JPH03181161A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH03181161A JPH03181161A JP1321076A JP32107689A JPH03181161A JP H03181161 A JPH03181161 A JP H03181161A JP 1321076 A JP1321076 A JP 1321076A JP 32107689 A JP32107689 A JP 32107689A JP H03181161 A JPH03181161 A JP H03181161A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Punching Or Piercing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、リードフレームおよびその製造方法に係り、
特にそのインナーリード先端部の形状の改善に関する。
特にそのインナーリード先端部の形状の改善に関する。
(従来の技術)
半導体装置用リードフレームは、フォトエツチング俵ま
たはプレス加工のいずれかの方法によって、金属帯状材
料の形状加工を行い形成される。
たはプレス加工のいずれかの方法によって、金属帯状材
料の形状加工を行い形成される。
特に、プレス加工により形成されるリードフレームにつ
いては、インナーリードの全てを1回の打ち抜き工程で
成型することは困難であるため、順送り金型を用い、複
数のステーションに分割して打ち扱くように設計される
。
いては、インナーリードの全てを1回の打ち抜き工程で
成型することは困難であるため、順送り金型を用い、複
数のステーションに分割して打ち扱くように設計される
。
しかしながら、最近のリードフレームでは、インナーリ
ード先端部の板1vよりもリードピッチが狭くなる傾向
にあり、例えば、板1vO,15mg+に対し、0.1
〜0.12mmの幅で打ち抜きを行わなければならない
こともある。
ード先端部の板1vよりもリードピッチが狭くなる傾向
にあり、例えば、板1vO,15mg+に対し、0.1
〜0.12mmの幅で打ち抜きを行わなければならない
こともある。
このため、インナーリード先端が第4図に示すように跳
ね上がり、インナーリード先端と半導体チップのポンデ
ィングパッドとを電気的に接続するワイヤボンディング
に際し、ボンディングマシンのキャピラリでインナーリ
ード先端をプレート上に抑し付けながらワイヤの接続を
行わねばならず、ボンディングミスが極めて発生し易い
状態となっていた。
ね上がり、インナーリード先端と半導体チップのポンデ
ィングパッドとを電気的に接続するワイヤボンディング
に際し、ボンディングマシンのキャピラリでインナーリ
ード先端をプレート上に抑し付けながらワイヤの接続を
行わねばならず、ボンディングミスが極めて発生し易い
状態となっていた。
インナーリード先端の変形防止対策としては、ポリイミ
ドテープなどの絶縁性のテープを貼着することによりイ
ンナーリード間を橋絡し、位置関係を保tjiするとい
う方法が提案されているが、インナーリードの先端は保
持できないため、十分な対策とはなっていないという問
題があった。
ドテープなどの絶縁性のテープを貼着することによりイ
ンナーリード間を橋絡し、位置関係を保tjiするとい
う方法が提案されているが、インナーリードの先端は保
持できないため、十分な対策とはなっていないという問
題があった。
そこで、インナーリード先端部の位置ずれを防ぐために
、隣接するインナーリードの先端を連給する連結部を残
して形状加工を行い、インナーリード相方間の接続のた
めのテーピング工程、熱処理あるいは鍍金処理などの処
理工程を経た後、最後にこの連結部を除去する方法が提
案されている。
、隣接するインナーリードの先端を連給する連結部を残
して形状加工を行い、インナーリード相方間の接続のた
めのテーピング工程、熱処理あるいは鍍金処理などの処
理工程を経た後、最後にこの連結部を除去する方法が提
案されている。
この方法は通常次のような工程で行われる。
例えば、従来、まず、第5図(a)に示すように、第1
の順送り金型を用いて半導体素子搭載ステージ52とな
る領域に向かって収斂する複数の第1の打ち抜き部5A
を形成し、インナーリード51の側面を形成すると共に
