JPH03183145A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
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- JPH03183145A JPH03183145A JP1322956A JP32295689A JPH03183145A JP H03183145 A JPH03183145 A JP H03183145A JP 1322956 A JP1322956 A JP 1322956A JP 32295689 A JP32295689 A JP 32295689A JP H03183145 A JPH03183145 A JP H03183145A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子ビーム装置に関し、
低周波ノイズの影響を除去して測定誤差の低減および測
定時間の短縮を図るとともに、周期変化している電圧波
形の測定では良好な周波数特性を得ることができ、さら
にMCPを検出器として用いた場合でも十分に実用に供
することができる電子ビーム装置を提供することを目的
とし、試料の測定箇所に対して電子ビームを照射する照
射手段と、試料から放出される2次電子を検出し、2次
電子信号を出力する2次電子検出手段と、該2次電子信
号を信号処理して試料に関連のある物理量を測定する測
定手段と、を備えた電子ビーム装置において、前記電子
ビームをパルス化するパルス化手段と、前記2次電子検
出手段と測定手段との間に配置される信号処理手段とを
設け、該信号処理手段は、前記2次電子検出手段から出
力される2次電子信号のうち交流分のみを通過させるハ
イパスフィルタと、ハイパスフィルタの出力信号をサン
プルホールドするサンプルホールド回路と、ハイパスフ
ィルタの出力信号とサンプルホールド回路の出力信号と
の差分を出力する差動増幅器とを有し、前記測定手段は
、該差動増幅器の出力に基づいて試料に関連のある物理
量を測定するように構成する。
定時間の短縮を図るとともに、周期変化している電圧波
形の測定では良好な周波数特性を得ることができ、さら
にMCPを検出器として用いた場合でも十分に実用に供
することができる電子ビーム装置を提供することを目的
とし、試料の測定箇所に対して電子ビームを照射する照
射手段と、試料から放出される2次電子を検出し、2次
電子信号を出力する2次電子検出手段と、該2次電子信
号を信号処理して試料に関連のある物理量を測定する測
定手段と、を備えた電子ビーム装置において、前記電子
ビームをパルス化するパルス化手段と、前記2次電子検
出手段と測定手段との間に配置される信号処理手段とを
設け、該信号処理手段は、前記2次電子検出手段から出
力される2次電子信号のうち交流分のみを通過させるハ
イパスフィルタと、ハイパスフィルタの出力信号をサン
プルホールドするサンプルホールド回路と、ハイパスフ
ィルタの出力信号とサンプルホールド回路の出力信号と
の差分を出力する差動増幅器とを有し、前記測定手段は
、該差動増幅器の出力に基づいて試料に関連のある物理
量を測定するように構成する。
本発明は、電子ビーム装置に係り、詳しくは、細く絞っ
た電子ビームを試料に照射し、2次電子信号を検出し、
試料の拡大画像(2次電子像)表示、線幅測定あるいは
電圧測定を行う走査型電子顕微鏡(SEM)、電子ビー
ムテスタなどに適用される電子ビーム装置に関する。
た電子ビームを試料に照射し、2次電子信号を検出し、
試料の拡大画像(2次電子像)表示、線幅測定あるいは
電圧測定を行う走査型電子顕微鏡(SEM)、電子ビー
ムテスタなどに適用される電子ビーム装置に関する。
電子ビーム装置はいろいろな応用が考えられるが、典型
的には超LSIの内部動作の診断を行う電子ビーム(E
lectron Beaai:EB)プローバとしての
用途が多く、BBブローバは動作中のLSIチンプ表面
に電子ビームを照射し、放出される2次電子を検出する
ことにより、LSI内部の動作状態を診断するシステム
である。
的には超LSIの内部動作の診断を行う電子ビーム(E
lectron Beaai:EB)プローバとしての
用途が多く、BBブローバは動作中のLSIチンプ表面
に電子ビームを照射し、放出される2次電子を検出する
ことにより、LSI内部の動作状態を診断するシステム
である。
従来の電子ビーム装置としては、例えば第6図に示すよ
うなものがある。同図において、lは電子ビーム鏡筒、
2は試料室、3は試料室2の内部に配置された試料(被
検IC)である。電子ビーム鏡筒1の電子銃から発射さ
れた電子ビームはEBパルスゲート4によりパルス化さ
