて
いる。また、上記基板の上にＬＰＥ法あるいはＶＰＥ、
ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ法により、更に高品質膜を形成した
エピタキシャル層を形成することも行われている。他方
、ＡｌＧａＡｓ。
ＧａＡｓＰ混晶半導体基板においては上記インゴット単
結晶を作製する方法の他に、化合物半導体基板上にエピ
タキシャル層を形成した後、化合物半導体基板を除去す
る方法がとられている。 ＡｌＧａＡｓ混晶基板を例に
その作製方法を説明する。 ＡｌＧａＡｓ１ｌ晶半導体
は、ＧａＡｓ化合物半導体と格子定数が近く、ＬＰＥ法
等により比較的容易にＧａＡｓ基板にエピタキシャル成
長する。 ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＡｓ （ＡＩＡ
ｓＭ威０．３）を約３００ｐｍ成長させる。その後、機
械化学的研磨によりＧａＡｓ５板を除去すると、ＡｌＧ
ａＡｓ混晶基板が出来上がる。ただし、この方法では、
３００ｎと厚いため、大きな成長速度で成長するなどの
理由により、成長したＡｌＧａＡｓ表面は荒れており、
成長表面側も鏡面研磨して、ＡｌＧａＡｓ混晶半導体基
板となる。
結晶を作製する方法の他に、化合物半導体基板上にエピ
タキシャル層を形成した後、化合物半導体基板を除去す
る方法がとられている。 ＡｌＧａＡｓ混晶基板を例に
その作製方法を説明する。 ＡｌＧａＡｓ１ｌ晶半導体
は、ＧａＡｓ化合物半導体と格子定数が近く、ＬＰＥ法
等により比較的容易にＧａＡｓ基板にエピタキシャル成
長する。 ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＡｓ （ＡＩＡ
ｓＭ威０．３）を約３００ｐｍ成長させる。その後、機
械化学的研磨によりＧａＡｓ５板を除去すると、ＡｌＧ
ａＡｓ混晶基板が出来上がる。ただし、この方法では、
３００ｎと厚いため、大きな成長速度で成長するなどの
理由により、成長したＡｌＧａＡｓ表面は荒れており、
成長表面側も鏡面研磨して、ＡｌＧａＡｓ混晶半導体基
板となる。
他方、表面を除去する際に、混晶組成の異なる混晶層を
複数積層して、化学的に、ある組成の所でエツチングを
停止させて、鏡面をえる方法が行われている。ＡｌＧａ
Ａｓ −ＧａＡｓを例にこれを説明する。
複数積層して、化学的に、ある組成の所でエツチングを
停止させて、鏡面をえる方法が行われている。ＡｌＧａ
Ａｓ −ＧａＡｓを例にこれを説明する。
ＧａＡｓＷ板上にＧａＡｓエピタキシャル層を２ｎ積層
した後、ＡｌＧａＡｓ層（ＡＩＡｓｉ［威０．３）を２
１ＩＮ積層する。
した後、ＡｌＧａＡｓ層（ＡＩＡｓｉ［威０．３）を２
１ＩＮ積層する。
このように作製された基板を、Ｋｌ、 ｌ□Ｈ８０から
なるアイオダインエッチング液に浸すとＡｌＧａＡｓと
ＧａＡｓのエツチング速度の違いにより、ＧａＡｓ層を
除去することなしに、ＡＩＧａＡｓｊｉｉを除去するこ
とができる。
なるアイオダインエッチング液に浸すとＡｌＧａＡｓと
ＧａＡｓのエツチング速度の違いにより、ＧａＡｓ層を
除去することなしに、ＡＩＧａＡｓｊｉｉを除去するこ
とができる。
ＡｌＧａＡｓ等の混晶半導体基板を用いて、ＬＥＤ。
ＬＤ、太陽電池、光検知器等の半導体装置を作製するこ
とが行われている。そのためにＡｌＧａＡｓ基板上にＡ
［ＧａＡｓ、 ＧａＡｓ等の半導体膜を成長する必要が
ある。ＡｌＧａＡｓ基板はＧａＡｓ基板と異なり、表面
の酸化等の問題から、−旦大気に曝した後の成長は難し
い。ＡｌＧａＡｓ基板の上に良好な半導体層を得る方法
として、ＬＰＥ法においては、成長とは異なる過飽和度
を負としたメルトによりＡｌＧａＡｓ表面を少しメルト
バックした後に、成長装置から取り出す事なしに目的と
するＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ結晶層を成長する方法が
取られている。他方、このようなメルトバックの手法を
