JPH0460932A - 光ピックアップヘッド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明Ｌ！、　　光ディスクあるいは光カードなど光媒
体もしくは光磁気媒体上に記憶される光学情報を記録・
再生あるいは消去可能な光ピックアップヘッド装置に関
するものである。

従来の技術 高密度・大容量の記憶媒体として、ピット状パターンを
有する光ディスクを用いる光メモリ技術（よ　ディジタ
ルオーディオディス久　ビデオディスク、文書ファイル
ディス久　さらにはデータファイルと用途を拡張しつつ
、実用化されてきている。　ミクロンオーダに絞られた
光ビームを介して光ディスクへの情報の記録再生が高い
信頼性のもとに首尾よく遂行されるメカニズム（瓜　ひ
とえにその光学系に因っている。その光学系の主要部で
ある光ピックアップヘッド装置の基本的な機能（戴（ｒ
、）回折限界の微小スポットを形成する集光性、（正）
前記光学系の焦点制御とピット信号検曳および（狐）同
トラッキング制御の３種類に大別される。これら（戴　
口直　用途に応じて、各種の光学系ならびに光電変換検
出方式の組合せによって実現されており、特に近蝦　光
学系を簡素化小型化するためへ　１枚のホログラム素子
にフォーカスおよびトラッキング制御用の所定波面を記
録しておき、光ピックアップヘッド装置の読み取りビー
ムで再生される各波面を光検出器に導く技術が開示され
ている。１１〜２′ １　）　ＵＳＰａｔｅｎｔ　４，３５８．２００１１／
１９８２　”０ｐｔｉｃａｌ　Ｆｏｃｕｓｓｉｎｇ−ｅ
ｒｒｏｒ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　Ｍｅｔｈｏｄ’２　）
　　ロ５Ｐａｔｅｎｔ　　４，６６５，３１０　５／１
９８７　　“Ａｐｐａｒａｔｕｓ　　ｆｏｒｏｐｔｉｃ
ａｌｌｙ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　ａｎ　ｉｎｆｏｒｍａｔ
ｉｏｎ　ｐｌａｎｅ　ｗｈｅｒｅｌｎ　ａ　ｄｉｆｆｒ
ａｃｔｉｏｎ　ｇｒａｔｉｎｇ　５ｐｌｉｔｓｔｈｅ　
ｂｅａｍ　１ｎｔｏ　　ｔｗｏ−ｂｅａｍｓ ３）　ＵＳＰａｔｅｎｔ　４，７３１．７７２　５／１
９８８”０ｐｔｉｃａｌ　Ｈｅａｄｕｓｉｎｇ　Ｈｏｌ
ｏｇｒａｍ　Ｌｅｎｓ　ｆｏｒ　ｂｏｔｈ　Ｂｅａｍ　
Ｓｐｌｉｔｔｉｎｇａｎｄ　Ｆｏｃｕｓ　Ｅｒｒｏｒ　
Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎ上記で示される
技術はいずれ耘　光源と光検出器とを同一のパッケージ
内に収納して光ピックアップヘッド装置を小型にするこ
七を可能にしており、本願出願人も光源と光検出器とを
同一のパッケージ内に収納し量産性に優れた光ピックア
ップヘッド装置を提案している（特願平１７５３６４号
）。

例えば　第７図（ａ）に特願平１−７５３６４号におい
て示された光ピックアップヘッド装置の構成を、同図（
ｂ）に同図（ａ）に示す光ピックアップヘッド装置を構
成する光源とフォトディテクタユニットとパッケージか
らなるハイブリッドデバイスの上面図を示す。同図（ａ
）において、　■はコヒーレントビームを発する半導体
レーザ（例えば波長λ＝７８０ｎｍ）、　１２はフォト
ディテクタユニット、　３は光源ｌから発生する熱を放
散するブロッ久　２は光源１とフォトディテクタユニッ
ト１２とを収納しているパッケージであり、光源１とブ
ロック３とフォトディテクタユニット１２とパッケージ
２とでハイブリッドデバイスを構成している。　１０１
はパッケージ２に収納された光源１及びフォトディテク
タユニット１２を外部回路と接続可能にする接続端子、
　８は有限焦点系集光レンス　９１はフォーカス制御用
のアクチエエー久　９２はトラッキング制御用のアクチ
エエー久　４は光記憶媒体（光ディスク）であって、光
源１の発光点１０から発したビーム８００はレンズ８で
光デイスク４上に集光される。このとき６は異なる焦点
を有する２つの波面を再生可能なホログラム素子でさら
にこのホログラム素子６の一部分には異なる回折格子が
形成してあり、光源Ｉとレンズ８の間に介在して往路で
はその０次回折光８００が光デイスク４上に集光される
ことになる。光ディスク４において、　２ｏは溝もしく
はピットが形成された基板　２１は保護膜である。

