JPH08102084A - 情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
情報記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH08102084A JPH08102084A JP6236607A JP23660794A JPH08102084A JP H08102084 A JPH08102084 A JP H08102084A JP 6236607 A JP6236607 A JP 6236607A JP 23660794 A JP23660794 A JP 23660794A JP H08102084 A JPH08102084 A JP H08102084A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録ピット周辺のダレ・ボケを少なくし、高
密度で高精度の情報記録媒体およびその製造方法を提供
すること。 【構成】 透明基板１Ａ上に被膜され高屈折率層１Ｂ1
及び低屈折率層１Ｂ2 の順で繰り返された二層以上の多
層膜１Ｂ12と、この多層膜１Ｂ12上に積層された樹脂膜
１Ｃとを備えている。高屈折率層１Ｂ1 及び低屈折率層
１Ｂ2 の内の少なくとも一層の屈折率層が、穴状の記録
ピッド１Ｐを有している。記録ピット１Ｐは、多層膜１
Ｂ12形成後、エッチングにより形成される。各記録ピッ
ド１Ｐに入射したレーザ光は、記録ピッド１Ｐ内の底部
の反射層で反射され、未記録部からの反射レーザ光に対
し位相差が発生し、干渉して反射光量が低下する。従っ
て、プッシュプル方式による再生が可能となっている。
密度で高精度の情報記録媒体およびその製造方法を提供
すること。 【構成】 透明基板１Ａ上に被膜され高屈折率層１Ｂ1
及び低屈折率層１Ｂ2 の順で繰り返された二層以上の多
層膜１Ｂ12と、この多層膜１Ｂ12上に積層された樹脂膜
１Ｃとを備えている。高屈折率層１Ｂ1 及び低屈折率層
１Ｂ2 の内の少なくとも一層の屈折率層が、穴状の記録
ピッド１Ｐを有している。記録ピット１Ｐは、多層膜１
Ｂ12形成後、エッチングにより形成される。各記録ピッ
ド１Ｐに入射したレーザ光は、記録ピッド１Ｐ内の底部
の反射層で反射され、未記録部からの反射レーザ光に対
し位相差が発生し、干渉して反射光量が低下する。従っ
て、プッシュプル方式による再生が可能となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体およびそ
の製造方法に係り、レーザ光，電子線等の再生用エネル
ギービームによって情報の書き込み読み出しを可能とし
た情報記録媒体およびその製造方法に関するものであ
る。
の製造方法に係り、レーザ光，電子線等の再生用エネル
ギービームによって情報の書き込み読み出しを可能とし
た情報記録媒体およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク用の基板に凹凸の情報（記録
ピット）を形成する方法としては、インジェクション成
形法を使用してプラスチックの基板に凹凸の情報を形成
する方法と、紫外線硬化樹脂を使用して基板上に凹凸の
情報を形成するフォトポリマ法（２Ｐ法）とが知られて
いる。
ピット）を形成する方法としては、インジェクション成
形法を使用してプラスチックの基板に凹凸の情報を形成
する方法と、紫外線硬化樹脂を使用して基板上に凹凸の
情報を形成するフォトポリマ法（２Ｐ法）とが知られて
いる。
【０００３】従来の光ディスクの製造方法を以下に示
す。
す。
【０００４】（ａ）．レジスト原盤工程 この工程は、射出成形用スタンパを製作するための土台
となる原盤を作る工程である。まず基板洗浄を充分に行
った後、次工程のレジスト層の剥離防止のため、シラン
カップリング剤を蒸気状にしてガラス基板に吸着させ、
密着剤処理を施す。乾燥後、フォトレジストをスピンコ
ート法により均一に塗布した後、レーザーカッティング
法により記録ピットを露光する。次に、レジスト盤を回
転させながら現像液を滴下し、潜像部分を除去し現像を
行い原盤を得る。
となる原盤を作る工程である。まず基板洗浄を充分に行
った後、次工程のレジスト層の剥離防止のため、シラン
カップリング剤を蒸気状にしてガラス基板に吸着させ、
密着剤処理を施す。乾燥後、フォトレジストをスピンコ
ート法により均一に塗布した後、レーザーカッティング
法により記録ピットを露光する。次に、レジスト盤を回
転させながら現像液を滴下し、潜像部分を除去し現像を
行い原盤を得る。
【０００５】（ｂ）．電鋳工程 この工程は、原盤からスタンパを作製する工程である。
まず、レジスト原盤に伝導性を付加するためにＮｉのス
パッタリングにより厚さ１００〔ｎｍ〕前後のＮｉ薄膜
を形成して電鋳用の電極となる導電膜を形成する。
まず、レジスト原盤に伝導性を付加するためにＮｉのス
パッタリングにより厚さ１００〔ｎｍ〕前後のＮｉ薄膜
を形成して電鋳用の電極となる導電膜を形成する。
【０００６】レジスト原盤のＮｉ薄膜を陰極，溶解効率
の高いデポラライズドニッケルを陽極として低応力のス
ルファミン酸ニッケル浴中で電鋳めっきを行う。
の高いデポラライズドニッケルを陽極として低応力のス
ルファミン酸ニッケル浴中で電鋳めっきを行う。
【０００７】レジスト原盤からＮｉ薄膜と共にＮｉ板を
剥がし、表面のレジストを除去したＮｉ板がマスタ盤
で、そのまま裏面研磨を施し、射出成形に用いればマス
タスタンパとなるが、通常は表面層の酸化処理と電鋳を
繰り返して、マスタ盤からマザー盤を、マザー盤からス
タンパと、１枚のマスタ盤から２５枚程度のスタンパを
作製する。
剥がし、表面のレジストを除去したＮｉ板がマスタ盤
で、そのまま裏面研磨を施し、射出成形に用いればマス
タスタンパとなるが、通常は表面層の酸化処理と電鋳を
繰り返して、マスタ盤からマザー盤を、マザー盤からス
タンパと、１枚のマスタ盤から２５枚程度のスタンパを
作製する。
【０００８】（ｃ）．レプリケーション工程 この工程は、スタンパから記録ピット付きディスク基板
の製作工程である。まず、樹脂の原材料であるペレット
を充分乾燥させた後、射出成形機の可動金型にスタンパ
を取り付け、鏡面に仕上げた固定金型との中空部に加熱
溶融状態の樹脂を噴出し、圧縮、保圧の後に強制冷却さ
せて、形成されたディスク基板を金型から取り出す。
の製作工程である。まず、樹脂の原材料であるペレット
を充分乾燥させた後、射出成形機の可動金型にスタンパ
を取り付け、鏡面に仕上げた固定金型との中空部に加熱
溶融状態の樹脂を噴出し、圧縮、保圧の後に強制冷却さ
せて、形成されたディスク基板を金型から取り出す。
【０００９】（ｄ）．反射膜と保護膜の形成工程 形成されたディスク基板上のへのアルムニウム（Ａｌ）
反射膜の成膜と紫外線硬化樹脂の塗布，硬化工程であ
る。まず、ディスク基板上にスパッタリングによりＡｌ
反射膜を厚さ８０〔ｎｍ〕前後形成する。次に、スピン
コート法により紫外線硬化樹脂を塗布後、紫外線の照射
により硬化させる。
反射膜の成膜と紫外線硬化樹脂の塗布，硬化工程であ
る。まず、ディスク基板上にスパッタリングによりＡｌ
反射膜を厚さ８０〔ｎｍ〕前後形成する。次に、スピン
コート法により紫外線硬化樹脂を塗布後、紫外線の照射
により硬化させる。
【００１０】一方、光ディスクは、上記製法とは別に、
情報の高密度収録および記録されたデータの高精度化が
求められている。しかしながら前述した従来技術による
作製法を用いると、元のピット情報が少なくとも２回
（めっき、射出成形）転写されるため転写精度は、半導
体製造で用いられるマスクを利用した露光法による転写
に比較して１桁から２桁ほど低い。このため、再生ビー
ムによって記録ピットを再生するとき、転写不良による
記録ピット周辺部のダレやボケが生じ、これに起因して
符号間干渉やクロストークが発生してジッタ値が劣化す
るという問題点を有していた。
情報の高密度収録および記録されたデータの高精度化が
求められている。しかしながら前述した従来技術による
作製法を用いると、元のピット情報が少なくとも２回
（めっき、射出成形）転写されるため転写精度は、半導
体製造で用いられるマスクを利用した露光法による転写
に比較して１桁から２桁ほど低い。このため、再生ビー
ムによって記録ピットを再生するとき、転写不良による
記録ピット周辺部のダレやボケが生じ、これに起因して
符号間干渉やクロストークが発生してジッタ値が劣化す
るという問題点を有していた。
【００１１】かかる問題を解決するため、例えば特開平
４−１４６５３９号公報では、ほぼ平坦な樹脂基板上に
設けられた平坦な一層の反射性材料に、ドライエッチン
グ法を用いて高密度，高精度の情報ピットを形成した光
ディスクが提案されている。
４−１４６５３９号公報では、ほぼ平坦な樹脂基板上に
設けられた平坦な一層の反射性材料に、ドライエッチン
グ法を用いて高密度，高精度の情報ピットを形成した光
ディスクが提案されている。
【００１２】これを更に詳述すると、記録ピット部が
反射率の高い反射性材料で形成され、未記録部は反射性
材料が除去することで透明とした媒体構成、記録ピッ
ト部が反射率の低い非反射性材料で形成され、未記録部
は反射率の高い反射性材料が成膜された媒体構成、未
記録部が反射率の高い反射性材料で形成され、記録ピッ
ト部は反射性材料が除去され光透過性の穴状となってい
る媒体構成、の三種類の媒体構成である。
反射率の高い反射性材料で形成され、未記録部は反射性
材料が除去することで透明とした媒体構成、記録ピッ
ト部が反射率の低い非反射性材料で形成され、未記録部
は反射率の高い反射性材料が成膜された媒体構成、未
記録部が反射率の高い反射性材料で形成され、記録ピッ
ト部は反射性材料が除去され光透過性の穴状となってい
る媒体構成、の三種類の媒体構成である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平４−１４６５３９号公報に開示された光ディスク
は、媒体構成および製作工程において以下に示す問題点
を有する。
開平４−１４６５３９号公報に開示された光ディスク
は、媒体構成および製作工程において以下に示す問題点
を有する。
【００１４】第１の問題点は、信号品質の良好なＣ／Ｎ
比を得るには十分な反射率と反射率差が必要であるが、
反射膜が一層のみであるため使用可能な反射膜が限定さ
れることである。現在市販されている通常密度のコンパ
クトディスクにあっては、その反射率は、７８０〔ｎ
ｍ〕のレーザ光に対して、未記録部で７０％以上，記録
部のオンピット状態で２８％以下となっている。このた
め、反射率差が４２％となり、同時にＣ／Ｎは６０〔ｄ
Ｂ〕以上となる。７８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対して反
射率が７０％以上の元素はＲｈ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｉｎだけであり、他の元素を反射膜として使用でき
ない。
比を得るには十分な反射率と反射率差が必要であるが、
反射膜が一層のみであるため使用可能な反射膜が限定さ
れることである。現在市販されている通常密度のコンパ
クトディスクにあっては、その反射率は、７８０〔ｎ
ｍ〕のレーザ光に対して、未記録部で７０％以上，記録
部のオンピット状態で２８％以下となっている。このた
め、反射率差が４２％となり、同時にＣ／Ｎは６０〔ｄ
Ｂ〕以上となる。７８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対して反
射率が７０％以上の元素はＲｈ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｉｎだけであり、他の元素を反射膜として使用でき
ない。
【００１５】第２の問題点は、再生方式において、特開
平４−１４６５３９号公報記載の光ディスクでは、上述
したの媒体構成上、未記録部ではレーザ光が透過して
しまうため、フォーカスサーボ及びトラックサーボがか
からない状態となっている。また、上述したの媒体
構成においては、記録ピットの反射光と未記録部の反射
光との位相差が殆ど存在しないため、一般に使用されて
いる再生方式のプッシュプル方式は使用できず、ヘテロ
ダイン方式かスリービーム方式を用いなければならな
い。
平４−１４６５３９号公報記載の光ディスクでは、上述
したの媒体構成上、未記録部ではレーザ光が透過して
しまうため、フォーカスサーボ及びトラックサーボがか
からない状態となっている。また、上述したの媒体
構成においては、記録ピットの反射光と未記録部の反射
光との位相差が殆ど存在しないため、一般に使用されて
いる再生方式のプッシュプル方式は使用できず、ヘテロ
ダイン方式かスリービーム方式を用いなければならな
い。
【００１６】第３の問題点は、媒体構成の光ディス
クの製造工程は示されているが、媒体構成の光ディス
クの製造工程が示されていない点（未開示）である。
クの製造工程は示されているが、媒体構成の光ディス
クの製造工程が示されていない点（未開示）である。
【００１７】従来の光ディスク原盤の作製方法によれ
ば、露光ビームの強度分布は、ガウス分布をしているた
め、フォトレジスト膜上に、露光によって形成された潜
像も略ガウス分布となる。現像によって形成されるピッ
ト断面は、潜像が中間調部を含む略ガウス分布であるた
め、図１８に示すように、現像の進行とともに記号ａの
形状から記号ｅに形状に変化する。このため、例えば図
１９に示すように、ガウス分布の裾の広がりに等しい部
分にピット部Ｐのダレやボケとして現れる。この図１９
において符号５１は透明基板を示し、符号５２は金属反
射膜を示し、符号５３は樹脂膜を示し、符号５４はダレ
やボケの部分を示す
ば、露光ビームの強度分布は、ガウス分布をしているた
め、フォトレジスト膜上に、露光によって形成された潜
像も略ガウス分布となる。現像によって形成されるピッ
ト断面は、潜像が中間調部を含む略ガウス分布であるた
め、図１８に示すように、現像の進行とともに記号ａの
形状から記号ｅに形状に変化する。このため、例えば図
１９に示すように、ガウス分布の裾の広がりに等しい部
分にピット部Ｐのダレやボケとして現れる。この図１９
において符号５１は透明基板を示し、符号５２は金属反
射膜を示し、符号５３は樹脂膜を示し、符号５４はダレ
やボケの部分を示す
【００１８】
【発明の目的】本発明は、上記従来例の有する不都合を
改善し、とくに転写不良による記録ピット周辺部のダレ
やボケを少なくし、高密度且つ高精度であり、同時にフ
ォーカスサーボおよびトラックサーボを安定してかける
ことができる情報記録媒体およびその製造方法を提供す
ることを、その目的とする。
改善し、とくに転写不良による記録ピット周辺部のダレ
やボケを少なくし、高密度且つ高精度であり、同時にフ
ォーカスサーボおよびトラックサーボを安定してかける
ことができる情報記録媒体およびその製造方法を提供す
ることを、その目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明では、その請求項
１（又は２）において、透明基板と、この透明基板上に
被膜され高屈折率層および低屈折率層（又は低屈折率層
および高屈折率層）の順で繰り返えされた二層以上の多
層膜と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備え、高
屈折率層および低屈折率層（又は低屈折率層および高屈
折率層）の内の少なくても一層の屈折率層が穴状の記録
ピットを有する、という構成を採っている。
１（又は２）において、透明基板と、この透明基板上に
被膜され高屈折率層および低屈折率層（又は低屈折率層
および高屈折率層）の順で繰り返えされた二層以上の多
層膜と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備え、高
屈折率層および低屈折率層（又は低屈折率層および高屈
折率層）の内の少なくても一層の屈折率層が穴状の記録
ピットを有する、という構成を採っている。
【００２０】また、本発明では、その請求項３（又は
４）記載において、前述した請求項１（又は２）の構成
に加えて、少なくとも前記多層膜上に反射層を被膜す
