JPH0318246B2 - - Google Patents
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- JPH0318246B2 JPH0318246B2 JP55172389A JP17238980A JPH0318246B2 JP H0318246 B2 JPH0318246 B2 JP H0318246B2 JP 55172389 A JP55172389 A JP 55172389A JP 17238980 A JP17238980 A JP 17238980A JP H0318246 B2 JPH0318246 B2 JP H0318246B2
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- magnetic
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- oxygen content
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、短波長記録特性の優れた磁気記録媒
体に関する。 現在、磁気記録再生装置はますます高密度化の
傾向にあり、短波長記録特性の優れた磁気記録媒
体が要望されている。従来、使用されている磁気
記録媒体は高分子材料または非磁性金属よりなる
基板上に磁性粉を塗布したものであり（以下これ
を塗布形磁気記録媒体と呼ぶ）、短波長記録特性
の改善のために、その保磁力および飽和磁化が大
くなり、かつ磁性層厚が薄くなりつつある。 しかし、塗布形磁気記録媒体における短波長記
録特性の改善には限界があり、この限界を破るも
のとして薄膜形磁気記録媒体が開発されている。
薄膜形磁気記録媒体は、真空蒸着法、スパツタリ
ング法、メツキ法等により作成され、優れた短波
長記録特性を有する。薄膜形磁気記録媒体の磁性
層の材料としては、CoまたはCo−NiまたはCo−
CrまたはCo−Ni−Cr等が使用されている。 上記材料を真空蒸着法にて形成する際に、酸素
雰囲気中にて蒸着を行うと、酸素の導入量が蒸着
膜の磁気特性に大きく影響を及ぼすことが知られ
ている。 本発明は、CoまたはCoとNiまたはCoとCrま
たはCoとNiとCrを主成分とする。磁性層におい
て、保磁力が高く優れた短波長記録特性を有する
磁気記録媒体を提供することを目的とする。 以下、図面を用いて本発明を説明する。Coま
たはCoとNiまたはCoとCrまたはCoとNiとCrを
主成分とする磁性層を、酸素雰囲気中で非磁性基
板上に蒸着する場合、酸素の導入方法を変えるこ
とにより、作成された磁性層中に含まれる酸素の
量の膜厚方向の分布は大きく３通りに分けられ
る。その１つは、磁性層を厚み方向に３等分した
場合に磁性層の表面を含む1/3の厚みの領域中に
含まれる構成原子中の酸素含有比率（以下、単に
酸素含有比率という）が他の各1/3の厚みの領域
の酸素含有比率よりも大なるもの（第１図の曲線
Ａ）、もう１つは磁性層の中央の1/3の厚みの領域
の酸素含有比率が他の各1/3の厚みの領域の酸素
含有比率よりも大なるもの（第１図の曲線Ｂ）、
最後の１つは磁性層の基板との界面を含む1/3の
厚みの領域の酸素含有比率が他の各1/3の厚みの
領域の酸素含有比率よりも大なるもの（第１図の
曲線Ｃ）である。 なお、第１図は磁性層の厚み方向の酸素量分布
を示し、縦軸は酸素量、横軸は磁性層の深さを示
している。磁性層の深さが０は表面を、1.0は基
板との界面をそれぞれ示している。曲線Ｂおよび
Ｃにおいて、磁性層表面近傍に酸素の多い領域が
あるが、これは蒸着終了後、大気中に出した際に
吸着した酸素である。この領域はネイテイブ酸化
層あるいは自然酸化層と呼ばれる。 以上３通りの酸素量分布を有し、Niを20重量
％含むCo−Ni合金よりなる磁性層を第２図に示
すような連続真空蒸着装置にて作成した。第２図
では高分子材料よりなる基板１は円筒状キヤン２
に沿つて矢印Ｄの向きに走行することにより破線
の矢印Ｅの向きに拡散していく蒸発原子が基板１
に付着する方向は基板１の接線方向から垂直方向
に向かつて連続的に変化する。ただし磁性層表面
における蒸発原子の付着する方向（以下これを最
小入射角θと呼ぶ）はマスク３により制限され
る。４，５はそれぞれ基板１の供給ロールと巻取
りロールであり、６，７はそれぞれ蒸発材料とそ
の蒸発材料を加熱するためのヒーターである。こ
の装置は、いわゆる斜め蒸着法を実施するもので
ある。この方法によれば、互いに空隙によつて分
離された柱状結晶群からなる、いわゆる柱状結晶
構造の膜が容易に形成されることが知られてい
る。この柱状結晶は、蒸発原子の基板１に対する
入射角に従つて、基板１の垂線に対して角度を持
ち、これが基板面内方向の異方性を与えている。
また、柱状結晶間の空隙が、理論的に高い保磁力
を与えることも知られている。 なお、基板１に対する蒸発原子の入射角が、蒸
着中に上述のように変化するため、形成される柱
状結晶は、基板１に対する角度が一定ではない。
つまり、蒸着初期に形成される部分、すなわち柱
の根元では、基板１の垂線に対して柱は大きく傾
いた状態であり、蒸着が進むに連れて、すなわ