とることのできない、ＶＰＥ。
とが行われている。そのためにＡｌＧａＡｓ基板上にＡ
［ＧａＡｓ、 ＧａＡｓ等の半導体膜を成長する必要が
ある。ＡｌＧａＡｓ基板はＧａＡｓ基板と異なり、表面
の酸化等の問題から、−旦大気に曝した後の成長は難し
い。ＡｌＧａＡｓ基板の上に良好な半導体層を得る方法
として、ＬＰＥ法においては、成長とは異なる過飽和度
を負としたメルトによりＡｌＧａＡｓ表面を少しメルト
バックした後に、成長装置から取り出す事なしに目的と
するＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓ結晶層を成長する方法が
取られている。他方、このようなメルトバックの手法を
とることのできない、ＶＰＥ。
ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ等では、ＡｌＧａＡｓ基板表面処理
に特別の注意を払い、かつ成長装置内においても成長前
に表面処理をするなど、ＧａＡｓ基板に比べ難しくなっ
ている。
に特別の注意を払い、かつ成長装置内においても成長前
に表面処理をするなど、ＧａＡｓ基板に比べ難しくなっ
ている。
本発明は上記の欠点を改善するために提案されたもので
、その目的は、再成長が容易な（混晶）半導体基板の作
製方法を提供することにある。
、その目的は、再成長が容易な（混晶）半導体基板の作
製方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、本発明は、化合物半導体基
板上に化合物半導体あるいは混晶半導体（以下第１の混
晶半導体と呼ぶ）を成長した後に、前記化合物半導体基
板を除去させることにより化合物半導体あるいは混晶半
導体を含む半導体基板を作製させる方法であって、前記
化合物半導体基板に第１の混晶半導体層を積層し、続い
て前記第１の混晶半導体層とは異なる組成を持つ第２の
混晶半導体層および前記第２の混晶半導体層とは異なる
＆ｌｌ戒を持つ半導体層からなる積層基板を形成する工
程ｌと、その後、前記化合物半導体基板および第１の混
晶半導体層を化学的選択エツチングにより除去する工程
■を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法を発明
の要旨とするものである。
板上に化合物半導体あるいは混晶半導体（以下第１の混
晶半導体と呼ぶ）を成長した後に、前記化合物半導体基
板を除去させることにより化合物半導体あるいは混晶半
導体を含む半導体基板を作製させる方法であって、前記
化合物半導体基板に第１の混晶半導体層を積層し、続い
て前記第１の混晶半導体層とは異なる組成を持つ第２の
混晶半導体層および前記第２の混晶半導体層とは異なる
＆ｌｌ戒を持つ半導体層からなる積層基板を形成する工
程ｌと、その後、前記化合物半導体基板および第１の混
晶半導体層を化学的選択エツチングにより除去する工程
■を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法を発明
の要旨とするものである。
（作用）
従来の技術の混晶半導体基板は、全てが同一組成の層高
半導体であるのに対して、本発明によれば、混晶半導体
基板の表面のごく薄・い部分を、混晶組成の異なる半導
体層からなっている。そのため、屋晶組戒の異なる半導
体層を、再成長しやすい組成とすることにより、再成長
することを可能としている。また、この層をごく薄くす
ることにより、基板としての特性を保つことができる作
用を有するものである。
半導体であるのに対して、本発明によれば、混晶半導体
基板の表面のごく薄・い部分を、混晶組成の異なる半導
体層からなっている。そのため、屋晶組戒の異なる半導
体層を、再成長しやすい組成とすることにより、再成長
することを可能としている。また、この層をごく薄くす
ることにより、基板としての特性を保つことができる作
用を有するものである。
（実施例）
次に本発明の実施例について説明する。なお、実施例は
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で
、種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまでも
ない。
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で
、種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまでも
ない。
（実施例１）
第１図は本発明による実施例として、ＧａＡｓ膜付のＡ
ｌＧａＡｓ基板作製の工程における半導体基板の模式的
断面図である。ＬＥＣ法によるＧａＡｓ基板ｌの上にＬ
ＰＥ法によりＡｌＧａＡｓ層２を２１１ｍＭ１層した後
、その上にＧａＡｓ層３を２ｔｔａ積層した。その後、
さらにＡｌＧａＡｓ層４を３５Ｏｎ積層した。その後、
成長装置から取り出した。（第１図ａ参照） この工程は全て同一の成長装置内で行っている。
ｌＧａＡｓ基板作製の工程における半導体基板の模式的
断面図である。ＬＥＣ法によるＧａＡｓ基板ｌの上にＬ
ＰＥ法によりＡｌＧａＡｓ層２を２１１ｍＭ１層した後
、その上にＧａＡｓ層３を２ｔｔａ積層した。その後、
さらにＡｌＧａＡｓ層４を３５Ｏｎ積層した。その後、
成長装置から取り出した。（第１図ａ参照） この工程は全て同一の成長装置内で行っている。
この工程でＡｌＧａＡｓ層２およびＧａＡｓ層３の膜厚
は成長方法により制御され、膜厚は１％以内の精度を有
している。しかしながら、ＡｌＧａＡｓ層４は速い戒長
条性で行っているため、ＡｌＧａＡｓ成長層４の表面は
凹凸が激しいため、機械化学的研磨により表面層を３０
０μまで研磨して、鏡面とした０作製された混晶基板は
ＧａＡｓ層３のついている面が必要とされ、裏面となる
ＡｌＧａＡｓ ４の表面層の荒れが問題とならない場合
には、この工程を省略することもできる。つづいて、Ａ
ｌＧａＡｓ１Ｗ ４の表面を耐水性のワックスで覆い、
過酸化水素水とアンモニアからなる第１のエツチング液
でＧａＡｓ層Ｉを除去した。この第１のエツチング液は
、ＧａＡｓ層をエツチングするが、ＡｌＧａＡｓ層はエ
ツチングしない選択エツチング液である。ここで、機械
化学的研磨によりＧａＡｓ層ｌを２０／１ｍ程度に研磨
した後にこのエツチングを行うことにより、工程に要す
る時間を短くすることも可能である。その後、ＡｌＧａ
Ａｓ層を選択的にエツチングする。 Ｋｌ、 １．、
Ｈ，０からなる第２のアイオダインエッチング液に浸し
、Ａ ｌＧａＡｓ層２を除去した。その後、有機溶媒に
よりＡｌＧａＡｓ ４を覆ったワックスを除去して、２
ｎ膜厚のＧａＡｓ層を有するＡｌＧａＡｓ基板が得られ
た。（第１図す参照）従来のＡｌＧａＡｓ５板によって
は成長することが難しいＭＯＣＶＤ法により、このＡｌ
ＧａＡｓ基板のＧ’ａＡｓ面にＡ ｌＧａＡｓ −Ｇａ
ＡｓからなるＬＥＤを作製した。赤外の発光がＡｌＧａ
Ａｓ面から得られた。ここで、発光層からの光はＧａＡ
ｓ ３およびＡｌＧａＡｓ４を通過する。
は成長方法により制御され、膜厚は１％以内の精度を有
している。しかしながら、ＡｌＧａＡｓ層４は速い戒長
条性で行っているため、ＡｌＧａＡｓ成長層４の表面は
凹凸が激しいため、機械化学的研磨により表面層を３０
０μまで研磨して、鏡面とした０作製された混晶基板は
ＧａＡｓ層３のついている面が必要とされ、裏面となる
ＡｌＧａＡｓ ４の表面層の荒れが問題とならない場合
には、この工程を省略することもできる。つづいて、Ａ
ｌＧａＡｓ１Ｗ ４の表面を耐水性のワックスで覆い、
過酸化水素水とアンモニアからなる第１のエツチング液
でＧａＡｓ層Ｉを除去した。この第１のエツチング液は
、ＧａＡｓ層をエツチングするが、ＡｌＧａＡｓ層はエ
ツチングしない選択エツチング液である。ここで、機械
化学的研磨によりＧａＡｓ層ｌを２０／１ｍ程度に研磨
した後にこのエツチングを行うことにより、工程に要す
る時間を短くすることも可能である。その後、ＡｌＧａ