る、という構成を採っている。
４）記載において、前述した請求項１（又は２）の構成
に加えて、少なくとも前記多層膜上に反射層を被膜す
る、という構成を採っている。
【００２１】また、本発明では、その請求項５記載にお
いて、高屈折率層および低屈折率層の各層の膜厚を、λ
／4 ｎ（λはレーザ光の波長、ｎは屈折率層の屈折率）
とする、という構成を採っている。
いて、高屈折率層および低屈折率層の各層の膜厚を、λ
／4 ｎ（λはレーザ光の波長、ｎは屈折率層の屈折率）
とする、という構成を採っている。
【００２２】また、本発明では、その請求項６におい
て、高屈折率層をアモルファスＳi の水素含有合金で形
成するとともに、当該アモルファスＳi の水素含有合金
を、その膜厚方向の平均組成の一般式「Ｓi 1-X ＨX 」
で表した場合に、ｘが原子パーセントで「28／47≦ｘ≦
28／29」の範囲のものを使用する、という構成を採って
いる。この場合、屈折率は4.0 ≦ｎｘ≦4.5 となる。
て、高屈折率層をアモルファスＳi の水素含有合金で形
成するとともに、当該アモルファスＳi の水素含有合金
を、その膜厚方向の平均組成の一般式「Ｓi 1-X ＨX 」
で表した場合に、ｘが原子パーセントで「28／47≦ｘ≦
28／29」の範囲のものを使用する、という構成を採って
いる。この場合、屈折率は4.0 ≦ｎｘ≦4.5 となる。
【００２３】また、本発明では、その請求項７におい
て、高屈折率層を微結晶化Ｓi の水素含有合金で形成す
ると共に、この微結晶化Ｓi の水素含有合金を、その膜
厚方向の平均組成の一般式「Ｓi 1-X ＨX 」で表した場
合に、ｘが原子パーセントで「28／47≦ｘ≦28／37」の
範囲のものを使用する、という構成を採っている。この
場合、屈折率は3.3 ≦ｎｘ≦3.5 となる。
て、高屈折率層を微結晶化Ｓi の水素含有合金で形成す
ると共に、この微結晶化Ｓi の水素含有合金を、その膜
厚方向の平均組成の一般式「Ｓi 1-X ＨX 」で表した場
合に、ｘが原子パーセントで「28／47≦ｘ≦28／37」の
範囲のものを使用する、という構成を採っている。この
場合、屈折率は3.3 ≦ｎｘ≦3.5 となる。
【００２４】また、本発明では、その請求項８におい
て、高屈折率層をアモルファスＳi Ｃの水素含有合金で
形成すると共に、このアモルファスＳi Ｃの水素含有合
金を、その膜厚方向の平均組成の一般式「（Ｓi Ｃ）
1-X ＨX 」で表した場合に、ｘが原子パーセントで「40
／49≦ｘ≦40／41」の範囲のものを使用する、という構
成を採っている。この場合、屈折率は3.1 ≦ｎｘ≦4.1
となる。
て、高屈折率層をアモルファスＳi Ｃの水素含有合金で
形成すると共に、このアモルファスＳi Ｃの水素含有合
金を、その膜厚方向の平均組成の一般式「（Ｓi Ｃ）
1-X ＨX 」で表した場合に、ｘが原子パーセントで「40
／49≦ｘ≦40／41」の範囲のものを使用する、という構
成を採っている。この場合、屈折率は3.1 ≦ｎｘ≦4.1
となる。
【００２５】また、本発明では、その請求項９におい
て、高屈折率層を、アモルファスＳiＧe の水素含有合
金で形成すると共に、このアモルファスＳi Ｇe の水素
含有合金を、その膜厚方向の平均組成の一般式「（Ｓi
Ｇe ）1-X ＨX 」で表した場合に、ｘが原子パーセント
で「503 ／598 ≦ｘ≦503 ／518 」の範囲のものを使用
する、という構成を採っている。そして、この場合、屈
折率は3.2 ≦ｎｘ≦3.8となる。
て、高屈折率層を、アモルファスＳiＧe の水素含有合
金で形成すると共に、このアモルファスＳi Ｇe の水素
含有合金を、その膜厚方向の平均組成の一般式「（Ｓi
Ｇe ）1-X ＨX 」で表した場合に、ｘが原子パーセント
で「503 ／598 ≦ｘ≦503 ／518 」の範囲のものを使用
する、という構成を採っている。そして、この場合、屈
折率は3.2 ≦ｎｘ≦3.8となる。
【００２６】また、本発明では、その請求項１０におい
て、高屈折率層をアモルファスＳiの窒化物で形成する
と共に、このアモルファスＳi の窒化物を、その膜厚方
向の平均組成の一般式「Ｓi 1-X ＮX 」で表した場合
に、ｘが原子パーセントで「0≦ｘ≦4 ／7 」の範囲の
ものを使用する、という構成を採っている。この場合、
屈折率は2.0 ≦ｎｘ≦3.82である。
て、高屈折率層をアモルファスＳiの窒化物で形成する
と共に、このアモルファスＳi の窒化物を、その膜厚方
向の平均組成の一般式「Ｓi 1-X ＮX 」で表した場合
に、ｘが原子パーセントで「0≦ｘ≦4 ／7 」の範囲の
ものを使用する、という構成を採っている。この場合、
屈折率は2.0 ≦ｎｘ≦3.82である。
【００２７】また、本発明では、その請求項１１におい
て、高屈折率層をアモルファスＳiの酸化物で形成する
と共に、このアモルファスＳi の酸化物を、その膜厚方
向の平均組成の一般式「Ｓi 1-X ＯX 」で表した場合
に、ｘが原子パーセントで「0≦ｘ≦2 ／3 」の範囲の
ものを使用する、という構成を採っている。この場合、
屈折率は1.46≦ｎｘ≦3.82である。
て、高屈折率層をアモルファスＳiの酸化物で形成する
と共に、このアモルファスＳi の酸化物を、その膜厚方
向の平均組成の一般式「Ｓi 1-X ＯX 」で表した場合
に、ｘが原子パーセントで「0≦ｘ≦2 ／3 」の範囲の
ものを使用する、という構成を採っている。この場合、
屈折率は1.46≦ｎｘ≦3.82である。
【００２８】また、本発明では、その請求項１２におい
て、高屈折率層が、屈折率ｎ＜1.5である低屈折率の媒
体と，屈折率 1.5≦ｎ＜3.0 である高屈折率の媒体，お
よび屈折率ｎ≧3.0 である高屈折率層の媒体の、少なく
とも屈折率の異なる２種類以上の媒体を混ぜ合わせると
により形成される均質な中間の屈折率を備えたものとす
る、という構成を採っている。
て、高屈折率層が、屈折率ｎ＜1.5である低屈折率の媒
体と，屈折率 1.5≦ｎ＜3.0 である高屈折率の媒体，お
よび屈折率ｎ≧3.0 である高屈折率層の媒体の、少なく
とも屈折率の異なる２種類以上の媒体を混ぜ合わせると
により形成される均質な中間の屈折率を備えたものとす
る、という構成を採っている。
【００２９】また、本発明では、その請求項１３におい
て、透明基板上に、第１金属反射膜，低屈折率層，第２
金属反射膜および樹脂膜を順次被膜する。そして、第１
金属反射膜に穴状の記録ピットを形成する、という構成
を採っている。
て、透明基板上に、第１金属反射膜，低屈折率層，第２
金属反射膜および樹脂膜を順次被膜する。そして、第１
金属反射膜に穴状の記録ピットを形成する、という構成
を採っている。
【００３０】また、本発明では、その請求項１４におい
て、透明基板上に、第１金属反射膜，高屈折率層，第２
金属反射膜および樹脂膜を順次被膜する。そして、第１
金属反射膜に穴状の記録ピットを形成する、という構成
を採っている。
て、透明基板上に、第１金属反射膜，高屈折率層，第２
金属反射膜および樹脂膜を順次被膜する。そして、第１
金属反射膜に穴状の記録ピットを形成する、という構成
を採っている。
【００３１】また、本発明では、その請求項１５におい
て、情報記録媒体の製造方法として、透明基板上に高屈
折率層および低屈折率層，又は低屈折率層および高屈折
率層の順よりなる繰り返し多層膜を、少なくとも一層以
上形成し、その後にフォトレジスト層を積層し、続いて
書き込み情報に対応する光を照射して当該光照射領域の
前記フォトレジスト層を露光し、しかるのち、この露光
したフォトレジスト層を現像して前記光照射領域のフォ
トレジスト層を除去すると共に高屈折率層あるいは低屈
折率層を露出し、その後にエッチングを行ってフォトレ
ジスト層の除去された領域の高屈折率層あるいは低屈折
率層の少なくとも一層以上に凹部を形成する、という構
成を採っている。
て、情報記録媒体の製造方法として、透明基板上に高屈
折率層および低屈折率層，又は低屈折率層および高屈折
率層の順よりなる繰り返し多層膜を、少なくとも一層以
上形成し、その後にフォトレジスト層を積層し、続いて
書き込み情報に対応する光を照射して当該光照射領域の
前記フォトレジスト層を露光し、しかるのち、この露光
したフォトレジスト層を現像して前記光照射領域のフォ
トレジスト層を除去すると共に高屈折率層あるいは低屈
折率層を露出し、その後にエッチングを行ってフォトレ
ジスト層の除去された領域の高屈折率層あるいは低屈折
率層の少なくとも一層以上に凹部を形成する、という構
成を採っている。
【００３２】また、本発明では、その請求項１６におい
て、情報記録媒体の製造方法におけるエッチング方法
は、アルゴンプラズマ等を使用して行うイオンミリング
法とする、という構成を採っている。
て、情報記録媒体の製造方法におけるエッチング方法
は、アルゴンプラズマ等を使用して行うイオンミリング
法とする、という構成を採っている。
【００３３】また、本発明では、その請求項１７におい
て、情報記録媒体の製造方法におけるエッチング方法
は、四塩化炭素を使用して行うリアクティブイオンエッ
チング法とする、という構成を採っている。
て、情報記録媒体の製造方法におけるエッチング方法
は、四塩化炭素を使用して行うリアクティブイオンエッ
チング法とする、という構成を採っている。
【００３４】これによって、前述した目的を達成しよう
とするものである。
とするものである。
【００３５】
【作 用】まず、本発明の情報記録媒体にかかる各請求
項に共通の構成，即ち高屈折率層および低屈折率層の繰
り返し多層膜について、その光学的作用の例を説明す
る。
項に共通の構成，即ち高屈折率層および低屈折率層の繰
り返し多層膜について、その光学的作用の例を説明す
る。
【００３６】本発明は、透明基板上に高屈折率層および
低屈折率層の順よりなるλ／４もしくはこれに近い膜厚
の繰り返し多層膜または低屈折率層および高屈性率層の
順よりなるλ／４繰り返し多層膜を、少なくとも一層以
上積層することで、反射鏡として利用される。
低屈折率層の順よりなるλ／４もしくはこれに近い膜厚
の繰り返し多層膜または低屈折率層および高屈性率層の
順よりなるλ／４繰り返し多層膜を、少なくとも一層以
上積層することで、反射鏡として利用される。
【００３７】そして、高屈折率、低屈折率のλ／４膜を
それぞれＨ，Ｌとおくと、多層膜反射鏡の一例として、
「空気（ｎ0 ）−Ｈ（ＬＨ・・・ＬＨ）−ガラス
（ｎ）」、略して、「空気−Ｈ（ＬＨ）q −ガラス」と
いう構成のものがある。そして、「ｎ1 ＝ｎ3 ＝……＝
ｎ2q+1＝ｎH 」，「ｎ2 ＝ｎ4 ＝……＝ｎ2q＝ｎL 」と
おくと、中心波長に対するエネルギー反射率Ｒは、一般
的な電磁場の境界条件を求める方法から、 Ｒ＝ ［（ｎ0 ｎ3 ｎL 2q- ｎH 2(q+1)）／（ｎ0 ｎ3 ｎl 2q＋ｎH 2(q+1)）］2 ×１００ ……〈１〉 となる。この式〈１〉を用いてｑ＝１，２の場合の反射
率を計算すると、ｑ＝１のときＲ＝６８［％］、ｑ＝２
のときＲ＝９３［％］となる（但し、ｎ0 ＝１，ｎ3 ＝
１．５２，ｎL ＝１．３８，ｎH ＝２．３５として計算
した）。
それぞれＨ，Ｌとおくと、多層膜反射鏡の一例として、
「空気（ｎ0 ）−Ｈ（ＬＨ・・・ＬＨ）−ガラス
（ｎ）」、略して、「空気−Ｈ（ＬＨ）q −ガラス」と
いう構成のものがある。そして、「ｎ1 ＝ｎ3 ＝……＝
ｎ2q+1＝ｎH 」，「ｎ2 ＝ｎ4 ＝……＝ｎ2q＝ｎL 」と
おくと、中心波長に対するエネルギー反射率Ｒは、一般
的な電磁場の境界条件を求める方法から、 Ｒ＝ ［（ｎ0 ｎ3 ｎL 2q- ｎH 2(q+1)）／（ｎ0 ｎ3 ｎl 2q＋ｎH 2(q+1)）］2 ×１００ ……〈１〉 となる。この式〈１〉を用いてｑ＝１，２の場合の反射
率を計算すると、ｑ＝１のときＲ＝６８［％］、ｑ＝２
のときＲ＝９３［％］となる（但し、ｎ0 ＝１，ｎ3 ＝
１．５２，ｎL ＝１．３８，ｎH ＝２．３５として計算
した）。
【００３８】次に、穴状の記録ピット形成による光学的
作用を説明すると、高屈折率層および低屈折率層の繰り
返し多層膜に少なくとも一層以上にドライエッチングに
よりピット形状の穴を形成し、高屈折率層，低屈折率層
あるいは両層を除去することで、上記に示した光学干渉
条件が壊れ、ピット部に入射したレーザ光は透過する。
従って、レーザ光が記録ピット上に位置するとき、反射
光は透過光量分だけ減少し、検出系で読みだしが可能と
なる。
作用を説明すると、高屈折率層および低屈折率層の繰り
返し多層膜に少なくとも一層以上にドライエッチングに
よりピット形状の穴を形成し、高屈折率層，低屈折率層
あるいは両層を除去することで、上記に示した光学干渉
条件が壊れ、ピット部に入射したレーザ光は透過する。
従って、レーザ光が記録ピット上に位置するとき、反射
光は透過光量分だけ減少し、検出系で読みだしが可能と
なる。
【００３９】また、反射層は光学的には次のように機能
する。即ち、穴状の記録ピットを形成後、該繰り返し多
層膜上に被膜される金属または高屈折率層および低屈折
層の繰り返し多層膜より構成される反射層を備えた媒体
構成とすると、ピット部に入射したレーザ光は記録ピッ
ト低部の反射層で反射され、未記録部で反射されたレー
ザ光に対して位相差が発生し、干渉して反射光量が低下
する。従って、従来のプッシュプル方式での再生が可能
となる。
する。即ち、穴状の記録ピットを形成後、該繰り返し多
層膜上に被膜される金属または高屈折率層および低屈折
層の繰り返し多層膜より構成される反射層を備えた媒体
構成とすると、ピット部に入射したレーザ光は記録ピッ
ト低部の反射層で反射され、未記録部で反射されたレー
ザ光に対して位相差が発生し、干渉して反射光量が低下
する。従って、従来のプッシュプル方式での再生が可能
となる。
【００４０】更に、本発明における請求項１５〜１７記
載の製造方法にあっては、従来の光ディスクの原盤作製
においては、フォトレジスト露光および現像することで
記録ピットを形成していたのに対して、記録ピット形成
用に用いられていたポジ型のフォトレジストを略ガウス
状の露光状態を逆用して、ドライエッチングのマスクと
して利用することにより、露光ビーム径よりも小さな記
録ピットを形成でき、高密度化が可能となる。
載の製造方法にあっては、従来の光ディスクの原盤作製
においては、フォトレジスト露光および現像することで
記録ピットを形成していたのに対して、記録ピット形成
用に用いられていたポジ型のフォトレジストを略ガウス
状の露光状態を逆用して、ドライエッチングのマスクと
して利用することにより、露光ビーム径よりも小さな記
録ピットを形成でき、高密度化が可能となる。
【００４１】露光工程においては、情報記録媒体をダイ
レクトレーザカッテング法により、一枚ずつ製作するこ
とも可能であるが、まず上記のドライエッチング法を用
いて、高密度高精度のフォトマスクを製作し、密着露光
法により大量生産することも可能である。
レクトレーザカッテング法により、一枚ずつ製作するこ
とも可能であるが、まず上記のドライエッチング法を用
いて、高密度高精度のフォトマスクを製作し、密着露光
法により大量生産することも可能である。
【００４２】また、本発明にかかる情報記録媒体は、高
屈折率および低屈折率の誘電体を用いて製作できるた
め、長期のデータ保存に関する優れた信頼性を有する。
屈折率および低屈折率の誘電体を用いて製作できるた
め、長期のデータ保存に関する優れた信頼性を有する。
【００４３】更に、本発明の情報記録媒体は、記録ピッ
トをレーザ光を透過する媒体構成とすることにより、未
記録部の反射面と記録部の透過面の間に光学的な位相差
が存在しないため、超解像光学系より再生用媒体として
優れている。
トをレーザ光を透過する媒体構成とすることにより、未
記録部の反射面と記録部の透過面の間に光学的な位相差
が存在しないため、超解像光学系より再生用媒体として
優れている。
【００４４】
【第１実施例】以下、本発明の第１実施例を図１乃至図
３に基づいて説明する。
３に基づいて説明する。
【００４５】図１は、本実施例における情報記録媒体１
の部分断面図を示す。この内、図１（ｂ）は、図１
（ａ）におけるＡ部の拡大部分断面図である。
の部分断面図を示す。この内、図１（ｂ）は、図１