れてEBパルスとして試料3に照射され、試料3の表面
から2次電子5が放出される。シンチレータ6は2次電
子5を加速・衝突させ、光信号に変換してフォトマルチ
プライヤ(光電子増倍管)7に出力し、フォトマルチプ
ライヤ7はこの光信号を電気信号〈電流信号)に変換す
る。フォトマルチプライヤ7の出力(電流信号)は電流
電圧変換器8によって電圧信号に変換され、その後、増
幅器9により増幅されるとともに、A/D変換器10に
よりA/D変換されて制御回路11に出力される。A/
D変換器10はサンプリングデイレイ回路12からのサ
ンプリングストローブ信号により規定されるタイミング
でアナログ信号をデジタル信号に変換し、その結果は制
御回路11を介して制御計算機13に取り込まれる。制
御回路11は試料3から放出さる2次電子5の検出結果
に基づ<ICの動作電圧測定等のために各回路を制御す
るもので、電子ビームをEBパルス化するための制御信
号(EBパルス制御信号)をブランキングドライバ14
に出力するとともに、この制御信号をサンプリングデイ
レイ回路12にも出力する。ブランキングドライバ14
は制御回路11からの制御信号に基づいてEBパルスゲ
ート4を駆動し、サンプリングデイレイ回路12は制御
信号に基づいて前記サンプリングストローブ信号を生成
するもので、A/D変換器10のサンプリングストロー
ブ信号を発生するためにIIJIIl信号(EBパルス
発生信号)に一定時間の遅延を与えてA/D変換器10
に出力する。制御計算機13はA/D変換器10の出力
結果に基づいて2次電子像の表示あるいは電圧測定など
の処理を行う。
うなものがある。同図において、lは電子ビーム鏡筒、
2は試料室、3は試料室2の内部に配置された試料(被
検IC)である。電子ビーム鏡筒1の電子銃から発射さ
れた電子ビームはEBパルスゲート4によりパルス化さ
れてEBパルスとして試料3に照射され、試料3の表面
から2次電子5が放出される。シンチレータ6は2次電
子5を加速・衝突させ、光信号に変換してフォトマルチ
プライヤ(光電子増倍管)7に出力し、フォトマルチプ
ライヤ7はこの光信号を電気信号〈電流信号)に変換す
る。フォトマルチプライヤ7の出力(電流信号)は電流
電圧変換器8によって電圧信号に変換され、その後、増
幅器9により増幅されるとともに、A/D変換器10に
よりA/D変換されて制御回路11に出力される。A/
D変換器10はサンプリングデイレイ回路12からのサ
ンプリングストローブ信号により規定されるタイミング
でアナログ信号をデジタル信号に変換し、その結果は制
御回路11を介して制御計算機13に取り込まれる。制
御回路11は試料3から放出さる2次電子5の検出結果
に基づ<ICの動作電圧測定等のために各回路を制御す
るもので、電子ビームをEBパルス化するための制御信
号(EBパルス制御信号)をブランキングドライバ14
に出力するとともに、この制御信号をサンプリングデイ
レイ回路12にも出力する。ブランキングドライバ14
は制御回路11からの制御信号に基づいてEBパルスゲ
ート4を駆動し、サンプリングデイレイ回路12は制御
信号に基づいて前記サンプリングストローブ信号を生成
するもので、A/D変換器10のサンプリングストロー
ブ信号を発生するためにIIJIIl信号(EBパルス
発生信号)に一定時間の遅延を与えてA/D変換器10
に出力する。制御計算機13はA/D変換器10の出力
結果に基づいて2次電子像の表示あるいは電圧測定など
の処理を行う。
しかしながら、このような従来の電子ビーム装置にあっ
ては、2次電子信号の増幅過程においてすべてDC増幅
器が使用されていたため、以下の問題点があった。
ては、2次電子信号の増幅過程においてすべてDC増幅
器が使用されていたため、以下の問題点があった。
(1)低周波ノイズ、特に電源周波数ノイズが混入し易
く、2次電子像に縞!!様が現れ、細部の観測が困難と
なる。また、線幅測定や電圧測定においては、測定誤差
の増大や測定時間の増加を招く結果となる。
く、2次電子像に縞!!様が現れ、細部の観測が困難と
なる。また、線幅測定や電圧測定においては、測定誤差
の増大や測定時間の増加を招く結果となる。
(n)周期変化している電圧波形の測定では、高い繰り
返し周波数に対応するため、2次電子信号処理回路には
通常のSEMよりも高い周波数特性が要求される。この
場合、DC増幅器では、DCから100MIIzに及ぶ
周波数領域で平坦な特性を得ることは困難である。
返し周波数に対応するため、2次電子信号処理回路には
通常のSEMよりも高い周波数特性が要求される。この
場合、DC増幅器では、DCから100MIIzに及ぶ
周波数領域で平坦な特性を得ることは困難である。
(I[I)広い検出面を持ち、−様で、高い検出効率の