、半導体素子搭載ステージ52を支持するサポートパー
53を形成する。
の順送り金型を用いて半導体素子搭載ステージ52とな
る領域に向かって収斂する複数の第1の打ち抜き部5A
を形成し、インナーリード51の側面を形成すると共に
、半導体素子搭載ステージ52を支持するサポートパー
53を形成する。
この後、この複数の第1の打ち抜き部5Aの先端から、
インナーリード51先端5Fの連結部(タイバー54)
となる領域性の所定の間隔をおいて、第2の打ち抜き部
5Bを形成する。
インナーリード51先端5Fの連結部(タイバー54)
となる領域性の所定の間隔をおいて、第2の打ち抜き部
5Bを形成する。
そして、コイニング工程を経て、このインナーリード5
1の先端5Fをタイバー54で一体的に連給した状態で
、熱処理および鍍金処理等の所定の処理を行う。
1の先端5Fをタイバー54で一体的に連給した状態で
、熱処理および鍍金処理等の所定の処理を行う。
そしてさらに、第5図(b)に示すように、第2の順送
り金型を用いて第3の打ち抜き部5Dを形成し、前記サ
ポートバーに直交して設けられたタイバー54を切除し
、インナーリード51の先端5Fを形成し、分割形成し
、リードフレームが完成される。
り金型を用いて第3の打ち抜き部5Dを形成し、前記サ
ポートバーに直交して設けられたタイバー54を切除し
、インナーリード51の先端5Fを形成し、分割形成し
、リードフレームが完成される。
この方法では、第2の打ち扱き領域を形成して、゛1′
導体素−r・搭載ステージ52とインナーリード先端の
タイバー54とを分離した後、ボンディングに必要なa
効十11幅を確保するためコイニングがなされるが、第
6図に示すように、コイニングによるインナーリード先
端の伸びの分は第2の打ち抜き領域に吸収され、インナ
ーリード先端が半導体素子搭載ステージ52側に移動す
るのみである。
導体素−r・搭載ステージ52とインナーリード先端の
タイバー54とを分離した後、ボンディングに必要なa
効十11幅を確保するためコイニングがなされるが、第
6図に示すように、コイニングによるインナーリード先
端の伸びの分は第2の打ち抜き領域に吸収され、インナ
ーリード先端が半導体素子搭載ステージ52側に移動す
るのみである。
この状態で、熱処理などを経てタイバー54が切除され
ても、やはりインナーリード先端が上方へ跳ね上がり、
ワイヤボンディング時に支障を来すという問題を解決す
ることはできなかった。
ても、やはりインナーリード先端が上方へ跳ね上がり、
ワイヤボンディング時に支障を来すという問題を解決す
ることはできなかった。
(発明が角q決しようとする課題)
このように従来のリードフレームでは、連結片を除去し
た際にインナーリード先端が上方に跳ね上がり、ワイヤ
ボンディング時に支障をきたすという問題があった。
た際にインナーリード先端が上方に跳ね上がり、ワイヤ
ボンディング時に支障をきたすという問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、上記問題
点を解決し、ボンディング性に優れ、高品質でかつ低コ
ストのリードフレームを提供することを目的とする。
点を解決し、ボンディング性に優れ、高品質でかつ低コ
ストのリードフレームを提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
そこで本発明のリードフレームでは、インナーリードの
先端をワイヤボンディング面の裏面方向に変位せしめる
ようにしている。
先端をワイヤボンディング面の裏面方向に変位せしめる
ようにしている。
また、本発明の方法では、順送り金型を用いて、金属・
:(F軟材料の不要部分を順次打ち抜き、リードフレー
ムを成形するに際し、半導体素子搭載部形成領域近傍か
ら伸長する複数のインナーリードの側部の輪郭線を構成
する複数の第1の打ち抜き領22域部を形成し、半導体
素子搭載部とインナーリード先端部とが連結した形状を
なすように成形したのち、インナーリード先端部にコイ
ニングを行い、インナーリード先端部付近が下方にたわ
むように成形し、さらに材料内部の残留歪みを除去すべ
く熱処理を行ったのち、インナーリード先端部と半導体
素子搭載部との間を分断するようにしている。
:(F軟材料の不要部分を順次打ち抜き、リードフレー
ムを成形するに際し、半導体素子搭載部形成領域近傍か
ら伸長する複数のインナーリードの側部の輪郭線を構成