（ａ）におけるＡ部の拡大部分断面図である。
【００４６】この図１（ａ）において、本実施例は、透
明基板１Ａと、この透明基板１Ａ上に被膜され高屈折率
層１Ｂ1 および低屈折率層１Ｂ2 の順で繰り返された二
層以上の多層膜１Ｂ12と、この多層膜１Ｂ12上に積層さ
れた樹脂膜１Ｃとを備えている。そして、高屈折率層１
Ｂ1 および低屈折率層１Ｂ2 の内の少なくとも一層の屈
折率層が穴状の記録ピッド１Ｐを有している。
明基板１Ａと、この透明基板１Ａ上に被膜され高屈折率
層１Ｂ1 および低屈折率層１Ｂ2 の順で繰り返された二
層以上の多層膜１Ｂ12と、この多層膜１Ｂ12上に積層さ
れた樹脂膜１Ｃとを備えている。そして、高屈折率層１
Ｂ1 および低屈折率層１Ｂ2 の内の少なくとも一層の屈
折率層が穴状の記録ピッド１Ｐを有している。
【００４７】高屈折率層１Ｂ1 ，低屈折率層１Ｂ2 は、
それぞれ図２乃至図３に開示した図表の（1 ）から（1
2) までに示す何れかの材質，構成および膜厚で被膜さ
れている。記録ピット１Ｐは、前述した多層膜１Ｂ12形
成後、エッチングにより形成される。符号Ｐはピット部
を示し、符号Ｍはミラー部を示す。
それぞれ図２乃至図３に開示した図表の（1 ）から（1
2) までに示す何れかの材質，構成および膜厚で被膜さ
れている。記録ピット１Ｐは、前述した多層膜１Ｂ12形
成後、エッチングにより形成される。符号Ｐはピット部
を示し、符号Ｍはミラー部を示す。
【００４８】図２乃至図３に、上記多層膜１Ｂ12の材質
を種々変えた場合，および層の繰り返し回数を変化させ
た場合の媒体反射率の算定結果を示す。すなわち、高屈
折率層１Ｂ1 をＨ，低屈折率層１Ｂ2 をＬとし、低屈折
率層Ｌと高屈折率層Ｈを前述した透明基板１Ａ上に積層
した層（ＨＬ）の繰り返し回数をｑとしたとき、波長６
８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対する媒体反射率の光学計算
結果を右欄に示す。この結果、ｑ＝１で反射率が７０％
以上となることが判明した。
を種々変えた場合，および層の繰り返し回数を変化させ
た場合の媒体反射率の算定結果を示す。すなわち、高屈
折率層１Ｂ1 をＨ，低屈折率層１Ｂ2 をＬとし、低屈折
率層Ｌと高屈折率層Ｈを前述した透明基板１Ａ上に積層
した層（ＨＬ）の繰り返し回数をｑとしたとき、波長６
８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対する媒体反射率の光学計算
結果を右欄に示す。この結果、ｑ＝１で反射率が７０％
以上となることが判明した。
【００４９】そして、この第１実施例においては、各記
録ピッド１Ｐに入射したレーザ光は、記録ピッド１Ｐ内
の底部の反射層で反射され、ミラー部Ｍで反射されたレ
ーザ光に対して位相差が発生し、干渉して反射光量が低
下する。従って、プッシュプル方式による再生が可能と
なっている。
録ピッド１Ｐに入射したレーザ光は、記録ピッド１Ｐ内
の底部の反射層で反射され、ミラー部Ｍで反射されたレ
ーザ光に対して位相差が発生し、干渉して反射光量が低
下する。従って、プッシュプル方式による再生が可能と
なっている。
【００５０】また、この第１実施例は、高屈折率，低屈
折率の誘電体を用いて構成し得るため、長期のデータ保
存に優れたものとなっている。さらに、この第１実施例
における情報記録媒体は、各記録ピッド１Ｐをレーザ光
を通過する媒体構成とすることにより、未記録部の反射
面と記録部の透過面の間の光学的な位相差が存在しない
ため、超解像光学系より再生媒体として優れたものとな
っている。
折率の誘電体を用いて構成し得るため、長期のデータ保
存に優れたものとなっている。さらに、この第１実施例
における情報記録媒体は、各記録ピッド１Ｐをレーザ光
を通過する媒体構成とすることにより、未記録部の反射
面と記録部の透過面の間の光学的な位相差が存在しない
ため、超解像光学系より再生媒体として優れたものとな
っている。
【００５１】
【第２実施例】図４乃至図６に第２実施例を示す。ここ
で、前述した図１の第１実施例と同一の構成部材につい
ては同一の符号を用いるものとする。
で、前述した図１の第１実施例と同一の構成部材につい
ては同一の符号を用いるものとする。
【００５２】この第２実施例における情報記録媒体２
は、透明基板２Ａと、この透明基板２Ａ上に被膜され低
屈折率層２Ｂ2 および高屈折率層２Ｂ1 の順で繰り返さ
れた少なくとも二層以上の多層膜２Ｂ21と、この多層膜
２Ｂ21上に積層された樹脂膜２Ｃとを備えている。そし
て、低屈折率層２Ｂ2 および高屈折率層２Ｂ1 の内の少
なくても一層の屈折率層が穴状の記録ピッド２Ｐを備え
ている。
は、透明基板２Ａと、この透明基板２Ａ上に被膜され低
屈折率層２Ｂ2 および高屈折率層２Ｂ1 の順で繰り返さ
れた少なくとも二層以上の多層膜２Ｂ21と、この多層膜
２Ｂ21上に積層された樹脂膜２Ｃとを備えている。そし
て、低屈折率層２Ｂ2 および高屈折率層２Ｂ1 の内の少
なくても一層の屈折率層が穴状の記録ピッド２Ｐを備え
ている。
【００５３】高屈折率層２Ｂ1 ，低屈折率層２Ｂ2 は、
それぞれ図５乃至図６に開示した図表の（13）から（2
4) までに示す何れかの材質，構成および膜厚で被膜さ
れている。記録ピット２Ｐは、前述した多層膜２Ｂ21形
成後、エッチングにより形成される。
それぞれ図５乃至図６に開示した図表の（13）から（2
4) までに示す何れかの材質，構成および膜厚で被膜さ
れている。記録ピット２Ｐは、前述した多層膜２Ｂ21形
成後、エッチングにより形成される。
【００５４】図５乃至図６に、上記多層膜２Ｂ12の材質
を種々変えた場合，および層の繰り返し回数を変化させ
た場合の媒体反射率の算定結果を示す。即ち、高屈折率
層２Ｂ1 をＨ，低屈折率層２Ｂ2 をＬとし、低屈折率層
Ｌと高屈折率層Ｈを前述した透明基板２Ａ上に積層した
層（ＨＬ）の繰り返し回数をｑとしたとき、波長６８０
〔ｎｍ〕のレーザ光に対する媒体反射率の光学計算結果
を右欄に示す。この結果、ｑ＝２で反射率が７０％以上
となることが判明した。その他の作用効果については、
前述した第１実施例と同等となっている。
を種々変えた場合，および層の繰り返し回数を変化させ
た場合の媒体反射率の算定結果を示す。即ち、高屈折率
層２Ｂ1 をＨ，低屈折率層２Ｂ2 をＬとし、低屈折率層
Ｌと高屈折率層Ｈを前述した透明基板２Ａ上に積層した
層（ＨＬ）の繰り返し回数をｑとしたとき、波長６８０
〔ｎｍ〕のレーザ光に対する媒体反射率の光学計算結果
を右欄に示す。この結果、ｑ＝２で反射率が７０％以上
となることが判明した。その他の作用効果については、
前述した第１実施例と同等となっている。
【００５５】
【第３実施例】図７乃至図８に第３実施例を示す。ま
ず、図７に示すように、この第３実施例における情報記
録媒体３は、透明基板３Ａと、この透明基板３Ａ上に順
次被膜された高屈折率層３Ｂ1 および低屈折率層３Ｂ2
と、この低屈折率層３Ｂ2 の上に積層された反射膜３Ｃ
と、この反射膜３Ｃ上に積層された樹脂膜３Ｄとを備え
ている。
ず、図７に示すように、この第３実施例における情報記
録媒体３は、透明基板３Ａと、この透明基板３Ａ上に順
次被膜された高屈折率層３Ｂ1 および低屈折率層３Ｂ2
と、この低屈折率層３Ｂ2 の上に積層された反射膜３Ｃ
と、この反射膜３Ｃ上に積層された樹脂膜３Ｄとを備え
ている。
【００５６】高屈折率層３Ｂ1 には、エッチングにより
記録ピット３Ｐが形成されている。低屈折率層３Ｂ
2 は、記録ピット３Ｐの形成後に高屈折率層３Ｂ1 上に
積層されるようになっている。
記録ピット３Ｐが形成されている。低屈折率層３Ｂ
2 は、記録ピット３Ｐの形成後に高屈折率層３Ｂ1 上に
積層されるようになっている。
【００５７】そして、この高屈折率層３Ｂ1 の記録ピッ
ト３Ｐ内にも、低屈折率層３Ｂ2 が充填されるようにな
っている。このため、低屈折率層３Ｂ2 は記録ピット３
Ｐ部分が凹部を形成し、同時にその上に積層される反射
層も記録ピット３Ｐ部分に凹部が形成された状態となっ
ている。その他の構成は前述した図１の実施例と同一と
なっている。
ト３Ｐ内にも、低屈折率層３Ｂ2 が充填されるようにな
っている。このため、低屈折率層３Ｂ2 は記録ピット３
Ｐ部分が凹部を形成し、同時にその上に積層される反射
層も記録ピット３Ｐ部分に凹部が形成された状態となっ
ている。その他の構成は前述した図１の実施例と同一と
なっている。
【００５８】図８に、前述した図７に示した媒体構成に
おいて、透明基板３Ａをポリカーボネイト、高屈折率層
３Ｂ1 をＳｉ(4 5ｎｍ）、低屈折率層３Ｂ2 をＳｉＯ2
(-)、反射層３ＣをＡｌ（９８ｎｍ）としたときのミラ
ー部Ｍとピット部Ｐの反射率と，ミラー部Ｍの反射光と
ピット部Ｐの反射光の位相差のＳｉＯ2 膜厚依存性を、
波長６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対して光学計算した結
果を示す。
おいて、透明基板３Ａをポリカーボネイト、高屈折率層
３Ｂ1 をＳｉ(4 5ｎｍ）、低屈折率層３Ｂ2 をＳｉＯ2
(-)、反射層３ＣをＡｌ（９８ｎｍ）としたときのミラ
ー部Ｍとピット部Ｐの反射率と，ミラー部Ｍの反射光と
ピット部Ｐの反射光の位相差のＳｉＯ2 膜厚依存性を、
波長６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対して光学計算した結
果を示す。
【００５９】これによると、ＳｉＯ2 膜厚が１０５〔ｎ
ｍ〕近傍で位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット
部Ｐの反射率は８６〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は７８
〔％〕となり、プッシュプル方式を用いた再生光学系に
適した媒体であることが明らかとなった。また、ＳｉＯ
2 膜厚が２２０〔ｎｍ〕近傍で位相差の絶対値は１８０
〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの反射率は８５〔％〕、ミラー
部Ｍの反射率は８〔％〕となり、ミラー部Ｍの反射率が
ピット部Ｐの反射率よりも高い媒体構成とすることで、
高密度化に適した媒体であることが明らかとなった。
ｍ〕近傍で位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット
部Ｐの反射率は８６〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は７８
〔％〕となり、プッシュプル方式を用いた再生光学系に
適した媒体であることが明らかとなった。また、ＳｉＯ
2 膜厚が２２０〔ｎｍ〕近傍で位相差の絶対値は１８０
〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの反射率は８５〔％〕、ミラー
部Ｍの反射率は８〔％〕となり、ミラー部Ｍの反射率が
ピット部Ｐの反射率よりも高い媒体構成とすることで、
高密度化に適した媒体であることが明らかとなった。
【００６０】ここで、上記第３実施例では、高屈折率層
３Ｂ1 に記録ピット３Ｐを形成したのちに当該高屈折率
層３Ｂ1 上に低屈折率層３Ｂ2 を成膜するように構成し
たが、逆に高屈折率層３Ｂ1 と低屈折率層３Ｂ2 とを入
れ換えて、低屈折率層３Ｂ2に記録ピット３Ｐを形成し
たのちに当該低屈折率層３Ｂ2 上に高屈折率層３Ｂ1を
成膜するように構成してもよい。
３Ｂ1 に記録ピット３Ｐを形成したのちに当該高屈折率
層３Ｂ1 上に低屈折率層３Ｂ2 を成膜するように構成し
たが、逆に高屈折率層３Ｂ1 と低屈折率層３Ｂ2 とを入
れ換えて、低屈折率層３Ｂ2に記録ピット３Ｐを形成し
たのちに当該低屈折率層３Ｂ2 上に高屈折率層３Ｂ1を
成膜するように構成してもよい。
【００６１】
【第４実施例】図９乃至図１０に第４実施例を示す。こ
の第４実施例における情報記録媒体４は、図９に示すよ
うに、透明基板４Ａと、この透明基板４Ａ上に順次被膜
された高屈折率層４Ｂ1 および低屈折率層４Ｂ2 と、こ
の低屈折率層４Ｂ2 の上に積層された反射層４Ｃと、こ
の反射膜４Ｃ上に積層された樹脂膜４Ｄとを備えてい
る。このため、高屈折率層４Ｂ1 の記録ピット４Ｐ内に
も、低屈折率層４Ｂ2 が充填されるようになっている。
の第４実施例における情報記録媒体４は、図９に示すよ
うに、透明基板４Ａと、この透明基板４Ａ上に順次被膜
された高屈折率層４Ｂ1 および低屈折率層４Ｂ2 と、こ
の低屈折率層４Ｂ2 の上に積層された反射層４Ｃと、こ
の反射膜４Ｃ上に積層された樹脂膜４Ｄとを備えてい
る。このため、高屈折率層４Ｂ1 の記録ピット４Ｐ内に
も、低屈折率層４Ｂ2 が充填されるようになっている。
【００６２】ここで、この第４実施例では、高屈折率層
４Ｂ1 に記録ピット４Ｐを形成後、低屈折率層４Ｂ2 を
成膜し平準化処理を行った後に、反射層４Ｃおよび樹脂
層４Ｄを順次積層して媒体構成した点に特長を備えてい
る。このため、反射層４Ｃおよび樹脂層４Ｄは凹凸のな
い均一の厚さの成膜がなされている。その他の構成は前
述した図１の実施例と同一となっている。
４Ｂ1 に記録ピット４Ｐを形成後、低屈折率層４Ｂ2 を
成膜し平準化処理を行った後に、反射層４Ｃおよび樹脂
層４Ｄを順次積層して媒体構成した点に特長を備えてい
る。このため、反射層４Ｃおよび樹脂層４Ｄは凹凸のな
い均一の厚さの成膜がなされている。その他の構成は前
述した図１の実施例と同一となっている。
【００６３】図１０に、上述した図９の媒体構成におい
て、透明基板４Ａをポリカーボネイト、高屈折率層４Ｂ
1 をＳｉ(4 5ｎｍ）、低屈折率層４Ｂ2 をＳｉＯ2 (-)+
ＳｉＯ2(４５ｎｍ）、反射層４ＣをＡｌ(9 8ｎｍ）とし
たときのミラー部Ｍとピット部Ｐの反射率と、ミラー部
Ｍの反射光とピット部Ｐの反射光の位相差のＳｉＯ2 膜
厚依存性を、波長６８０ｎｍのレーザ光に対して光学計
算した結果を示す。
て、透明基板４Ａをポリカーボネイト、高屈折率層４Ｂ
1 をＳｉ(4 5ｎｍ）、低屈折率層４Ｂ2 をＳｉＯ2 (-)+
ＳｉＯ2(４５ｎｍ）、反射層４ＣをＡｌ(9 8ｎｍ）とし
たときのミラー部Ｍとピット部Ｐの反射率と、ミラー部
Ｍの反射光とピット部Ｐの反射光の位相差のＳｉＯ2 膜
厚依存性を、波長６８０ｎｍのレーザ光に対して光学計
算した結果を示す。
【００６４】この結果、ＳｉＯ2 膜厚が５０〔ｎｍ〕近
傍で位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの
反射率は８７〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は７０〔％〕
となり、このため、プッシュプル方式を用いた再生光学
系に適した媒体であることが判明した。
傍で位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの
反射率は８７〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は７０〔％〕
となり、このため、プッシュプル方式を用いた再生光学
系に適した媒体であることが判明した。
【００６５】また、ＳｉＯ2 膜厚が２２０〔ｎｍ〕近傍
で位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの反
射率は８５〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は８〔％〕とな
り、ミラー部Ｍの反射率がピット部Ｐの反射率よりも高
い媒体構成とすることで、高密度化の適した媒体である
ことが明らかとなった。
で位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの反
射率は８５〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は８〔％〕とな
り、ミラー部Ｍの反射率がピット部Ｐの反射率よりも高
い媒体構成とすることで、高密度化の適した媒体である
ことが明らかとなった。
【００６６】
【第５実施例】図１１乃至図１２に第５実施例を示す。
【００６７】この第５実施例における情報記録媒体５
は、まず、図１１に示すように、透明基板５Ａと、この
透明基板５Ａ上に順次被膜された高屈折率層５Ｂ1 およ
び低屈折率層５Ｂ2 と、この低屈折率層５Ｂ2 の上に積
層された反射層５Ｃと、この反射層５Ｃ上に積層された
樹脂膜５Ｄとを備えている。そして、この第５実施例で
は、高屈折率層５Ｂ1 と低屈折率層５Ｂ2 とに共通に、
記録ピット５Ｐの穴部分が形成されている点に特長を備
えている。
は、まず、図１１に示すように、透明基板５Ａと、この
透明基板５Ａ上に順次被膜された高屈折率層５Ｂ1 およ
び低屈折率層５Ｂ2 と、この低屈折率層５Ｂ2 の上に積
層された反射層５Ｃと、この反射層５Ｃ上に積層された
樹脂膜５Ｄとを備えている。そして、この第５実施例で
は、高屈折率層５Ｂ1 と低屈折率層５Ｂ2 とに共通に、
記録ピット５Ｐの穴部分が形成されている点に特長を備
えている。
【００６８】このため、記録ピット５Ｐの穴部分には、
前述した反射層５Ｃが充填された状態となっており、ま
た、前述した樹脂膜５Ｄも反射層５Ｃに積層された状態
で記録ピット５Ｐの穴部分内に充填された状態となって
いる。
前述した反射層５Ｃが充填された状態となっており、ま
た、前述した樹脂膜５Ｄも反射層５Ｃに積層された状態
で記録ピット５Ｐの穴部分内に充填された状態となって
いる。
【００６９】図１２に、上述した図１１の媒体構成にお
いて、透明基板５Ａをポリカーボネイト、高屈折率層５
Ｂ1 をＳｉ（４５ｎｍ）、低屈折率層５Ｂ2 をＳｉＯ2
(-)、反射層５ＣをＡｌ(9 8ｎｍ）としたときのミラー
部Ｍとピット部Ｐの反射率と、ミラー部Ｍの反射光とピ
ット部Ｐの反射光の位相差のＳｉＯ2 膜厚依存性を波長
６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対して光学計算した結果を
示す。この結果、ＳｉＯ2 膜厚が１１０〔ｎｍ〕近傍で
位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの反射
率は８６〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は５〔％〕となり
ミラー部Ｍの反射率がピット部Ｐの反射率よりも高い媒
体構成とすることで、高密度化の適した媒体であること
が明らかとなった。
いて、透明基板５Ａをポリカーボネイト、高屈折率層５
Ｂ1 をＳｉ（４５ｎｍ）、低屈折率層５Ｂ2 をＳｉＯ2
(-)、反射層５ＣをＡｌ(9 8ｎｍ）としたときのミラー
部Ｍとピット部Ｐの反射率と、ミラー部Ｍの反射光とピ
ット部Ｐの反射光の位相差のＳｉＯ2 膜厚依存性を波長
６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対して光学計算した結果を
示す。この結果、ＳｉＯ2 膜厚が１１０〔ｎｍ〕近傍で
位相差の絶対値は１８０〔ｄｅｇ〕、ピット部Ｐの反射
率は８６〔％〕、ミラー部Ｍの反射率は５〔％〕となり
ミラー部Ｍの反射率がピット部Ｐの反射率よりも高い媒
体構成とすることで、高密度化の適した媒体であること
が明らかとなった。
【００７０】
【その他の実施例】図１３乃至図１５に、本発明のその
他の実施例を示す。
他の実施例を示す。
【００７１】この図１３乃至図１５に示す各実施例は、
二層の金属反射層を有すると共に、第１の金属反射層に
記録ピットを形成した点に特長を備えている。
二層の金属反射層を有すると共に、第１の金属反射層に
記録ピットを形成した点に特長を備えている。
【００７２】まず、図１３において、情報記録媒体６
は、透明基板６Ａ上に順次被膜された第１金属反射層６
Ｂ，低屈折率層６Ｃと、この低屈折率層６Ｃの上に積層
された第２金属反射層６Ｄと、この第２金属反射層６Ｄ
上に積層された樹脂膜６Ｅとを備えている。
は、透明基板６Ａ上に順次被膜された第１金属反射層６
Ｂ，低屈折率層６Ｃと、この低屈折率層６Ｃの上に積層
された第２金属反射層６Ｄと、この第２金属反射層６Ｄ
上に積層された樹脂膜６Ｅとを備えている。
【００７３】そして、この図１３に示す情報記録媒体６
においては、第１金属反射層６Ｂに記録ピット６Ｐを形
成した後に、低屈折率層６Ｃ，第２金属反射層６Ｄ，樹
脂層６Ｅを順次積層して媒体構成した点に特長を備えて
いる。その他の構成は前述した図７の実施例と同一とな
っている。
においては、第１金属反射層６Ｂに記録ピット６Ｐを形
成した後に、低屈折率層６Ｃ，第２金属反射層６Ｄ，樹
脂層６Ｅを順次積層して媒体構成した点に特長を備えて
いる。その他の構成は前述した図７の実施例と同一とな
っている。
【００７４】また、図１４において、情報記録媒体７
は、透明基板７Ａ上に順次被膜された第１金属反射層７
Ｂ，低屈折率層７Ｃと、この低屈折率層７Ｃの上に積層
された第２金属反射層７Ｄと、この第２金属反射層７Ｄ
上に積層された樹脂膜７Ｅとを備えている。
は、透明基板７Ａ上に順次被膜された第１金属反射層７
Ｂ，低屈折率層７Ｃと、この低屈折率層７Ｃの上に積層
された第２金属反射層７Ｄと、この第２金属反射層７Ｄ
上に積層された樹脂膜７Ｅとを備えている。
【００７５】そして、この図１４に示す情報記録媒体７
においては、第１金属反射層７Ｂに記録ピット７Ｐを形
成した後に低屈折率層７Ｃを成膜して平準化処理を行
い、その後に、第２金属反射層７Ｄ，樹脂層７Ｅを順次
積層して媒体構成した点に特長を備えている。その他の
構成は前述した図９の実施例と同一となっている。
においては、第１金属反射層７Ｂに記録ピット７Ｐを形
成した後に低屈折率層７Ｃを成膜して平準化処理を行
い、その後に、第２金属反射層７Ｄ，樹脂層７Ｅを順次
積層して媒体構成した点に特長を備えている。その他の
構成は前述した図９の実施例と同一となっている。
【００７６】更に、図１５において、情報記録媒体８
は、透明基板８Ａ上に順次被膜された第１金属反射層８
Ｂ，高屈折率層８Ｃと、この高屈折率層８Ｃの上に積層
された第２金属反射層８Ｄと、この第２金属反射層８Ｄ
上に積層された樹脂膜８Ｅとを備えている。
は、透明基板８Ａ上に順次被膜された第１金属反射層８
Ｂ，高屈折率層８Ｃと、この高屈折率層８Ｃの上に積層
された第２金属反射層８Ｄと、この第２金属反射層８Ｄ
上に積層された樹脂膜８Ｅとを備えている。
【００７７】そして、この図１５に示す情報記録媒体８
においては、第１金属反射層８Ｂに記録ピット８Ｐを形
成した後に、高屈折率層８Ｃ，第２金属反射層８Ｄ，樹
脂層８Ｅを順次積層して媒体構成した点に特長を備えて
いる。その他の構成は前述した図１３の実施例と同一と
なっている。
においては、第１金属反射層８Ｂに記録ピット８Ｐを形
成した後に、高屈折率層８Ｃ，第２金属反射層８Ｄ，樹
脂層８Ｅを順次積層して媒体構成した点に特長を備えて
いる。その他の構成は前述した図１３の実施例と同一と
なっている。
【００７８】図１６に、上述したその他の実施例，即ち
図１３乃至図１５に示した媒体構成において、ピット部
Ｐとミラー部Ｍの反射率，およびピット部Ｐの反射光と
ミラー部Ｍの反射光の位相差を波長６８０〔ｎｍ〕のレ
ーザ光に対して求めた光学計算の結果を示す。
図１３乃至図１５に示した媒体構成において、ピット部
Ｐとミラー部Ｍの反射率，およびピット部Ｐの反射光と
ミラー部Ｍの反射光の位相差を波長６８０〔ｎｍ〕のレ
ーザ光に対して求めた光学計算の結果を示す。
【００７９】この光学計算の結果により、二層の金属反
射層を有する媒体構成を用いても、プッシュプル方式を
用いた再生光学系に適した情報記録媒体６〜８を得られ
ることが判明した。
射層を有する媒体構成を用いても、プッシュプル方式を
用いた再生光学系に適した情報記録媒体６〜８を得られ
ることが判明した。
【００８０】ここで、上記第１乃至第４実施例におい
て、多層膜を構成する高屈折率層および低屈折率層の各
層の膜厚を、λ／4 ｎ（λはレーザ光の波長、ｎは屈折
率層の屈折率）もしくはこれに近い値とすると反射鏡と
してより有効に機能するものを得ることができる。
て、多層膜を構成する高屈折率層および低屈折率層の各
層の膜厚を、λ／4 ｎ（λはレーザ光の波長、ｎは屈折
率層の屈折率）もしくはこれに近い値とすると反射鏡と
してより有効に機能するものを得ることができる。
【００８１】次に、上記各実施例における情報記録媒体
の製造方法，特に記録ピットの形成方法の一例を図１７
に基づいて説明する。
の製造方法，特に記録ピットの形成方法の一例を図１７
に基づいて説明する。
【００８２】〔第１工程〕この工程は、高屈折率層及び
低屈折率層の成膜工程を示す。この工程では、透明基板
１Ａ〜８Ａ上に、記録ピット１Ｐ〜８Ｐを形成するため
の高屈折率層と低屈折率層からなる多層膜１Ｂ12，２Ｂ
21を積層し、或いは、高屈折率層３Ｂ1 ，４Ｂ1 ，５Ｂ
1 のみを成膜し、又は、金属反射層６Ｂ，７Ｂ，８Ｂを
スパッタ法蒸着法等により成膜する。
低屈折率層の成膜工程を示す。この工程では、透明基板
１Ａ〜８Ａ上に、記録ピット１Ｐ〜８Ｐを形成するため
の高屈折率層と低屈折率層からなる多層膜１Ｂ12，２Ｂ
21を積層し、或いは、高屈折率層３Ｂ1 ，４Ｂ1 ，５Ｂ
1 のみを成膜し、又は、金属反射層６Ｂ，７Ｂ，８Ｂを
スパッタ法蒸着法等により成膜する。
【００８３】〔第２工程〕この工程は、スピンコート法
によるレジスト塗布工程を示す。即ち、第１工程が完了
したディスクに、界面活性剤等の吸着処理を施し、しか
るのちスピンコート法を用いてフォトレジストを塗布す
る。このフォトレジストの塗布後、直ちに９０〔℃〕の
オーブンで３０分間プリベークを行う。
によるレジスト塗布工程を示す。即ち、第１工程が完了
したディスクに、界面活性剤等の吸着処理を施し、しか
るのちスピンコート法を用いてフォトレジストを塗布す
る。このフォトレジストの塗布後、直ちに９０〔℃〕の
オーブンで３０分間プリベークを行う。
【００８４】〔第３工程〕この工程は、光や電子線等の
露光工程を示す。即ち、第２工程の完了したディスク
に、密着露光法あるいはダイレクトカッティング法によ
り、記録ピットの露光を行う。
露光工程を示す。即ち、第２工程の完了したディスク
に、密着露光法あるいはダイレクトカッティング法によ
り、記録ピットの露光を行う。
【００８５】〔第４工程〕この工程は、アルカリ水溶液
による現像工程を示す。即ち、第３工程で露光が完了し
たディスクをアルカリ水溶液によって現像処理を施す。
による現像工程を示す。即ち、第３工程で露光が完了し
たディスクをアルカリ水溶液によって現像処理を施す。
【００８６】〔第５工程〕この工程は、プラズマによる
反応性エッチング工程を示す。即ち、ＲＩＥ或いはＥＣ
Ｒ等のプラズマエッチングによって、第１工程で成膜し
た層にピット部を形成する。エッチングガスとしては、
ＣＦ4 ，ＣＦ4 ／Ｏ2 ，ＣＣｌ4 ／Ｈｅ，ＣＣｌ2 Ｆ2
／Ｎ2 ，ＣＣｌ4 ／ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 ／Ｃｌ2 ，Ｃｌ
2 ／Ａｒ，ＣＢｒＦ3 ，Ｓｉｃｌ4 ，ＣＣｌ2 Ｆ4 ／Ｏ
2 ，ＳｉＣｌ4 ／Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ／Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ
ＨＦ3 ／Ｏ2 ，ＣＨＦ3 ／ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 ／Ｃ
2 Ｆ6 ，ＣＣｌ4 ／Ｈｅ，ＣＣｌ4 ／ＢＣｌ3 ／Ｏ2 ，
ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ，ＢＣｌ3 ／ＣＣｌ3 Ｆ／Ｈｅ，ＣＣ
ｌ4 ／Ｏ2 ，ＣＦ4 ／Ｏ2 ，ＳＦ6 ／Ｃｌ2 ，Ｃｌ2 ／
Ｈ2等が用いられる。
反応性エッチング工程を示す。即ち、ＲＩＥ或いはＥＣ
Ｒ等のプラズマエッチングによって、第１工程で成膜し
た層にピット部を形成する。エッチングガスとしては、
ＣＦ4 ，ＣＦ4 ／Ｏ2 ，ＣＣｌ4 ／Ｈｅ，ＣＣｌ2 Ｆ2
／Ｎ2 ，ＣＣｌ4 ／ＳＦ6 ，ＣＢｒＦ3 ／Ｃｌ2 ，Ｃｌ
2 ／Ａｒ，ＣＢｒＦ3 ，Ｓｉｃｌ4 ，ＣＣｌ2 Ｆ4 ／Ｏ
2 ，ＳｉＣｌ4 ／Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ／Ｈ2 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ
ＨＦ3 ／Ｏ2 ，ＣＨＦ3 ／ＣＯ2 ，ＣＨＦ3 ／Ｃ
2 Ｆ6 ，ＣＣｌ4 ／Ｈｅ，ＣＣｌ4 ／ＢＣｌ3 ／Ｏ2 ，
ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ，ＢＣｌ3 ／ＣＣｌ3 Ｆ／Ｈｅ，ＣＣ
ｌ4 ／Ｏ2 ，ＣＦ4 ／Ｏ2 ，ＳＦ6 ／Ｃｌ2 ，Ｃｌ2 ／
Ｈ2等が用いられる。
【００８７】〔第６乃至第７工程〕この工程は、樹脂層
の塗布および紫外線硬化工程を示す。即ち、前述した第
５工程によって記録ピット１Ｐ〜８Ｐが形成されたディ
スク上に、紫外線硬化樹脂を塗布して硬化させた後に樹
脂層１Ｃ，２Ｃを直接的に形成する（第６Ａ工程）か、
或いは残留しているフォトレジストをＯ2 プラズマ等に
より灰化処理をして取り除いた後に（第６Ｂ工程）、媒
体構成に応じて高屈折率層，低屈折率層，又は反射層を
成膜し、その後に、樹脂層３Ｄ〜５Ｄ，６Ｅ〜８Ｅを形
成する（第７工程）。これにより、各実施例ではそれぞ
れ所定の情報記録媒体が得られるようになっている。
の塗布および紫外線硬化工程を示す。即ち、前述した第
５工程によって記録ピット１Ｐ〜８Ｐが形成されたディ
スク上に、紫外線硬化樹脂を塗布して硬化させた後に樹
脂層１Ｃ，２Ｃを直接的に形成する（第６Ａ工程）か、
或いは残留しているフォトレジストをＯ2 プラズマ等に
より灰化処理をして取り除いた後に（第６Ｂ工程）、媒
体構成に応じて高屈折率層，低屈折率層，又は反射層を
成膜し、その後に、樹脂層３Ｄ〜５Ｄ，６Ｅ〜８Ｅを形
成する（第７工程）。これにより、各実施例ではそれぞ
れ所定の情報記録媒体が得られるようになっている。
【００８８】次に、上記各実施例における主要構成部材
の作用について説明する。
の作用について説明する。
【００８９】まず、高屈折率層および低屈折率層の繰り
返し多層膜１Ｂ12，２Ｂ21の光学的作用について説明す
ると、透明基板上に高屈折率層および低屈折率層の各膜
厚がλ／４若しくはこれに近い膜厚の繰り返し多層膜１
Ｂ12，または低屈折率層および高屈性率層の順よりなる
λ／４若しくはこれに近い膜厚の繰り返し多層膜２Ｂ21
を少なくとも一層以上積層することにより、反射鏡とし
て利用することができる。ここで、高屈折率層、低屈折
率層の膜をそれぞれＨ，Ｌと書けば、多層膜反射鏡の一
例として「空気（ｎ0 ）−Ｈ（ＬＨ・・・・ＬＨ）−ガ
ラス（ｎ）」，略記して「空気−Ｈ（ＬＨ）q −ガラ
ス」という構成のものがある。ここで、「ｎ1 ＝ｎ3 ＝
……＝ｎ2q+1＝ｎH 」、「ｎ2 ＝ｎ4 ＝……＝ｎ2q＝ｎ
L 」と書けば、中心波長に対するエネルギー反射率は、
一般的な電磁場の境界条件を求める方法から、 Ｒ＝〔（ｎ0 ｎ3 ｎL 2q- ｎH 2(q+1)）／（ｎ0 ｎ3 ｎl 2q＋ｎH 2(q+1)）〕2 ×１００ ………〈１〉 となる。
返し多層膜１Ｂ12，２Ｂ21の光学的作用について説明す
ると、透明基板上に高屈折率層および低屈折率層の各膜
厚がλ／４若しくはこれに近い膜厚の繰り返し多層膜１
Ｂ12，または低屈折率層および高屈性率層の順よりなる
λ／４若しくはこれに近い膜厚の繰り返し多層膜２Ｂ21
を少なくとも一層以上積層することにより、反射鏡とし
て利用することができる。ここで、高屈折率層、低屈折
率層の膜をそれぞれＨ，Ｌと書けば、多層膜反射鏡の一
例として「空気（ｎ0 ）−Ｈ（ＬＨ・・・・ＬＨ）−ガ
ラス（ｎ）」，略記して「空気−Ｈ（ＬＨ）q −ガラ
ス」という構成のものがある。ここで、「ｎ1 ＝ｎ3 ＝
……＝ｎ2q+1＝ｎH 」、「ｎ2 ＝ｎ4 ＝……＝ｎ2q＝ｎ
L 」と書けば、中心波長に対するエネルギー反射率は、
一般的な電磁場の境界条件を求める方法から、 Ｒ＝〔（ｎ0 ｎ3 ｎL 2q- ｎH 2(q+1)）／（ｎ0 ｎ3 ｎl 2q＋ｎH 2(q+1)）〕2 ×１００ ………〈１〉 となる。
【００９０】この式〈１〉を用いてｑ＝１，２の場合の
反射率を計算すると、ｑ＝１のときＲ＝６８［％］、ｑ
＝２のときＲ＝９３［％］となる（ただし、ｎ0 ＝１，
ｎ3＝１．５２，ｎL ＝１．３８，ｎH ＝２．３５とし
た）。
反射率を計算すると、ｑ＝１のときＲ＝６８［％］、ｑ
＝２のときＲ＝９３［％］となる（ただし、ｎ0 ＝１，
ｎ3＝１．５２，ｎL ＝１．３８，ｎH ＝２．３５とし
た）。
【００９１】次に、穴状の記録ピットによる光学的作用
について説明する。
について説明する。
【００９２】高屈折率層および低屈折率層の繰り返し多
層膜に少なくとも一層以上にドライエッチングによりピ
ット形状の穴を形成し、高屈折率層，低屈折率層あるい
は両層を除去すると、ピット部に入射したレーザ光は透
過する。従って、レーザ光が記録ピット上に位置すると
き、反射光は透過光量分だけ減少し、検出系で読みだし
が可能となる（この時の検出系はヘテロダイン方式ある
いはスリービーム方式が望ましい）。
層膜に少なくとも一層以上にドライエッチングによりピ
ット形状の穴を形成し、高屈折率層，低屈折率層あるい
は両層を除去すると、ピット部に入射したレーザ光は透
過する。従って、レーザ光が記録ピット上に位置すると
き、反射光は透過光量分だけ減少し、検出系で読みだし
が可能となる（この時の検出系はヘテロダイン方式ある
いはスリービーム方式が望ましい）。
【００９３】一方、金属膜，或いは高屈折率層および低
屈折層の繰り返し多層膜より構成される反射層を備えて
いた媒体構成にあっては、ピット部に入射したレーザ光
は記録ピット底部の反射層で反射され、未記録部で反射
されたレーザ光に対して位相差が発生し、干渉して反射
光量が低下する。従って、従来のプッシュプル方式での
再生が可能となる。
屈折層の繰り返し多層膜より構成される反射層を備えて
いた媒体構成にあっては、ピット部に入射したレーザ光
は記録ピット底部の反射層で反射され、未記録部で反射
されたレーザ光に対して位相差が発生し、干渉して反射
光量が低下する。従って、従来のプッシュプル方式での
再生が可能となる。
【００９４】また、上述した製造工程においては、前述
した従来の光ディスクの原盤作成において、フォトレジ
ストの露光および現像で記録ピットを形成していたが、
上記実施例による情報記録媒体においては、記録ピット
形成用に用いられていたポジ型のフォトレジストをガウ
ス状の露光状態を逆用してドライエッチングのマスクと
して利用することにより、露光ビーム径よりも小さな記
録ピットを形成することができ、これによって情報記録
に際しての高密度化が可能となる。
した従来の光ディスクの原盤作成において、フォトレジ
ストの露光および現像で記録ピットを形成していたが、
上記実施例による情報記録媒体においては、記録ピット
形成用に用いられていたポジ型のフォトレジストをガウ
ス状の露光状態を逆用してドライエッチングのマスクと
して利用することにより、露光ビーム径よりも小さな記
録ピットを形成することができ、これによって情報記録
に際しての高密度化が可能となる。
【００９５】更に、上記露光工程において、情報記録媒
体をダイレクトレーザカッテング法により、一枚ずつ製
作することも可能であるが、まず上述したドライエッチ
ング法を用いて、高密度高精度のフォトマスクを製作
し、密着露光法により大量生産することも可能である。
体をダイレクトレーザカッテング法により、一枚ずつ製
作することも可能であるが、まず上述したドライエッチ
ング法を用いて、高密度高精度のフォトマスクを製作
し、密着露光法により大量生産することも可能である。
【００９６】そして、上記各実施例に於ける各情報記録
媒体は、高屈折率および低屈折率の誘電体を用いて製作
できるため、長期のデータ保存に関する優れた信頼性を
有する。
媒体は、高屈折率および低屈折率の誘電体を用いて製作
できるため、長期のデータ保存に関する優れた信頼性を
有する。
【００９７】また、上記実施例に於ける各情報記録媒体
は、記録ピットをレーザ光を透過する媒体構成とするこ
とにより、未記録部の反射面と記録部の透過面の間に光
学的な位相差が存在しないため、超解像光学系より再生
用媒体として優れたものとなっている。
は、記録ピットをレーザ光を透過する媒体構成とするこ
とにより、未記録部の反射面と記録部の透過面の間に光
学的な位相差が存在しないため、超解像光学系より再生
用媒体として優れたものとなっている。
【００９８】ここで、上記各実施例において、透明基板
１〜８としてＳｉＯ2 を用いた場合を例示したが、本発
明は透明基板の素材をＳｉＯ2 に限定するものではな
く、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、非結晶質ポリオレフィン（Ａ
ＰＯ）、エポキシ等の熱可逆性樹脂を用いたものであっ
てもよい。
１〜８としてＳｉＯ2 を用いた場合を例示したが、本発
明は透明基板の素材をＳｉＯ2 に限定するものではな
く、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、非結晶質ポリオレフィン（Ａ
ＰＯ）、エポキシ等の熱可逆性樹脂を用いたものであっ
てもよい。
【００９９】また、上記各実施例においては、反射膜を
Ａｌとしたが、これは６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対し
て、反射率が高いことを利用したものであり反射膜をＡ
ｌに限定するものではない。Ａｌの外に、Ａｇ，Ａｕ，
Ｃｕ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔを少なくとも一種類以上用いるか、或いはＳｉ，Ｇ
ｅ，等の半導体や透明誘電体と組み合わせることで、多
層膜による干渉によって、特定の波長の光について反射
率を大きくするようにしても良い。
Ａｌとしたが、これは６８０〔ｎｍ〕のレーザ光に対し
て、反射率が高いことを利用したものであり反射膜をＡ
ｌに限定するものではない。Ａｌの外に、Ａｇ，Ａｕ，
Ｃｕ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔを少なくとも一種類以上用いるか、或いはＳｉ，Ｇ
ｅ，等の半導体や透明誘電体と組み合わせることで、多
層膜による干渉によって、特定の波長の光について反射
率を大きくするようにしても良い。
【０１００】ここで、上記各実施例にあって、高屈折率
層をアモルファスＳi の水素含有合金で形成してもよ
い。この場合、アモルファスＳi の水素含有合金は、そ
の膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓi 1-X ＨX 」で表し
た場合に、ｘが原子パーセントで「28／47≦ｘ≦28／2
9」の範囲に設定されたものが使用される。また、この
場合、屈折率では「4.0 ≦ｎｘ≦4.5 」の範囲のものと
なる。
層をアモルファスＳi の水素含有合金で形成してもよ
い。この場合、アモルファスＳi の水素含有合金は、そ
の膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓi 1-X ＨX 」で表し
た場合に、ｘが原子パーセントで「28／47≦ｘ≦28／2
9」の範囲に設定されたものが使用される。また、この
場合、屈折率では「4.0 ≦ｎｘ≦4.5 」の範囲のものと
なる。
【０１０１】更に、上記各実施例にあって、高屈折率層
を微結晶化Ｓi の水素含有合金で形成してもよい。この
場合、微結晶化Ｓi の水素含有合金は、その膜厚方向の
平均組成を一般式「Ｓi 1-X ＨX 」で表した場合に、ｘ
が原子パーセントで「28／47≦ｘ≦28／37」の範囲に設
定されたものが使用される。また、この場合、屈折率で
は「3.3 ≦ｎｘ≦3.5 」の範囲のものとなる。
を微結晶化Ｓi の水素含有合金で形成してもよい。この
場合、微結晶化Ｓi の水素含有合金は、その膜厚方向の
平均組成を一般式「Ｓi 1-X ＨX 」で表した場合に、ｘ
が原子パーセントで「28／47≦ｘ≦28／37」の範囲に設
定されたものが使用される。また、この場合、屈折率で
は「3.3 ≦ｎｘ≦3.5 」の範囲のものとなる。
【０１０２】また、上記各実施例にあって、高屈折率層
をアモルファスＳi Ｃの水素含有合金で形成してもよ
い。この場合、アモルファスＳi Ｃの水素含有合金は、
その膜厚方向の平均組成を一般式「（Ｓi Ｃ）
1-X ＨX 」で表した場合に、ｘが原子パーセントで「40
／49≦ｘ≦40／41」の範囲に設定されたものが使用され
る。また、この場合、屈折率では「3.1 ≦ｎｘ≦4.1 」
の範囲のものとなる。
をアモルファスＳi Ｃの水素含有合金で形成してもよ
い。この場合、アモルファスＳi Ｃの水素含有合金は、
その膜厚方向の平均組成を一般式「（Ｓi Ｃ）
1-X ＨX 」で表した場合に、ｘが原子パーセントで「40
／49≦ｘ≦40／41」の範囲に設定されたものが使用され
る。また、この場合、屈折率では「3.1 ≦ｎｘ≦4.1 」
の範囲のものとなる。
【０１０３】更に、上記各実施例にあって、高屈折率層
をアモルファスＳi Ｇe の水素含有合金で形成してもよ
い。この場合、アモルファスＳi Ｇe の水素含有合金
は、その膜厚方向の平均組成を一般式「（Ｓi Ｇe ）
1-X ＨX 」で表した場合に、ｘが原子パーセントで「50
3 ／598 ≦ｘ≦503 ／518 」の範囲に設定されたものが
使用される。また、この場合、屈折率では「3.2 ≦ｎｘ
≦3.8 」の範囲のものとなる。
をアモルファスＳi Ｇe の水素含有合金で形成してもよ
い。この場合、アモルファスＳi Ｇe の水素含有合金
は、その膜厚方向の平均組成を一般式「（Ｓi Ｇe ）
1-X ＨX 」で表した場合に、ｘが原子パーセントで「50
3 ／598 ≦ｘ≦503 ／518 」の範囲に設定されたものが
使用される。また、この場合、屈折率では「3.2 ≦ｎｘ
≦3.8 」の範囲のものとなる。
【０１０４】また、上記各実施例にあって、高屈折率層
をアモルファスＳi の窒化物で形成してもよい。この場
合、アモルファスＳi の窒化物の高屈折率層は、その膜
厚方向の平均組成を一般式「Ｓi 1-X ＮX 」で表した場
合に、ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦4 ／7 」の範囲
に設定されたものが使用される。また、この場合、屈折
率では「2.0 ≦ｎｘ≦3.82」の範囲のものとなる。
をアモルファスＳi の窒化物で形成してもよい。この場
合、アモルファスＳi の窒化物の高屈折率層は、その膜
厚方向の平均組成を一般式「Ｓi 1-X ＮX 」で表した場
合に、ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦4 ／7 」の範囲
に設定されたものが使用される。また、この場合、屈折
率では「2.0 ≦ｎｘ≦3.82」の範囲のものとなる。
【０１０５】また、上記各実施例にあって、高屈折率層
をアモルファスＳi の酸化物で形成してもよい。この場
合、アモルファスＳi の酸化物の高屈折率層は、その膜
厚方向の平均組成を一般式「Ｓi 1-X ＯX 」で表した場
合に、ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦2 ／3 」の範囲
に設定されたものが使用される。また、この場合、屈折
率では「1.46≦ｎｘ≦3.82」の範囲のものとなる。
をアモルファスＳi の酸化物で形成してもよい。この場
合、アモルファスＳi の酸化物の高屈折率層は、その膜
厚方向の平均組成を一般式「Ｓi 1-X ＯX 」で表した場
合に、ｘが原子パーセントで「0 ≦ｘ≦2 ／3 」の範囲
に設定されたものが使用される。また、この場合、屈折
率では「1.46≦ｎｘ≦3.82」の範囲のものとなる。
【０１０６】更に又、上記各実施例にあって、高屈折率
層を、屈折率がｎ＜1.5 である低屈折率の媒体と，屈折
率が 1.5≦ｎ＜3.0 である高屈折率の媒体，および屈折
率がｎ≧3.0 である高屈折率層の媒体の、少なくとも屈
折率の異なる２種類以上の媒体を混ぜ合わせるとにより
形成される均質な中間の屈折率を備えたもので形成して
もよい。
層を、屈折率がｎ＜1.5 である低屈折率の媒体と，屈折
率が 1.5≦ｎ＜3.0 である高屈折率の媒体，および屈折
率がｎ≧3.0 である高屈折率層の媒体の、少なくとも屈
折率の異なる２種類以上の媒体を混ぜ合わせるとにより
形成される均質な中間の屈折率を備えたもので形成して
もよい。
【０１０７】この場合、屈折率が「ｎ＜1.5 」である低
屈折率の媒体としては、ＬｉＦ(1.39)，ＮａＦ(1.31)，
ＫＦ(1.32)，ＲｂＦ(1.40)，ＣｓＦ(1.48)，ＣａＦ(1.3
2)，ＲｂＣｌ(1.48)，ＭｇＦ2 (1.38)，ＣａＦ2 (1.4
3)，ＳｒＦ2 (1.44)，ＢａＦ2 (1.47)，ＢａＭｇＦ
4 (1.47)，ＬｉＹＦ4(1.45),Ｎａ2 ＳｂＦ5(1.47)，Ｓ
ｉＯ2(1.46)，ＲｂＣｌＯ3(1.46)，ＮＨ4 ＣｌＯ4(1.4
8) ，ＬｉＣｌＯ4 ・3 Ｈ2 Ｏ(1.48)，ＫＢ5 Ｏ8 ・４
Ｈ2 Ｏ(1.49)，ＮＨ4 Ｂ5 Ｏ8 ・４Ｈ2 Ｏ(1.42)，Ｂｅ
ＳＯ4 ・４Ｈ2 Ｏ(1.47)，Ｌｉ2 ＳＯ4 ・Ｈ2 Ｏ(1.4
6)，Ｌｉ2 ＳｅＯ4 ・Ｈ2 Ｏ(1.46)，ＬｉＫＳＯ4(1.4
6) ，ＬｉＮａＳＯ4(1.47) ，( ＮＨ4 ＣＨ3 ）Ａｌ(
ＳＯ2 ）・１２Ｈ2 Ｏ(1.46)，ＫＮａ( Ｃ4 Ｈ4 Ｏ6 ）
・４Ｈ2 Ｏ(1.49)，（ＣＨ2 ・ＣＦ2 ）ｎ(1.43)が望ま
しい。ここで、( )内は屈折率を示す。
屈折率の媒体としては、ＬｉＦ(1.39)，ＮａＦ(1.31)，
ＫＦ(1.32)，ＲｂＦ(1.40)，ＣｓＦ(1.48)，ＣａＦ(1.3
2)，ＲｂＣｌ(1.48)，ＭｇＦ2 (1.38)，ＣａＦ2 (1.4
3)，ＳｒＦ2 (1.44)，ＢａＦ2 (1.47)，ＢａＭｇＦ
4 (1.47)，ＬｉＹＦ4(1.45),Ｎａ2 ＳｂＦ5(1.47)，Ｓ
ｉＯ2(1.46)，ＲｂＣｌＯ3(1.46)，ＮＨ4 ＣｌＯ4(1.4
8) ，ＬｉＣｌＯ4 ・3 Ｈ2 Ｏ(1.48)，ＫＢ5 Ｏ8 ・４
Ｈ2 Ｏ(1.49)，ＮＨ4 Ｂ5 Ｏ8 ・４Ｈ2 Ｏ(1.42)，Ｂｅ
ＳＯ4 ・４Ｈ2 Ｏ(1.47)，Ｌｉ2 ＳＯ4 ・Ｈ2 Ｏ(1.4
6)，Ｌｉ2 ＳｅＯ4 ・Ｈ2 Ｏ(1.46)，ＬｉＫＳＯ4(1.4
6) ，ＬｉＮａＳＯ4(1.47) ，( ＮＨ4 ＣＨ3 ）Ａｌ(
ＳＯ2 ）・１２Ｈ2 Ｏ(1.46)，ＫＮａ( Ｃ4 Ｈ4 Ｏ6 ）
・４Ｈ2 Ｏ(1.49)，（ＣＨ2 ・ＣＦ2 ）ｎ(1.43)が望ま
しい。ここで、( )内は屈折率を示す。
【０１０８】この内、特に望ましいものは、ＣａＦ，Ｌ
ｉＦ，ＮａＦ，ＫＦ，ＭｇＦ2 ，ＳｉＯ2 である。
ｉＦ，ＮａＦ，ＫＦ，ＭｇＦ2 ，ＳｉＯ2 である。
【０１０９】また、屈折率が「1.5 ≦ｎ＜3.0 」の屈折
率層としては、ダイヤモンドカーボン(2.0) ，ＴｈＦ4
(1.5) ，ＮｄＦ3 (1.61), ＣｅＦ3 (1.63), ＰｂＦ
3 (1.77),
率層としては、ダイヤモンドカーボン(2.0) ，ＴｈＦ4
(1.5) ，ＮｄＦ3 (1.61), ＣｅＦ3 (1.63), ＰｂＦ
3 (1.77),
【０１１０】ＭｇＯ(1.74)，ＺｎＯ(1.99)，ＢｅＯ(1.7
2)，Ｓｉ2 Ｏ3(1.55),ＳｉＯ(2.0),ＴｈＯ2(1.86) ，Ｔ
ｉＯ2(1.9)，ＴｅＯ2 (2.27)，Ａｌ2 Ｏ3 (1.54), Ｙ2
Ｏ3(1.92), Ｌａ2 Ｏ3 (1.9) ，ＣｅＯ2 (2.2) ，Ｚｒ
Ｏ2(1.97) ，Ｔａ2 Ｏ5(2.1)，ＰｂＯ(2.6),Ｌａ2 Ｏ2
Ｓ(2.16)，ＬｉＧａＯ2(1.76) ，ＢａＴｉＯ3(2.37)，
ＳｒＴｉＯ3 (2.4) ，ＰｂＴｉＯ3 (2.67), ＫＮｂＯ3
(2.33),Ｋ( Ｔａ. Ｎｂ) Ｏ3 (2.29), ＬｉＮｂＯ3 (2.
