JPS6033289B2 - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体Info
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- JPS6033289B2 JPS6033289B2 JP54091318A JP9131879A JPS6033289B2 JP S6033289 B2 JPS6033289 B2 JP S6033289B2 JP 54091318 A JP54091318 A JP 54091318A JP 9131879 A JP9131879 A JP 9131879A JP S6033289 B2 JPS6033289 B2 JP S6033289B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属薄膜型磁気記録媒体に関するもので、そ
の磁気特性および耐蝕性を改善し、かつ生産性の向上を
も図ることを目的としたものである。
の磁気特性および耐蝕性を改善し、かつ生産性の向上を
も図ることを目的としたものである。
近年来、磁気記録の分野では高密度化の要求が高まって
きており、それにつれてこの要求を満足させる金属薄膜
型の磁気記録媒体の研究開発が意欲的に進められている
。
きており、それにつれてこの要求を満足させる金属薄膜
型の磁気記録媒体の研究開発が意欲的に進められている
。
この金属薄膜型磁気記録媒体の製作方法には大別して次
の二通りがあげられる。一つは化学メッキによる湿式法
であり、もつ一つはスパッタ、イオンプレーテイング、
真空蒸着等による乾式法である。この一つの方式のうち
乾式法は、製造時において磁性層の磁気特性の再現性に
すぐれ、かつ長手方向、幅方向に対しても均一なものが
得られ易く、さらに湿式法に見られるように廃液処理に
よる公害等の問題のないことから企業化する場合には、
魅力のある方式と考えられている。本発明者らも主に、
ガラス、金属、プラスチック等の基板の上にスパッタ、
イオンプレーティング、真空蒸着等の乾式法で強磁性金
属の薄膜を形成させて記録媒体としての諸特性、例えば
各種、電磁変換特性、実用特性等の検討を進めてきた。
その中で次に述べるような問題点があることが判明した
。{1} 高密度記録化のために磁性層に要求される条
件として抗磁力が高いこと(だいたいの目安として10
0のe近傍)と飽和磁束密度が高いことがあげられる。
の二通りがあげられる。一つは化学メッキによる湿式法
であり、もつ一つはスパッタ、イオンプレーテイング、
真空蒸着等による乾式法である。この一つの方式のうち
乾式法は、製造時において磁性層の磁気特性の再現性に
すぐれ、かつ長手方向、幅方向に対しても均一なものが
得られ易く、さらに湿式法に見られるように廃液処理に
よる公害等の問題のないことから企業化する場合には、
魅力のある方式と考えられている。本発明者らも主に、
ガラス、金属、プラスチック等の基板の上にスパッタ、
イオンプレーティング、真空蒸着等の乾式法で強磁性金
属の薄膜を形成させて記録媒体としての諸特性、例えば
各種、電磁変換特性、実用特性等の検討を進めてきた。
その中で次に述べるような問題点があることが判明した
。{1} 高密度記録化のために磁性層に要求される条
件として抗磁力が高いこと(だいたいの目安として10
0のe近傍)と飽和磁束密度が高いことがあげられる。
この抗磁力を高くする方法として一般に知られているの
は、基板に対して斜めに蒸発原子を入射させて成膜させ
る方法がある。しかし、この方法により今必要とされる
100瓜史近い抗磁力を有する磁性層を作製しようとし
た場合、実験によるとNiではどの入射角領域を取って
も得られず、また、Fe,Coに関しては入射角(基板
にたてた垂線と蒸気の方向との作る角度:8)が80q
0以上とならなければ得ることができないことがわかっ
た。8000の入射角の蒸気とは基板に対してほぼ水平
方向にスレスレ‘こ入ってくるため成膜速度が極めて低
く、したがって蒸気のあたる時間を長くしなければなら
ないため生産性が低くまた価格高となるため、企業化す
る場合に一つの障害となっている。
は、基板に対して斜めに蒸発原子を入射させて成膜させ
る方法がある。しかし、この方法により今必要とされる
100瓜史近い抗磁力を有する磁性層を作製しようとし
た場合、実験によるとNiではどの入射角領域を取って
も得られず、また、Fe,Coに関しては入射角(基板
にたてた垂線と蒸気の方向との作る角度:8)が80q
0以上とならなければ得ることができないことがわかっ
た。8000の入射角の蒸気とは基板に対してほぼ水平
方向にスレスレ‘こ入ってくるため成膜速度が極めて低
く、したがって蒸気のあたる時間を長くしなければなら
ないため生産性が低くまた価格高となるため、企業化す