可能性を持つマイクロチャネルプレート(MCP)など
の電子−電子増倍素子を検出器として用いた場合、DC
の高電圧に重畳されて信号が出力されるため、高い耐電
圧を持つアイソレーションアンプを介して増幅する必要
がある。
可能性を持つマイクロチャネルプレート(MCP)など
の電子−電子増倍素子を検出器として用いた場合、DC
の高電圧に重畳されて信号が出力されるため、高い耐電
圧を持つアイソレーションアンプを介して増幅する必要
がある。
ところが、アイソレーションアンプを使用する場合、周
波数帯域はせいぜいIMH2程度に制限され、またアイ
ソレーションのためのスイッチングノイズが新たに発生
ずるといった問題があり、実用的にはほとんど使用され
ていない。
波数帯域はせいぜいIMH2程度に制限され、またアイ
ソレーションのためのスイッチングノイズが新たに発生
ずるといった問題があり、実用的にはほとんど使用され
ていない。
そこで本発明は、低周波ノイズの影響を除去して測定誤
差の低減および測定時間の短縮を図るとともに、周期変
化している電圧波形の測定では良好な周波数特性を得る
ことができ、さらにMCPを検出器として用いた場合で
も十分に実用に供することができる電子ビーム装置を提
供することを目的としている。
差の低減および測定時間の短縮を図るとともに、周期変
化している電圧波形の測定では良好な周波数特性を得る
ことができ、さらにMCPを検出器として用いた場合で
も十分に実用に供することができる電子ビーム装置を提
供することを目的としている。
本発明による電子ビーム装置は上記目的達成のため、試
料の測定箇所に対して電子ビームを照射する照射手段と
、試料から放出される2次電子を検出し、2次電子信号
を出力する2次電子検出手段と、該2次電子信号を信号
処理して試料に関連のある物理量を測定する測定手段と
、を備えた電子ビーム装置において、前記電子ビームを
パルス化するパルス化手段と、前記2次電子検出手段と
測定手段との間に配置される信号処理手段とを設け、該
信号処理手段は、前記2次電子検出手段から出力される
2次電子信号のうち交流分のみを通過させるハイパスフ
ィルタと、ハイパスフィルタの出力信号をサンプルホー
ルドするサンプルホールド回路と、ハイパスフィルタの
出力信号とサンプルホールド回路の出力信号との差分を
出力する差動増幅器とを有し、前記測定手段は、該差動
増幅器の出力に基づいて試料に関連のある物理量を測定
するように構成している。
料の測定箇所に対して電子ビームを照射する照射手段と
、試料から放出される2次電子を検出し、2次電子信号
を出力する2次電子検出手段と、該2次電子信号を信号
処理して試料に関連のある物理量を測定する測定手段と
、を備えた電子ビーム装置において、前記電子ビームを
パルス化するパルス化手段と、前記2次電子検出手段と
測定手段との間に配置される信号処理手段とを設け、該
信号処理手段は、前記2次電子検出手段から出力される
2次電子信号のうち交流分のみを通過させるハイパスフ
ィルタと、ハイパスフィルタの出力信号をサンプルホー
ルドするサンプルホールド回路と、ハイパスフィルタの
出力信号とサンプルホールド回路の出力信号との差分を
出力する差動増幅器とを有し、前記測定手段は、該差動
増幅器の出力に基づいて試料に関連のある物理量を測定
するように構成している。
本発明では、電子ビームがパルス化されて試料に照射さ
れるとともに、2次電子信号のうちのハイパスフィルタ
を通過した信号成分と、ハイパスフィルタの出力信号を
サンプルホールドした信号成分との差分が求められ、該
差分に基づいて試料に関連のある物理量が測定される。
れるとともに、2次電子信号のうちのハイパスフィルタ
を通過した信号成分と、ハイパスフィルタの出力信号を
サンプルホールドした信号成分との差分が求められ、該
差分に基づいて試料に関連のある物理量が測定される。
したがって低周波ノイズの影響を除去しつつDC戒分の
復元が可能となり、測定誤差の低減および測定時間の短
縮が図られるとともに、周期変化している電圧波形の測
定でも良好な周波数特性を得ることができ、さらにMC
Pを検出器として用いた場合でも十分に実用に供するこ
とができる。
復元が可能となり、測定誤差の低減および測定時間の短
縮が図られるとともに、周期変化している電圧波形の測
定でも良好な周波数特性を得ることができ、さらにMC
Pを検出器として用いた場合でも十分に実用に供するこ
とができる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第1〜4図は本発明に係る電子ビーム装置の一実施例を
示す図である0本実施例の説明に当り、従来例と同−構
成部分には同一番号を符して重複説明を省略する。第1