する複数の第1の打ち抜き領22域部を形成し、半導体
素子搭載部とインナーリード先端部とが連結した形状を
なすように成形したのち、インナーリード先端部にコイ
ニングを行い、インナーリード先端部付近が下方にたわ
むように成形し、さらに材料内部の残留歪みを除去すべ
く熱処理を行ったのち、インナーリード先端部と半導体
素子搭載部との間を分断するようにしている。
(作用)
上記構成によれば、インナーリードの先端をワイヤボン
ディング面の裏面方向に変位せしめるようにしているた
め、従来のようにインナーリード先端の跳ね上がりがな
くなり、ボンディングが常に安定な状態で行われるよう
になる。
ディング面の裏面方向に変位せしめるようにしているた
め、従来のようにインナーリード先端の跳ね上がりがな
くなり、ボンディングが常に安定な状態で行われるよう
になる。
また、上記方法によれば、インナーリード先端と半導体
素子搭載部とを連結したままコイニングを行うようにし
ているため、コイニングによる延びの分たわみを生ぜし
め、熱処理をおこなってこのたわみを安定化した後、イ
ンナーリード先端部と半導体素子搭載部との間を分断す
るようにすれば、インナーリードの先端がワイヤボンデ
ィング曲の裏面方向に変位したリードフレームを容易に
得ることが可能となる。
素子搭載部とを連結したままコイニングを行うようにし
ているため、コイニングによる延びの分たわみを生ぜし
め、熱処理をおこなってこのたわみを安定化した後、イ
ンナーリード先端部と半導体素子搭載部との間を分断す
るようにすれば、インナーリードの先端がワイヤボンデ
ィング曲の裏面方向に変位したリードフレームを容易に
得ることが可能となる。
(実施例)
以下、本発明実施例のリードフレームの製造方法につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。
本発明実施例のリードフレームでは、第1図(a)およ
び第1図(b)(第1図(b)は第1図(a)のA−A
断面図)に示すように、インナーリードの先端がワイヤ
ボンディング面の裏面方向に変位するようにしたことを
特徴とするものである。
び第1図(b)(第1図(b)は第1図(a)のA−A
断面図)に示すように、インナーリードの先端がワイヤ
ボンディング面の裏面方向に変位するようにしたことを
特徴とするものである。
このリードフレームは、半導体素子搭載部11から所定
の間隔を隔てて放射状に延びる複数のインナーリード1
2と、各インナーリード12を連結するダムバー14と
、各インナーリードに延設して一体的に形成されたアウ
ターリード13とを具備してなるものである。ここで1
5は、半導体素子搭載部11を支持するサポートパー
16はサイドバーである。
の間隔を隔てて放射状に延びる複数のインナーリード1
2と、各インナーリード12を連結するダムバー14と
、各インナーリードに延設して一体的に形成されたアウ
ターリード13とを具備してなるものである。ここで1
5は、半導体素子搭載部11を支持するサポートパー
16はサイドバーである。
次に、このリードフレームの製造方法について説n月す
る。
る。
まず、第2図(a)に示すように、スタンピング法によ
り、銅を主成分とする帯状材料を、所望のyl工状のイ
ンナーリード、アウターリード、ダムバーなどの抜き型
を具備した第1の順送り金型(図示せず)に装着し、プ
レス加工を行なうことにより、半導体素子搭載部11と
なる領域に向かって収斂する複数の第1の打ち抜き部2
2を形成し、インナーリード]2の側面を形成すると共
に、半導体素子搭載部11を支持するサポートパー15
ならびにアウターリード13を形成する。このとき、こ
の複数の第1の打ち抜き部22の先端から、インナーリ
ード12先端の連結部(タイバー17)となる領域針の
所定の間隔をおいて、半導体素子搭載部11が7Y在し
ている。
り、銅を主成分とする帯状材料を、所望のyl工状のイ
ンナーリード、アウターリード、ダムバーなどの抜き型
を具備した第1の順送り金型(図示せず)に装着し、プ
レス加工を行なうことにより、半導体素子搭載部11と
なる領域に向かって収斂する複数の第1の打ち抜き部2
2を形成し、インナーリード]2の側面を形成すると共
に、半導体素子搭載部11を支持するサポートパー15
ならびにアウターリード13を形成する。このとき、こ
の複数の第1の打ち抜き部22の先端から、インナーリ