光デイスク４上で反射　回折されたビームは復路で再び
レンズ８を通過した後ホログラム素子６に入射して、光
軸方向に回折する０次回折光８００の他顛　その光軸外
にスポットサイズデイテクション法によりフォーカス誤
差（以下ＦＥと略す）信号を得るための異なる焦点を持
つ２つの回折光波面８１．８２及びトラッキング誤差（
以下ＴＥと略す）信号を得るための波面８３．８４を生
成し　同図（ｂ）に示すように回折光８１はフォトディ
テクタ５０２〜５０４で、回折光８２はフォトディテク
タ５０５〜５０７で、回折光８３はフォトディテクタ５
０１℃　回折光８４はフォトディテクタ５０８でそれぞ
れ受光する。２３は光源１及びフォトディテクタユニッ
ト５を外部回路に接続することを可能にする接続端子１
０１と結線しているボンディングワイヤである。また　
光源１の出力をモニター・制御するために光源１の第２
の発光点１１からの出射光をフォトディテクタ５０９で
受光して、ＦＥ倍信号ＴＥ倍信号高周波情報（以下ＲＦ
と略す）信号及びレーザ出力制御信号を１つの基板上に
形成したフォトディテクタで検出可能にして光学系の構
成を簡素化している。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、このハイブリッドデバイスを用いた光ピ
ックアップヘッド装置においてζよ　光源１の第２の発
光点１１から出射されるビームがフォトディテクタ５０
９に入射するだけではなく、ホログラム素子６からの１
次回折光８１〜８４を受光するフォトディテクタ５０１
〜５０８にも入射して、検出するＦＥ倍信号びＴＥ倍信
号オフセットを与えフォーカス及びトラッキング制御が
不安定になることがあるという問題があり、安定に動作
する光ピックアップヘッド装置を実現するためには　ホ
ログラム素子６からの１次回折光８１〜８４を受光する
フォトディテクタ５０１〜５゜８にホログラム素子６か
らの１次回折光８１〜８４以外の不要な光が入射するこ
とを阻止しなければならないという課題があった 本発明？ｉＦＥ信号、ＴＥ倍信号ＲＦ倍信号しくはさら
にレーザ出力制御信号を１つの基板上に形成したフォト
ディテクタで検出し　且つ、安定なフォーカス及びトラ
ッキング制御を行う光ピックアップヘッドを提供するこ
とを目的とする。

課題を解決するための手段 前記課題を解決するため番へ 本発明において（表　コヒーレントビームもしくは準単
色のビームを発する半導体レーザ光源と、前記光源の第
１の発光点から発するビームを受け光記憶媒体上へ微小
スポットに収束する集光光学系と、光記憶媒体で反射し
たビームを受け回折光を発生させるホログラム素子と、
前記ホログラム素子からの回折光を受光して光電流を出
力するフォトディテクタユニットとを具備した光ピック
アップヘッド装置において、前記光源と前記フォトディ
テクタユニットを同一のパッケージに収納し前記光源は
光源から発生する熱を放散するためのブロックに装着し
　前記フォトディテクタユニットは同一の半導体基板上
に形成した複数のフォトディテクタで構成し　前記フォ
トディテクタユニットに形成したホログラム素子からの
回折光を受光するフォトディテクタは前記光源の第１の
発光点を含む前記光源の光軸とは垂直な第１面よりも前
記ホログラム素子に対して遠く且つ前記光源とは前記ブ
ロックを挟んで対向する位置に配置する。

作用 本発明の光ピックアップヘッド装置では　光源から発生
する熱を放散するためのブロックを挾んで対向する位置
にフォトディテクタと光源を配置することにより、光源
から光記憶媒体へビームを出射する前記光源の第１の発
光点とは前記光源を挾んで向かい合った前記光源の第２
の発光点から出射されるビームをホログラム素子からの
回折光を受光するフォトディテクタが受光しないように
前記ブロックが隔離するので、オフセットの生じないＦ
Ｅ倍信号ＴＥ倍信号ＲＦ倍信号びレーザ出力制御信号を
１つの基板上に形成したフォトディテクタで検出可能と
なり、光学系の構成を簡素化して且つ安定に動作する光
ピックアップヘッド装置となる。

