JPH03183179A - 光半導体素子の実装方法 - Google Patents
光半導体素子の実装方法Info
- Publication number
- JPH03183179A JPH03183179A JP1322146A JP32214689A JPH03183179A JP H03183179 A JPH03183179 A JP H03183179A JP 1322146 A JP1322146 A JP 1322146A JP 32214689 A JP32214689 A JP 32214689A JP H03183179 A JPH03183179 A JP H03183179A
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- Japan
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- film
- solder material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザなどの光半導体素子をブロックに
接着する実装方法に関する。
接着する実装方法に関する。
従来の技術
半導体レーザは光通信、光情報処理などの光源として注
目され、現在の高度情報化社会において必要不可欠のキ
ーデバイスとなっている。なかでも光出力の大きい高出
力半導体レーザは光ディスクやレーザビームプリンタな
どの光源として重要な位置づけにある。
目され、現在の高度情報化社会において必要不可欠のキ
ーデバイスとなっている。なかでも光出力の大きい高出
力半導体レーザは光ディスクやレーザビームプリンタな
どの光源として重要な位置づけにある。
このような高出力半導体レーザは動作時の駆動電流が大
きく発熱量も大きいので、放熱効果を良くするためにレ
ーザチップを直接鋼ブロックに接着するなど実装におい
て種々の工夫がなされている。
きく発熱量も大きいので、放熱効果を良くするためにレ
ーザチップを直接鋼ブロックに接着するなど実装におい
て種々の工夫がなされている。
第２図（ａ）にレーザチップが実装されている全体図を
示す。半導体レーザはステム２１に設けられた銅ブロッ
ク２２に接着されている。２３は半導体レーザからの光
出力を検出するモニター用ホトダイオードである。第２
図（ｂ）は銅ブロック２２の部分の拡大図である。熱放
散を良くするため半導体レーザチップ２５はＩｎ半田２
４を介して直接鋼ブロックに接着されている。
示す。半導体レーザはステム２１に設けられた銅ブロッ
ク２２に接着されている。２３は半導体レーザからの光
出力を検出するモニター用ホトダイオードである。第２
図（ｂ）は銅ブロック２２の部分の拡大図である。熱放
散を良くするため半導体レーザチップ２５はＩｎ半田２
４を介して直接鋼ブロックに接着されている。
第３図に従来の半田材を転写するための工程を示す。第
３図（ａ）に示すように銅ブロツク２２上に半田材とな
るＩｎ蒸着膜２７を被着したテフロンフィルム２６を載
置し、さらにその上から超音波とて２８で加圧すると同
時に超音波を印加すると第３図（ｂ）に示すように超音
波こて２８の形状に応じた形状にＩｎ半田２４が転写さ
れる。
３図（ａ）に示すように銅ブロツク２２上に半田材とな
るＩｎ蒸着膜２７を被着したテフロンフィルム２６を載
置し、さらにその上から超音波とて２８で加圧すると同
時に超音波を印加すると第３図（ｂ）に示すように超音
波こて２８の形状に応じた形状にＩｎ半田２４が転写さ
れる。
この後、Ｉｎ半田２４の上に半導体レーザチップ２５を
接着すると第２図（ｂ）のように半導体レーザチップ２
５を直接銅ブロック２２に接着することができる。
接着すると第２図（ｂ）のように半導体レーザチップ２
５を直接銅ブロック２２に接着することができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながらこのような従来の実装方法においてＩｎ半
田２４が転写される位置は転写の際の超音波こて２８と
銅ブロック２２との位置関係によって決まってしまうの
で精密な位置合わせを必要としていた。また、Ｉｎ蒸着
膜２７が転写される際にＩｎの切断がうまく行われずに
、Ｉｎ半田２４の周囲にパリが出るという問題点もあっ
た。特にＩｎ蒸着膜２７の膜厚が厚い場合にパリが出や
すいという課題があった。また、パリが出ないためのＩ
ｎ蒸着膜２７の膜厚は３μｍが限界であるが半導体レー
ザチップ２５の接着性を良くしようとすると５μｍ以上
の膜厚が必要であり、接着性とパリとはトレードオフの
関係にあるという課題もあった。
田２４が転写される位置は転写の際の超音波こて２８と
銅ブロック２２との位置関係によって決まってしまうの
で精密な位置合わせを必要としていた。また、Ｉｎ蒸着
膜２７が転写される際にＩｎの切断がうまく行われずに
、Ｉｎ半田２４の周囲にパリが出るという問題点もあっ
た。特にＩｎ蒸着膜２７の膜厚が厚い場合にパリが出や
すいという課題があった。また、パリが出ないためのＩ
ｎ蒸着膜２７の膜厚は３μｍが限界であるが半導体レー
ザチップ２５の接着性を良くしようとすると５μｍ以上
の膜厚が必要であり、接着性とパリとはトレードオフの
関係にあるという課題もあった。
課題を解決するための手段
本発明はこのような従来の光半導体素子の実装における
課題を解決するためになされたもので、フィルムに被着
された半田材を、こてによりフィルムの裏面から加圧す
ることによってブロック上に設けられた突起に転写する
