JPH03183675A - 不活性ガス雰囲気下の気密基板コーティング法 - Google Patents
不活性ガス雰囲気下の気密基板コーティング法Info
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- JPH03183675A JPH03183675A JP2276603A JP27660390A JPH03183675A JP H03183675 A JPH03183675 A JP H03183675A JP 2276603 A JP2276603 A JP 2276603A JP 27660390 A JP27660390 A JP 27660390A JP H03183675 A JPH03183675 A JP H03183675A
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- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/43—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising oxides, nitrides or carbides, e.g. ceramics or glasses
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- C09D183/04—Polysiloxanes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非結晶珪素、珪素、炭化珪素、窒化珪素及び
炭化窒化珪素のような物質からなる表面セラミックコー
ティングによる電子デバイスのような基板の保護に関す
る。
炭化窒化珪素のような物質からなる表面セラミックコー
ティングによる電子デバイスのような基板の保護に関す
る。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕多様な
環境条件下で電子デバイスを長持ちさせるには、湿分、
熱及び摩耗等に耐えることが必要である。これらのデバ
イスをできるだけ上記の状態にさらさないようにして、
デバイスの信頼性を増し寿命を延ばそうとする種々の保
護手段に関して相当な努力が払われてきた。しかし、大
部分のこれらの手段は色々な欠点をもっている。
環境条件下で電子デバイスを長持ちさせるには、湿分、
熱及び摩耗等に耐えることが必要である。これらのデバ
イスをできるだけ上記の状態にさらさないようにして、
デバイスの信頼性を増し寿命を延ばそうとする種々の保
護手段に関して相当な努力が払われてきた。しかし、大
部分のこれらの手段は色々な欠点をもっている。
例えば、初期の方法は環境にさらさないようにするため
に、電子デバイスを高分子樹脂とともにはめ込んでいた
。しかし、大部分の樹脂は環境湿分に対する透湿性があ
り、そのために通常余分な大きさと重さを要するので、
これらの方法は限られた価値でしかなかった。次の保護
方法は、この電子デバイスをセラミックパッケージ内に
封入することである。この方法はデバイスの信頼性を増
す点で比較的効果があることがわかり、また最近は精選
した用途に使われている。しかし、この方法は大きさ、
重さそしてコストが余計にかかるので電子工業における
広範な使用をさまたげている。
に、電子デバイスを高分子樹脂とともにはめ込んでいた
。しかし、大部分の樹脂は環境湿分に対する透湿性があ
り、そのために通常余分な大きさと重さを要するので、
これらの方法は限られた価値でしかなかった。次の保護
方法は、この電子デバイスをセラミックパッケージ内に
封入することである。この方法はデバイスの信頼性を増
す点で比較的効果があることがわかり、また最近は精選
した用途に使われている。しかし、この方法は大きさ、
重さそしてコストが余計にかかるので電子工業における
広範な使用をさまたげている。