図において、電流電圧変換器8の後段側にはハイパスフ
ィルタ21.サンプルホールド回路22および差動増幅
器23が設けられており、これらは信号処理手段24を
構成している。
示す図である0本実施例の説明に当り、従来例と同−構
成部分には同一番号を符して重複説明を省略する。第1
図において、電流電圧変換器8の後段側にはハイパスフ
ィルタ21.サンプルホールド回路22および差動増幅
器23が設けられており、これらは信号処理手段24を
構成している。
信号処理手段24の具体的回路は第2図のように示され
、電流電圧変換器8はオペアンプOPI 、 O20お
よび抵抗Rz 、R3により構成される。また、ハイパ
スフィルタ21としてはコンデンサC1が用いられ、プ
リアンプ(フォトマルチプライヤ7〉に続く1段目の増
幅器としての電流電圧変換器8の出力をAC結合して差
動増幅器23に送る構成となっている。なお、RIは抵
抗である。したがって、電流電圧変換器8の出力はコン
デンサC1により低周波成分(例えば、低周波ノイズ)
がカントされ、2段目の差動増幅器23の手入力端子と
サンプルホールド回路22に入力される。サンプルホー
ルド回路22にはEBパルス制御信号がストローブ信号
として入力され、サンプルホールド回路22はこのスト
ローブ信号のタイミングで人力される2次電子信号をサ
ンプルホールドし、ホールド信号を差動増幅器23の一
入力端子に出力する。差動増幅器23は各入力信号の差
分をA/D変換器10に出力する。A/D変換器10は
この差分信号をA/D変換し、制御計算機13はA/D
変換器10の出力結果に基づいて2次電子像の表示や電
圧測定のための処理を行う。その他は従来例と同様であ
る。
、電流電圧変換器8はオペアンプOPI 、 O20お
よび抵抗Rz 、R3により構成される。また、ハイパ
スフィルタ21としてはコンデンサC1が用いられ、プ
リアンプ(フォトマルチプライヤ7〉に続く1段目の増
幅器としての電流電圧変換器8の出力をAC結合して差
動増幅器23に送る構成となっている。なお、RIは抵
抗である。したがって、電流電圧変換器8の出力はコン
デンサC1により低周波成分(例えば、低周波ノイズ)
がカントされ、2段目の差動増幅器23の手入力端子と
サンプルホールド回路22に入力される。サンプルホー
ルド回路22にはEBパルス制御信号がストローブ信号
として入力され、サンプルホールド回路22はこのスト
ローブ信号のタイミングで人力される2次電子信号をサ
ンプルホールドし、ホールド信号を差動増幅器23の一
入力端子に出力する。差動増幅器23は各入力信号の差
分をA/D変換器10に出力する。A/D変換器10は
この差分信号をA/D変換し、制御計算機13はA/D
変換器10の出力結果に基づいて2次電子像の表示や電
圧測定のための処理を行う。その他は従来例と同様であ
る。
本実施例では、EBパルスゲート4およびブランキング
ドライバ14は電子ビームをパルス化するパルス化手段
31を構成し、電子銃を含む電子ビーム鏡筒1は照射手
段32を構成する。また、シンチレータ6およびフォト
マルチプライヤ7および電流電圧変換器8は2次電子検
出手段33を構成し、サンプリングデイレイ回路12、
A/D変換器10、制御回路11および制御計算機13
は測定手段34を構成する。
ドライバ14は電子ビームをパルス化するパルス化手段
31を構成し、電子銃を含む電子ビーム鏡筒1は照射手
段32を構成する。また、シンチレータ6およびフォト
マルチプライヤ7および電流電圧変換器8は2次電子検
出手段33を構成し、サンプリングデイレイ回路12、
A/D変換器10、制御回路11および制御計算機13
は測定手段34を構成する。
次に、作用を説明する。
測定シーケンスは次の通りである。例えば、試料3の信
号電圧の測定を行う場合は、まず、制御用計算機13で
発生したテストベクトルをICドライバ(図示路)にダ
ウンロードし、同時に照射手段32、パルス化手段31
.2次電子検出手段33および測定手段34を初期化す
る。次いで、テストベクトルに従ってテストパターンを
繰り返し発生し、テストパターンの開始タイミングを示
すトリガ信号を試料3 (すなわち、DUT : d
evice undertest (テストデバイス)
〉を駆動するためのクロンク信号を試料3に供給する。
号電圧の測定を行う場合は、まず、制御用計算機13で
発生したテストベクトルをICドライバ(図示路)にダ
ウンロードし、同時に照射手段32、パルス化手段31
.2次電子検出手段33および測定手段34を初期化す
る。次いで、テストベクトルに従ってテストパターンを
繰り返し発生し、テストパターンの開始タイミングを示
すトリガ信号を試料3 (すなわち、DUT : d