工程と、前記ブロック上の突起に転写された半田材で光
半導体素子を接着する工程とを有する手段を特徴とする
ものである。
課題を解決するためになされたもので、フィルムに被着
された半田材を、こてによりフィルムの裏面から加圧す
ることによってブロック上に設けられた突起に転写する
工程と、前記ブロック上の突起に転写された半田材で光
半導体素子を接着する工程とを有する手段を特徴とする
ものである。
作用
本発明は上述のような手段により、半田材はブロック上
に設けられた突起に転写することができるので、半田材
の転写の際の精密な位置合わせが不必要になることのほ
かに、ブロックに設けられた突起の周囲はそのほかの部
分に比べて強く加圧されるのでフィルムに被着された半
田材がブロックに設けられた突起の周囲で切断されやす
くなり半田材の膜厚を厚くしても転写された半田材の周
囲でパリが出ると言うようなこともなくなるという作用
を有する。
に設けられた突起に転写することができるので、半田材
の転写の際の精密な位置合わせが不必要になることのほ
かに、ブロックに設けられた突起の周囲はそのほかの部
分に比べて強く加圧されるのでフィルムに被着された半
田材がブロックに設けられた突起の周囲で切断されやす
くなり半田材の膜厚を厚くしても転写された半田材の周
囲でパリが出ると言うようなこともなくなるという作用
を有する。
実施例
以下、実施例に従って本発明を説明する。第１図（ａ）
〜（ｄ）に本発明の一実施例の光半導体素子の実装工程
を示す。第１図（ａ）に示すように銅ブロック１に突起
２を設ける。突起２は、例えば幅５００ ｕ ｒｒｈ
奥行き５００ ｕ ｍｓ 高さ１００μｍの形状で、
半導体レーザチップを接着する上面は精密に加工されて
いる。次に、第１図（ｂ）に示すように銅ブロツク１上
に半田材となるＩｎ蒸着膜４を被着したテフロンフィル
ム３を載置し、さらにその上から超音波こて５で加圧す
ると同時に超音波を印加すると第１図（Ｃ）に示すよう
にブロック１に設けられた突起２の上面にのみ選択的に
Ｉｎ半田６が転写される。超音波こて５の先端の大きさ
は突起２の大きさよりも十分大きい大きさ例えば直径１
ｍｍの大きさのものでよい。またテフロンフィルム３は
例えば厚さ５０μｍのものを用い、Ｉｎ蒸着膜４の膜厚
は例えば５μｍのものを用いた場合、パリの発生もなく
良好に転写される。この後、Ｉｎ半田６の上に半導体レ
ーザチップ７を接着すると第１図（ｄ）のように半導体
レーザチップ７を直接鋼ブロック１に接着することがで
きる。
〜（ｄ）に本発明の一実施例の光半導体素子の実装工程
を示す。第１図（ａ）に示すように銅ブロック１に突起
２を設ける。突起２は、例えば幅５００ ｕ ｒｒｈ
奥行き５００ ｕ ｍｓ 高さ１００μｍの形状で、
半導体レーザチップを接着する上面は精密に加工されて
いる。次に、第１図（ｂ）に示すように銅ブロツク１上
に半田材となるＩｎ蒸着膜４を被着したテフロンフィル
ム３を載置し、さらにその上から超音波こて５で加圧す
ると同時に超音波を印加すると第１図（Ｃ）に示すよう
にブロック１に設けられた突起２の上面にのみ選択的に
Ｉｎ半田６が転写される。超音波こて５の先端の大きさ
は突起２の大きさよりも十分大きい大きさ例えば直径１
ｍｍの大きさのものでよい。またテフロンフィルム３は
例えば厚さ５０μｍのものを用い、Ｉｎ蒸着膜４の膜厚
は例えば５μｍのものを用いた場合、パリの発生もなく
良好に転写される。この後、Ｉｎ半田６の上に半導体レ
ーザチップ７を接着すると第１図（ｄ）のように半導体
レーザチップ７を直接鋼ブロック１に接着することがで
きる。
本発明の特徴とするところは（１）超音波こて５の先端
の大きさは突起２の大きさよりも十分大きい大きさにと
っておくと超音波こて５に印加した加重および超音波は
突起２の上面にのみ集中的に印加され、突起２の上面に
のみ選択的にＩｎ半田６を転写することができるので、
超音波こて５と銅ブロック１との精密な位置合わせを必
要としないことおよび（２）印加された加圧および超音
波が突起２の周囲で強くなるのでＩｎ蒸着ｗＸ４の膜厚
が厚くても切断されやすく、転写されたＩｎ半田の周囲
にパリが出にくいことである。発明者の実験によるとＩ
ｎ蒸着膜の厚さが１０μｍでもパリの発生はなかった。
の大きさは突起２の大きさよりも十分大きい大きさにと
っておくと超音波こて５に印加した加重および超音波は
突起２の上面にのみ集中的に印加され、突起２の上面に
のみ選択的にＩｎ半田６を転写することができるので、
超音波こて５と銅ブロック１との精密な位置合わせを必
要としないことおよび（２）印加された加圧および超音
波が突起２の周囲で強くなるのでＩｎ蒸着ｗＸ４の膜厚
が厚くても切断されやすく、転写されたＩｎ半田の周囲
にパリが出にくいことである。発明者の実験によるとＩ
ｎ蒸着膜の厚さが１０μｍでもパリの発生はなかった。
従って半導体レーザチップ７に対して十分な接着強度を
得るのに必要な膜厚５μｍ以上のＩｎ半田６を転写する
ことができる。
得るのに必要な膜厚５μｍ以上のＩｎ半田６を転写する
ことができる。
なお、上述の本発明の一実施例の説明では光半導体素子
として半導体レーザチップを接着する場合について説明
したが、発光ダイオードなどであっても良いことはもち
ろんである。また、銅ブロック１の代わりに突起を設け
たＳｔのサブマウント（ブロック）など、あるいは突起
２の代わりに銅ブロックに接着されたＳＬのサブマウン
ト（ブロック）などであっても同様であることはいうま