実施例 第１図は　本発明の一実施例による光ピックアップヘッ
ド装置の概略構成を示す。同図において、３１はコヒー
レントビームを発する半導体レーザ（例えば波長λ＝７
８０ｎｍ）、　３５はフォトディテクタユニット、　３
３は光源３１から発生する熱を放散するブロッ久　３２
は光源３１とフォトディテクタユニット３５とを収納し
ているパッケージであり、光源３１と放熱ブロック３３
とフォトディテクタユニット３５とパッケージ３２とで
ハイブリッドデバイスを構成している。　１０２はパッ
ケージ３２に収納された光源３１及びフォトディテクタ
ユニット３５を外部回路と接続可能にする接続端子、　
３８は有限焦点系集光レンズ、　９３はフォーカス制御
用のアクチエエー久　９４はトラッキング制御用のアク
チエエー久　３４は光記憶媒体（光ディスク）であって
、光源３１から発したビームはレンズ３８で光デイスク
３４上に集光される。このとき３６は異なる焦点を有す
る２つの波面を再生可能なホログラム素子でさらにこの
ホログラム素子３６の一部分には異なる回折格子が形成
してあり、光源３１とレンズ３８の間に介在して往路で
はその０次回折光７００が光デイスク３４上に集光され
ることになる。光ディスク３４において、　４０は溝も
しくはピットが形成された基板、　４１は保護膜である
。光デイスク３４上で反射　回折されたビーム７００は
復路で再びレンズ３８を通過した後ホログラム素子３６
に入射して、光軸方向に回折する０次回折光７００の他
に　その先軸外にＦＥ倍信号得るための異なる焦点を持
つ２つの回折光波面７１．７２及びＴＥ倍信号得るため
の波面７３．７４を生成する。

ホログラム素子３６の設計方法については後述する。回
折光７１〜７４は光源３１の発光点１３よりもパッケー
ジ３２の底部に近い面に受光面が位置しているフォトデ
ィテクタユニット３５で受光する。パッケージ３２の底
部にフォトディテクタユニット３５を配置することによ
り、パケージ３２における接続端子１０２の高さを低く
保った状態でフォトディテクタユニット３５と接続端子
１０２の上部とを同一平面に配置することができ、ボン
ディングワイヤを短く、安定に保つことが可能となる。

又　光源３１から発生する熱を放散するためのブロック
３３を挟んで対向する位置にフォトディテクタユニット
３５を配置することにより、光源３１から光記憶媒体３
４ヘビーム７００を出射する前記光源の第１の発光点１
３とは光源３１を挟んで向かい合った光源３１の第２の
発光点１４から出射されるビームをホログラム素子３６
からの回折光７１〜７４を受光するフォトディテクタユ
ニット３５が受光しないようにブロック３３が隔離する
役割を果たすので、ＦＥ倍信号ＴＥ倍信号光源３１から
の不要な光を受光することによるオフセットが生じなく
なる。

第２図は本発明の実施例をさらに詳しく説明するもので
あり、光源３１と放熱ブロック３３とフォトディテクタ
ユニット３５とパッケージ３２から構成されるハイブリ
ッドデバイスの様子を示している。同図（ａ）ｌ戴　　
ハイブリッドデバイスを断面から眺めた様子、同図（ｂ
）はパッケージ３２の上部から眺めた様子を示している
。２４は光源３１及びフォトディテクタユニット３５を
外部回路に接続することを可能にする接続端子１０２と
結線しているボンディングワイヤである。ここでは　ホ
ログラム素子３６をパッケージ３２に装着している。光
源３１の発光点１３を含む面１１３からフォトディテク
タユニット３５の受光面を含む面１１０までの距離ｄζ
よ　ホログラム素子３６にｄに対応した集光作用すなわ
ち実質的に凹レンズ作用を持たせることにより許容され
る。このとき、ホログラム素子３６に凹レンズ作用を持
たせることによって光学系の倍率は大きくなるので、感
度の高い良好なＦＥ倍信号検出することができるという
利点が生じも　ここで（よ　ホログラム素子３６はＦＥ
倍信号得るための異なる焦点を有する２つの回折光７１
と７２及びＴＥ倍信号得るための波面７３と７４を生成
する。ホログラム素子３６の設計は次のように行う。光
源３１から発したビーム７００が光ディスク３４に対し
て合焦点にあるとき、ＦＥ倍信号検出するために用いる
ホログラム素子３６からの回折光７１と７２はフォトデ
ィテクタユニット３５におけるフォトディテクタ５１１
〜５１６上でのビームサイズが等しくなるようにそれぞ
れフオトディテ・フタユニット表面１１０からδ１とδ
２の距離にある面１１１に焦点Ｐ１及び面１１２に焦点
Ｐ２を決定する。一方、ＴＥ倍信号検出するために用い
るホログラム素子３６からの回折光７３と７４はそれぞ
れフォトディテクタユニット３５を構成するフォトディ
テクタ５１０及び５１７からはみ出さない程度のビーム
サイズとなるように焦点を決定し　例えばフォトディテ
クタユニット３５上に焦点Ｐ３．ＰＪを設定すればよい
。ホログラム素子３６上の格子パターンは　光源３１の
発光点１３を参照光の光派点Ｐ１〜Ｐ４を物体光の光源
として、これらの光源から発するビームがホログラム素
子３６の位置で重なり合うことによって生じる干渉縞を
ホログラム素子３６の所望の領域に記録することにより
得られる。ホログラム素子３６を記録する手段としては
二光東干渉法やＣｏｍｐｕｔｅｒ　　Ｇｅｎｅｒａｔｅ
ｄ　　Ｈｏｌｏｇｒａｍ　（ＣＧＨ）があり、これらの
技術は従来からよく知られている技術なので詳細な説明
は省略する。