る場合に一つの障害となっている。
また、このような高入射角の磁性層の膜構造を観察する
と、パッキングファイターが下っており(約0.2〜0
.3)、このことは、磁束密度の低下を招き思っていた
程記録密度が向上しない。■ 従来の塗布型の記録媒体
に比べ、金属薄膜型磁気記録媒体の問題点の1つに耐蝕
性が劣っていることがあげられる。
と、パッキングファイターが下っており(約0.2〜0
.3)、このことは、磁束密度の低下を招き思っていた
程記録密度が向上しない。■ 従来の塗布型の記録媒体
に比べ、金属薄膜型磁気記録媒体の問題点の1つに耐蝕
性が劣っていることがあげられる。
本発明者らの実験によってもi Niは磁気特性は良く
ないが、耐蝕性には勝れている。
ないが、耐蝕性には勝れている。
11 一方、Co,Feにおいては、磁気特性は斜め蒸
着法により得られるが、耐蝕性に関しては高温中に放置
した場合斑点状の腐蝕が発生し、それが時間とともに拡
大し、さらに進むと基板からの剥離が生ずるといったこ
とが観察されている。
着法により得られるが、耐蝕性に関しては高温中に放置
した場合斑点状の腐蝕が発生し、それが時間とともに拡
大し、さらに進むと基板からの剥離が生ずるといったこ
とが観察されている。
このような状態では、記録および再生はもちろんできな
くなるために、記録媒体としては使用不可能となる重欠
陥で、これもまた工業化の隆路となっていた。本発明は
、前記問題点を解決するもので、以下にその実施例を図
面ととももこ説明する。
くなるために、記録媒体としては使用不可能となる重欠
陥で、これもまた工業化の隆路となっていた。本発明は
、前記問題点を解決するもので、以下にその実施例を図
面ととももこ説明する。
第1図は、金属薄膜型磁気記録媒体の斜視図である。
これは非磁性のガラス、プラスチック、金属等からなる
基板1の上にスパッタ、イオンプレーティング、真空蒸
着等によりCo−Njの強磁性金属からなる磁性層2を
酸素雰囲気中で形成させたものである。第2図は、本発
明を検討した実験装置の概略断面正面図を示す。
基板1の上にスパッタ、イオンプレーティング、真空蒸
着等によりCo−Njの強磁性金属からなる磁性層2を
酸素雰囲気中で形成させたものである。第2図は、本発
明を検討した実験装置の概略断面正面図を示す。
図において、3は真空蒸着室を示し、その室3内は真空
ポンプ系4により排気され適宜の真空度に保たれている
。また室3の下方には、強磁性金属5を収納し、それを
加熱溶融、蒸発させる蒸発源が設置されている。その上
方には、ガラス、プラスチック、金属等の非磁性材料よ
りなる基板1が基板支持台7に蒸気の方向に対して斜め
に設定されている。この斜めの角度8は任意に可変でき
るようになっている。本発明者らは、この入射角8を種
々変化させて実験を行った。
ポンプ系4により排気され適宜の真空度に保たれている
。また室3の下方には、強磁性金属5を収納し、それを
加熱溶融、蒸発させる蒸発源が設置されている。その上
方には、ガラス、プラスチック、金属等の非磁性材料よ
りなる基板1が基板支持台7に蒸気の方向に対して斜め
に設定されている。この斜めの角度8は任意に可変でき
るようになっている。本発明者らは、この入射角8を種
々変化させて実験を行った。
蒸発源6と基板1との間には、必要な時間のみ基板1に
蒸着されるようにシャッター8が設けられている。また
、9は蒸着中の雰囲気を決めるガス導入口で、これは外
部の導入ガスボンベ10と連結されている。種々のガス
を真空葵着室3内に導入し実験を行った。磁性層材料の
選択 i耐蝕性には問題があるが、抗磁力、角型比等の磁気特
性がすぐれてるCoと、磁気特性には問題があるが、耐
蝕性のすぐれているNiとを組合せた合金の磁性膜の検
討を行い、第3図、第4図に示す腐蝕および磁気特性の
組成依存性の結果を得た。
蒸着されるようにシャッター8が設けられている。また
、9は蒸着中の雰囲気を決めるガス導入口で、これは外
部の導入ガスボンベ10と連結されている。種々のガス
を真空葵着室3内に導入し実験を行った。磁性層材料の
選択 i耐蝕性には問題があるが、抗磁力、角型比等の磁気特
性がすぐれてるCoと、磁気特性には問題があるが、耐
蝕性のすぐれているNiとを組合せた合金の磁性膜の検
討を行い、第3図、第4図に示す腐蝕および磁気特性の
組成依存性の結果を得た。
腐蝕電流はポテソションスタットで求め、測定は、1皮
0の3%NaCI溶液中に1肌×1伽の試料を浸潰させ
て行った。抗磁力の測定にはVSM(振動試料型磁化測
定装置)を用いた。
0の3%NaCI溶液中に1肌×1伽の試料を浸潰させ
て行った。抗磁力の測定にはVSM(振動試料型磁化測
定装置)を用いた。
第3図によると、腐蝕電流はNiの含有量とともに指数
関数的に減少し、それにともない腐蝕しにくくなる。