でもない。さらに、半田材としてＩｎを例にとって説明
したがＡｕ−８ｎやＰｂ−８ｎなどの半田材であっても
同様であることはいうまでもない。
として半導体レーザチップを接着する場合について説明
したが、発光ダイオードなどであっても良いことはもち
ろんである。また、銅ブロック１の代わりに突起を設け
たＳｔのサブマウント（ブロック）など、あるいは突起
２の代わりに銅ブロックに接着されたＳＬのサブマウン
ト（ブロック）などであっても同様であることはいうま
でもない。さらに、半田材としてＩｎを例にとって説明
したがＡｕ−８ｎやＰｂ−８ｎなどの半田材であっても
同様であることはいうまでもない。
さらに、テフロンフィルム３の代わりに耐熱性樹脂など
を用いても良い。
を用いても良い。
発明の詳細
な説明したように本発明はフィルムに被着された半田材
を、こてによりフィルムの裏面から加圧することによっ
てブロック上に設けられた突起に転写するという手段に
より、半田材の転写の際の精密な位置合わせが不必要に
なることのほかに、半田材の膜厚を厚くしても転写され
た半田材の周囲でパリが出ると言うようなこともなくな
り、半導体素子の実装に優れた効果を発揮するものであ
る。
を、こてによりフィルムの裏面から加圧することによっ
てブロック上に設けられた突起に転写するという手段に
より、半田材の転写の際の精密な位置合わせが不必要に
なることのほかに、半田材の膜厚を厚くしても転写され
た半田材の周囲でパリが出ると言うようなこともなくな
り、半導体素子の実装に優れた効果を発揮するものであ
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の光半導体素子の実装方
法の一実施例の工程斜視図、第２図（ａ）（ｂ）は従来
の素子実装後の状態斜視図、第３図（ａ）、 （ｂ）
は従来の素子実装方法の工程斜視図である。 １・・・銅ブロック、２・・１突起、３・・・テフロン
シート、４・・・Ｉｎ蒸着膜、５・・・超音波こて、６
・・ｓＩｎ半田、７・◆・半導体レーザチップ。
法の一実施例の工程斜視図、第２図（ａ）（ｂ）は従来
の素子実装後の状態斜視図、第３図（ａ）、 （ｂ）
は従来の素子実装方法の工程斜視図である。 １・・・銅ブロック、２・・１突起、３・・・テフロン
シート、４・・・Ｉｎ蒸着膜、５・・・超音波こて、６
・・ｓＩｎ半田、７・◆・半導体レーザチップ。
Claims (1)
- フィルムに被着された半田材を、こてによりフィルムの
裏面から加圧することによってブロック上に設けられた
突起に転写する工程と、前記ブロック上の突起に転写さ
れた半田材で光半導体素子を接着する工程とを有するこ
とを特徴とする光半導体素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322146A JPH0671123B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 光半導体素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322146A JPH0671123B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 光半導体素子の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183179A true JPH03183179A (ja) | 1991-08-09 |
| JPH0671123B2 JPH0671123B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=18140444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1322146A Expired - Fee Related JPH0671123B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 光半導体素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671123B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219530A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Sharp Corp | 光半導体素子のダイボンド方法 |
| JPS63115249U (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-25 |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP1322146A patent/JPH0671123B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219530A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Sharp Corp | 光半導体素子のダイボンド方法 |
| JPS63115249U (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0671123B2 (ja) | 1994-09-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |