JPH03181102A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
造方法に関するものである。
れた非直線電圧−電流特性から電圧安定化あるいはサー
ジ吸収を目的とした避雷器やサージアブソーバに広く利
用されている。この電圧非直線抵抗体は、主成分の酸化
亜鉛に電圧非直線性ヲ発現すル少ffiのビスマス、ア
ンチモン、コバルト、マンガン等の金属酸化物を添加し
、混合、造粒、成形したのち仮焼成し、仮焼体の側面に
側面高抵抗層を形成するため無機絶縁物質を塗布した後
焼成し、その焼結体の両端面に電極を取り付けることに
より構成されている。
良好な電気的特性を得るために、側面高抵抗層を形成す
るための例えばけい素化合物、ビスマス化合物、アンチ
モン化合物等よりなる無機絶縁物質(以下、側面高抵抗
剤と記す)を、電圧非直線抵抗体用の素体の側面に所定
の厚みにかつ均一に塗布する必要があることが知られて
いる。
でかつ均一に塗布することは難しく、側面高抵抗剤を素
体へ所定の厚みに均一に塗布することができないと、得
られる電圧非直線抵抗体の絶縁不良発生率が増大したり
雷サージ放電耐量等の電気的特性が悪化する問題があっ
た。
の付着強度を増大し、さらに塗布を所定の厚みに均一に
して、その結果絶縁抵抗及び雷サージ放電耐量に優れた
電圧非直線抵抗体を歩留よく得ることができる電圧非直
線抵抗体の製造方法を提供しようとするものである。
亜鉛に、焼成後に焼成体自身に電圧非直線性を発現させ
るBi、 Sb、 Co、 Mn等の金属酸化物の添加
物の少なくとも1種以上を添加し、混合、造粒、成形し
たのち、仮焼して仮焼後の吸水率を1、OX 10−2
〜4.0X10−’%好ましくは5.OX 10−2〜
2.0X10−’%とし、側面に高抵抗層を設けた後本
焼成することを特徴とするものである。
の吸水率を制御することにより、側面高抵抗体の素体側
面への塗布量が制御でき、かつ塗布量のバラツキを少く
し、塗布膜の厚みを均一にできることを見出した。すな
わち、仮焼体の吸水率を1.0X10−2〜4.0X1
0−’%と限定することにより、その後の側面高抵抗剤
の塗布工程において、側面高抵抗剤の素体側面への塗布
量を制御できかつバラツキなく均一とすることができる
。
10−1%と限定したのは、吸水率が1.0X10−”
%未満であると側面高抵抗剤が素体側面に付着しにくく
なり電気的特性が悪化する。また、吸水率が4.0X1
0−’%を越えると側面高抵抗剤の塗布量が所定量を超
えかつ塗布量のバラツキが大きくなり、本焼戒時に側面
剤の化学反応が不十分となる部分を生じ、電気的特性が
低下する。また、本焼戒後の素子自体の電気的特性が悪
化するためである。
0−’%にした場合は、塗布量を所定量に制御できかつ
塗布量のバラツキも著しく小さくでき、絶縁不良発生率
を著しく減少でき、雷サージ放電耐量を向上させること
ができるため、より好ましい。
程における成形圧力を1000kg / cm2としこ
の圧力での保持時間を30秒とし、仮焼温度を920°
C〜925°Cとし、この温度での保持時間を120〜
130分間とした場合に仮焼後の吸水率を1.OX 1
0−2〜4.0X10−’%に制御できるため好ましい
。
まず所定のね度に調整した酸化亜鉛原料と所定の粒度に
調整した酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン、
酸化アンチモン、酸化クロム、好ましくは非晶質の酸化
ケイ素、酸化ニッケル、酸化ホウ素、酸化銀等よりなる
添加物の所定量を混合する。なお、この場合酸化銀、酸
化ホウ素の代わりに硝酸銀、ホウ酸を用いてもよい、好
ましくは銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを用いると
よい。また、添加物を800〜1000°Cで仮焼した
後粉砕し、所定粒度に調整したものと酸化亜鉛原料を混
合してもよい。この際、これらの原料に対して所定量の
ポリビニルアルコール水溶液等を加える。
気を行い混合泥漿の水分量を30〜35−t%程度に、
またその混合泥漿の粘度を100±50cPとするのが
好ましい。次に、得られた混合泥漿を噴霧乾燥装置に供
給して平均粒径50〜150μm、好ましくは80〜1
20 pmで、水分量が0.5〜2.0 wt%、より
好ましくは0.9〜1.5 wt%の造粒粉を造粒する
。
000kg/cm2の下で所定の形状に成形する。
C/hrで好ましくは920〜925°C1保持時間1
20〜130分間仮焼して仮焼後の吸水率を1.0X1
0−2〜4.0X10−’%としている。この仮焼の際
、好ましくは大気圧より低い減圧状態より好ましくは1
00torr以下の状態で仮焼成する。なお、仮焼成の
前に成形体を昇降温速度10〜100°C/hrで40
0〜600°C1保持時間1〜10時間で結合剤を飛散
除去することが好ましい。
z等の所定量に有機結合剤としてエチルセルロース、ブ
チルカルピトール、酢酸nブチル等を加えた側面高抵抗
層用の混合物ペーストを、200〜300μmの厚さに
仮焼体の側面に塗布する。前記ペーストは素体に塗布し
てもよい。