ード12先端の連結部(タイバー17)となる領域針の
所定の間隔をおいて、半導体素子搭載部11が7Y在し
ている。
そして、第2図(b)に示すように、コイニングパンチ
を用いてインナーリード先端部のコイニングを行い、コ
イニングによる延びを利用して下方にインナーリード1
2先端を変位せしめる。12Sはこの変位領域を示す。
を用いてインナーリード先端部のコイニングを行い、コ
イニングによる延びを利用して下方にインナーリード1
2先端を変位せしめる。12Sはこの変位領域を示す。
第3図はコイニングによる変位を説明するための部分拡
大図である。
大図である。
そして、このインナーリード12の先端1.2 sをタ
イバー17で半導体素子搭載部11に一体的に連結した
状態で、熱処理および鍍金処理等の所定の処理を行う。
イバー17で半導体素子搭載部11に一体的に連結した
状態で、熱処理および鍍金処理等の所定の処理を行う。
そしてさらに、第2の順送り金型を用いて、タイバー1
7を切除し、インナーリード12の先端面を形成して、
インナ−リード12相亙間を分割形成し、第1図(a)
および第1図(b)に示したようなリードフレームが完
成される。
7を切除し、インナーリード12の先端面を形成して、
インナ−リード12相亙間を分割形成し、第1図(a)
および第1図(b)に示したようなリードフレームが完
成される。
このようにして形成されたリードフレームによれば、イ
ンナーリード先端がボンディング面の裏面側に変位した
形状をなしているため、インナーリード先端の跳ね上が
りはなく、常に安定した状態でワイヤボンディングを行
うことができ、歩留まりが大幅に向上する。
ンナーリード先端がボンディング面の裏面側に変位した
形状をなしているため、インナーリード先端の跳ね上が
りはなく、常に安定した状態でワイヤボンディングを行
うことができ、歩留まりが大幅に向上する。
また、前記実施例では、リードフレーム利料として銅を
用いたが、銅に駆足されることなく、他のヰ4料を用い
てもよいことは言うまでもない。
用いたが、銅に駆足されることなく、他のヰ4料を用い
てもよいことは言うまでもない。
さらにまた、各工程での成形領域の形状等については、
適宜変更可能である。
適宜変更可能である。
以上説明してきたように、本発明のリードフレームによ
れば、インナーリードの先端をワイヤボンディング面の
裏面方向に変位せしめるようにしているため、ボンディ
ングか常に安定な状態で行われ、製逍歩留まりか人怖に
向上する。
れば、インナーリードの先端をワイヤボンディング面の
裏面方向に変位せしめるようにしているため、ボンディ
ングか常に安定な状態で行われ、製逍歩留まりか人怖に
向上する。
また、上記方法によれば、インナーリード先端と1(導
体素子搭載部とを連結したままコイニングを行うように
しているため、コイニングによる延びの分たわみを11
、せしめ、熱処理をおこなってこのたわみを安定化した
後、インナーリード先端部と半導体素子搭載部との間を
分断するようにすれば、インナーリードの先端がワイヤ
ボンディング面の裏面方向に変位した上記構造のリード
フレームを容易に得ることが可能となる。
体素子搭載部とを連結したままコイニングを行うように
しているため、コイニングによる延びの分たわみを11
、せしめ、熱処理をおこなってこのたわみを安定化した
後、インナーリード先端部と半導体素子搭載部との間を
分断するようにすれば、インナーリードの先端がワイヤ
ボンディング面の裏面方向に変位した上記構造のリード
フレームを容易に得ることが可能となる。
第1図(a)および第1図(b)は本発明実施例のリー
ドフレームを示す図、第2図(a)乃至第2図(b)は
本発明実施例のリードフレームの製造工程を示す図、第
3図は同工提を説明するための部分拡大図、第4図は従
来例のリードフレームのボンディング状態を示す図、第
5図(a)および第5図(b)は従来例のリードフレー
ムの製造工程を示す図、第6図はコイニング工程を示”
す部分拡大図である。 51・・・インナーリード、52・・・半導体素子搭載
ステージ、53・・・サポートパー 54・・・タイバ
ー5A・・・第1の打ち抜き部、5F・・・先端、5B
・・・第2の打ち抜き部、5D・・・第3の打ち扱き部
、11・・パ1′−導体素子搭載部、12・・・インナ
ーリード、12s・・・インナーリード先端、13・・
・アウターリド、14・・・ダムバー 15・・・サポ