ち、先端部になるほど、柱は立ちあがつた形状と
なる。 上記のような装置により形成される磁性層中の
酸素量分布の調整は、例えば、酸素を装置内に供
給するためのノズルの位置を変更することにより
可能である。 すなわち、キヤン２の周面上にある基板１に対
して蒸発原子が付着する範囲の終端部である、マ
スク３の左端近傍にノズルを配置すれば、第１図
の曲線Ａのような分布が得られる。なぜならば、
ノズルから噴出する酸素は装置内に拡散し、ノズ
ルから離れた位置ほど酸素分圧は低くなる（真空
度を保つために排気をしながら蒸着を行なうた
め）ので、ノズルに近い位置で付着する蒸発原子
中には、遠い位置で付着する蒸発原子中に比べて
多量の酸素が取り込まれるからである。従つて、
磁性層表面近傍の酸素含有比率は高くなる。 これに対して、蒸発原子が付着する範囲の始端
部、すなわち第２図において、蒸発原料６の位置
からキヤン２の周面左側に対して引いた接線の接
点近傍にノズルを配置すれば、第１図の曲線Ｃの
ような分布が得られる。 上記磁性層を最小入射角θを40゜にして形成し、
出来た膜の蒸着時の基板走行方向における保磁力
を測定した結果を第３図に示す。第３図の縦軸は
保磁力、横軸は磁性層の酸素含有比率を示す。曲
線Ａ，Ｂ，Ｃはそれぞれ第１図の曲線Ａ，Ｂ，Ｃ
に示す酸素量分布を有する磁性層に対応する。こ
の結果より、第１図の曲線Ａに示す酸素量分布を
有する磁性層は、磁性層の酸素含有比率が多くな
る程、保磁力が高くなり、優れた短波長記録特性
を有するようになるが、曲線Ｂに示す酸素量分布
を有する磁性層では酸素の効果が殆どなく、曲線
Ｃに示す酸素量分布を有する磁性層では酸素を入
れると保磁力が小さくなり、短波長記録特性はか
えつて悪化する。したがつて磁性層中の膜厚方向
における酸素量の分布を第１図の曲線Ａのように
すると最も優れた短波長記録特性が得られる。 以上のように、本発明により保磁力を高めるこ
とができる理由は、以下のように推測される。 第２図に示したような斜め蒸着法により磁性薄
膜を形成した場合、基板に近い部分に比べ膜表面
に近い部分の方が膜の充填率が高くなる。なぜな
らば、膜表面に近づくに伴い、蒸発原子の入射角
が小さくなり、基板からみた蒸発原子流の面積密
度が高くなるため、柱状結晶構造における空隙率
が低くなるからである。この空隙の減少は、保磁
力の低下を招くものである。 一方、本発明に従い、膜表面に近い部分におい
て酸素含有比率を高くすれば、上記のような空隙
の減少を補うことができる。すなわち、酸素は柱
状結晶の周辺部分に偏析し、非磁性の酸化物を構
成する。この酸化物層は空隙と同様に機能して、
膜表面に近い部分における保磁力の低下を補償す
るため、膜全体として保磁力を高めることができ
る。 実施例 １ 第２図に示される装置にてNiを20重量％含む
Co−Ni合金を磁性層蒸着時の最小入射角θ＝30゜
として、ポリエチレンテレフタレートフイルム上
に形成した。膜の平均の堆積速度を2500Å／秒と
し、膜厚1500Åの磁性層を形成した。膜形成時に
おける真空槽内の酸素分圧は第１表の様にした。
磁性層中の酸素量分布をオージエ電子分光分析に
より測定した結果、第６図の様なプロフアイルが
得られた。第６図の縦軸はCo，Ni及び酸素の合
計原子数に対する酸素原子数の割合を示し、横軸
は磁性層の深さ、すなわち横軸のＯは磁性層表面
を、1500Åは磁性層とポリエチレンテレフタレー
トフイルムとの界面を示している。また第１表中
のサンプルNo.と第６図中の曲線No.が対応してい
る。
体に関する。 現在、磁気記録再生装置はますます高密度化の
傾向にあり、短波長記録特性の優れた磁気記録媒
体が要望されている。従来、使用されている磁気
記録媒体は高分子材料または非磁性金属よりなる
基板上に磁性粉を塗布したものであり（以下これ
を塗布形磁気記録媒体と呼ぶ）、短波長記録特性
の改善のために、その保磁力および飽和磁化が大
くなり、かつ磁性層厚が薄くなりつつある。 しかし、塗布形磁気記録媒体における短波長記
録特性の改善には限界があり、この限界を破るも
のとして薄膜形磁気記録媒体が開発されている。
薄膜形磁気記録媒体は、真空蒸着法、スパツタリ
ング法、メツキ法等により作成され、優れた短波
長記録特性を有する。薄膜形磁気記録媒体の磁性
層の材料としては、CoまたはCo−NiまたはCo−
CrまたはCo−Ni−Cr等が使用されている。 上記材料を真空蒸着法にて形成する際に、酸素
雰囲気中にて蒸着を行うと、酸素の導入量が蒸着
膜の磁気特性に大きく影響を及ぼすことが知られ
ている。 本発明は、CoまたはCoとNiまたはCoとCrま
たはCoとNiとCrを主成分とする。磁性層におい
て、保磁力が高く優れた短波長記録特性を有する
磁気記録媒体を提供することを目的とする。 以下、図面を用いて本発明を説明する。Coま
たはCoとNiまたはCoとCrまたはCoとNiとCrを
主成分とする磁性層を、酸素雰囲気中で非磁性基
板上に蒸着する場合、酸素の導入方法を変えるこ
とにより、作成された磁性層中に含まれる酸素の
量の膜厚方向の分布は大きく３通りに分けられ
る。その１つは、磁性層を厚み方向に３等分した
場合に磁性層の表面を含む1/3の厚みの領域中に