Ａｓ層を選択的にエツチングする。 Ｋｌ、 １．、
Ｈ，０からなる第２のアイオダインエッチング液に浸し
、Ａ ｌＧａＡｓ層２を除去した。その後、有機溶媒に
よりＡｌＧａＡｓ ４を覆ったワックスを除去して、２
ｎ膜厚のＧａＡｓ層を有するＡｌＧａＡｓ基板が得られ
た。（第１図す参照）従来のＡｌＧａＡｓ５板によって
は成長することが難しいＭＯＣＶＤ法により、このＡｌ
ＧａＡｓ基板のＧ’ａＡｓ面にＡ ｌＧａＡｓ −Ｇａ
ＡｓからなるＬＥＤを作製した。赤外の発光がＡｌＧａ
Ａｓ面から得られた。ここで、発光層からの光はＧａＡ
ｓ ３およびＡｌＧａＡｓ４を通過する。
しかしながら、吸収係数の大きいＧａＡｓ層３は薄いた
め吸収は少なく、また厚いＡｌＧａＡｓ ４は吸収係数
が少なく結局吸収が無く、これまでのＡｌＧａＡｓ基板
と同等のＬＥＤが得られた。また、ＡｌＧａＡｓ −Ｇ
ａＡｓからなる光検知器を作製した。これらの応用にお
いては、いずれも基板から光の出し入れが可能であるた
め、表面に形成した機能デバイスとのモノリシックを可
能とする。
め吸収は少なく、また厚いＡｌＧａＡｓ ４は吸収係数
が少なく結局吸収が無く、これまでのＡｌＧａＡｓ基板
と同等のＬＥＤが得られた。また、ＡｌＧａＡｓ −Ｇ
ａＡｓからなる光検知器を作製した。これらの応用にお
いては、いずれも基板から光の出し入れが可能であるた
め、表面に形成した機能デバイスとのモノリシックを可
能とする。
なお、前記の混晶半導体層３は化合物半導体基板と同一
の組成を有するものであってもよい。
の組成を有するものであってもよい。
（実施例２）
第２図は本発明による他の実施例として、ＩｎＰ膜付の
ＩｎＧａＡｓＰ基板作製の工程における半導体基板の模
式的断面図である。ＬＥＣ法によるＩｎＰ基板５の上に
ＬＰＥ法によりＩｎＧａＡｓＰ層６を２ｎ積層した後、
その上にＩｎＰ層７を２７７１積層した。その後、さら
にＩｎＧａＡｓＰ層８を３５ｏｎ積層した。その後、成
長装置から取り出した。（第２図ａ参照）この工程は全
て同一の成長装置内で行っている。
ＩｎＧａＡｓＰ基板作製の工程における半導体基板の模
式的断面図である。ＬＥＣ法によるＩｎＰ基板５の上に
ＬＰＥ法によりＩｎＧａＡｓＰ層６を２ｎ積層した後、
その上にＩｎＰ層７を２７７１積層した。その後、さら
にＩｎＧａＡｓＰ層８を３５ｏｎ積層した。その後、成
長装置から取り出した。（第２図ａ参照）この工程は全
て同一の成長装置内で行っている。
この工程でＩｎＧａＡｓＰ層６およびＩｎＰ層７の＃厚
は成長方法により制御され、膜厚は１％以内の精度を有
している。しかしながら、ＩｎＧａＡｓＰ層８は速い成
長条件で行っているため、ＩｎＧａＡｓＰ戊長層８の表
面は凹凸が激しいため、機械化学的研磨により表面層を
３００ｎまで研磨して、鏡面とした０作製された混晶基
板はＩｎＰ層７のついている面が必要とされ、裏面とな
るＩｎＧａＡｓＰ ８の表面層の荒れが問題とならない
場合には、この工程を省略することもできる。つづいて
、ＩｎＧａＡｓＰ層８の表面を耐水性のワックスで覆い
、希釈ＨＣＩからなる第３のエツチング液でＩｎＰ基板
５を除去した。この第３のエツチング液は、 ＩｎＰ層
をエツチングするが、ＩｎＧａＡｓＰ層はエツチングし
ない選択エツチング液である。ここで、機械化学的研磨
により ｒｎＰ層７を２０ｎ程度に研磨した後に、この
エツチングを行うことにより、工程に要する時間を短く
することも可能である。その後、 ＩｎＧａＡｓＰ層を
選択的にエツチングする。硫酸＋過酸化水素水子水から
なる第４のエツチング液に浸し、１ｎＧａＡｓＰＩｉ
６を除去した。その後、有機溶媒により ［ｎＧａＡｓ
Ｐ ８を覆ったワックスを除去して、２ｎ膜厚のＩｎＰ
層を有するＩｎＧａＡｓＰ基板が得られた。（第２図す
参照）この実施例ではエピタキシャル成長にＬＰＥ法の
例を示したが、ＶＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法によ