本発明は、水素シルセスキオキサンレジン又は加水分解
したあるいは一部加水分解したＲつＳｉ （ＯＲ） ａ
〔式中、Ｒはアルキル、アリール及び不飽和炭化水素基
から独立に選んだ基；そしてＸは０〜２を表す〕からな
る群から選んだ物質を、不活性ガス雰囲気下において温
度５００−ｉｏｏｏｏＣでセラミック又はセラミック様
コーティングにすることができることを見出した。
したあるいは一部加水分解したＲつＳｉ （ＯＲ） ａ
〔式中、Ｒはアルキル、アリール及び不飽和炭化水素基
から独立に選んだ基；そしてＸは０〜２を表す〕からな
る群から選んだ物質を、不活性ガス雰囲気下において温
度５００−ｉｏｏｏｏＣでセラミック又はセラミック様
コーティングにすることができることを見出した。
本発明は、酸素のない状態で基板上にセラミック又はセ
ラミック様コーティングを形成する方法に関する。この
方法は、溶剤と、そして水素シルセスキオキサンレジン
（Ｈ−レジン）及び加水分解した又は一部加水分解した
ＲＸＳｉ （ＯＲ） ａ−ｘ、〔式中、Ｒはアルキル、
アリール及び不飽和炭化水素基からなる群から独立に選
んだ基、そしてＸは０〜２を表す〕からなる群から選ん
だ、１つ又はそれ以上のプレセラミック材料とを含んで
なる溶液を基板に塗布することを含んでなる。この溶剤
を蒸発しそしてプレセラミックコーティングを基板上に
析出させる。次いでコーティングした基板を不活性ガス
雰囲気下で温度約５００〜１０００°Ｃに加熱してこの
プレセラミックコーティングをセラ要ツタ化すれば、基
板上にセラミック又はセラミック様コーティングができ
る。
ラミック様コーティングを形成する方法に関する。この
方法は、溶剤と、そして水素シルセスキオキサンレジン
（Ｈ−レジン）及び加水分解した又は一部加水分解した
ＲＸＳｉ （ＯＲ） ａ−ｘ、〔式中、Ｒはアルキル、
アリール及び不飽和炭化水素基からなる群から独立に選
んだ基、そしてＸは０〜２を表す〕からなる群から選ん
だ、１つ又はそれ以上のプレセラミック材料とを含んで
なる溶液を基板に塗布することを含んでなる。この溶剤
を蒸発しそしてプレセラミックコーティングを基板上に
析出させる。次いでコーティングした基板を不活性ガス
雰囲気下で温度約５００〜１０００°Ｃに加熱してこの
プレセラミックコーティングをセラ要ツタ化すれば、基
板上にセラミック又はセラミック様コーティングができ
る。
本発明の方法は、セラミック化に必要な温度において酸
化してしまう基板の上に保護コーティングを形成するの
に有用である。この方法は、酸化されやすい銅又は他の
金属を含む電子デバイスを封入するのに特に有利である
。
化してしまう基板の上に保護コーティングを形成するの
に有用である。この方法は、酸化されやすい銅又は他の
金属を含む電子デバイスを封入するのに特に有利である
。
本発明は、上記で形成したコーティング上へ更に追加す
るセラミックコーティングの形成にも関する。二層系で
は、２番目のパッシベーション層は珪素含有コーティン
グ、珪素・炭素含有コーティング、珪素・窒素含有コー
ティング、珪素・炭素・窒素含有コーティング又は上記
で形成したコーティングの追加コーティングを含むこと
ができる。三層系では、２番目のパッシベーション層は
珪素・炭素含有コーティング、珪素・窒素含有コ−ティ
ング、珪素・炭素・窒素含有コーティング又は上記で形
成したコーティングの追加コーティングを含むことがで
き、そして３番目のバリアコーティングは珪素コーティ
ング、珪素・炭素コーティング、珪素・窒素コーティン
グ及び珪素・炭素・窒素コーティングを含むことができ
る。
るセラミックコーティングの形成にも関する。二層系で
は、２番目のパッシベーション層は珪素含有コーティン
グ、珪素・炭素含有コーティング、珪素・窒素含有コー
ティング、珪素・炭素・窒素含有コーティング又は上記
で形成したコーティングの追加コーティングを含むこと
ができる。三層系では、２番目のパッシベーション層は
珪素・炭素含有コーティング、珪素・窒素含有コ−ティ