含まれる構成原子中の酸素含有比率（以下、単に
酸素含有比率という）が他の各1/3の厚みの領域
の酸素含有比率よりも大なるもの（第１図の曲線
Ａ）、もう１つは磁性層の中央の1/3の厚みの領域
の酸素含有比率が他の各1/3の厚みの領域の酸素
含有比率よりも大なるもの（第１図の曲線Ｂ）、
最後の１つは磁性層の基板との界面を含む1/3の
厚みの領域の酸素含有比率が他の各1/3の厚みの
領域の酸素含有比率よりも大なるもの（第１図の
曲線Ｃ）である。 なお、第１図は磁性層の厚み方向の酸素量分布
を示し、縦軸は酸素量、横軸は磁性層の深さを示
している。磁性層の深さが０は表面を、1.0は基
板との界面をそれぞれ示している。曲線Ｂおよび
Ｃにおいて、磁性層表面近傍に酸素の多い領域が
あるが、これは蒸着終了後、大気中に出した際に
吸着した酸素である。この領域はネイテイブ酸化
層あるいは自然酸化層と呼ばれる。 以上３通りの酸素量分布を有し、Niを20重量
％含むCo−Ni合金よりなる磁性層を第２図に示
すような連続真空蒸着装置にて作成した。第２図
では高分子材料よりなる基板１は円筒状キヤン２
に沿つて矢印Ｄの向きに走行することにより破線
の矢印Ｅの向きに拡散していく蒸発原子が基板１
に付着する方向は基板１の接線方向から垂直方向
に向かつて連続的に変化する。ただし磁性層表面
における蒸発原子の付着する方向（以下これを最
小入射角θと呼ぶ）はマスク３により制限され
る。４，５はそれぞれ基板１の供給ロールと巻取
りロールであり、６，７はそれぞれ蒸発材料とそ
の蒸発材料を加熱するためのヒーターである。こ
の装置は、いわゆる斜め蒸着法を実施するもので
ある。この方法によれば、互いに空隙によつて分
離された柱状結晶群からなる、いわゆる柱状結晶
構造の膜が容易に形成されることが知られてい
る。この柱状結晶は、蒸発原子の基板１に対する
入射角に従つて、基板１の垂線に対して角度を持
ち、これが基板面内方向の異方性を与えている。
また、柱状結晶間の空隙が、理論的に高い保磁力
を与えることも知られている。 なお、基板１に対する蒸発原子の入射角が、蒸
着中に上述のように変化するため、形成される柱
状結晶は、基板１に対する角度が一定ではない。
つまり、蒸着初期に形成される部分、すなわち柱
の根元では、基板１の垂線に対して柱は大きく傾
いた状態であり、蒸着が進むに連れて、すなわ
ち、先端部になるほど、柱は立ちあがつた形状と
なる。 上記のような装置により形成される磁性層中の
酸素量分布の調整は、例えば、酸素を装置内に供
給するためのノズルの位置を変更することにより
可能である。 すなわち、キヤン２の周面上にある基板１に対
して蒸発原子が付着する範囲の終端部である、マ
スク３の左端近傍にノズルを配置すれば、第１図
の曲線Ａのような分布が得られる。なぜならば、
ノズルから噴出する酸素は装置内に拡散し、ノズ
ルから離れた位置ほど酸素分圧は低くなる（真空
度を保つために排気をしながら蒸着を行なうた
め）ので、ノズルに近い位置で付着する蒸発原子
中には、遠い位置で付着する蒸発原子中に比べて
多量の酸素が取り込まれるからである。従つて、
磁性層表面近傍の酸素含有比率は高くなる。 これに対して、蒸発原子が付着する範囲の始端
部、すなわち第２図において、蒸発原料６の位置
からキヤン２の周面左側に対して引いた接線の接
点近傍にノズルを配置すれば、第１図の曲線Ｃの
ような分布が得られる。 上記磁性層を最小入射角θを40゜にして形成し、
出来た膜の蒸着時の基板走行方向における保磁力
を測定した結果を第３図に示す。第３図の縦軸は
保磁力、横軸は磁性層の酸素含有比率を示す。曲
線Ａ，Ｂ，Ｃはそれぞれ第１図の曲線Ａ，Ｂ，Ｃ
に示す酸素量分布を有する磁性層に対応する。こ
の結果より、第１図の曲線Ａに示す酸素量分布を
有する磁性層は、磁性層の酸素含有比率が多くな
る程、保磁力が高くなり、優れた短波長記録特性
を有するようになるが、曲線Ｂに示す酸素量分布
を有する磁性層では酸素の効果が殆どなく、曲線
Ｃに示す酸素量分布を有する磁性層では酸素を入
れると保磁力が小さくなり、短波長記録特性はか
えつて悪化する。したがつて磁性層中の膜厚方向
における酸素量の分布を第１図の曲線Ａのように
すると最も優れた短波長記録特性が得られる。 以上のように、本発明により保磁力を高めるこ
とができる理由は、以下のように推測される。 第２図に示したような斜め蒸着法により磁性薄
膜を形成した場合、基板に近い部分に比べ膜表面
に近い部分の方が膜の充填率が高くなる。なぜな
らば、膜表面に近づくに伴い、蒸発原子の入射角
が小さくなり、基板からみた蒸発原子流の面積密
度が高くなるため、柱状結晶構造における空隙率
が低くなるからである。この空隙の減少は、保磁
力の低下を招くものである。 一方、本発明に従い、膜表面に近い部分におい
て酸素含有比率を高くすれば、上記のような空隙
の減少を補うことができる。すなわち、酸素は柱
状結晶の周辺部分に偏析し、非磁性の酸化物を構
成する。この酸化物層は空隙と同様に機能して、
膜表面に近い部分における保磁力の低下を補償す
るため、膜全体として保磁力を高めることができ
る。 実施例 １ 第２図に示される装置にてNiを20重量％含む
Co−Ni合金を磁性層蒸着時の最小入射角θ＝30゜