度20〜100′C/hr、1000〜1300°C好
ましくは1050〜1250°C13〜7時間という条
件で本焼成する。なお、ガラス粉末に有機結合剤として
エチルセルロース、ブチルカルピトール、酢酸nブチル
等を加えたガラスペーストを前記の側面高抵抗層上に1
00〜300μmの厚さに塗布し、空気中で昇降温速度
5(1〜200 ’C/ hr、400〜900°C1
保持時間0.5〜4時間という条件で熱処理することに
よりガラス層を恩威すると好ましい。
八f 203.ダイヤモンド等の11400〜#200
0相当の研磨剤により水好ましくは油を研磨液として使
用して研磨する。次に、研磨面を洗浄後、研磨した両端
面に例えばアルミニウム等によって電極を例えば溶射に
より設けて電圧非直線抵抗体を得ている。
抵抗体において、各種特性を測定した結果について説明
する。
CO:1040.5モル%、MnO20,5モ/L/%
、5bzO31,0モル%、CrzOi 0.5モル%
、Ni00.5モル%、A l 2030.005モル
%、5iOz 1〜2モル%および残部がZnOからな
る原料に、ホウケイ酸ビスマスガラスを外記で0.1w
t%添加し、900〜925°Cで1〜5時間の条件で
仮焼成を実施して、直径55mm、厚さ25mmの形状
の仮焼体を得た。得られた仮焼体の吸水率を測定した後
、所定組成の側面高抵抗層用ペーストを素体の側面に塗
布した。その後、複数(n =20)の各試験体毎に塗
布量の平均値およびバラツキを測定した。いずれも結果
を第1表に示す。その後、本焼成して上述した形状でバ
リスタ電圧(VImA)が200V/mmの第1表に示
す本発明例および比較例の電圧非直線抵抗体を準備した
。なお、吸水率は、JIS R2205に準して測定し
求めた。
生率、雷サージ放電耐量破壊率を測定し、その結果をあ
わせて第1表に示した。ここで、絶縁不良発生率は超絶
縁計によりJIS C1303に準して測定し、1.0
X10’MΩ以上の抵抗値のものを合格とし、この個数
aと1.OX 10’MΩ未満の抵抗値100の式で求
めた。雷サージ放電耐量破壊率は、120 KAの電流
を4/10μsの電流波形で2回繰り返し印加した後に
破壊しなかったものを合格としその個数mと、破壊した
ものを不良としその個数nとで x iooの
式で求めた。
した本発明の試料No、 3〜7は、吸水率の点で本発
明を満足しない比較例試料No、 1〜2および8〜9
と比べて、塗布量が1.2〜1.8g/個となり望まし
く、かつ塗布量のバラツキσ□引 も0.03〜0.0
5と小さくなり、その結果絶縁不良発生率、雷サージ放
電耐量破壊率を小さくすることができた。また本発明試
料No、 3〜7の塗布膜はいずれも偏肉が極めて小さ
い状態であった。
の仮焼により仮焼後の仮焼体の吸水率を1.0X10−
2〜4.0X10−’%とすることにより、側面高抵抗
層用のペーストを素体側面に所定量を均一に塗布でき、
その結果サージ放電耐量等の電気的特性が良好な電圧非
直線抵抗体を歩留よく得ることができる。
Claims (1)
- 1.主成分の酸化亜鉛に、焼成後に焼成体自身に電圧非
直線性を発現させるBi,Sb,Co,Mn等の金属酸
化物の添加物の少なくとも1種以上を添加し、混合、造
粒、成形したのち、仮焼して仮焼後の吸水率を1.0×
10^−^2〜4.0×10^−^1%とし、側面に高
抵抗層を設けた後本焼成することを特徴とする電圧非直
線抵抗体の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP1318950A JPH07114163B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
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| JP1318950A JPH07114163B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181102A true JPH03181102A (ja) | 1991-08-07 |
| JPH07114163B2 JPH07114163B2 (ja) | 1995-12-06 |
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| JP1318950A Expired - Lifetime JPH07114163B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
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-
1989
- 1989-12-11 JP JP1318950A patent/JPH07114163B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| JPH07114163B2 (ja) | 1995-12-06 |
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