関数的に減少し、それにともない腐蝕しにくくなる。
耐蝕性に関する従来のテープの評価基準として40℃9
0%高湿中1週間により腐蝕による析出が観察されない
ことが規定されているがこれを満足させるためには後述
する酸素雰囲気中黍着ではNi含有量を少なくとも10
%以上必要とすることがわかった。また、残留ガス中蒸
着においてもNi量を増加することにより基準をパスで
きる。また、第4図の組成と磁気特性(抗磁力)の関係
より、Ni含有量がある組成以上になると急に抗磁力が
落ちてくる遷移領域とさらにNiが増えると低い抗磁力
で安定する安定領域があることがわかった。これは、酸
素雰囲気中で成膜して磁性膜(図中1)においても、残
留ガス中で成膜した磁性膜(図中ロ)においても類似し
た傾向が観察され、成膜条件の差(入射角、02の有無
、膜厚等)により遷移領域は若干シフトすることも観察
されている。
0%高湿中1週間により腐蝕による析出が観察されない
ことが規定されているがこれを満足させるためには後述
する酸素雰囲気中黍着ではNi含有量を少なくとも10
%以上必要とすることがわかった。また、残留ガス中蒸
着においてもNi量を増加することにより基準をパスで
きる。また、第4図の組成と磁気特性(抗磁力)の関係
より、Ni含有量がある組成以上になると急に抗磁力が
落ちてくる遷移領域とさらにNiが増えると低い抗磁力
で安定する安定領域があることがわかった。これは、酸
素雰囲気中で成膜して磁性膜(図中1)においても、残
留ガス中で成膜した磁性膜(図中ロ)においても類似し
た傾向が観察され、成膜条件の差(入射角、02の有無
、膜厚等)により遷移領域は若干シフトすることも観察
されている。
一方、磁気記録媒体としては高い抗磁力を必要とするこ
とから、おのずからNi含有量のの上限が決定される。
この場合、数多く実験した結果、55%Niの近傍にな
ると抗磁力の低下(約20〜30%の低下)はもちろん
起ってくるが、磁気特性のデータにバラッキが大きくな
り、再現性、安定性に欠けてくることが観察されている
。したがって、多くともM含有量は55%以下に押えな
ければならないことがわかった。なお、第3図、第4図
の成膜条件は次表のとおりである。
とから、おのずからNi含有量のの上限が決定される。
この場合、数多く実験した結果、55%Niの近傍にな
ると抗磁力の低下(約20〜30%の低下)はもちろん
起ってくるが、磁気特性のデータにバラッキが大きくな
り、再現性、安定性に欠けてくることが観察されている
。したがって、多くともM含有量は55%以下に押えな
ければならないことがわかった。なお、第3図、第4図
の成膜条件は次表のとおりである。
以上をまとめると、磁性層としては耐軸性、磁気特性の
面からCo−Nj合金系で、かつその組成範囲が10%
ミNiS55%であることが必要とされる。
面からCo−Nj合金系で、かつその組成範囲が10%
ミNiS55%であることが必要とされる。
導入ガスの選択
斜め蒸着法により抗磁力が向上されることは公知であり
、Co−Ni合金系においても同様の効果が観察されて
いる。
、Co−Ni合金系においても同様の効果が観察されて
いる。
本発明者らは、蒸着中に導入するガスの種類を量を種々
検討している中で、低い入射角における蒸着でも飛躍的
に抗磁力を向上させることができる条件を見出した。
検討している中で、低い入射角における蒸着でも飛躍的
に抗磁力を向上させることができる条件を見出した。
検討したガスは、02,C02,〜,He,CH4,C
2日等で、この中で02のみが非常に顕著な特性改善の
効果があった。各組成領域に対してそれらの結果を第5
図、第6図、第7図に示す。図中で、横藤は膜中の酸素
量、縦軸は抗磁力を示す。
2日等で、この中で02のみが非常に顕著な特性改善の
効果があった。各組成領域に対してそれらの結果を第5
図、第6図、第7図に示す。図中で、横藤は膜中の酸素
量、縦軸は抗磁力を示す。
第5図のCoのみの場合は、酸素量とともに抗磁力が顕
著に増加しある領域で飽和する。第7図のNiが60%
以上の試料では酸素量とともにわずかに抗磁力が増加す
るのみで、Co程の顕著な効果はない。一方、Co−N
i合金系において10%SNiS55%の領域では、酸
素量に対して山型の特性を示し、すなわゆ酸素量の増加
とともに抗磁力が増加し、ついにあるピーク点に達し、
さらに酸素量を増加させると今度は、反対に減少してく
る現象が観察されている。
著に増加しある領域で飽和する。第7図のNiが60%
以上の試料では酸素量とともにわずかに抗磁力が増加す
るのみで、Co程の顕著な効果はない。一方、Co−N
i合金系において10%SNiS55%の領域では、酸
素量に対して山型の特性を示し、すなわゆ酸素量の増加
とともに抗磁力が増加し、ついにあるピーク点に達し、
さらに酸素量を増加させると今度は、反対に減少してく