として、ポリエチレンテレフタレートフイルム上
に形成した。膜の平均の堆積速度を2500Å／秒と
し、膜厚1500Åの磁性層を形成した。膜形成時に
おける真空槽内の酸素分圧は第１表の様にした。
磁性層中の酸素量分布をオージエ電子分光分析に
より測定した結果、第６図の様なプロフアイルが
得られた。第６図の縦軸はCo，Ni及び酸素の合
計原子数に対する酸素原子数の割合を示し、横軸
は磁性層の深さ、すなわち横軸のＯは磁性層表面
を、1500Åは磁性層とポリエチレンテレフタレー
トフイルムとの界面を示している。また第１表中
のサンプルNo.と第６図中の曲線No.が対応してい
る。
【表】
酸素濃度分布を第１表と逆、すなわち第２表の
様に、フイルムがキヤンに接し始める部分近傍の
酸素分圧をマスク近傍における酸素分圧よりも高
くし、他の条件は上記と同様にして磁性層を形成
した場合の、磁性層中の酸素量分布を第７図に示
す。なお第２表中のサンプルNo.と第７図中の曲線
No.が対応している。
様に、フイルムがキヤンに接し始める部分近傍の
酸素分圧をマスク近傍における酸素分圧よりも高
くし、他の条件は上記と同様にして磁性層を形成
した場合の、磁性層中の酸素量分布を第７図に示
す。なお第２表中のサンプルNo.と第７図中の曲線
No.が対応している。
【表】
酸素濃度分布を真空槽内でほぼ均一に第３表に
示される値にし、他の条件は上記と同様にして磁
性層を形成した場合の、磁性層中の酸素量分布を
第８図に示す。なお第３表中のサンプルNo.と第８
図中の曲線No.が対応している。
示される値にし、他の条件は上記と同様にして磁
性層を形成した場合の、磁性層中の酸素量分布を
第８図に示す。なお第３表中のサンプルNo.と第８
図中の曲線No.が対応している。
【表】
以上の様な条件で作製された媒体の記録再生特
性について以下に述べる。記録再生はギヤツプ長
0.28μmのアモルフアスヘツドを用い、ヘツドと
媒体間の相対速度を3.75m／秒として測定した。
記録信号は5MHzの正弦波とした。第１表〜第３
表に示されるサンプルＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ１′，
Ａ２′，Ａ３′，Ａ１″，Ａ２″，Ａ３″の保磁力及
び再生出力値を第４表に示す。なお同表ではサン
プルＡ１の出力をOdBとし、相対値を示してい
る。また、膜中に含まれる酸素量が同程度のもの
同志、すなわち、Ａ１とＡ１′とＡ１″，Ａ２とＡ
２′とＡ２″，Ａ３とＡ３′とＡ３″をまとめて記し
てある。
性について以下に述べる。記録再生はギヤツプ長
0.28μmのアモルフアスヘツドを用い、ヘツドと
媒体間の相対速度を3.75m／秒として測定した。
記録信号は5MHzの正弦波とした。第１表〜第３
表に示されるサンプルＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ１′，
Ａ２′，Ａ３′，Ａ１″，Ａ２″，Ａ３″の保磁力及
び再生出力値を第４表に示す。なお同表ではサン
プルＡ１の出力をOdBとし、相対値を示してい
る。また、膜中に含まれる酸素量が同程度のもの
同志、すなわち、Ａ１とＡ１′とＡ１″，Ａ２とＡ
２′とＡ２″，Ａ３とＡ３′とＡ３″をまとめて記し
てある。
【表】
第４表から、いずれの酸素量においても、膜中
の酸素量分布が本発明の条件を満足するサンプ
ル、すなわちＡ１，Ａ２及びＡ３が他のサンプル
よりも高い再生出力が得られることがわかる。 以上の傾向は、磁性層蒸着時の最小入射角θを
変えても変わらない。 実施例 ２ 第２図に示される装置にて、Niを20重量％含
むCo−Ni合金をθを20゜，40゜及び60゜と変化させ
て、ポリエチレンテレフタレートフイルム上に形
成した。膜の平均の堆積速度を2500Å／秒とし、
膜厚1500Åの磁性層を形成した。なおθが変わつ
ても堆積速度が一定になる様に、蒸発材料の蒸発
速度を調整した。マスク近傍における酸素分圧を
１×10-3Torr、フイルムがキヤンに接し始める
部分近傍の酸素分圧を１×10-4Torrとした。こ
の様にして得られた磁性層中の酸素量分布をオー
ジエ電子分光分析により測定すると、第９図の様
なプロフアイルが得られた。第９図における曲線
Ａ４，Ａ５及びＡ６はそれぞれθが20゜，40゜及び
60゜の場合のプロフアイルである。 酸素濃度分布を上記と逆、すなわちマスク近傍
における酸素分圧を１×10-4Trr、フイルムがキ
ヤンに接し始める部分近傍の酸素分圧を１×
10-3Torrとし、他の条件は上記と同様にして磁
性層を形成した場合の、磁性層中の酸素量分布を
第１０図に示す。第１０図における曲線Ａ４′，
Ａ５′及びＡ６′はそれぞれθが20゜，40゜及び60゜の
場合の酸素量分布である。 酸素濃度分布を真空槽内でほぼ均一に２×
10-4Torrにし、他の条件は上記と同様して磁性
層を形成した場合の、磁性層中の酸素量分布を第
１１図に示す。第１１図における曲線Ａ４″，Ａ
５″及びＡ６″はそれぞれθが20゜，40゜及び60゜の場
合の酸素量分布である。 以上の様な条件で作製された媒体の記録再生特
性について以下に述べる。記録再生はギヤツプ長
0.28μmのアモルフアスヘツドを用い、ヘツドと