30), ＬｉＴａＯ3 (2.175),Ｐｂ( Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 )
Ｏ3 (2.56), Ｐｂ( Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ) Ｏ3 (2.40)，Ｐ
ｂ( Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ) Ｏ3 (2.54), ( Ｐｂ，Ｌａ)(Ｚ
ｒ，Ｔｉ) Ｏ2 (2.51)，ＰｂＧｅＯ3 (2.02), Ｌｉ2 Ｇ
ｅＯ3(1.68),ＹＡｌＯ3 (1.93), ＭｇＡｌ2 Ｏ4 (1.7
3)，ＢｅＡｌ2 Ｏ4 (1.74)，ＣｏＦｅ2 Ｏ4 (2.37)，Ｌ
ａ2 Ｂｅ2 Ｏ5 (1.96)，( Ｓｒ, Ｂａ) Ｎｂ2 Ｏ6 (2.3
1)，Ｌａ2 Ｔｉ2 Ｏ7 (2.25)，Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 (2.1
5)，Ｂａ2 ＴｉＳｉ2 Ｏ8 (1.762) ，Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11
(2.12)，ＰｂＮｂ4 Ｏ11(2.41)，Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12(2.7
0)，Ｂｉ4 Ｇｅ3 Ｏ12(2.07)，Ｂｉ4 Ｓｉ3 Ｏ12(2.0
2)，Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12(1.83)，Ｙ3 Ｇａ5 Ｏ12(1.93)，Ｙ
3 Ｆｅ5 Ｏ12(2.22)，Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12(1.96)，ＧｄＦ
ｅ5 Ｏ12(2.20)，( Ｇｄ, Ｂｉ) Ｆｅ5 Ｏ12(2.20)，Ｂ
ａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ12(2.26)，Ｐｂ2 ＫＮｂ5 Ｏ12（2.4
6) ，Ｓｒ2 ＫＮｂ5 Ｏ15(2.25)，Ｂａ2 ＬｉＮｂ5 Ｏ
15（ 2.32 ），Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ5 Ｏ15(2.21)，Ｂａ3 Ｔ
ｉＮｂ4 Ｏ15(2.36)，Ｂｉ12ＧｅＯ20(2.55)，Ｂｉｌ2
ＳｉＯ20(2.54)，Ｃａ12Ａｌ14Ｏ33(1.61),
2)，Ｓｉ2 Ｏ3(1.55),ＳｉＯ(2.0),ＴｈＯ2(1.86) ，Ｔ
ｉＯ2(1.9)，ＴｅＯ2 (2.27)，Ａｌ2 Ｏ3 (1.54), Ｙ2
Ｏ3(1.92), Ｌａ2 Ｏ3 (1.9) ，ＣｅＯ2 (2.2) ，Ｚｒ
Ｏ2(1.97) ，Ｔａ2 Ｏ5(2.1)，ＰｂＯ(2.6),Ｌａ2 Ｏ2
Ｓ(2.16)，ＬｉＧａＯ2(1.76) ，ＢａＴｉＯ3(2.37)，
ＳｒＴｉＯ3 (2.4) ，ＰｂＴｉＯ3 (2.67), ＫＮｂＯ3
(2.33),Ｋ( Ｔａ. Ｎｂ) Ｏ3 (2.29), ＬｉＮｂＯ3 (2.
30), ＬｉＴａＯ3 (2.175),Ｐｂ( Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 )
Ｏ3 (2.56), Ｐｂ( Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ) Ｏ3 (2.40)，Ｐ
ｂ( Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ) Ｏ3 (2.54), ( Ｐｂ，Ｌａ)(Ｚ
ｒ，Ｔｉ) Ｏ2 (2.51)，ＰｂＧｅＯ3 (2.02), Ｌｉ2 Ｇ
ｅＯ3(1.68),ＹＡｌＯ3 (1.93), ＭｇＡｌ2 Ｏ4 (1.7
3)，ＢｅＡｌ2 Ｏ4 (1.74)，ＣｏＦｅ2 Ｏ4 (2.37)，Ｌ
ａ2 Ｂｅ2 Ｏ5 (1.96)，( Ｓｒ, Ｂａ) Ｎｂ2 Ｏ6 (2.3
1)，Ｌａ2 Ｔｉ2 Ｏ7 (2.25)，Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 (2.1
5)，Ｂａ2 ＴｉＳｉ2 Ｏ8 (1.762) ，Ｐｂ5 Ｇｅ3 Ｏ11
(2.12)，ＰｂＮｂ4 Ｏ11(2.41)，Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12(2.7
0)，Ｂｉ4 Ｇｅ3 Ｏ12(2.07)，Ｂｉ4 Ｓｉ3 Ｏ12(2.0
2)，Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12(1.83)，Ｙ3 Ｇａ5 Ｏ12(1.93)，Ｙ
3 Ｆｅ5 Ｏ12(2.22)，Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12(1.96)，ＧｄＦ
ｅ5 Ｏ12(2.20)，( Ｇｄ, Ｂｉ) Ｆｅ5 Ｏ12(2.20)，Ｂ
ａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ12(2.26)，Ｐｂ2 ＫＮｂ5 Ｏ12（2.4
6) ，Ｓｒ2 ＫＮｂ5 Ｏ15(2.25)，Ｂａ2 ＬｉＮｂ5 Ｏ
15（ 2.32 ），Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ5 Ｏ15(2.21)，Ｂａ3 Ｔ
ｉＮｂ4 Ｏ15(2.36)，Ｂｉ12ＧｅＯ20(2.55)，Ｂｉｌ2
ＳｉＯ20(2.54)，Ｃａ12Ａｌ14Ｏ33(1.61),
【０１１１】ＡｇＣｌ(1.98)，ＴｌＣｌ(2.19)，ＣｕＣ
ｌ(1.99)，ＬｉＢｒ(1.78)，ＮａＢｒ(1.64)，ＫＢｒ
(1.53)，ＣｓＢｒ(1.66)，ＡｇＢｒ(2.25)，ＴｌＢｒ
(2.34)，ＣｕＢｒ(2.16)，ＮａＩ(1.77)，ＫＩ(1.64)，
ＣｓＩ(1.73)，ＡｇＩ(2.18)，ＴｌＩ(2.78)，ＣｕＩ
(2.34)，Ｔｌ( Ｂｒ, Ｉ)(2.20) ，Ｔｌ( ＣＬ, Ｂｒ)
(2.40) ，ＰｂＦ2 (1.77)，Ｈｇ2 Ｃｌ2 (2.62)，Ｌａ
Ｆ3 (1.82)，ＣｓＰｂＣｌ3 (1.94)，ＢａＭｇＦ4 (1.4
7)，ＢａＺｎＦ4 (1.51)，Ａｇ2 ＨｇＩ4 (2.4) ，Ｎａ
ＣｌＯ3 (1.51)，ＮａＢｒＯ3 (1.59)，ＣｄＨｇ( ＳＣ
Ｎ)4 (2.04) ，
ｌ(1.99)，ＬｉＢｒ(1.78)，ＮａＢｒ(1.64)，ＫＢｒ
(1.53)，ＣｓＢｒ(1.66)，ＡｇＢｒ(2.25)，ＴｌＢｒ
(2.34)，ＣｕＢｒ(2.16)，ＮａＩ(1.77)，ＫＩ(1.64)，
ＣｓＩ(1.73)，ＡｇＩ(2.18)，ＴｌＩ(2.78)，ＣｕＩ
(2.34)，Ｔｌ( Ｂｒ, Ｉ)(2.20) ，Ｔｌ( ＣＬ, Ｂｒ)
(2.40) ，ＰｂＦ2 (1.77)，Ｈｇ2 Ｃｌ2 (2.62)，Ｌａ
Ｆ3 (1.82)，ＣｓＰｂＣｌ3 (1.94)，ＢａＭｇＦ4 (1.4
7)，ＢａＺｎＦ4 (1.51)，Ａｇ2 ＨｇＩ4 (2.4) ，Ｎａ
ＣｌＯ3 (1.51)，ＮａＢｒＯ3 (1.59)，ＣｄＨｇ( ＳＣ
Ｎ)4 (2.04) ，
【０１１２】ＺｎＳｉＰ2 (2.95)，ＺｎＳ(2.37)，Ｚｎ
Ｓｅ(2.61)，ＣｄＳｉＰ2 (2.95)，ＣｄＳ(2.49)，Ｃｄ
Ｓｅ(2.64)，ＣｄＴｅ(2.61)，ＨｇＳ(2.89)，ＧａＳｅ
(2.98)，ＬｉＩｎＳ2 (2.23)，ＬｉＩｎＳｅ2 (2.45)，
ＣｕＡｌＳ2 (2.48)，ＣｕＡｌＳｅ2 (2.64)，ＣｕＡｌ
Ｔｅ2 (2.99)，ＣｕＩｎＳ2 (2.53)，ＣｕＩｎＳｅ2(2.
70)，ＣｕＧａＳ2 (2.49)，ＣｕＧａＳｅ2 (2.72)，Ａ
ｇＡｌＳ2 (2.42)，ＡｇＡｌＳｅ2 (2.59)，ＡｇＡｌＴ
ｅ2 (2.90)，ＡｇＩｎＳ2 (2.46)，ＡｇＩｎＳｅ2 (2.6
4)，ＡｇＩｎＴｅ2 (2.97)，ＡｇＧａＳ2 (2.38)，Ａｇ
ＧａＳｅ2 (2.61)，ＡｇＧａＴｅ2 (2.94)，ＧｅＳ
3 (2.11)，Ａｓ2 Ｓ3 (2.61)，Ａｓ2 Ｓｅ3(2.89)，Ａ
ｇ3 ＡｓＳ3 (2.59)，ＣｄＧａ2 Ｓ34(2.395),Ｔｌ3 Ｔ
ａＳ4 (2.4 )，Ｔｌ3 ＴａＳｅ4 (2.71)，Ｔｌ3 ＶＳ4
(2.95)，Ｔｌ3 ＡｓＳ4 (2.65)Ｔｌ3 ＡｓＳｅ4 (2.9
3)，Ｔｌ3 ＰＳｅ4 (2.93)，
Ｓｅ(2.61)，ＣｄＳｉＰ2 (2.95)，ＣｄＳ(2.49)，Ｃｄ
Ｓｅ(2.64)，ＣｄＴｅ(2.61)，ＨｇＳ(2.89)，ＧａＳｅ
(2.98)，ＬｉＩｎＳ2 (2.23)，ＬｉＩｎＳｅ2 (2.45)，
ＣｕＡｌＳ2 (2.48)，ＣｕＡｌＳｅ2 (2.64)，ＣｕＡｌ
Ｔｅ2 (2.99)，ＣｕＩｎＳ2 (2.53)，ＣｕＩｎＳｅ2(2.
