JPH03183032A

JPH03183032A - 半導体発光装置

Info

Publication number: JPH03183032A
Application number: JP1324501A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Maei; 茂樹前井; Naotaka Otsuka; 尚孝大塚
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1989-12-12
Filing date: 1989-12-12
Publication date: 1991-08-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉この発明は、光ピツクアップに使用される半導体発光装
置に関する。

〈従来の技術〉従来、光ピツクアップは一般に第２図に示すように構成
されている。この光ピツクアップは１つの半導体レーザ
チップ２１と、ビームスプリッタ２２と、コリメートレ
ンズ２３と、対物レンズ２４と、受光素子２６を備えて
いる。レーザチップ２１が出力したレーザ光は、ビーム
スプリッタ２２、コリメートレンズ２３、対物レンズ２
４、を通過して記録担体２５に入射する。そして、記録
担体２５上への書き込みを行い、または、記録担体２５
の記録情報によって変調を受ける（読み出し）。その後
、記録担体２５によってレーザ光は反射され、再び対物
レンズ２４．コリメートレンズ２３を通過してビームス
プリッタ２２に入射し、さらに、このビームスプリッタ
２２によって反射されて受光素子２６に入射する。受光
素子２６がこのレーザ光を受けて出力する信号に基づい
て、図示しない処理回路によって記録担体２５のトラッ
クを正確に追跡するためのサーボ信号や上記記録情報の
内容を表わす再生信号（ＲＦ倍信号を得るようになって
いる。上記記録担体２５への書き込みを行う場合、半導
体レーザチップ２１の発光出力を高くして強いレーザ光
を照射して行う一方、記録担体２５から記録情報を読み
出す場合、半導体レーザチップ２１の発光出力を低くし
て弱いレーザ光を照射して行っている。そして、書き込
みの時に、半導体レーザチップ２１を高出力で発光させ
るために、第３図に示すように、半導体レーザチップ２
１の前面（レーザ出射面）２０側にＡＲ（アンチ・リフ
レクション）コート３１を施して反射率を低くする一方
、後面３０側に高反射コート３２を施して反射率を高く
し、これによって発光出力が高くなるようにしている。

〈発明が解決しようとする課題〉ところで、上記記録担体２５によって反射され、対物レ
ンズ２４、コリメートレンズ２３を通過してビームスプ
リッタ２２に入射したレーザ光は、その一部がビームス
プリッタ２２を通過して、いわゆる戻り光としてレーザ
チップ２Ｉに入射する。

一般に知られているように、レーザチップ２１は、この
戻り光によって励起され、発光出力が変動する。ここで
、上記半導体レーザチップ２１は、前面（レーザ出射面
）３１側の反射率を低くしているため記録担体２５から
の戻り光がチップ内に多く入射するので、誘起される出
力変動（雑音）が大きくなっている。このため、低発光
出力で記録担体２５から記憶情報の読み出しを行う時に
、上記戻り光による戻り光雑音により、Ｓ／Ｎ比が劣化
するという問題がある。

そこで、この発明の目的は、光ピツクアップの書き込み
用の高出力光源として使用することができ、また、低発
光出ツノで記憶担体から記憶情報の読み出しを行う場合
にもＳ／Ｎ比を高くできる半導体発光装置を提供するこ
とにある。

〈課題を解決するための手段〉上記目的を達成するために、この発明の半導体発光装置
は、異なる位置に配され、レーザ出射面の反射率が異な
る複数のレーザチップと、上記複数のレーザチップから
異なる光路で入射されたレーザ光を対象物へ向けて同一
光路で出射するホログラム回折格子を備えたことを特徴
としている。

く作用〉記録担体への書き込みを行う場合、異なる位置に配され
た複数のレーザチップのうちレーザ出射面の反射率が低
い方のレーザチップからレーザ光をホログラム回折格子
へ向けて出射する。ホログラム回折格子はこのレーザ光
を回折またはそのまま透過させて、対象物へ向けて所定
の光路で出射する。したがって、従来と同様に、上記反
射率が低いレーザチップによって発光出力を高くして、
強いレーザ光でもって書き込みすることが可能となる。

一方、記録担体から記憶情報の読み出しを行う場合、上
記異なる位置に配された複数のレーザデツプのうちレー
ザ出射面の反射率が高い方のレーザチップから上記ホロ
グラム回折格子へ向けてレーザ光を出射する。上記回折
格子はこのレーザ光を回折またはそのまま透過させて、
上記対象物へ向けて書き込みの際の光路と同一の光路で
出射する。このとき、反射率が高い方のレーザチップを
使用しているため、上記対象物に反射されてこのレーザ
チップに到達する戻り光は、レーザチップ内部にあまり
侵入しなくなる。したがって、レーザチップの発光出力
が低くても高いＳ／Ｎ比で読み出しが可能となる。