ング、珪素・炭素・窒素含有コーティング又は上記で形
成したコーティングの追加コーティングを含むことがで
き、そして３番目のバリアコーティングは珪素コーティ
ング、珪素・炭素コーティング、珪素・窒素コーティン
グ及び珪素・炭素・窒素コーティングを含むことができ
る。
上述したコーティング層を、例えば化学気相蒸着、プラ
ズマ励起化学気相蒸着、金属補助化学気相蒸着及び（又
は）プレセラＱ ”／クボリマーのセラミック化を含む
、ただしこれらに限定されないが、各種の技術を用いて
蒸着することができる。
ズマ励起化学気相蒸着、金属補助化学気相蒸着及び（又
は）プレセラＱ ”／クボリマーのセラミック化を含む
、ただしこれらに限定されないが、各種の技術を用いて
蒸着することができる。
本発明は、Ｈ−レジン及び加水分解したあるいは一部加
水分解したＲＸＳｉ（ＯＲ） ４−Ｘを含む群から選ん
だ材料を、不活性ガス雰囲気下において温度約５００〜
１ｏｏｏ’ｃでセラミック又はセラミック様コーティン
グに転化できるという発見に基づいている。
水分解したＲＸＳｉ（ＯＲ） ４−Ｘを含む群から選ん
だ材料を、不活性ガス雰囲気下において温度約５００〜
１ｏｏｏ’ｃでセラミック又はセラミック様コーティン
グに転化できるという発見に基づいている。
このようなプレセラミック材料のセラ藁ツク化は、以前
空気又はアンモニアのような反応性雰囲気下の加熱によ
っておこなわれてきたので、セラミック又はセラくツタ
様コーティングを不活性雰囲気下において形成できると
いうこの発見は予期しないものであった。同様に、不活
性雰囲気下において形成したコーティングが電子デバイ
スの保護コーティングとして有効であることも意外であ
った。
空気又はアンモニアのような反応性雰囲気下の加熱によ
っておこなわれてきたので、セラミック又はセラくツタ
様コーティングを不活性雰囲気下において形成できると
いうこの発見は予期しないものであった。同様に、不活
性雰囲気下において形成したコーティングが電子デバイ
スの保護コーティングとして有効であることも意外であ
った。
本発明は、不活性ガス又はアンモニア雰囲気下において
析出させる追加の珪素、珪素・窒素、珪素・炭素又は珪
素・炭素・窒素含有のパッシベーションコーティング及
びバリアコーティングをもって、本発明になる上記コー
ティング上にオーバーコーテイングできるという発見に
関する。
析出させる追加の珪素、珪素・窒素、珪素・炭素又は珪
素・炭素・窒素含有のパッシベーションコーティング及
びバリアコーティングをもって、本発明になる上記コー
ティング上にオーバーコーテイングできるという発見に
関する。
ここで述べる単層及び多層コーティングは、酸素含有雰
囲気下において高温にさらした場合に酸化を受けやすい
基板の保護コーティングとして特に有用である。しかし
本発明によってコーティングすべき基板やデバイスは、
本発明で使用する温度と雰囲気におけるその基板の熱的
、化学的安定性だけで選べばよい。その上、ここに述べ
るコーティングは誘電層、トランジスタ様デバイスとな
るドーピングした誘電層、多層デバイス、３−Ｄ三次元
デバイス、珪素被覆絶縁体デバイス、超格子デバイス等
として使うことができる。
囲気下において高温にさらした場合に酸化を受けやすい
基板の保護コーティングとして特に有用である。しかし
本発明によってコーティングすべき基板やデバイスは、
本発明で使用する温度と雰囲気におけるその基板の熱的
、化学的安定性だけで選べばよい。その上、ここに述べ
るコーティングは誘電層、トランジスタ様デバイスとな
るドーピングした誘電層、多層デバイス、３−Ｄ三次元
デバイス、珪素被覆絶縁体デバイス、超格子デバイス等
として使うことができる。
本発明で用いる用語で、“セラミック様”°とは残留炭
素及び（又は）水素が完全に無ではないがそれ以外はセ
ラ壽ツクとしての性質をもつ熱分解された材料； “プ
ラナリアコーティング′とはコーティングする前の表面
よりも不整でない表面バリア層を与えるコーティング；