evice undertest (テストデバイス)
〉を駆動するためのクロンク信号を試料3に供給する。
その後、2次電子検出手段33により2次電子を検出し
、これを信号処理手段24で信号処理した後、測定手段
34で試料3の信号電圧の測定が行われる。
、これを信号処理手段24で信号処理した後、測定手段
34で試料3の信号電圧の測定が行われる。
ここで、本実施例では前述の問題点を解決するため、2
次電子信号処理回路の増幅器として、ハイパスフィルタ
21を含めたAC結合増幅器を使用することで、ノイズ
の影響を除去することとしているが、この効果を得るに
際して2次電子像表示の場合に水平方向に関する微分効
果という不具合が生じる。したがって、かかる微分効果
を除くため、交流成分のみの信号からDCオフセント信
号を復元する手段としてサンプルホールド回路22を設
けている。また、AC結合増幅器でも2次電子信号を増
幅可能とするために、通常のSEMで使用している連続
EBに代わり、電子ビームをパルス化してパルスEBを
常に使用することとし、これにより、2次電子信号をパ
ルス信号としてAC結合増幅器でも増幅可能な信号にし
ている。
次電子信号処理回路の増幅器として、ハイパスフィルタ
21を含めたAC結合増幅器を使用することで、ノイズ
の影響を除去することとしているが、この効果を得るに
際して2次電子像表示の場合に水平方向に関する微分効
果という不具合が生じる。したがって、かかる微分効果
を除くため、交流成分のみの信号からDCオフセント信
号を復元する手段としてサンプルホールド回路22を設
けている。また、AC結合増幅器でも2次電子信号を増
幅可能とするために、通常のSEMで使用している連続
EBに代わり、電子ビームをパルス化してパルスEBを
常に使用することとし、これにより、2次電子信号をパ
ルス信号としてAC結合増幅器でも増幅可能な信号にし
ている。
ところで、AC増幅器を用いる場合、次の問題がある。
すなわち、パルス化された2次電子信号で意味のある信
号成分はパルスの高さであるが、このままではパルス2
次電子信号のオフセット分くパルスの立ち上がり基準レ
ベル〉は、フローティングになり、現在の基準レベルが
以前のパルス高さやパルス信号のデユーティにより影響
される。
号成分はパルスの高さであるが、このままではパルス2
次電子信号のオフセット分くパルスの立ち上がり基準レ
ベル〉は、フローティングになり、現在の基準レベルが
以前のパルス高さやパルス信号のデユーティにより影響
される。
例えば、連続EBによる2次電子信号をDC増幅したと
き第3図に示すような2次電子信号(DC増幅信号)が
観測される場合、AC増幅器では、DC威分がカントさ
れるため、同図にAC増幅信号として示すよ゛うに観測
される波形は歪んでしまう。
き第3図に示すような2次電子信号(DC増幅信号)が
観測される場合、AC増幅器では、DC威分がカントさ
れるため、同図にAC増幅信号として示すよ゛うに観測
される波形は歪んでしまう。
そこで、電子ビームをパルス化したパルスEBにより、
2次電子信号をパルス状信号にすると、第4図にAC増
幅信号として示すようにパルス部分についてはその周波
数スペクトルが高くなり、その高さは第4図に示すよう
なりC増幅信号と同じになる。しかし、このパルスのピ
ーク値のサンプリングデータを結ぶ信号のプロファイル
は、やはり、もとの信号を微分した形になってしまう。
2次電子信号をパルス状信号にすると、第4図にAC増
幅信号として示すようにパルス部分についてはその周波
数スペクトルが高くなり、その高さは第4図に示すよう
なりC増幅信号と同じになる。しかし、このパルスのピ
ーク値のサンプリングデータを結ぶ信号のプロファイル
は、やはり、もとの信号を微分した形になってしまう。
この状況を2次電子像表示にあてはめると、LSIの配
線パターンの明暗像は水平方向に関し、エツジ部分で微
分されてしまう。また、水平方向にのびた配線パターン
の境界はほとんど識別できなくなってしまう。
線パターンの明暗像は水平方向に関し、エツジ部分で微
分されてしまう。また、水平方向にのびた配線パターン
の境界はほとんど識別できなくなってしまう。
そこで、本実施例では2次電子信号の各パルスの立ち上
がり直前(第4図に示すサンプルホールドタイミング)
のレベルをホールドするサンプルホールド回路22を設
け、このホールドされたレベルを基準に2次電子信号パ
ルスが立ち上がるようにし、もとの2次電子信号とサン
プルホールド出力の差動増幅を差動増幅器23により行
うこととしている。こうすると、パルス信号のピーク値
は、DC増幅信号上にすべてかさなり、DCtc分の復
元が可能となる。
がり直前(第4図に示すサンプルホールドタイミング)
のレベルをホールドするサンプルホールド回路22を設
け、このホールドされたレベルを基準に2次電子信号パ
ルスが立ち上がるようにし、もとの2次電子信号とサン
プルホールド出力の差動増幅を差動増幅器23により行
うこととしている。こうすると、パルス信号のピーク値
は、DC増幅信号上にすべてかさなり、DCtc分の復
元が可能となる。
なお、EBパルスの発生周波数は、種々の応用を考えた
場合でも数IQkflz以上であるため、AC結合増幅
器のカットオフ周波数を数kHz=10kHzに設定し
ても、その信号成分を失うことはなく、その一方で、電
源周波数ノイズに起因する高調波ノイズはハイパスフィ
ルタ21によりほとんど除去することができる。
場合でも数IQkflz以上であるため、AC結合増幅
器のカットオフ周波数を数kHz=10kHzに設定し
ても、その信号成分を失うことはなく、その一方で、電
源周波数ノイズに起因する高調波ノイズはハイパスフィ
ルタ21によりほとんど除去することができる。
信号処理手段24の具体的動作を上述の観点から述べる
と、サンプルホールド回路22には、制御回路11から
EBパルス発生制御信号がストローブ信号として入力さ
れ、このストローブ信号のタイミング、すなわちEBパ
ルス発生のタイミングで、ハイパスフィルタ21により
ノイズの除去された入力2次電子信号がホールドされ、
一定時間(例えば1鮎)電圧が保持される。この場合の
各部の信号の変化は第2図に示される。ハイパスフィル
タ21を通過した信号(ノードNlにおける信号)では
、パルス信号の基準レベルは、各パルスごとに異なり、
パルス高さが同じでも、パルススピーク値は一定でない
。これに対し、サンプルホールド信号とハイパスフィル
タ出力信号の差動増幅出力は常にパルス信号の立ち上が
り時点のレベルをリファレンスとしているため、パルス
高さとパルスのピーク値は一致する。そこで、差動増幅
器23の出力信号を2次電子信号が最大となるタイミン
グでサンプリングしてA/D変換すれば、前節で述べた
問題点が解決される。
と、サンプルホールド回路22には、制御回路11から
EBパルス発生制御信号がストローブ信号として入力さ
れ、このストローブ信号のタイミング、すなわちEBパ
ルス発生のタイミングで、ハイパスフィルタ21により
ノイズの除去された入力2次電子信号がホールドされ、
一定時間(例えば1鮎)電圧が保持される。この場合の
各部の信号の変化は第2図に示される。ハイパスフィル
タ21を通過した信号(ノードNlにおける信号)では
、パルス信号の基準レベルは、各パルスごとに異なり、
パルス高さが同じでも、パルススピーク値は一定でない
。これに対し、サンプルホールド信号とハイパスフィル
タ出力信号の差動増幅出力は常にパルス信号の立ち上が
り時点のレベルをリファレンスとしているため、パルス
高さとパルスのピーク値は一致する。そこで、差動増幅
器23の出力信号を2次電子信号が最大となるタイミン
グでサンプリングしてA/D変換すれば、前節で述べた
問題点が解決される。
すなわち、低周波ノイズの影響を除去して測定誤差の低
減を図ることができるとともに、ノイズの影響がないの
で、細部の観測も容易であるから、結果的に測定時間を
短縮することができる。また、周期変化している電圧波
形の測定では良好な周波数特性を得ることができ、測定
性能が向上する。
減を図ることができるとともに、ノイズの影響がないの
で、細部の観測も容易であるから、結果的に測定時間を
短縮することができる。また、周期変化している電圧波
形の測定では良好な周波数特性を得ることができ、測定
性能が向上する。
次に、第5図は本発明の他の実施例を示す図であり、本
実施例は2次電子検出手段としてMCP41を用い、そ
の出力電流信号をAC結合増幅器に人力するものである
。すなわち、2次電子5はMCP41により検出され、
MCP41の図中下端面には+100Vが、上端面には
+1kVが印加されている。2次電子信号はDCの高電
圧(+1kV)に重畳されて出力され、AC結合のため
のアイソレーションコンデンサ42を介して増幅器43
に送られて増幅され、その後、第2図のノードN、に接
続される。なお、増幅器43はオペアンプOP、および
抵抗R5、R,からなり、またR4は抵抗である。本実
施例では、MCP42に印加された高電圧はアイソレー
ションコンデンサ42によりカントされるとともに、こ
のコンデンサ42がハイパスフィルタとしての機能も有
し、ノイズ成分も除去されてノードN、に送られる。し
たがって、いわゆるアイソレーションアンプを用いる必
要がなく、従来の問題点で述べたような課題、すなわち
周波数帯域の制限やアイソレージシンのためのスイッチ
ングノイズの影響を解決することができ、MCP41を