〈実施例〉以下、この発明の半導体発光装置を実施例により詳細に
説明する。

第１図はこの発明の一実施例の半導体発光装置！０を使
用して光ピツクアップを構成した例を示している。この
光ピツクアップは、半導体発光装置ｌＯの他に、第２図
に示した従来の光ピツクアップと同様に、ビームスプリ
ッタ１４と、コリメートレンズ１５と、対物レンズＩ６
と、受光素子Ｉ８を備えている。上記半導体発光装置１
０は、異なる位置に配された書き込み用半導体レーザチ
ップ１１および読み出し用レーザチップ１２と、ホログ
ラム回折格子１３とからなっている。書き込み用半導体
レーザチップ１１は、第３図に示した半導体レーザチッ
プ２Ｉと同一の構造からなっている。すなわち、チップ
の前面２０側にＡＲコート３１を施して反射率を低くす
る一方、チップの後面３０側に高反射コート３２を施し
て反射率を高くしている。このようにして発光出力が高
くなるようにしている。読み出し用レーザチップ２１は
、第４図に示すように、前面（レーザ出射面）４０と後
面５０にそれぞれ半波長（λ／２）コーティング４１．
４１を施して、前面４０側の反射率を書き込み用半導体
レーザチップ１１の前面２０側の反射率よりも高くして
いる。ホログラム回折格子】３は書き込み用半導体レー
ザチップ１１と読み出し用半導体レーザチップ１２とか
らのレーザ光の干渉パターンにより形成されたホログラ
ム１３ａを備えている。そして、書き込み用半導体レー
ザデツプ１１の出射光がこのホログラム１３ａをそのま
ま透過した０次光と、読み出し用半導体レーザの出射光
がホログラム１３ａにより回折された１次光とが同じ光
路を通るようになっている。

まず、記録担体１７（第１図に示す）への書き込みの動
作を説明する。書き込み用半導体レーザチップ１１が高
出力で出射したレーザ光は、ホログラム回折格子１３に
入射する。ホログラム１３ａをそのまま透過した０次光
は、ビームスプリッタ１４、コリメートレンズ１５、対
物レンズ１６を順次通過した後、記録担体１７に入射し
て、従来と同様に、記録担体１７にデータが書き込まれ
る。

レーザ光は記録担体Ｉ７によって反射され、その反射光
は再び対物レンズ１６．コリメートレンズ１５を通過し
た後、ビームスプリッタ【４で分岐されて、受光素子１
８に入射する。そして受光素子Ｉ８の出力信号から、図
示しない処理回路によってサーボ信号か得られる。

次に、読み取りの動作を説明する。読み出し用半導体レ
ーザチップ１２から低出力で出射したレーザ光は、上記
書き込み用半導体レーザチップ１１が出射したレーザ光
と異なる光路でホログラム回折格子１３に入射する。ホ
ログラム１３ａにより回折された１次光か上記書き込み
の際の０次光と同一光路で出射する。そしてビームスプ
リッタ１４、コリメートレンズ１５．対物レンズ■６を
順次通過して、記録担体１７に入射する。記録担体１７
の記録情報によって変調を受けて反射され、その反射光
は、再び対物レンズ１６、コリメートレンズＩ５を通過
した後、ビームスプリッタ１４で分岐されて、受光素子
１８に入射する。そして、受光素子１８の出力信号から
、図示しない処理回路によって再生信号およびサーボ信
号が得られる。

このように動作する場合、書き込み用レーザチップ１１
のレーザ出射面２０の反射率よりも読み出し用レーザチ
ップ１２のレーザ出射面４０の反射率を高くしているた
め、記録担体１７に反射されてこのレーザチップ１２に
到達する戻り光は、レーザチップ内部にあまり侵入しな
くなる。したがって、読み出し用レーザチップ！２の発
光出力が低くても、高いＳ／Ｎ比で読み出しを行うこと
ができる。

〈発明の効果〉以上より明らかなように、この発明の半導体発光装置は
、異なる位置に配され、レーザ出射面の反射率が異なる
複数のレーザチップと、上記複数のレーザチップから異
なる光路で入射されたレーザ光を対象物へ向けて同一光
路で出射するホログラム回折格子を備えているので、レ
ーザ出射面の反射率が低いレーザチップを高発光出力を
必要とする書き込みに使用できる一方、レーザ出射面の
反射率が高いレーザチップを、低発光出力で動作させて
読み出しに用いて、記憶担体から記憶情報の読み出しを
行う場合に戻り光の影響を少なくして、Ｓ／Ｎ比を高く
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の半導体発光装置を設けて
構成した光ピツクアップを示す図、第２図は従来の光ピ
ツクアップを示す図、第３図は上記従来の光ピツクアッ
プの半導体レーザチップの構造を示す図、第４図は上記
半導体発光装置の読み出し用半導体レーザチップの構造
を示す図である。０・・・半導体発光装置、１・・・書き込み用半導体レーザチップ、２・・・読み
出し用半導体レーザチップ、３・・・ホログラム回折格
子、３ａ・・ホログラム、４．２２・・・ビームスプリッタ、５．２３・・・コリメートレンズ、６．２４・・・対物レンズ、１７．２５・・・記録担体
、８．２６・・・受光素子、０．４０・・・レーザ出射面、３０．５０・・・後面、
３１・・・ＡＲココ−ィング、２・・・高反射コーティング、Ｉ・・・λ／２コーティング。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）異なる位置に配され、レーザ出射面の反射率が異
なる複数のレーザチップと、上記複数のレーザチップから異なる光路で入射されたレ
ーザ光を対象物へ向けて同一光路で出射するホログラム
回折格子を備えたことを特徴とする半導体発光装置。