第３図（表　ホログラム素子３６に記録されたパターン
の一例であり、同図（′！、ホログラム素子３６の機能
領域区分を模式的に示している。ホログラム素子３６Ｌ
ｌ、ＦＥ信号検出用として異なる焦点を有する２つの波
面を再生可能な領域６４１とＴＥ信号検出用として格子
状パターンを各々他と異なる方向に記録した領域６４２
，６４３及び非ホログラム領域６４４とからなる。光デ
ィスク３４で反射　回折されたビーム７００のファーフ
ィールドパターン４１１及び４１２を同図に示すように
ホログラム素子３６に対して入射させることにより、良
好なＴＥ倍信号検出できる。ホログラム素子３６から再
生される波面は第２図（ｂ）に示すように　回折光７１
及び７２はホログラム素子３６の機能領域６４１から、
回折光７３及び７４はホログラム素子３６の機能領域６
４２及び６４３からそれぞれ得られる。ホログラム素子
３６において非ホログラム領域６４４を形成することに
より、レンズ３８がトラッキング制御に伴って移動して
ビームの開口が制限を受ける場合にもＴＥ倍信号はオフ
セットが生じにくくなり安定したトラッキング制御が可
能となる。さらに光ディスク３４で反射　回折したビー
ム７００に対してホログラム素子３６をどのような位置
に対して挿入してもＦＥ倍信号対してＴＥ信号成分が混
入するということが生じ哄　安定したＦＥ倍信号検出可
能である。また　ビームの強度分布を均一に保つために
非ホログラム領域６４４にダミーの役割を果たす回折格
子を形成すること東　ＦＥもしくはＴＥ倍信号検出する
ためのホログラム素子を形成することも可能である。

次Ｅ、　　実施例における信号検出方法を詳しく説明す
る。第４図ＬＬ、　　第２図（ｂ）で示したハイブリッ
ドデバイスにおけるフォトディテクタユニット３５の各
フォトディテクタ領域５１０〜５１７で検出される回折
光７１〜７４の関係を模式的にかつ一般的に表している
。第４図（ｂ）は光源３１から発したビーム７００が光
デイスク３４上で焦点を結んでいる場合であり、第４図
（ａ）及び（ｃ）は各々逆位相でのデフォーカス状態を
示す。

ＦＥ倍信号例えばフォトディテクタ５１２と５１５の差
動出力をとることにより得られる。このＦＥ倍信号検出
方式はスポットサイズデイテクションと呼ばれており衆
知の事実である。また　ここで例えばフォトディテクタ
５１２の出力に５１４゜５１６の出力を、５１５の出力
に５１１，５１３の出力をそれぞれ加算することにより
差動出力は増大する。一方、ＴＥ倍信号フォトディテク
タ５１０と５１７の差動出力をとることにより得られる
。ま？、ＲＦ信号はフォトディテクタ５１０〜５１７の
出力を総和することにより得られる。

第５図は　本発明の別の実施例を示す概念図である。同
図（ａ）４友　　ホログラム素子６１の機能領域区分を
模式的に示しており、ホログラム素子６１はＦＥ及びＴ
Ｅ信号検出用として波面を分割可能な回折格子領域６３
１及び６３２とからなる。