っても、同様の結果が得られた。
は成長方法により制御され、膜厚は１％以内の精度を有
している。しかしながら、ＩｎＧａＡｓＰ層８は速い成
長条件で行っているため、ＩｎＧａＡｓＰ戊長層８の表
面は凹凸が激しいため、機械化学的研磨により表面層を
３００ｎまで研磨して、鏡面とした０作製された混晶基
板はＩｎＰ層７のついている面が必要とされ、裏面とな
るＩｎＧａＡｓＰ ８の表面層の荒れが問題とならない
場合には、この工程を省略することもできる。つづいて
、ＩｎＧａＡｓＰ層８の表面を耐水性のワックスで覆い
、希釈ＨＣＩからなる第３のエツチング液でＩｎＰ基板
５を除去した。この第３のエツチング液は、 ＩｎＰ層
をエツチングするが、ＩｎＧａＡｓＰ層はエツチングし
ない選択エツチング液である。ここで、機械化学的研磨
により ｒｎＰ層７を２０ｎ程度に研磨した後に、この
エツチングを行うことにより、工程に要する時間を短く
することも可能である。その後、 ＩｎＧａＡｓＰ層を
選択的にエツチングする。硫酸＋過酸化水素水子水から
なる第４のエツチング液に浸し、１ｎＧａＡｓＰＩｉ
６を除去した。その後、有機溶媒により ［ｎＧａＡｓ
Ｐ ８を覆ったワックスを除去して、２ｎ膜厚のＩｎＰ
層を有するＩｎＧａＡｓＰ基板が得られた。（第２図す
参照）この実施例ではエピタキシャル成長にＬＰＥ法の
例を示したが、ＶＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法によ
っても、同様の結果が得られた。
また、ＡｌＧａＰ−ＧａＰなどの■−■化合物（混晶）
半導体、ＩＩ−Ｖｌ化合物（混晶）半導体基板において
も同様であることはいうまでもない。
半導体、ＩＩ−Ｖｌ化合物（混晶）半導体基板において
も同様であることはいうまでもない。
（発明の効果）
本発明によれば、化合物半導体基板上に化合物半導体あ
るいは混晶半導体（以下第１の混晶半導体と呼ぶ）を成
長した後に、前記化合物半導体基板を除去させることに
より化合物半導体あるいは混晶半導体を含む半導体基板
を作製させる方法であって、前記化合物半導体基板に第
１の混晶半導体層をａｌｌ、続いて前記第１の混晶半導
体層とは異なる組成を持つ第２の混晶半導体層および前
記第２の混晶半導体層とは異なる組成を持つ半導体層か
らなる積Ｎ基板を形成する工程！と、その後、前記化合
物半導体基板および第１の混晶半導体層を化学的選択エ
ツチングにより除去する工程■を含むことにより、混晶
半導体基板の表面のごく薄い部分を、混晶ｍ戒の異なる
半導体層からなっている。そのため、混晶＆ＩＩ或の異
なる半導体層を、再成長しやすい組成とすることにより
、再成長することを可能としている。また、この層をご
く薄くすることにより、基板としての特性を保つことが
できる等の大きな効果を有する。
るいは混晶半導体（以下第１の混晶半導体と呼ぶ）を成
長した後に、前記化合物半導体基板を除去させることに
より化合物半導体あるいは混晶半導体を含む半導体基板
を作製させる方法であって、前記化合物半導体基板に第
１の混晶半導体層をａｌｌ、続いて前記第１の混晶半導
体層とは異なる組成を持つ第２の混晶半導体層および前
記第２の混晶半導体層とは異なる組成を持つ半導体層か
らなる積Ｎ基板を形成する工程！と、その後、前記化合
物半導体基板および第１の混晶半導体層を化学的選択エ
ツチングにより除去する工程■を含むことにより、混晶
半導体基板の表面のごく薄い部分を、混晶ｍ戒の異なる
半導体層からなっている。そのため、混晶＆ＩＩ或の異
なる半導体層を、再成長しやすい組成とすることにより
、再成長することを可能としている。また、この層をご
く薄くすることにより、基板としての特性を保つことが
できる等の大きな効果を有する。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の半導体基板の作製方
法の実施例、第２図（ａ）、 （ｂ）は他の実施例を示