媒体間の相対速度を3.75m／秒として測定した。
記録信号は5MHzの正弦波とした。第９図〜第１
１図に示されるサンプルＡ４，Ａ５，Ａ６，Ａ
４′，Ａ５′，Ａ６′，Ａ４″，Ａ５″，Ａ６″の保磁
力及び再生出力値を第５表に示す。なお同表では
サンプルＡ４の出力をOdBとし、相対値を示し
ている。また、膜中に含まれる酸素量が同程度の
もの同志（サンプルＡ４″，Ａ５″，Ａ６″は少な
めであるが）、すなわち、Ａ４とＡ４′とＡ４″，
Ａ５とＡ５′とＡ５″，Ａ６とＡ６′とＡ６″をまと
めて記してある。第５表から、いずれの酸素量に
おいても膜中の酸素量分布が本発明の条件を満足
するサンプル、すなわちＡ４，Ａ５及びＡ６が他
のサンプルよりも高い再生出力が得られることが
わかる。
の酸素量分布が本発明の条件を満足するサンプ
ル、すなわちＡ１，Ａ２及びＡ３が他のサンプル
よりも高い再生出力が得られることがわかる。 以上の傾向は、磁性層蒸着時の最小入射角θを
変えても変わらない。 実施例 ２ 第２図に示される装置にて、Niを20重量％含
むCo−Ni合金をθを20゜，40゜及び60゜と変化させ
て、ポリエチレンテレフタレートフイルム上に形
成した。膜の平均の堆積速度を2500Å／秒とし、
膜厚1500Åの磁性層を形成した。なおθが変わつ
ても堆積速度が一定になる様に、蒸発材料の蒸発
速度を調整した。マスク近傍における酸素分圧を
１×10-3Torr、フイルムがキヤンに接し始める
部分近傍の酸素分圧を１×10-4Torrとした。こ
の様にして得られた磁性層中の酸素量分布をオー
ジエ電子分光分析により測定すると、第９図の様
なプロフアイルが得られた。第９図における曲線
Ａ４，Ａ５及びＡ６はそれぞれθが20゜，40゜及び
60゜の場合のプロフアイルである。 酸素濃度分布を上記と逆、すなわちマスク近傍
における酸素分圧を１×10-4Trr、フイルムがキ
ヤンに接し始める部分近傍の酸素分圧を１×
10-3Torrとし、他の条件は上記と同様にして磁
性層を形成した場合の、磁性層中の酸素量分布を
第１０図に示す。第１０図における曲線Ａ４′，
Ａ５′及びＡ６′はそれぞれθが20゜，40゜及び60゜の
場合の酸素量分布である。 酸素濃度分布を真空槽内でほぼ均一に２×
10-4Torrにし、他の条件は上記と同様して磁性
層を形成した場合の、磁性層中の酸素量分布を第
１１図に示す。第１１図における曲線Ａ４″，Ａ
５″及びＡ６″はそれぞれθが20゜，40゜及び60゜の場
合の酸素量分布である。 以上の様な条件で作製された媒体の記録再生特
性について以下に述べる。記録再生はギヤツプ長
0.28μmのアモルフアスヘツドを用い、ヘツドと
媒体間の相対速度を3.75m／秒として測定した。
記録信号は5MHzの正弦波とした。第９図〜第１
１図に示されるサンプルＡ４，Ａ５，Ａ６，Ａ
４′，Ａ５′，Ａ６′，Ａ４″，Ａ５″，Ａ６″の保磁
力及び再生出力値を第５表に示す。なお同表では
サンプルＡ４の出力をOdBとし、相対値を示し
ている。また、膜中に含まれる酸素量が同程度の
もの同志（サンプルＡ４″，Ａ５″，Ａ６″は少な
めであるが）、すなわち、Ａ４とＡ４′とＡ４″，
Ａ５とＡ５′とＡ５″，Ａ６とＡ６′とＡ６″をまと
めて記してある。第５表から、いずれの酸素量に
おいても膜中の酸素量分布が本発明の条件を満足
するサンプル、すなわちＡ４，Ａ５及びＡ６が他
のサンプルよりも高い再生出力が得られることが
わかる。
【表】
以上の傾向は、酸素分圧の値を変えても変わら
ない。 実施例 ３ 第２図に示される装置にて、Niを20重量％含
むCo−Ni合金を、θ＝40゜とし真空槽内の酸素濃
度分布を第６表の如く変化させて、ポリエチレン
テレフタレートフイルム上に形成した。膜の平均
の堆積速度を2500Å／秒とし、膜厚1500Åの磁性
層を形成した。この様にして得られた磁性層中の
酸素量分布をオージエ電子分光分析により測定す
ると、第１２図の様なプロフアイルが得られた。
第１２図における曲線Ａ７，Ａ８，Ａ９及びＡ１
０は第６表中のサンプルNo.に対応している。
ない。 実施例 ３ 第２図に示される装置にて、Niを20重量％含
むCo−Ni合金を、θ＝40゜とし真空槽内の酸素濃
度分布を第６表の如く変化させて、ポリエチレン
テレフタレートフイルム上に形成した。膜の平均
の堆積速度を2500Å／秒とし、膜厚1500Åの磁性
層を形成した。この様にして得られた磁性層中の
酸素量分布をオージエ電子分光分析により測定す
ると、第１２図の様なプロフアイルが得られた。
第１２図における曲線Ａ７，Ａ８，Ａ９及びＡ１
０は第６表中のサンプルNo.に対応している。
【表】
以上の様な条件で作製された媒体の記録再生特
性について以下に述べる。記録再生はギヤツプ長
0.28μmのアモルフアスヘツドを用い、ヘツドと
媒体間の相対速度を3.75m／秒として測定した。
記録信号は5MHzの正弦波とした。第６表に示さ
れるサンプルＡ７，Ａ８，Ａ９及びＡ１０の保磁
力及び再生出力値を第７表に示す。なお同表では
サンプルＡ７の出力をOdBとし、相対値を示し
ている。第７表から、本発明の条件を満足する媒
体Ａ７，Ａ８及びＡ９は、本発明の条件を満たさ
ない媒体Ａ１０よりも大きな再生出力の得られる
ことがわかる。