ートパー 16・・・サイドパー 17・・・タイバー
22・・・第1の打ち抜き部。 (G) 2 (b) 第1図 \↑ 寸 0)
ドフレームを示す図、第2図(a)乃至第2図(b)は
本発明実施例のリードフレームの製造工程を示す図、第
3図は同工提を説明するための部分拡大図、第4図は従
来例のリードフレームのボンディング状態を示す図、第
5図(a)および第5図(b)は従来例のリードフレー
ムの製造工程を示す図、第6図はコイニング工程を示”
す部分拡大図である。 51・・・インナーリード、52・・・半導体素子搭載
ステージ、53・・・サポートパー 54・・・タイバ
ー5A・・・第1の打ち抜き部、5F・・・先端、5B
・・・第2の打ち抜き部、5D・・・第3の打ち扱き部
、11・・パ1′−導体素子搭載部、12・・・インナ
ーリード、12s・・・インナーリード先端、13・・
・アウターリド、14・・・ダムバー 15・・・サポ
ートパー 16・・・サイドパー 17・・・タイバー
22・・・第1の打ち抜き部。 (G) 2 (b) 第1図 \↑ 寸 0)
Claims (2)
- (1)半導体素子搭載部と、 前記半導体素子搭載部の周縁から所定の間隔をおいて伸
長する複数のインナーリードと、各インナーリードにそ
れぞれ連設されたアウターリードとを具備したリードフ
レームにおいて、前記インナーリードの先端がワイヤボ
ンディング面の裏面方向にわずかに変位せしめられてい
ることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - (2)順送り金型を用いて、金属帯状材料の不要部分を
順次打ち抜き、 半導体素子搭載部と 前記半導体素子搭載部の周縁から所定の間隔をおいて伸
長する複数のインナーリードと、各インナーリードにそ
れぞれ連設されたア ウターリードと、 を具備してなるリードフレームの形状加工を行うリード
フレームの打抜き加工工程において、半導体素子搭載部
形成領域近傍から伸長する複数のインナーリードの側部
の輪郭線を構成する複数の第1の打ち抜き領域部を形成
し、半導体素子搭載部とインナーリード先端部とが連結
した形状をなすように成形する第1の成形工程と、イン
ナーリード先端部にコイニングを行い、インナーリード
先端部付近が下方にたわむようにする第2の成形工程と
、 材料内部の残留歪みを除去すべく熱処理を行う熱処理工
程と、 前記インナーリード先端部と前記半導体素子搭載部との
間を分断する第3の成形工程とを含むことを特徴とする
リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321076A JPH0821656B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321076A JPH0821656B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181161A true JPH03181161A (ja) | 1991-08-07 |
| JPH0821656B2 JPH0821656B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=18128540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321076A Expired - Fee Related JPH0821656B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821656B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03145157A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1321076A patent/JPH0821656B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03145157A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821656B2 (ja) | 1996-03-04 |
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