光ディスク３４で反１市　　回折されたビーム７００の
ファーフィールドパターン４１１及び４１２を同図（、
ａ）に示すように　ホログラム素子６１に対して入射さ
せることにより、ＦＥ及びＴＥ倍信号検出できる。この
ＦＥ倍信号検出方法はダブルナイフェツジ法という衆知
の事実である。同図（ｂ）ＬＬ、　　例えば第２図（ｂ
）に示したようなハイブリッドデバイスにおけるフォト
ディテクタユニット３５代わりにフォトディテクタユニ
ット３７を、第１図（ａ）に示したような光ピックアッ
プヘッド装置におけるホログラム素子３６の代わりにホ
ログラム素子６１をそれぞれ用いた場合に得られるフォ
トディテクタユニット３７上におけるホログラム素子６
Ｉから再生される回折光を示しており、回折光７５及び
７６はホログラム素子６１の機能領域６３１及び６３２
がらそれぞれ得られる。フォトディテクタユニット３７
は複数のフォトディテクタ５１８〜５２１で構成されて
おり、ＦＥ倍信号フォトディテクタ５１８と５２１の出
力和とフォトディテクタ５１９と５２０の出力和の差動
により、ＴＥ倍信号フォトディテクタ５１８と５１９の
出力和とフォトディテクタ５２０と５２１の出力和の差
動により、　　ＲＦ倍信号検出方法はフォトディテクタ
５１８〜５２１の出方の総和により得られる。ホログラ
ム素子６１のパターン（よ　光源３１から発したビーム
７００が光デイスク３４上に合焦点にあるとき、ホログ
ラム素子６１からの１次回折光７５．７６がフォトディ
テフタユニット３フ上で各々焦点を結ぶように設計すれ
ばよ％ｓ、　　以上に示したＦＥ倍信号検出方式である
スポットサイズデイテクション法やダブルナイフェツジ
法法　あくまでも−例にすぎず、勿論性のＦＥ信号検出
方人　例えば非点収差法　シングルナイフェツジ法など
も本発明に適用可能である。

第６図は　本発明の更に別の実施例を示すハイブリッド
デバイスの概念図である。ここに示すハイブリッドデバ
イスは　第２図（ｂ）に示したハイブリッドデバイスを
構成するフォトディテクタユニット３５をフォトディテ
クタユニット３９に置き換え、光源３１を装着した放熱
ブロック３３をフォトディテクタユニット３９上に配置
することによって実現される。フォトディテクタユニッ
ト３９４戴　　ホログラム素子３６からの回折光７１〜
７４を受光するフォトディテクタ５１０〜５１７に加え
て、光源３１の出力をモニター・制御するために光源３
１の第２の発光点１４からの出射光を受光するフォトデ
ィテクタ５２２を形成して一加一 いる。光源の出力を一定に保つ方法については衆知の技
術なのでここでは説明を省略する。ＦＥ倍信号ＴＥ倍信
号ＲＦ倍信号しくはさらにレーザ出力制御信号を１つの
基板上に形成したフォトディテクタで検出できるた取　
部品点数の削減が実現できる。