70)，ＣｕＧａＳ2 (2.49)，ＣｕＧａＳｅ2 (2.72)，Ａ
ｇＡｌＳ2 (2.42)，ＡｇＡｌＳｅ2 (2.59)，ＡｇＡｌＴ
ｅ2 (2.90)，ＡｇＩｎＳ2 (2.46)，ＡｇＩｎＳｅ2 (2.6
4)，ＡｇＩｎＴｅ2 (2.97)，ＡｇＧａＳ2 (2.38)，Ａｇ
ＧａＳｅ2 (2.61)，ＡｇＧａＴｅ2 (2.94)，ＧｅＳ
3 (2.11)，Ａｓ2 Ｓ3 (2.61)，Ａｓ2 Ｓｅ3(2.89)，Ａ
ｇ3 ＡｓＳ3 (2.59)，ＣｄＧａ2 Ｓ34(2.395),Ｔｌ3 Ｔ
ａＳ4 (2.4 )，Ｔｌ3 ＴａＳｅ4 (2.71)，Ｔｌ3 ＶＳ4
(2.95)，Ｔｌ3 ＡｓＳ4 (2.65)Ｔｌ3 ＡｓＳｅ4 (2.9
3)，Ｔｌ3 ＰＳｅ4 (2.93)，
【０１１３】ＧａＮ(1.55)，Ｓｉ3 Ｎ4 (2.0) ，ＣａＣ
ｏ3 (1.65)，ＮａＮＯ3 (1.60)，Ｂａ( ＮＯ3 )2 (1.5
7) ，Ｓｒ( ＮＯ3 )2 (1.58) ，Ｐｂ( ＮＯ3 )2 (1.78)
，ＮａＮＯ2 (1.65)，Ｓｒ( ＮＯ2 )2・Ｈ2 Ｏ(1.5
6)，ＬｉＩＯ3 (1.89)，ＫＩＯ3(1.70)，ＮＨ4 ＩＯ
3 (1.78)，ＫＩＯ2 Ｆ2 (1.62)，ＫＩＯ3 ・ＨＩＯ
3 (1.98)，Ｋ2 Ｈ( ＩＯ3 )2Ｃｌ(1.88)，ＬｉＢ4 Ｏ7
(1.61)，
ｏ3 (1.65)，ＮａＮＯ3 (1.60)，Ｂａ( ＮＯ3 )2 (1.5
7) ，Ｓｒ( ＮＯ3 )2 (1.58) ，Ｐｂ( ＮＯ3 )2 (1.78)
，ＮａＮＯ2 (1.65)，Ｓｒ( ＮＯ2 )2・Ｈ2 Ｏ(1.5
6)，ＬｉＩＯ3 (1.89)，ＫＩＯ3(1.70)，ＮＨ4 ＩＯ
3 (1.78)，ＫＩＯ2 Ｆ2 (1.62)，ＫＩＯ3 ・ＨＩＯ
3 (1.98)，Ｋ2 Ｈ( ＩＯ3 )2Ｃｌ(1.88)，ＬｉＢ4 Ｏ7
(1.61)，
【０１１４】Ｋ2 Ｍｎ2 ( ＳＯ4 )3(1.57)，Ｒｂ2 Ｍｎ
2 ( ＳＯ4 )3(1.60)，Ｔｌ2 Ｍｎ2( ＳＯ4 )3 (1.80)
，( ＮＨ4 )2Ｍｎ2 ( ＳＯ4 )3(1.52)，( ＮＨ4 )2Ｃ
ｄ2(ＳＯ4 )3(1.57)，ＬｉＨ3 ( ＳｅＯ3 )2(1.74)，Ｒ
ｂＨ3 ( ＳｅＯ3 )2(1.67)，ＮＨ4 Ｈ3 ( ＳｅＯ3 )
2(1.68)，Ｓｒ2 Ｓ2 Ｏ6 ・4 Ｈ2 Ｏ(1.53)，ＫＨ2 Ｐ
Ｏ4 (1.51)，ＫＤ2 ＰＯ4 (1.51)，ＮＨ4 Ｈ2 ＰＯ
4 (1.52)，ＮＤ4 Ｄ2 ＰＯ4 (1.52)，ＲｂＨ2 ＰＯ
4 (1.51)，ＫＨ2 ＡｓＯ4 (1.57)，ＫＤ2 ＡｓＯ4 (1.5
6)，ＮＨ4 Ｈ2ＡｓＯ4 (1.58)，ＲｂＨ2 ＡｓＯ4 (1.5
6)，ＲｂＤ2 ＡｓＯ4 (1.57)，ＣｓＨ2ＡｓＯ4 (1.5
7)，ＣｓＤ2 ＡｓＯ4 (1.55)，ＫＴｉＯＰＯ4 (1.74)，
ＲｂＴｉＯＰＯ4 (1.75)，(Ｋ, Ｒｂ) ＲｂＴｉＯＰＯ
4 (1.75)，Ｃａ5 ( ＰＯ4 )3Ｆ(1.63)，Ｃａ4 Ｌａ(Ｐ
Ｏ4 )3Ｏ(1.70)，ＬｉＮｄＰ4 Ｏ12(1.60)，ＫＮｄＰ4
Ｏ12(1.59)，ＮｄＰ5Ｏ14(1.59),
2 ( ＳＯ4 )3(1.60)，Ｔｌ2 Ｍｎ2( ＳＯ4 )3 (1.80)
，( ＮＨ4 )2Ｍｎ2 ( ＳＯ4 )3(1.52)，( ＮＨ4 )2Ｃ
ｄ2(ＳＯ4 )3(1.57)，ＬｉＨ3 ( ＳｅＯ3 )2(1.74)，Ｒ
ｂＨ3 ( ＳｅＯ3 )2(1.67)，ＮＨ4 Ｈ3 ( ＳｅＯ3 )
2(1.68)，Ｓｒ2 Ｓ2 Ｏ6 ・4 Ｈ2 Ｏ(1.53)，ＫＨ2 Ｐ
Ｏ4 (1.51)，ＫＤ2 ＰＯ4 (1.51)，ＮＨ4 Ｈ2 ＰＯ
4 (1.52)，ＮＤ4 Ｄ2 ＰＯ4 (1.52)，ＲｂＨ2 ＰＯ
4 (1.51)，ＫＨ2 ＡｓＯ4 (1.57)，ＫＤ2 ＡｓＯ4 (1.5
6)，ＮＨ4 Ｈ2ＡｓＯ4 (1.58)，ＲｂＨ2 ＡｓＯ4 (1.5
6)，ＲｂＤ2 ＡｓＯ4 (1.57)，ＣｓＨ2ＡｓＯ4 (1.5
7)，ＣｓＤ2 ＡｓＯ4 (1.55)，ＫＴｉＯＰＯ4 (1.74)，
ＲｂＴｉＯＰＯ4 (1.75)，(Ｋ, Ｒｂ) ＲｂＴｉＯＰＯ
4 (1.75)，Ｃａ5 ( ＰＯ4 )3Ｆ(1.63)，Ｃａ4 Ｌａ(Ｐ
Ｏ4 )3Ｏ(1.70)，ＬｉＮｄＰ4 Ｏ12(1.60)，ＫＮｄＰ4
Ｏ12(1.59)，ＮｄＰ5Ｏ14(1.59),
【０１１５】ＣａＭｏＯ4(1.99) ，ＰｂＭｏＯ4(2.41)
，ＣａＷＯ4(1.92) ，ＺｎＷＯ4(2.14) ，Ｇｄ2(Ｍｏ
Ｏ4)3(1.843)，Ｔｂ2(ＭｏＯ4 )3(1.848) ，Ｂｉ2 ( Ｍ
ｏＯ4)3 (2.28) ，Ｋ5 ( Ｂｉ，Ｎｄ)(ＭｏＯ4)4(1.79)
，Ｐｂ2 ＭｏＯ5(2.18)， Ｂｉ2 ＷＯ6 (2.5) ，ＹＶ
Ｏ4 (2.00)，Ｃａ3 ( ＶＯ4 )2(1.86)，Ｐｂ5(ＧｅＯ4)
(ＶＯ4 )2 (2.28) ，
，ＣａＷＯ4(1.92) ，ＺｎＷＯ4(2.14) ，Ｇｄ2(Ｍｏ
Ｏ4)3(1.843)，Ｔｂ2(ＭｏＯ4 )3(1.848) ，Ｂｉ2 ( Ｍ
ｏＯ4)3 (2.28) ，Ｋ5 ( Ｂｉ，Ｎｄ)(ＭｏＯ4)4(1.79)
，Ｐｂ2 ＭｏＯ5(2.18)， Ｂｉ2 ＷＯ6 (2.5) ，ＹＶ
Ｏ4 (2.00)，Ｃａ3 ( ＶＯ4 )2(1.86)，Ｐｂ5(ＧｅＯ4)
(ＶＯ4 )2 (2.28) ，
【０１１６】Ｇｄ2 ＳｉＯ5 (1.9) ，Ａｌ2 ( ＳｉＯ4)
Ｆ(1.63)，ＣａＹ4 ( ＳｉＯ4 )3Ｏ(1.83)，ＣａＬａ4
( ＳｉＯ4 )3Ｏ(1.86)，ＳｒＬａ4 ( ＳｉＯ4 )3Ｏ(1.7
9)，( ＮａＣａ) Ｌｉ( Ａ，ＦｅＭｎ)8(1.65)，Ｂｅ3
Ａｌ2 Ｓｉ6 Ｏ18(1.57)，
Ｆ(1.63)，ＣａＹ4 ( ＳｉＯ4 )3Ｏ(1.83)，ＣａＬａ4
( ＳｉＯ4 )3Ｏ(1.86)，ＳｒＬａ4 ( ＳｉＯ4 )3Ｏ(1.7
9)，( ＮａＣａ) Ｌｉ( Ａ，ＦｅＭｎ)8(1.65)，Ｂｅ3
Ａｌ2 Ｓｉ6 Ｏ18(1.57)，
【０１１７】Ｃ14Ｈ10(1.55), Ｃ24Ｈ18(1.52), ＣＯ(
ＮＨ2)2(1.60) ，Ｂａ( ＣＯＯＨ)2(1.57)，Ｓｒ( ＣＯ
ＯＨ)2(1.55)，Ｐｂ2 Ｓｒ( ＣＨ3 ＣＨ2 ＣＯＯ)6(1.4
9)，Ｃ4 Ｈ6 Ｏ6(1.49) ，( ＮＨ4 ＣＨ2 ＣＯＯＨ)3Ｈ
2 ＳＯ4(1.56) ，Ｃ4 Ｈ3 Ｎ3 Ｏ4 (1.52)，( ＣＨ2)6
Ｎ4(1.59) ，( Ｃ6 Ｈ5 ＣＯ)2(1.84)，Ｃ6 Ｈ4 ＮＯ2
ＮＨ2 (1.76)，Ｃ6 Ｈ4(ＯＨ)2(1.59)，Ｃ6 Ｈ4(ＮＨ4)
ＯＨ(1.67)，Ｃ5 Ｈ3ＮＯＣＨ3 ＮＯ2 (1.71)，Ｃ6 Ｈ
4 ( ＣＯ2 )2ＨＣｓ(1.67)，Ｃ6 Ｈ4(ＣＯ2)2ＨＲｂ(1.
66)，Ｃ6 Ｈ3 ＮＯ2 ＣＨ3 ＮＨ2(1.70) ，Ｃ6 Ｈ3 Ｃ
Ｈ3(ＮＨ2)2(1.62) ，Ｃ6 Ｈ2(ＮＯ2 )3ＯＨ(1.68)，Ｋ
Ｈ( Ｃ8 Ｈ4 Ｏ4)(1.66 ) ，Ｃ10Ｈ14Ｏ(1.58), Ｃ10Ｈ
11Ｎ3 Ｏ6 (1.56)，Ｃ10Ｈ13Ｎ5 Ｏ4 (1.52)，Ｃ14Ｈ17
ＮＯ2 (2.04)であることが望ましい。ここで、( )内は
屈折率を示す。この内、特に望ましいものは、Ｔｉ
Ｏ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｎＳ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｚ
ｎＳｅ，ＧａＳｅ，ＣｕＩｎＳｅ2 (2.70)，ＣｕＧａＳ
2 (2.49)，ＣｕＧａＳｅ2 (2.72)，ＡｇＡｌＳ2 (2.4
2)，ＡｇＡｌＳｅ2 (2.59)，ＡｇＡｌＴｅ2 (2.90)，Ａ
ｇＩｎＳ2 (2.46)，ＡｇＩｎＳｅ2 (2.64)，ＡｇＩｎＴ
ｅ2 (2.97)，ＡｇＧａＳ2 (2.38)，ＡｇＧａＳｅ2 (2.6
1)，ＡｇＧａＴｅ2 (2.94)，ＧｅＳ3 (2.11)である。
ＮＨ2)2(1.60) ，Ｂａ( ＣＯＯＨ)2(1.57)，Ｓｒ( ＣＯ
ＯＨ)2(1.55)，Ｐｂ2 Ｓｒ( ＣＨ3 ＣＨ2 ＣＯＯ)6(1.4
9)，Ｃ4 Ｈ6 Ｏ6(1.49) ，( ＮＨ4 ＣＨ2 ＣＯＯＨ)3Ｈ
2 ＳＯ4(1.56) ，Ｃ4 Ｈ3 Ｎ3 Ｏ4 (1.52)，( ＣＨ2)6
Ｎ4(1.59) ，( Ｃ6 Ｈ5 ＣＯ)2(1.84)，Ｃ6 Ｈ4 ＮＯ2
ＮＨ2 (1.76)，Ｃ6 Ｈ4(ＯＨ)2(1.59)，Ｃ6 Ｈ4(ＮＨ4)
ＯＨ(1.67)，Ｃ5 Ｈ3ＮＯＣＨ3 ＮＯ2 (1.71)，Ｃ6 Ｈ
4 ( ＣＯ2 )2ＨＣｓ(1.67)，Ｃ6 Ｈ4(ＣＯ2)2ＨＲｂ(1.
66)，Ｃ6 Ｈ3 ＮＯ2 ＣＨ3 ＮＨ2(1.70) ，Ｃ6 Ｈ3 Ｃ
Ｈ3(ＮＨ2)2(1.62) ，Ｃ6 Ｈ2(ＮＯ2 )3ＯＨ(1.68)，Ｋ
Ｈ( Ｃ8 Ｈ4 Ｏ4)(1.66 ) ，Ｃ10Ｈ14Ｏ(1.58), Ｃ10Ｈ
11Ｎ3 Ｏ6 (1.56)，Ｃ10Ｈ13Ｎ5 Ｏ4 (1.52)，Ｃ14Ｈ17
ＮＯ2 (2.04)であることが望ましい。ここで、( )内は
屈折率を示す。この内、特に望ましいものは、Ｔｉ
Ｏ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｎＳ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｚ
ｎＳｅ，ＧａＳｅ，ＣｕＩｎＳｅ2 (2.70)，ＣｕＧａＳ
2 (2.49)，ＣｕＧａＳｅ2 (2.72)，ＡｇＡｌＳ2 (2.4
2)，ＡｇＡｌＳｅ2 (2.59)，ＡｇＡｌＴｅ2 (2.90)，Ａ
ｇＩｎＳ2 (2.46)，ＡｇＩｎＳｅ2 (2.64)，ＡｇＩｎＴ
ｅ2 (2.97)，ＡｇＧａＳ2 (2.38)，ＡｇＧａＳｅ2 (2.6
1)，ＡｇＧａＴｅ2 (2.94)，ＧｅＳ3 (2.11)である。
【０１１８】更に、本実施例において、屈折率が「ｎ≧
3.0 」である高屈折率層は、Ｇｅ(4.01)，Ｓｉ(3.82)，
Ｓｅ(5.56)，Ｔｅ(4.85)，ＺｎＴｅ(3.05)，ＨｇＳｅ
(3.75)，ＰｂＳ(3.5) ，ＰｂＴｅ(5.6) ，Ｉｎ57Ｓｅ43
(3.8) ，Ｉｎ3 Ｓｅ2(3.8)，ＩｎＳｅ(3.8) ，Ｉｎ2 Ｓ
ｂ3(4.1)，ＧａＳｂ(4.6) ，ＴｌＧａＳｅ2 (3.0) ，Ａ
ｇ3 ＳｂＡｇＳ3(3.08) ，Ｔｌ3 ＡｓＳｅ3 (3.33)，Ｃ
ｕＧａＴｅ2(3.01) ，ＣｕＩｎＴｅ2 (3.0 5) ，ＺｎＳ
ｉＡｓ2 (3.22)，ＺｎＧｅＰ2 (3.14)，ＺｎＧｅＡｓ2
(3.38)，ＺｎＳｎＰ2 (3.21)，ＺｎＳｎＡｓ2 (3.53)，
ＣｄＳｉＡｓ2 (3.22)，ＣｄＧｅＰ2 (3.20)，ＣｄＧｅ
ＡＳ2 (3.56)，ＣｄＳｎＰ2 (3.14)，ＣｄＳｎＡｓ
2 (3.46)，ＧａＡｓ(3.42)，ＧａＳｂ(3.9) ，ＧａＰ
(3.35)，ＩｎＰ(3.37)，ＩｎＡｓ(3.4) ，ＩｎＳｂ(3.7
5)，Ｓｂ2 Ｓ3 (3.0) ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 (5.0) ，( Ｇａ，
Ａｌ) Ａｓ(3.21 〜3.65) ，Ｇａ( Ａｓ，Ｐ)(3.29〜3.
36)，( Ｇａ，Ａｌ) Ｓｂ(3.2〜3.92) ，( ＩｎＧａ)
(ＡｓＰ)(3.21〜3.42) ，ＣｄＧｅＡｓ2 (3.60)，Ｇｅ
19Ｓｂ38Ｔｅ43(4.15)，Ｇｅ18Ｓｂ32Ｔｅ50(4.28)，Ｇ
ｅ27Ｓｅ18Ｔｅ55(3.05)，Ｉｎ22Ｓｂ33Ｔｅ45(4.295)
，Ｉｎ22Ｓｂ37Ｔｅ41(4.968) ，Ｉｎ20Ｓｂ37Ｔｅ
43(4.952) ，Ｉｎ32Ｓｂ40Ｔｅ28(3.04)5 ，Ｓｂ56Ｓｅ
40Ｚｎ4 (4.234) ，Ｓｂ44Ｓｅ29Ｚｎ27(3.492) ，Ｓｂ
34Ｓｅ58Ｓｎ8 (5.068) ，Ｓｅ52Ｇｅ27Ｓｎ21(3.761)
，Ｔｅ64Ｓｂ6 Ｓｎ30(3.147) ，Ｓｅ66Ｓｂ24Ｇｅ
10(4.240) ，Ｔｅ80Ｓｅ10Ｓｂ10(4.0) ，ＧｅＳｂ2 Ｔ
ｅ4 (4.7) ，ＴｅＯx (3.8) ，ＧｅＴｅ(4.4) であるこ
とが望ましい。ここで、( )内は屈折率を示す。
3.0 」である高屈折率層は、Ｇｅ(4.01)，Ｓｉ(3.82)，
Ｓｅ(5.56)，Ｔｅ(4.85)，ＺｎＴｅ(3.05)，ＨｇＳｅ
(3.75)，ＰｂＳ(3.5) ，ＰｂＴｅ(5.6) ，Ｉｎ57Ｓｅ43
(3.8) ，Ｉｎ3 Ｓｅ2(3.8)，ＩｎＳｅ(3.8) ，Ｉｎ2 Ｓ
ｂ3(4.1)，ＧａＳｂ(4.6) ，ＴｌＧａＳｅ2 (3.0) ，Ａ
ｇ3 ＳｂＡｇＳ3(3.08) ，Ｔｌ3 ＡｓＳｅ3 (3.33)，Ｃ
ｕＧａＴｅ2(3.01) ，ＣｕＩｎＴｅ2 (3.0 5) ，ＺｎＳ
ｉＡｓ2 (3.22)，ＺｎＧｅＰ2 (3.14)，ＺｎＧｅＡｓ2
(3.38)，ＺｎＳｎＰ2 (3.21)，ＺｎＳｎＡｓ2 (3.53)，
ＣｄＳｉＡｓ2 (3.22)，ＣｄＧｅＰ2 (3.20)，ＣｄＧｅ
ＡＳ2 (3.56)，ＣｄＳｎＰ2 (3.14)，ＣｄＳｎＡｓ
2 (3.46)，ＧａＡｓ(3.42)，ＧａＳｂ(3.9) ，ＧａＰ
(3.35)，ＩｎＰ(3.37)，ＩｎＡｓ(3.4) ，ＩｎＳｂ(3.7
5)，Ｓｂ2 Ｓ3 (3.0) ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 (5.0) ，( Ｇａ，
Ａｌ) Ａｓ(3.21 〜3.65) ，Ｇａ( Ａｓ，Ｐ)(3.29〜3.
36)，( Ｇａ，Ａｌ) Ｓｂ(3.2〜3.92) ，( ＩｎＧａ)
(ＡｓＰ)(3.21〜3.42) ，ＣｄＧｅＡｓ2 (3.60)，Ｇｅ
19Ｓｂ38Ｔｅ43(4.15)，Ｇｅ18Ｓｂ32Ｔｅ50(4.28)，Ｇ
ｅ27Ｓｅ18Ｔｅ55(3.05)，Ｉｎ22Ｓｂ33Ｔｅ45(4.295)
，Ｉｎ22Ｓｂ37Ｔｅ41(4.968) ，Ｉｎ20Ｓｂ37Ｔｅ
43(4.952) ，Ｉｎ32Ｓｂ40Ｔｅ28(3.04)5 ，Ｓｂ56Ｓｅ
40Ｚｎ4 (4.234) ，Ｓｂ44Ｓｅ29Ｚｎ27(3.492) ，Ｓｂ
34Ｓｅ58Ｓｎ8 (5.068) ，Ｓｅ52Ｇｅ27Ｓｎ21(3.761)
，Ｔｅ64Ｓｂ6 Ｓｎ30(3.147) ，Ｓｅ66Ｓｂ24Ｇｅ
10(4.240) ，Ｔｅ80Ｓｅ10Ｓｂ10(4.0) ，ＧｅＳｂ2 Ｔ
ｅ4 (4.7) ，ＴｅＯx (3.8) ，ＧｅＴｅ(4.4) であるこ
とが望ましい。ここで、( )内は屈折率を示す。
【０１１９】この内、特に望ましいものは、Ｇｅ，Ｓ
ｉ，ＩｎＳｅである。
ｉ，ＩｎＳｅである。
【０１２０】
【発明の効果】以上のように、本発明の情報記録媒体に
よると、従来例における光ディスク形成時のダレやボケ
によるクロストークと符号間干渉の影響と有効にを取り
除くことができ、これによって情報記録の高密度化が可
能となり、また、本発明の情報記録媒体の製造方法によ
ると、これによって形成された情報記録媒体によると、
とくに転写不良による記録ピット周辺部のダレやボケを
少なくすることができ、高密度で且つ高精度の情報記録
媒体の製造が可能となり、このため、フォーカスサーボ
およびトラックサーボを安定してかけることができると
いう従来にない優れた効果を得ることができる。
よると、従来例における光ディスク形成時のダレやボケ
によるクロストークと符号間干渉の影響と有効にを取り
除くことができ、これによって情報記録の高密度化が可
能となり、また、本発明の情報記録媒体の製造方法によ
ると、これによって形成された情報記録媒体によると、
とくに転写不良による記録ピット周辺部のダレやボケを
少なくすることができ、高密度で且つ高精度の情報記録
媒体の製造が可能となり、このため、フォーカスサーボ
およびトラックサーボを安定してかけることができると
いう従来にない優れた効果を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す部分断面図で、図１
（Ａ）は多層膜とピット部との関係を示す部分断面図、
図１（Ｂ）は図１（Ａ）内の記号Ａ部分の拡大部分断面
図である。
（Ａ）は多層膜とピット部との関係を示す部分断面図、
図１（Ｂ）は図１（Ａ）内の記号Ａ部分の拡大部分断面
図である。
【図２】図１内に開示した各屈折率層を構成する種々の
材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図表
である。
材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図表
である。
【図３】図１内に開示した各屈折率層を構成するその他
の材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図
表である。
の材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図
表である。
【図４】本発明の第２実施例を示す部分断面図で、図４
（Ａ）は多層膜とピット部との関係を示す部分断面図、
図４（Ｂ）は図４（Ａ）内の記号Ａ部分の拡大部分断面
図である。
（Ａ）は多層膜とピット部との関係を示す部分断面図、
図４（Ｂ）は図４（Ａ）内の記号Ａ部分の拡大部分断面
図である。
【図５】図４内に開示した各屈折率層を構成する種々の
材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図表
である。
材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図表
である。
【図６】図４内に開示した各屈折率層を構成するその他
の材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図
表である。
の材質における屈折率および反射率の演算結果を示す図
表である。
【図７】本発明の第３実施例を示す部分断面図である。
【図８】図７における情報記録媒体の反射率と位相差の
ＳｉＯ2 膜厚依存性を示す線図である。
ＳｉＯ2 膜厚依存性を示す線図である。
【図９】本発明の第４実施例を示す部分断面図（低屈折
率層を平準化処理したもの）である。
率層を平準化処理したもの）である。
【図１０】図９における情報記録媒体の反射率と位相差
のＳｉＯ2 膜厚依存性を示す線図である。
のＳｉＯ2 膜厚依存性を示す線図である。
【図１１】本発明の第５実施例を示す部分断面図であ
る。
る。
【図１２】図１１における情報記録媒体の反射率と位相
差のＳｉＯ2 膜厚依存性を示す線図である。
差のＳｉＯ2 膜厚依存性を示す線図である。
【図１３】本発明のその他の実施例で、金属反射膜を使
用した場合の例を示す部分断面図である。
用した場合の例を示す部分断面図である。
【図１４】本発明のその他の実施例で、金属反射膜を使
用し且つ低屈折率層を平準化処理した場合の例を示す部
分断面図である。
用し且つ低屈折率層を平準化処理した場合の例を示す部
分断面図である。
【図１５】本発明のその他の実施例で、金属反射膜を使
用した場合の他の例を示す部分断面図である。
用した場合の他の例を示す部分断面図である。
【図１６】本発明のその他の実施例におけるミラー部と
ピット部の各反射率および位相差の演算結果を示す図表
である。
ピット部の各反射率および位相差の演算結果を示す図表
である。
【図１７】本発明における情報記録媒体の製造方法の例
を示しており、図１７（Ａ）は第１工程を示す図であ
り、図１７（Ｂ）は第２工程を示す図であり、図１７
（Ｃ）は第３工程を示す図であり、図１７（Ｄ）は第４
工程を示す図であり、図１７（Ｅ）は第５工程を示す図
であり、図１７（Ｆ）は第６工程を示す図であり、図１
７（Ｇ）は他の第６工程を示す図であり、図１７（Ｈ）
は他の第６工程に続く第７工程を示す図である。
を示しており、図１７（Ａ）は第１工程を示す図であ
り、図１７（Ｂ）は第２工程を示す図であり、図１７
（Ｃ）は第３工程を示す図であり、図１７（Ｄ）は第４
工程を示す図であり、図１７（Ｅ）は第５工程を示す図
であり、図１７（Ｆ）は第６工程を示す図であり、図１
７（Ｇ）は他の第６工程を示す図であり、図１７（Ｈ）
は他の第６工程に続く第７工程を示す図である。
【図１８】従来例におけるピット部のダレ・ボケの原因
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図１９】従来例におけるピット部のダレ・ボケの形態
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１，２，３，４，５，６，７，８ 情報記録媒体 １Ａ，２Ａ，３Ａ，４Ａ，５Ａ，６Ａ，７Ａ，８Ａ 透
明基板 １Ｂ1 ，２Ｂ1 ，３Ｂ1 ，４Ｂ1 ，４Ｂ1 ，５Ｂ1 ，８
Ｃ 高屈折率層 １Ｂ2 ，２Ｂ2 ，３Ｂ2 ，４Ｂ2 ，４Ｂ2 ，５Ｂ2 ，６
Ｃ，７Ｃ 低屈折率層 １Ｂ12，２Ｂ21 多層膜 １Ｃ，２Ｃ，３Ｄ，４Ｄ，５Ｄ，６Ｅ，７Ｅ，８Ｅ 樹
脂膜 ３Ｃ，４Ｃ，５Ｃ 反射層 ６Ｂ，７Ｂ，８Ｂ 第１金属反射層 ６Ｄ，７Ｄ，８Ｄ 第２金属反射層
明基板 １Ｂ1 ，２Ｂ1 ，３Ｂ1 ，４Ｂ1 ，４Ｂ1 ，５Ｂ1 ，８
Ｃ 高屈折率層 １Ｂ2 ，２Ｂ2 ，３Ｂ2 ，４Ｂ2 ，４Ｂ2 ，５Ｂ2 ，６
Ｃ，７Ｃ 低屈折率層 １Ｂ12，２Ｂ21 多層膜 １Ｃ，２Ｃ，３Ｄ，４Ｄ，５Ｄ，６Ｅ，７Ｅ，８Ｅ 樹
脂膜 ３Ｃ，４Ｃ，５Ｃ 反射層 ６Ｂ，７Ｂ，８Ｂ 第１金属反射層 ６Ｄ，７Ｄ，８Ｄ 第２金属反射層
Claims (17)
- 【請求項１】 透明基板と、この透明基板上に被膜され
高屈折率層および低屈折率層の順で繰り返された二層以
上の多層膜と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備
え、 前記高屈折率層および低屈折率層の内の少なくとも一層
の屈折率層が穴状の記録ピットを有することを特徴とし
た情報記録媒体。 - 【請求項２】 透明基板と、この透明基板上に被膜され
低屈折率層および高屈折率層の順で繰り返された二層以
上の多層膜と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備
え、 前記低屈折率層および高屈折率層の内の少なくとも一層
の屈折率層が穴状の記録ピットを有することを特徴とし
た情報記録媒体。 - 【請求項３】 透明基板と、この透明基板上に被膜され
高屈折率層および低屈折率層の順で繰り返された二層以
上の多層膜と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備
え、 前記高屈折率層および低屈折率層の内の少なくとも一層
の屈折率層が穴状の記録ピットを有すると共に、前記多
層膜上に反射層を被膜したことを特徴とする情報記録媒
体。 - 【請求項４】 透明基板と、この透明基板上に被膜され
低屈折率層および高屈折率層の順で繰り返された二層以
上の多層膜と、この多層膜上に積層された樹脂膜とを備
え、 前記低屈折率層および高屈折率層の内の少なくとも一層
の屈折率層が穴状の記録ピットを有すると共に、少なく
とも前記多層膜上に反射層を被膜したことを特徴とする
情報記録媒体。 - 【請求項５】 前記高屈折率層および低屈折率層の各層
の膜厚を、λ／4 ｎ（λはレーザ光の波長、ｎは屈折率
層の屈折率）としたことを特徴とする請求項１，２，３
又は４項記載の情報記録媒体。 - 【請求項６】 前記高屈折率層をアモルファスＳi の水
素含有合金で形成すると共に、このアモルファスＳi の
水素含有合金は、その膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓ
i 1-X ＨX 」で表した場合に、前記ｘが原子パーセント
で「28／47≦ｘ≦28／29」の範囲に設定されたものであ
ることを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の
情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記高屈折率層を微結晶化Ｓi の水素含
有合金で形成すると共に、この微結晶化Ｓi の水素含有
合金は、その膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓi 1-X Ｈ
X 」で表した場合に、前記ｘが原子パーセントで「28／
47≦ｘ≦28／37」の範囲に設定されたものであることを
特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の情報記録
媒体。 - 【請求項８】 前記高屈折率層をアモルファスＳi Ｃの
水素含有合金で形成すると共に、このアモルファスＳi
Ｃの水素含有合金は、その膜厚方向の平均組成を一般式
「（Ｓi Ｃ）1-X ＨX 」で表した場合に、前記ｘが原子
パーセントで「40／49≦ｘ≦40／41」の範囲に設定され
たものであることを特徴とする請求項１，２，３，４又
は５記載の情報記録媒体。 - 【請求項９】 前記高屈折率層をアモルファスＳi Ｇe
の水素含有合金で形成すると共に、このアモルファスＳ
i Ｇe の水素含有合金は、その膜厚方向の平均組成を一
般式「（Ｓi Ｇe ）1-X ＨX 」で表した場合に、前記ｘ
が原子パーセントで「503 ／598 ≦ｘ≦503 ／518 」の
範囲に設定されたものであることを特徴とする請求項
１，２，３，４又は５記載の情報記録媒体。 - 【請求項１０】 前記高屈折率層をアモルファスＳi の
窒化物で形成すると共に、このアモルファスＳi の窒化
物は、その膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓi
1-X ＮX 」で表した場合に、前記ｘが原子パーセントで
「0 ≦ｘ≦4 ／7 」の範囲に設定されたものであること
を特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の情報記
録媒体。 - 【請求項１１】 前記高屈折率層をアモルファスＳi の
酸化物で形成すると共に、このアモルファスＳi の酸化
物は、その膜厚方向の平均組成を一般式「Ｓi
1-X ＯX 」で表した場合に、前記ｘが原子パーセントで
「0 ≦ｘ≦2 ／3 」の範囲に設定されたものであること
を特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載の情報記
録媒体。 - 【請求項１２】 前記高屈折率層が、屈折率がｎ＜1.5
である低屈折率の媒体と，屈折率が 1.5≦ｎ＜3.0 であ
る高屈折率の媒体，および屈折率がｎ≧3.0である高屈
折率層の媒体の、少なくとも屈折率の異なる２種類以上
の媒体を混ぜ合わせることにより形成される均質な中間
の屈折率を備えたものであることを特徴とする請求項
１，２，３，４又は５記載の情報記録媒体。 - 【請求項１３】 透明基板上に、第１金属反射膜，低屈
折率層，第２金属反射膜および樹脂膜を順次被膜し、前
記第１金属反射膜に穴状の記録ピットを形成したことを
特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項１４】 透明基板上に、第１金属反射膜，高屈
折率層，第２金属反射膜および樹脂膜を順次被膜し、前
記第１金属反射膜に穴状の記録ピットを形成したことを
特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項１５】 透明基板上に高屈折率層および低屈折
率層，又は低屈折率層および高屈折率層の順よりなる繰
り返し多層膜を、少なくとも一層以上形成し、その後に
フォトレジスト層を積層し、続いて書き込み情報に対応
する光を照射して当該光照射領域の前記フォトレジスト
層を露光し、 しかるのち、この露光したフォトレジスト層を現像して
前記光照射領域のフォトレジスト層を除去すると共に高
屈折率層あるいは低屈折率層を露出し、その後にエッチ
ングを行って前記フォトレジスト層の除去された領域の
前記高屈折率層あるいは低屈折率層の少なくとも一層以
上に凹部を形成することを特徴とした情報記録媒体の製
造方法。 - 【請求項１６】 前記エッチング方法は、アルゴンプラ
ズマ等を使用してなすイオンミリング法であることを特
徴とする請求項１５記載の情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１７】 前記エッチング方法は、四塩化炭素を
使用してなすリアクティブイオンエッチング法であるこ
とを特徴とする請求項１５記載の情報記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6236607A JP2737664B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6236607A JP2737664B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102084A true JPH08102084A (ja) | 1996-04-16 |
| JP2737664B2 JP2737664B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=17003151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6236607A Expired - Lifetime JP2737664B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737664B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183037A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Nec Corp | 光記憶体 |
| JPH04146539A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-20 | Brother Ind Ltd | 光ディスク |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6236607A patent/JP2737664B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03183037A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Nec Corp | 光記憶体 |
| JPH04146539A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-20 | Brother Ind Ltd | 光ディスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737664B2 (ja) | 1998-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971209 |