る現象が観察されている。
この山型の形やピークの高さ‘ま成膜条件(特に入射角
、膜厚、成膜速度)により変化することが観察されてい
る。特に抗磁力に関しては、Coと同様に02ガスは、
斜入射角をさらに増幅させる作用をしているのが特徴的
である。
、膜厚、成膜速度)により変化することが観察されてい
る。特に抗磁力に関しては、Coと同様に02ガスは、
斜入射角をさらに増幅させる作用をしているのが特徴的
である。
次に本実験の試料の作製条件は次表のとおりである。
抗磁力の測定は、前述と同じVSMで測定し、膜中の酸
素量はオージェ電子分光分析法により測定したが、XP
S(光電子分光分析法)、イオンマイクロアナライザー
でも測定可能である。
素量はオージェ電子分光分析法により測定したが、XP
S(光電子分光分析法)、イオンマイクロアナライザー
でも測定可能である。
ただし酸素量のパーセテージは磁性層中のCoとNiに
対する原子数比で示している。なお、膜厚方向に酸素量
が均一でないため膜厚に対する平均値で酸素量を表わし
ている。
対する原子数比で示している。なお、膜厚方向に酸素量
が均一でないため膜厚に対する平均値で酸素量を表わし
ている。
次に膜中の酸素量について述べる。
‘1} 抗磁力は高い方が良い(図の山の中央付近)。
‘2ー 量産時を考慮すると、再現性、安安定性にすぐ
れた領域を使うこと。第6図によると、3%未満と45
%を超える値ではデータのバラッキが顕著になつ〃くる
。この原因として前者は、導入酸素量が少ないため残留
ガスの影響を受けやすいこと、後者では酸素過多による
結晶成長への妨害等が考えられるが、今のところはっき
りしていない。‘3} 酸素量が45%を超える値にな
ると、抗磁力の低下、磁束密度の低下、角型比の低下等
の相乗効果で、記録密度の低下が顕著になる。
れた領域を使うこと。第6図によると、3%未満と45
%を超える値ではデータのバラッキが顕著になつ〃くる
。この原因として前者は、導入酸素量が少ないため残留
ガスの影響を受けやすいこと、後者では酸素過多による
結晶成長への妨害等が考えられるが、今のところはっき
りしていない。‘3} 酸素量が45%を超える値にな
ると、抗磁力の低下、磁束密度の低下、角型比の低下等
の相乗効果で、記録密度の低下が顕著になる。
■ 酸素量が3%禾満の場合は、Ni含有量が10%に
近いところで、前述の環境試験で腐蝕の発生するものが
見られた。
近いところで、前述の環境試験で腐蝕の発生するものが
見られた。
以上のようなNi組成依存性、酸素量依存性をまとめた
ものが第8図である。
ものが第8図である。
耐蝕性すぐれかつ磁気特性が良好である領域が存在する
ことが示されている。図では斜線で表わされている領域
である。図において、腐は腐蝕性を、磁は磁気特性を、
0は良好を、×は不良をそれぞれ表わしている。第9図
は、本発明を工業規模で製造実施するための装置の一例
で、真空槽内にフィルム搬送系を設置し、蓮続蒸着する
ことにより長尺の磁気記録媒体を得ることができるもの
である。図において、第2図と異なるところについて説
明すると、11は巻出しロールで、プラスチックフィル
ム12が捲回されていて、フィルム12がキャン13に
沿って搬送し、この時キャン13も同方向に回転してい
て走行を補助し、続いて巻取ロール14で巻取られる。
ことが示されている。図では斜線で表わされている領域
である。図において、腐は腐蝕性を、磁は磁気特性を、
0は良好を、×は不良をそれぞれ表わしている。第9図
は、本発明を工業規模で製造実施するための装置の一例
で、真空槽内にフィルム搬送系を設置し、蓮続蒸着する
ことにより長尺の磁気記録媒体を得ることができるもの
である。図において、第2図と異なるところについて説
明すると、11は巻出しロールで、プラスチックフィル
ム12が捲回されていて、フィルム12がキャン13に
沿って搬送し、この時キャン13も同方向に回転してい
て走行を補助し、続いて巻取ロール14で巻取られる。
この間、キャン13の下方で蒸着が行われる。15はマ
スクで、蒸気の斜め成分を制御するものである。
スクで、蒸気の斜め成分を制御するものである。
この時は、高範囲な入射角成分を含むが最小入射角am
inで入射角を代表させている。このようにして作製し
た膜の磁気特性、耐蝕試験の結果は、第8図にまとめた
結果と基本的に一致していた。
inで入射角を代表させている。このようにして作製し
た膜の磁気特性、耐蝕試験の結果は、第8図にまとめた
結果と基本的に一致していた。
本発明は、Co,Ni,0の関係について規定するもの
で、他の元素を含む場合もCo,Ni,0が本発明の範
囲内にあるものか本発明の範囲となるものである。なお
、種々の環境試験の結果も本発明の優位性を裏付けるも
のであるが、特長的な結果以外は省略した。
で、他の元素を含む場合もCo,Ni,0が本発明の範
