JPH03183010A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH03183010A JPH03183010A JP1321978A JP32197889A JPH03183010A JP H03183010 A JPH03183010 A JP H03183010A JP 1321978 A JP1321978 A JP 1321978A JP 32197889 A JP32197889 A JP 32197889A JP H03183010 A JPH03183010 A JP H03183010A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic recording
- content
- diamond
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は強磁性金属薄膜を磁気記録層とするディジタル
記録あるいは高密度記録に適する磁気記録媒体に関する
ものである。
記録あるいは高密度記録に適する磁気記録媒体に関する
ものである。
[従来の技術]
磁気記録媒体は、磁気テープや磁気ディスクなどの記録
媒体として広く使用されている。
媒体として広く使用されている。
ところで、金属薄膜を記録層とする磁気記録媒体におい
ては、様々な方法によりスチル耐久性、耐蝕性の向上が
続けられてきた。たとえば下記の手段が種々提案されて
いる。
ては、様々な方法によりスチル耐久性、耐蝕性の向上が
続けられてきた。たとえば下記の手段が種々提案されて
いる。
■ 磁性層上にカルボン酸系、リン系の潤滑層を設ける
。
。
■ 非磁性金属の保護膜を設ける。
■ SiO2膜を設ける。
■ 磁性層に微細な突起を均一に設ける。
等を上げることができる。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、これら従来技術の方法でも今−歩スチル耐久性
、耐蝕性が改善されないのが現状であり、ディジタル記
録あるいは高密度記録において、今まで以上にスチル耐
久性、耐蝕性が要求されてきている。
、耐蝕性が改善されないのが現状であり、ディジタル記
録あるいは高密度記録において、今まで以上にスチル耐
久性、耐蝕性が要求されてきている。
本発明は上記課題を解決するため、強磁性金属薄膜上に
特定の含有比率を有する弗化炭素化合物を含有したダイ
ヤモンド状硬質炭素膜を設けることにより、スチル耐久
性、耐蝕性の優れた磁気記録媒体を提供するものである
。
特定の含有比率を有する弗化炭素化合物を含有したダイ
ヤモンド状硬質炭素膜を設けることにより、スチル耐久
性、耐蝕性の優れた磁気記録媒体を提供するものである
。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するために本発明は下記の構成からなる
。すなわち本発明は、基板上に強磁性金属薄膜を設けた
磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜上に弗化炭
素化合物を含有したダイヤモンド状硬質炭素膜を設け、
該ダイヤモンド状硬質炭素膜の弗化物の含有比率が成膜
始めを最大含有率αMwt%(ただしαMは10〜30
の範囲)とし、成膜綿りを0wt%とする含有率分布を
もつ膜であることを特徴とする磁気記録媒体である。
。すなわち本発明は、基板上に強磁性金属薄膜を設けた
磁気記録媒体において、前記強磁性金属薄膜上に弗化炭
素化合物を含有したダイヤモンド状硬質炭素膜を設け、
該ダイヤモンド状硬質炭素膜の弗化物の含有比率が成膜
始めを最大含有率αMwt%(ただしαMは10〜30
の範囲)とし、成膜綿りを0wt%とする含有率分布を
もつ膜であることを特徴とする磁気記録媒体である。
[作用]
上記構成を有する本発明によれば、強磁性金属薄膜上に
弗化炭素化合物を含有したダイヤモンド状硬質炭素膜(
以下DLC膜という。)を設け、該ダイヤモンド状硬質
炭素膜の弗化物の含有比率が成膜始めを最大含有率αM
wt%(ただしαMは10〜30の範囲)とし、成膜綿
りを0wt%とする含有率分布をもつ膜としたことによ
り、ビデオデツキ等のヘッドとの摺動に於いて実効的な