性について以下に述べる。記録再生はギヤツプ長
0.28μmのアモルフアスヘツドを用い、ヘツドと
媒体間の相対速度を3.75m／秒として測定した。
記録信号は5MHzの正弦波とした。第６表に示さ
れるサンプルＡ７，Ａ８，Ａ９及びＡ１０の保磁
力及び再生出力値を第７表に示す。なお同表では
サンプルＡ７の出力をOdBとし、相対値を示し
ている。第７表から、本発明の条件を満足する媒
体Ａ７，Ａ８及びＡ９は、本発明の条件を満たさ
ない媒体Ａ１０よりも大きな再生出力の得られる
ことがわかる。
【表】
以上においてはNiを20重量％含むCo−Niより
なる磁性層について述べたが、20重量％以外の組
成を有するCo−Niよりなる磁性層、およびCoま
たはCo−CrまたはCo−Ni−Crよりなる磁性層に
おいても上記と同様の結果が得られた。 また、以上においては、非磁性基板上に第１図
の曲線Ａに示される酸素量分布を有する磁性層を
１層形成した場合について述べたが、このような
磁性層を数層重ねて磁性層を構成してもよい。す
なわち、例えば第４図に示すように基板１上に第
１図の曲線Ａに示される酸素量分布を有する磁性
層８を３層重ねて磁気記録媒体を構成する。この
場合の磁性層中の酸素量分布を第５図に示す。 以上のように本発明によれば、高保磁力の、し
たがつて短波長記録特性の優れた磁気記録媒体を
提供することができるものである。
なる磁性層について述べたが、20重量％以外の組
成を有するCo−Niよりなる磁性層、およびCoま
たはCo−CrまたはCo−Ni−Crよりなる磁性層に
おいても上記と同様の結果が得られた。 また、以上においては、非磁性基板上に第１図
の曲線Ａに示される酸素量分布を有する磁性層を
１層形成した場合について述べたが、このような
磁性層を数層重ねて磁性層を構成してもよい。す
なわち、例えば第４図に示すように基板１上に第
１図の曲線Ａに示される酸素量分布を有する磁性
層８を３層重ねて磁気記録媒体を構成する。この
場合の磁性層中の酸素量分布を第５図に示す。 以上のように本発明によれば、高保磁力の、し
たがつて短波長記録特性の優れた磁気記録媒体を
提供することができるものである。
第１図は磁気記録媒体の磁性層の膜厚方向にお
ける酸素量分布を示す図、第２図は連続真空蒸着
装置の内部を示す断面正面図、第３図は磁気記録
媒体の磁性層の酸素含有比率と保磁力との関係を
示す図、第４図は本発明による磁気記録媒体の一
例を示す図、第５図は本発明による磁気記録媒体
の一例の磁性層の膜厚方向における酸素量分布を
示す図、第６図〜第１２図は磁性層の表面深さと
酸素量の関係を示した図である。 １……非磁性基板、８……磁性層。
ける酸素量分布を示す図、第２図は連続真空蒸着
装置の内部を示す断面正面図、第３図は磁気記録
媒体の磁性層の酸素含有比率と保磁力との関係を
示す図、第４図は本発明による磁気記録媒体の一
例を示す図、第５図は本発明による磁気記録媒体
の一例の磁性層の膜厚方向における酸素量分布を
示す図、第６図〜第１２図は磁性層の表面深さと
酸素量の関係を示した図である。 １……非磁性基板、８……磁性層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Co，CoとNi，CoとCr、またはCoとNiとCr
を主成分とし、かつ酸素を含有する磁性層が、斜
め蒸着法により非磁性基板上に形成された磁気記
録媒体において、前記磁性層の表面部に形成され
た自然酸化層を除く領域の構成原子中の酸素含有
比率が、前記非磁性基板側の領域に比べて表面側
の領域において大であることを特徴とする磁気記
録媒体。 ２ Co，CoとNi，CoとCr、またはCoとNiとCr
を主成分とし、かつ酸素を含有する磁性層が、斜
め蒸着法により非磁性基板上に形成された磁気記
録媒体において、前記磁性層が複数層重ねて形成
されるとともに、前記各磁性層（ただし、前記磁
性層のうち最表面に位置するもについては、その
表面部に形成された自然酸化層を除く領域をい
う）について、その構成原子中の酸素含有比率
が、前記非磁性基板側の領域に比べて表面側の領
域において大であることを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55172389A JPS5798133A (en) | 1980-12-05 | 1980-12-05 | Magnetic recording medium |
| US06/325,840 US4385098A (en) | 1980-12-05 | 1981-11-30 | Magnetic recording media |
| EP81110124A EP0053811B1 (en) | 1980-12-05 | 1981-12-03 | Magnetic recording media |
| DE8181110124T DE3172556D1 (en) | 1980-12-05 | 1981-12-03 | Magnetic recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55172389A JPS5798133A (en) | 1980-12-05 | 1980-12-05 | Magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5798133A JPS5798133A (en) | 1982-06-18 |