囲内にあるものか本発明の範囲となるものである。なお
、種々の環境試験の結果も本発明の優位性を裏付けるも
のであるが、特長的な結果以外は省略した。
以上のように本発明は、Co−Nj磁性層において、i
)10〜55M%Ni,ii)3〜45%の酸素量の組
合せにより、○} 40oの入射角においても従来の8
0o入射角並みの磁気特性が得られ生産性が向上した。
)10〜55M%Ni,ii)3〜45%の酸素量の組
合せにより、○} 40oの入射角においても従来の8
0o入射角並みの磁気特性が得られ生産性が向上した。
すなわち従来フィルム速度が2肌/minのものが20
の/min以上となった。しかも耐軸性は例えば30%
Niのものでは、前述の試験で1ケ月近く試験をしても
何ら変化は見られていないことから、実用上全く問題は
ないと思われる。(2} 士5%の精度で磁気特性を制
御でき、再現性、安定性がある。
の/min以上となった。しかも耐軸性は例えば30%
Niのものでは、前述の試験で1ケ月近く試験をしても
何ら変化は見られていないことから、実用上全く問題は
ないと思われる。(2} 士5%の精度で磁気特性を制
御でき、再現性、安定性がある。
糊 磁性膜中に酸素を含むことにより耐蝕性も向上する
。
。
{4)また磁性膜中に酸素を含むことにより、基板との
付着強度が強くなっている。
付着強度が強くなっている。
これらの数多し、効果により本発明は、金属薄膜型磁気
記録媒体の企業化に多大の貢献をするものである。
記録媒体の企業化に多大の貢献をするものである。
第1図は金属薄膜型磁気記録媒体の斜視図、第2図は同
磁気記録媒体の実験装置の一例の断面正面図、第3図は
磁性層中のNi量に対する腐蝕電流特性図、第4図は同
抗磁力特性図、第5図〜第7図はそれぞれ磁性層中の酸
素量に対する抗磁力特性図、第8図は磁性層中のNi量
と酸素量との適正量を示す図、第9図は金属薄膜型磁気
記録媒体の製造装置の他の例の断面正面図である。 1・・・・・・非磁性基板、2・・・・・・磁性層。 第1図第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第8図 第7図 第9図
磁気記録媒体の実験装置の一例の断面正面図、第3図は
磁性層中のNi量に対する腐蝕電流特性図、第4図は同
抗磁力特性図、第5図〜第7図はそれぞれ磁性層中の酸
素量に対する抗磁力特性図、第8図は磁性層中のNi量
と酸素量との適正量を示す図、第9図は金属薄膜型磁気
記録媒体の製造装置の他の例の断面正面図である。 1・・・・・・非磁性基板、2・・・・・・磁性層。 第1図第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第8図 第7図 第9図
Claims (1)
- 非磁性基板上に形成された磁性層が主にニツケル、コ
バルト、酸素からなり、ニツケルとコバルトの組成比は
ニツケルの重量%で10〜55%の間を範囲とし、さら
に前記磁性層中の酸素原子数が磁性層中のニツケルとコ
バルトの原子数の和に対して3〜45%であることを特
徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54091318A JPS6033289B2 (ja) | 1979-07-18 | 1979-07-18 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
| US06/167,418 US4323629A (en) | 1979-07-17 | 1980-07-11 | Metallic thin film magnetic recording medium |
| CA000356405A CA1149686A (en) | 1979-07-18 | 1980-07-17 | Metallic thin film magnetic recording medium |
| EP80104249A EP0023328A1 (en) | 1979-07-18 | 1980-07-18 | Metallic thin film magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54091318A JPS6033289B2 (ja) | 1979-07-18 | 1979-07-18 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5615014A JPS5615014A (en) | 1981-02-13 |
| JPS6033289B2 true JPS6033289B2 (ja) | 1985-08-02 |
Family
ID=14023106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54091318A Expired JPS6033289B2 (ja) | 1979-07-17 | 1979-07-18 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4323629A (ja) |
| EP (1) | EP0023328A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6033289B2 (ja) |
| CA (1) | CA1149686A (ja) |
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| DE3175106D1 (en) * | 1980-08-18 | 1986-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Magnetic recording media and process for fabricating the same |
| JPS5798133A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS57196508A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
| JPS57198615A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
| JPS57198614A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
| JPS57199209A (en) * | 1981-06-02 | 1982-12-07 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
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| JPS59119532A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119531A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119534A (ja) * | 1982-12-26 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59160828A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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Family Cites Families (16)
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| BE603828A (ja) * | 1960-05-19 | 1900-01-01 | ||
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| US3206325A (en) * | 1961-09-14 | 1965-09-14 | Alloyd Corp | Process for producing magnetic product |
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| JPS4972699A (ja) * | 1972-11-16 | 1974-07-13 | ||
| JPS5642054B2 (ja) * | 1973-07-25 | 1981-10-02 | ||
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1979
- 1979-07-18 JP JP54091318A patent/JPS6033289B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-07-11 US US06/167,418 patent/US4323629A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-07-17 CA CA000356405A patent/CA1149686A/en not_active Expired
- 1980-07-18 EP EP80104249A patent/EP0023328A1/en not_active Ceased
Also Published As
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