硬さが大きくなり、従来技術の磁気記録媒体に比べ、耐
久性、耐蝕性が向上する。
弗化炭素化合物を含有したダイヤモンド状硬質炭素膜(
以下DLC膜という。)を設け、該ダイヤモンド状硬質
炭素膜の弗化物の含有比率が成膜始めを最大含有率αM
wt%(ただしαMは10〜30の範囲)とし、成膜綿
りを0wt%とする含有率分布をもつ膜としたことによ
り、ビデオデツキ等のヘッドとの摺動に於いて実効的な
硬さが大きくなり、従来技術の磁気記録媒体に比べ、耐
久性、耐蝕性が向上する。
[実施例]
以下本発明の実施例の磁気記録媒体について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
第1図は、本発明の磁気記録媒体の実施例の構成図を示
すものである。第1図に示すように4は、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェ
ニレンサルファイド、ポリイミド等からなるフィルム基
板である。そして、この基板上に、強磁性金属薄膜3を
形成し、この強磁性金属薄膜3上に、弗化炭素化合物を
含有したダイヤモンド状硬質炭素膜2を設け、該ダイヤ
モンド状硬質炭素膜2の弗化物の含有比率が成膜始めを
最大含有率αM(ただしαMは10〜30wt%の範囲
)とし、成膜綿りをOw t%とする含有率分布をもつ
膜である。前記弗化炭素化合物を含有したダイヤモンド
状硬質炭素膜2は、グラファイトをターゲットにして、
スパッタリングで膜を形成するか、弗素化合物を含む炭
化水素系気体の放電分離を利用して形成する。弗素化合
物を含有したDLC膜2を形成した後、潤滑層1を塗布
する一方、前記基板4の下面にはバックコート層5を形
成して、磁気記録媒体を構成したものである。
すものである。第1図に示すように4は、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェ
ニレンサルファイド、ポリイミド等からなるフィルム基
板である。そして、この基板上に、強磁性金属薄膜3を
形成し、この強磁性金属薄膜3上に、弗化炭素化合物を
含有したダイヤモンド状硬質炭素膜2を設け、該ダイヤ
モンド状硬質炭素膜2の弗化物の含有比率が成膜始めを
最大含有率αM(ただしαMは10〜30wt%の範囲
)とし、成膜綿りをOw t%とする含有率分布をもつ
膜である。前記弗化炭素化合物を含有したダイヤモンド
状硬質炭素膜2は、グラファイトをターゲットにして、
スパッタリングで膜を形成するか、弗素化合物を含む炭
化水素系気体の放電分離を利用して形成する。弗素化合
物を含有したDLC膜2を形成した後、潤滑層1を塗布
する一方、前記基板4の下面にはバックコート層5を形
成して、磁気記録媒体を構成したものである。
上記構成により、求められるスチル耐久性、耐蝕性の十
分な改善向上に有効である。
分な改善向上に有効である。
以下、更に具体的に本発明の実施例について説明する。
厚み10μmの平滑なポリエチレンテレフタレートフィ
ルム上に直径150AのSio2微粒子を20ケ/μポ
配し、その上に真空蒸着法により酸素を導入しながらC
o (80)−Ni (20)の強磁性金属薄膜を2
000人の厚さに形成した後、カーボンブラックを周知
のコーティング法によりバックコート層を塗布したもの
を準備し、それぞれの実施例に用いた。
ルム上に直径150AのSio2微粒子を20ケ/μポ
配し、その上に真空蒸着法により酸素を導入しながらC
o (80)−Ni (20)の強磁性金属薄膜を2
000人の厚さに形成した後、カーボンブラックを周知
のコーティング法によりバックコート層を塗布したもの
を準備し、それぞれの実施例に用いた。
実施例1〜2
第1図に示すように強磁性金属薄膜3上に、グラファイ
トをターゲットにし、ArとH2の混合ガス(A r
: H2=1 : 3) 、真空度0.1〜10(To
rr)、周波数13.56 (MHz)、電力1.IK
Wのグロー放電中に、C2F4ガスを注入できる装置を
2〜5ケ用いて、DLC膜中の弗化炭素化合物の含有比
率を、表面層は0wt%とし、膜中で含有比率を変化さ
せ、成膜初め部分の含有比率が最大αMwt%=20w
t%になるように形成した。DLC膜2を5OA、10
0人、150人の厚さにそれぞれ形威し、その上に潤滑