発明の効果 以上に述べた詳細な説明から明らかなよう顛末発明によ
る光ピックアップヘッド装置でζよ　コヒーレントビー
ムもしくは準単色のビームを発する半導体レーザ光源と
、前記光源の第１の発光点から発するビームを受け光記
憶媒体上へ微小スポットに収束する集光光学系と、光記
憶媒体で反射回折したビームを受け回折光を発生させる
ホログラム素子と、前記ホログラム素子からの回折光を
受光して光電流を出力するフォトディテクタユニットと
を具備した光ピックアップヘッド装置において、前記光
源と前記フォトディテクタユニットを同一のパッケージ
に収納し　前記光源は光源から発生ずる熱を放散するた
めのブロックに装着し前記フォトディテクタユニットは
同一の半導体基板上に形成した複数のフォトディテクタ
で構成し前記フォトディテクタユニットに形成したホロ
グラム素子からの回折光を受光するフォトディテクタは
前記光源の第１の発光点を含む前記光源の光軸とは垂直
な第１面よりも前記ホログラム素子に対して遠く且つ前
記光源とは前記ブロックを挟んで対向する位置に配置す
ることにより、光源から光記憶媒体上へビームを出射す
る前記光源の第１の発光点とは前記光源を挟んで向かい
合った前記光源の第２の発光点から出射されるビームを
ホログラム素子からの回折光を受光するフォトディテク
タが受光しないように前記ブロックが隔離するので、オ
フセットの生じないＦＥ、ＴＥ倍信号ＲＦ倍信号びレー
ザ出力制御信号を１つの基板上に形成したフォトディテ
クタで検出可能になるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す光ピックアップヘッド
装置の概略構成医　第２図（ａ）は第１−舘一 図に示す光ピックアップヘッド装置を構成するハイブリ
ッドデバイスの側面諷　同図（ｂ、）は第１図に示す光
ピックアップヘッド装置を構成するハイブリッドデバイ
スの上面医　第３図は第１図に示す光ピックアップヘッ
ド装置を構成するホログラム素子の模式＠　第４図（ａ
　）、（ｂ　）、（ｃ　）は信号の検出方法を説明する
一膜内原理医　第５図（ａ）は他の実施例を説明するホ
ログラム素子の構成上　同図（ｂ）は同図（ａ）に示す
ホログラム素子を用いた光ピックアップヘッド装置にお
ける回折光とフォトディテクタの関係医　第６図は本発
明の他の実施例を説明するハイブリッドデバイスの上面
医　第７図（ａ）は従来の光ピックアップヘッド装置の
一例を示す構成上　同図（ｂ）は同図（ａ）に示す光ピ
ックアップヘッド装置を構成するハイブリッドデバイス
の上面図である。 １３・・・第１の発光点、　１４・・・第２の発光Ａ　
　３１・・・半導体レーザもしくは相当のコヒーレント
先爪　３２・・・パッケージ、　３３・・・ブロッ久　
３４・・・光記憶媒体（光ディスク）、　３５・・・フ
ォトディテクタユニット、　３６・・・ホログラム素子
、　３８・・・レンズ、　４０・・・基板、４１・・・
保護風　７１〜７４・・・１次回折光　９３・・・フォ
ーカス制御用アクチエエー久　９４・・・トラッキング
制御用アクチエエー久　１０２・・・接続端子、　７０
・・・０次回折光 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名−久− 一列 ｇ航１め　輔ｉく”へ ｏ−１゛へｌｈ　、、、、 も　マ 徊い写　徊 ＰＳｌさ 笛よ、６兆 精、川 ｇ＠海１１ハ七ら慢−鯖四一一り零〇 ■ ）１ε こいく へ、３１１’＋ 、１ハぐ ）ｌハロ ーＯ＋６ ｒ＋　畳欲 勢も 区

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）コヒーレントビームもしくは準単色のビームを発
   する半導体レーザ光源と、前記光源の第１の発光点から
   発するビームを受け光記憶媒体上へ微小スポットに収束
   する集光光学系と、光記憶媒体で反射、回折したビーム
   を受け回折光を発生させるホログラム素子と、前記ホロ
   グラム素子からの回折光を受光して光電流を出力するフ
   ォトディテクタユニットとを具備した光ピックアップヘ
   ッド装置において、前記光源と前記フォトディテクタユ
   ニットは同一のパッケージに収納され、前記光源は光源
   から発生する熱を放散するためのブロックに装着され、
   前記パッケージは内部に収納した前記光源と前記フォト
   ディテクタユニットとを外部回路と接続可能にする入出
   力端子を有し、前記フォトディテクタユニットは同一の
   半導体基板上に形成した複数のフォトディテクタで構成
   され、前記ホログラム素子からの回折光を受光する前記
   フォトディテクタユニットに形成されたフォトディテク
   タは前記光源の発光点を含む前記光源の光軸とは垂直な
   第１面よりも前記ホログラム素子に対して遠く且つ前記
   光源から光記憶媒体へビームを出射する前記光源の第１
   の発光点とは前記光源を挟んで向かい合った前記光源の
   第２の発光点から出射されるビームを実質的に受光しな
   いように前記光源とは前記ブロックを挟んで対向する位
   置に配置していることを特徴とする光ピックアップヘッ
   ド装置。
2. （２）光源から光記憶媒体へビームを出射する前記光源
   の第１の発光点とは前記光源を挟んで向かい合った前記
   光源の第２の発光点から出射されるビームを受光するた
   めのフォトディテクタをフォトディテクタユニットに形
   成していることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の光ピックアップヘッド装置
3. （３）光源から発生する熱を放散するためのブロックに
   光源を装着し、前記ブロックはフォトディテクタユニッ
   ト上に配置していることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項もしくは第２項に記載の光ピックアップヘッド装置
   。