| JPH0318246B2 true JPH0318246B2 (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=15941014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55172389A Granted JPS5798133A (en) | 1980-12-05 | 1980-12-05 | Magnetic recording medium |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4385098A (ja) |
| EP (1) | EP0053811B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5798133A (ja) |
| DE (1) | DE3172556D1 (ja) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3280144D1 (de) * | 1981-05-15 | 1990-05-03 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungstraegers. |
| JPS5930230A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-17 | Sony Corp | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
| JPS5975427A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS59119531A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119532A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119534A (ja) * | 1982-12-26 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59185024A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US4741967A (en) * | 1983-06-08 | 1988-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium |
| JPS60154323A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-14 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| CA1235485A (en) * | 1984-01-20 | 1988-04-19 | Kenji Yazawa | Magnetic recording medium |
| JPS60157717A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0719369B2 (ja) * | 1984-02-02 | 1995-03-06 | 日本ビクター株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
| DE3565694D1 (en) * | 1984-02-02 | 1988-11-24 | Hitachi Metals Ltd | Process for manufacturing magnetic recording media |
| JPH0766507B2 (ja) * | 1984-02-16 | 1995-07-19 | コニカ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| KR890004257B1 (ko) * | 1984-10-29 | 1989-10-28 | 니뽕 빅터 가부시끼가이샤 | 자기 기록매체 및 그 제조법 |
| US5198309A (en) * | 1984-11-14 | 1993-03-30 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Magnetic recording member |
| DE3577246D1 (de) * | 1984-11-20 | 1990-05-23 | Hitachi Maxell | Magnetischer aufzeichnungstraeger und herstellung derselben. |
| JPS61145722A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2662777B2 (ja) * | 1985-04-15 | 1997-10-15 | 日立マクセル株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| FR2584847B1 (fr) * | 1985-07-15 | 1987-10-16 | Bull Sa | Support d'enregistrement perpendiculaire magnetiquement anisotrope |
| GB2186293B (en) * | 1986-02-11 | 1990-07-04 | Emi Plc Thorn | Magnetic thin film recording media |
| US4988578A (en) * | 1986-03-10 | 1991-01-29 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a thin film magnetic recording medium |
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| JPH07107734B2 (ja) * | 1986-07-03 | 1995-11-15 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2566134B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1996-12-25 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH0766484B2 (ja) * | 1986-07-07 | 1995-07-19 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録方法 |
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| JPH06150289A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
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| DE2146008A1 (de) | 1971-09-15 | 1973-03-22 | Ibm Deutschland | Verfahren zur herstellung einer magnetischen schicht |
| DE2608022C2 (de) * | 1976-02-27 | 1984-03-29 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur Herstellung magnetischer Aufzeichnungsträger mit verschleißfester Oberfläche |
| GB1599161A (en) * | 1976-07-15 | 1981-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Magnetic recording medium and method of making the same |
| GB1596385A (en) * | 1976-12-29 | 1981-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Methods and apparatus for manufacturing magnetic recording media |
| JPS6033289B2 (ja) * | 1979-07-18 | 1985-08-02 | 松下電器産業株式会社 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
-
1980
- 1980-12-05 JP JP55172389A patent/JPS5798133A/ja active Granted
-
1981
- 1981-11-30 US US06/325,840 patent/US4385098A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-12-03 EP EP81110124A patent/EP0053811B1/en not_active Expired
- 1981-12-03 DE DE8181110124T patent/DE3172556D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE3172556D1 (en) | 1985-11-07 |
| EP0053811A1 (en) | 1982-06-16 |
| JPS5798133A (en) | 1982-06-18 |
| US4385098A (en) | 1983-05-24 |
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