層1としてパーフロロカーボンを100Aの厚さに塗布
し、8mmの幅に裁断した。
トをターゲットにし、ArとH2の混合ガス(A r
: H2=1 : 3) 、真空度0.1〜10(To
rr)、周波数13.56 (MHz)、電力1.IK
Wのグロー放電中に、C2F4ガスを注入できる装置を
2〜5ケ用いて、DLC膜中の弗化炭素化合物の含有比
率を、表面層は0wt%とし、膜中で含有比率を変化さ
せ、成膜初め部分の含有比率が最大αMwt%=20w
t%になるように形成した。DLC膜2を5OA、10
0人、150人の厚さにそれぞれ形威し、その上に潤滑
層1としてパーフロロカーボンを100Aの厚さに塗布
し、8mmの幅に裁断した。
また、実施例の弗素化合物の含有比率のαMwt%=2
0.30wt%のものを実施例2とした。
0.30wt%のものを実施例2とした。
比較例1
強磁性金属薄膜層上に、グラファイトをターゲットにし
、ArとH2の混合ガス(A r : H2=1=3)
、真空度0.1〜10(Torr)、周波数13.56
(MHz) 、電力1. IKWのグロー放電によ
り、弗化炭素化合物を含まないDLC膜を5OA、10
0A、150Aの厚さにそれぞれ形成し、その上に潤滑
層としてパーフロロカ−ボンを100Aの厚さに塗布し
、8肛の幅に裁断した。
、ArとH2の混合ガス(A r : H2=1=3)
、真空度0.1〜10(Torr)、周波数13.56
(MHz) 、電力1. IKWのグロー放電によ
り、弗化炭素化合物を含まないDLC膜を5OA、10
0A、150Aの厚さにそれぞれ形成し、その上に潤滑
層としてパーフロロカ−ボンを100Aの厚さに塗布し
、8肛の幅に裁断した。
比較例2
強磁性金属薄膜層上に、放電ガスとしてCH4+CF(
CH4:C2F4=10:1)、真8 空席0.1 (Torr) 、周波数13.56(Mi
(z)、電力2,2KWのグロー放電により均一に弗素
化したDLC膜(弗素含有比率20wt%)を50A、
100人、150人の厚さにそれぞれ形成し、その上に
潤滑層としてパーフロロカーボンを10OAの厚さに塗
布し、8mmの幅に裁断した。
CH4:C2F4=10:1)、真8 空席0.1 (Torr) 、周波数13.56(Mi
(z)、電力2,2KWのグロー放電により均一に弗素
化したDLC膜(弗素含有比率20wt%)を50A、
100人、150人の厚さにそれぞれ形成し、その上に
潤滑層としてパーフロロカーボンを10OAの厚さに塗
布し、8mmの幅に裁断した。
比較例3
強磁性金属薄膜層上に、潤滑層としてパーフロロカーボ
ンを100人の厚さに塗布し、8mmの幅に裁断した。
ンを100人の厚さに塗布し、8mmの幅に裁断した。
比較例4
強磁性金属薄膜層上に、スパッタリング法を用いて、S
iO2膜を15OAの厚さに形成し、その上に潤滑層と
してパーフロロカーボンを100人の厚さに塗布し、8
tIlI11の幅に裁断した。
iO2膜を15OAの厚さに形成し、その上に潤滑層と
してパーフロロカーボンを100人の厚さに塗布し、8
tIlI11の幅に裁断した。
このようにして作成された実施例と比較例1゜2.3の
それぞれの8ミリビデオ用金属薄膜型テープを市販の8
ミリビデオ(AV−300,ソニー■製)を用いて評価
した。なおスチル耐久性評価は加速するためテープテン
ションを20gとし、温度23℃、湿度10%の特殊環
境でスチル再生を行ない、その時の再生出力が6dB低
下した時間を測定した。耐蝕性については、温度60℃
、湿度80%の環境で錆が発生するまでの時間を表現し
た。
それぞれの8ミリビデオ用金属薄膜型テープを市販の8
ミリビデオ(AV−300,ソニー■製)を用いて評価
した。なおスチル耐久性評価は加速するためテープテン
ションを20gとし、温度23℃、湿度10%の特殊環
境でスチル再生を行ない、その時の再生出力が6dB低
下した時間を測定した。耐蝕性については、温度60℃
、湿度80%の環境で錆が発生するまでの時間を表現し
た。
その結果を第1表に示す。
第■表に示すように、スチル耐久性は比較例と比べ、実
施例は共に2〜10倍以上の耐久性が得られた。
施例は共に2〜10倍以上の耐久性が得られた。
第1表に示す通り、実施例と比較例1,2と比較すると
、実施例1〜2は、3〜5倍以上の耐久性が得られた。