検出器として用いて十分に実用に供することができる。
実施例は2次電子検出手段としてMCP41を用い、そ
の出力電流信号をAC結合増幅器に人力するものである
。すなわち、2次電子5はMCP41により検出され、
MCP41の図中下端面には+100Vが、上端面には
+1kVが印加されている。2次電子信号はDCの高電
圧(+1kV)に重畳されて出力され、AC結合のため
のアイソレーションコンデンサ42を介して増幅器43
に送られて増幅され、その後、第2図のノードN、に接
続される。なお、増幅器43はオペアンプOP、および
抵抗R5、R,からなり、またR4は抵抗である。本実
施例では、MCP42に印加された高電圧はアイソレー
ションコンデンサ42によりカントされるとともに、こ
のコンデンサ42がハイパスフィルタとしての機能も有
し、ノイズ成分も除去されてノードN、に送られる。し
たがって、いわゆるアイソレーションアンプを用いる必
要がなく、従来の問題点で述べたような課題、すなわち
周波数帯域の制限やアイソレージシンのためのスイッチ
ングノイズの影響を解決することができ、MCP41を
検出器として用いて十分に実用に供することができる。
また、2次電子信号の処理の高速化も容易になるという
利点がある。
利点がある。
なお、本発明の適用はSEM、−電子ビームテスタ等に
限らず、2次電子信号を信号処理して試料に関連のある
物理量を得ようとするものには全てに適用が可能である
。
限らず、2次電子信号を信号処理して試料に関連のある
物理量を得ようとするものには全てに適用が可能である
。
本発明よれば、低周波ノイズの影響を除去することがで
き、測定誤差の低減および測定時間の短縮を図ることが
できるとともに、周期変化している電圧波形の測定では
良好な周波数特性を得ることができ、さらにMCPを検
出器として用いた場合でも十分に実用に供することがで
きる。
き、測定誤差の低減および測定時間の短縮を図ることが
できるとともに、周期変化している電圧波形の測定では
良好な周波数特性を得ることができ、さらにMCPを検
出器として用いた場合でも十分に実用に供することがで
きる。
第1〜4図は本発明に係る電子ビーム装置の−実施例を
示す図であり、 第1図はそのブロック構成図、 第2図はその信号処理手段の回路図、 第3図はその増幅信号の波形を示す図、第4図はそのサ
ンプルホールドを説明するための波形を示す図、 第5図は本発明に係る電子ビーム装置の他の実施例の要
部の構成図、 第6図は従来の電子ビーム装置のブロック構成図である
。 l・・・・・・電子ビーム鏡筒、 2・・・・・・試料室、 3・・・・・・試料、 4・・・・・・EBパルスゲート、 5・・・・・・2次電子、 6・・・・・・シンチレータ、 7・・・・・・フォトマルチプライヤ、8・・・・・・
電流電圧変換器、 10・・・・・・A/D変換器、 11・・・・・・制御回路、 12・・・・・・サンプリングデイレイ回路、13・・
・・・・制御計算機、 14・・・・・・ブランキングドライバ、21・・・・
・・ハイパスフィルタ、 22・・・・・・サンプルホールド回路、23・・・・
・・差動増幅器、 24・・・・・・信号処理手段、 31・・・・・・パルス化手段、 32・・・・・・照射手段、 33・・・・・・2次電子検出手段、 34・・・・・・測定手段、 41・・・・・・MCP (2次電子検出手段〉、42
・・・・・・アイソレーションコンデンサ(ハイパスフ
ィルタ〉、 43・・・・・・増幅器。 2次電子信号 一実施例の増幅信号の波形を示す図 第 図 2次電子信号 AC増幅信号 一実施例のサンプルホールドを説明するための波形を示
す図第 図
示す図であり、 第1図はそのブロック構成図、 第2図はその信号処理手段の回路図、 第3図はその増幅信号の波形を示す図、第4図はそのサ
ンプルホールドを説明するための波形を示す図、 第5図は本発明に係る電子ビーム装置の他の実施例の要
部の構成図、 第6図は従来の電子ビーム装置のブロック構成図である
。 l・・・・・・電子ビーム鏡筒、 2・・・・・・試料室、 3・・・・・・試料、 4・・・・・・EBパルスゲート、 5・・・・・・2次電子、 6・・・・・・シンチレータ、 7・・・・・・フォトマルチプライヤ、8・・・・・・
電流電圧変換器、 10・・・・・・A/D変換器、 11・・・・・・制御回路、 12・・・・・・サンプリングデイレイ回路、13・・
・・・・制御計算機、 14・・・・・・ブランキングドライバ、21・・・・
・・ハイパスフィルタ、 22・・・・・・サンプルホールド回路、23・・・・
・・差動増幅器、 24・・・・・・信号処理手段、 31・・・・・・パルス化手段、 32・・・・・・照射手段、 33・・・・・・2次電子検出手段、 34・・・・・・測定手段、 41・・・・・・MCP (2次電子検出手段〉、42
・・・・・・アイソレーションコンデンサ(ハイパスフ
ィルタ〉、 43・・・・・・増幅器。 2次電子信号 一実施例の増幅信号の波形を示す図 第 図 2次電子信号 AC増幅信号 一実施例のサンプルホールドを説明するための波形を示
す図第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 試料(3)の測定箇所に対して電子ビームを照射する照
射手段(32)と、 試料(3)から放出される2次電子を検出し、2次電子
信号を出力する2次電子検出手段(33、41)と、 該2次電子信号を信号処理して試料(3)に関連のある
物理量を測定する測定手段(34)と、を備えた電子ビ
ーム装置において、 前記電子ビームをパルス化するパルス化手段(31)と
、 前記2次電子検出手段(33、41)と測定手段(34
)との間に配置される信号処理手段24とを設け、 該信号処理手段(24)は、前記2次電子検出手段(3
3、41)から出力される2次電子信号のうち交流分の
みを通過させるハイパスフィルタ(21、42)と、ハ
イパスフィルタ(21、42)の出力信号をサンプルホ
ールドするサンプルホールド回路(22)と、ハイパス
フィルタ(21、42)の出力信号とサンプルホールド
回路(22)の出力信号との差分を出力する差動増幅器
(23)とを有し、前記測定手段(34)は、該差動増
幅器(23)の出力に基づいて試料(3)に関連のある
物理量を測定するように構成したことを特徴とする電子
ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322956A JPH03183145A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322956A JPH03183145A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183145A true JPH03183145A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18149519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1322956A Pending JPH03183145A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03183145A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006126576A1 (ja) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Takahashi, Kazutoshi | 微細領域撮像装置及び微細領域撮像方法 |
| JP2007200931A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Fab Solution Kk | 微細領域撮像装置及び微細領域撮像方法 |
| JP2010135679A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体検査装置及び検査方法 |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP1322956A patent/JPH03183145A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006126576A1 (ja) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Takahashi, Kazutoshi | 微細領域撮像装置及び微細領域撮像方法 |
| JPWO2006126576A1 (ja) * | 2005-05-26 | 2008-12-25 | 功一 鈴木 | 微細領域撮像装置及び微細領域撮像方法 |
| JP2007200931A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Fab Solution Kk | 微細領域撮像装置及び微細領域撮像方法 |
| JP2010135679A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体検査装置及び検査方法 |
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