す。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２−− ・ＡｌＧａＡｓ層 ３・・・ＧａＡｓ層 ４ ・−−ＡｌＧａＡｓ層 ・ＩｎＰ基板 −ＩｎＧａＡｓＰ層 ・ＩｎＰ層 −ＩｎＧａＡｓＰ層
法の実施例、第２図（ａ）、 （ｂ）は他の実施例を示
す。 １・・・ＧａＡｓ基板 ２−− ・ＡｌＧａＡｓ層 ３・・・ＧａＡｓ層 ４ ・−−ＡｌＧａＡｓ層 ・ＩｎＰ基板 −ＩｎＧａＡｓＰ層 ・ＩｎＰ層 −ＩｎＧａＡｓＰ層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 化合物半導体基板上に化合物半導体あるいは混晶半導体
（以下第１の混晶半導体と呼ぶ）を成長した後に、前記
化合物半導体基板を除去させることにより化合物半導体
あるいは混晶半導体を含む半導体基板を作製させる方法
であって、 前記化合物半導体基板に第１の混晶半導体層を積層し、
続いて前記第１の混晶半導体層とは異なる組成を持つ第
２の混晶半導体層および前記第２の混晶半導体層とは異
なる組成を持つ半導体層からなる積層基板を形成する工
程Ｉと、 その後、前記化合物半導体基板および第１の混晶半導体
層を化学的選択エッチングにより除去する工程IIを含む
ことを特徴とする 半導体基板の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319732A JPH03180025A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 半導体基板の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319732A JPH03180025A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 半導体基板の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180025A true JPH03180025A (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=18113562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1319732A Pending JPH03180025A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 半導体基板の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03180025A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013047059A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 化合物半導体太陽電池製造用積層体、化合物半導体太陽電池およびその製造方法 |
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1989
- 1989-12-08 JP JP1319732A patent/JPH03180025A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2013047059A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 化合物半導体太陽電池製造用積層体、化合物半導体太陽電池およびその製造方法 |
| JP2013077724A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Sharp Corp | 化合物半導体太陽電池製造用積層体、化合物半導体太陽電池およびその製造方法 |
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