、実施例1〜2は、3〜5倍以上の耐久性が得られた。
これは比較例1の場合では、表面の硬度は高いが全体に
硬度が高いため磁性層との付着強度が悪いため、又、比
較例2の場合では、表面の硬度が十分でないために、実
施例と比べ悪いことがわかる。比較例1,2の結果から
、表面層の硬度は同等でも最膜中の硬さと磁性層との付
着強度のバランスが必要であり、実施例の方が優れてい
る。
硬度が高いため磁性層との付着強度が悪いため、又、比
較例2の場合では、表面の硬度が十分でないために、実
施例と比べ悪いことがわかる。比較例1,2の結果から
、表面層の硬度は同等でも最膜中の硬さと磁性層との付
着強度のバランスが必要であり、実施例の方が優れてい
る。
耐蝕性も比較例に比べ、実施例は1.1〜4倍以上の耐
蝕性が得られ、実施例の優れたスチル耐久性、耐蝕性を
確認し、今後の高記録密度に適することを確認した。
蝕性が得られ、実施例の優れたスチル耐久性、耐蝕性を
確認し、今後の高記録密度に適することを確認した。
[発明の効果]
以上のように本発明によって得られる磁気記録媒体は、
強磁性金属薄膜上にDLC膜を設け、該ダイヤモンド状
硬質炭素膜の弗化物の含有比率が戊膜始めを最大含有率
αMwt%(ただしαMは10〜30の範囲)とし、成
膜終りを0wt%とする含有率分布をもつ膜としたので
、スチル耐久性を著しく向上させ、かつ耐蝕性も飛躍的
に伸ばすことができるという顕著な効果を達成すること
ができる。
強磁性金属薄膜上にDLC膜を設け、該ダイヤモンド状
硬質炭素膜の弗化物の含有比率が戊膜始めを最大含有率
αMwt%(ただしαMは10〜30の範囲)とし、成
膜終りを0wt%とする含有率分布をもつ膜としたので
、スチル耐久性を著しく向上させ、かつ耐蝕性も飛躍的
に伸ばすことができるという顕著な効果を達成すること
ができる。
第1図は本発明による磁気記録媒体の概略的な断面図で
ある。 1・・・潤滑層 2・・・弗化物(0〜20wt%)を含むDLC膜3・
・・強磁性金属薄膜層 4・・・基板 5・・・バックコート層 第1図
ある。 1・・・潤滑層 2・・・弗化物(0〜20wt%)を含むDLC膜3・
・・強磁性金属薄膜層 4・・・基板 5・・・バックコート層 第1図
Claims (1)
- (1)基板上に強磁性金属薄膜を設けた磁気記録媒体に
おいて、前記強磁性金属薄膜上に弗化炭素化合物を含有
したダイヤモンド状硬質炭素膜を設け、該ダイヤモンド
状硬質炭素膜の弗化物の含有比率が成膜始めを最大含有
率αM(ただしαMは10〜30wt%の範囲)とし、
成膜終りを0wt%とする含有率分布をもつ膜であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321978A JPH03183010A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321978A JPH03183010A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183010A true JPH03183010A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18138553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321978A Pending JPH03183010A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183010A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192252A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1321978A patent/JPH03183010A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192252A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
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