°“電子デバイス”又は″゛電子回路′°は珪素ベー
スのデバイス、砒化ガリウムベースのデバイス、集魚面
配列、オプトエレクトロニクスデバイス、光電池、及び
光学デバイスを含むがこれらに限定されず；そして“加
水分解した又は一部加水分解した“とは、シランでの水
分解できる置換基の全部又は一部を加水分解するために
水性、塩基性又は酸性条件で処理したシラン又はシラン
混合物を示すのに用いる。
素及び（又は）水素が完全に無ではないがそれ以外はセ
ラ壽ツクとしての性質をもつ熱分解された材料； “プ
ラナリアコーティング′とはコーティングする前の表面
よりも不整でない表面バリア層を与えるコーティング；
°“電子デバイス”又は″゛電子回路′°は珪素ベー
スのデバイス、砒化ガリウムベースのデバイス、集魚面
配列、オプトエレクトロニクスデバイス、光電池、及び
光学デバイスを含むがこれらに限定されず；そして“加
水分解した又は一部加水分解した“とは、シランでの水
分解できる置換基の全部又は一部を加水分解するために
水性、塩基性又は酸性条件で処理したシラン又はシラン
混合物を示すのに用いる。
本発明において、溶剤と、そしてＨ−レジン及び加水分
解した又は一部加水分解したＲＸＳＩ（ＯＲ）４−Ｘ〔
式中、Ｒはアルキル、アリール、及び不飽和炭化水素基
を含む群から独立に選んだ基；そしてＸは０〜２を表す
〕からなる群から選んだ１つ又はそれ以上のプレセラミ
ック材料とを含んでなる溶液を基板に塗布することを含
んでなる方法で、最初のセラミック又はセラミック様の
層を形成することができる。基板上に析出したブレセラ
藁ツクコーティングをそのままにしてこの溶剤を蒸発さ
せる。次に被膜を形成するために、コーティングした基
板を不活性雰囲気下において温度約５００〜１０００℃
に加熱する。
解した又は一部加水分解したＲＸＳＩ（ＯＲ）４−Ｘ〔
式中、Ｒはアルキル、アリール、及び不飽和炭化水素基
を含む群から独立に選んだ基；そしてＸは０〜２を表す
〕からなる群から選んだ１つ又はそれ以上のプレセラミ
ック材料とを含んでなる溶液を基板に塗布することを含
んでなる方法で、最初のセラミック又はセラミック様の
層を形成することができる。基板上に析出したブレセラ
藁ツクコーティングをそのままにしてこの溶剤を蒸発さ
せる。次に被膜を形成するために、コーティングした基
板を不活性雰囲気下において温度約５００〜１０００℃
に加熱する。
本発明で用いることができるプレセラミック材料は、水
素シルセスキオキサンレジン（Ｈ−レジン）、ＲＸＳＩ
（ＯＲ）４−Ｘ又はこれらの材料の組合せを含む〔式中
、Ｒはメチル、エチル、プロピル基のような炭素原子工
〜２０のアルキル基、フェニル基のようなアリール基、
又はビニルあるいはアリル基のような不飽和炭化水素；
そしてＸは０〜２を表す〕。Ｈ−レジンは、米国特許第
３，６１５，２７２号明細書にあるフリエ（Ｆｒｙｅ）
他の方法で作ることができる。この材料は、基本構造が
（Ｈ５ｉ０３ｉ□）７〔式中、ｎは一般に１０〜１００
０を表す〕である。このレジンは数平均分子量が約８０
０〜２９００で、重量平均分子量が約８０００〜２８０
００である。セラミック化すれば、この材料は本質的ム
こ５ｉ−）１結合がないセラミック又はセラミック様コ
ーティングを生じる。
素シルセスキオキサンレジン（Ｈ−レジン）、ＲＸＳＩ
（ＯＲ）４−Ｘ又はこれらの材料の組合せを含む〔式中
、Ｒはメチル、エチル、プロピル基のような炭素原子工
〜２０のアルキル基、フェニル基のようなアリール基、
又はビニルあるいはアリル基のような不飽和炭化水素；
そしてＸは０〜２を表す〕。Ｈ−レジンは、米国特許第
３，６１５，２７２号明細書にあるフリエ（Ｆｒｙｅ）
他の方法で作ることができる。この材料は、基本構造が
（Ｈ５ｉ０３ｉ□）７〔式中、ｎは一般に１０〜１００
０を表す〕である。このレジンは数平均分子量が約８０
０〜２９００で、重量平均分子量が約８０００〜２８０
００である。セラミック化すれば、この材料は本質的ム
こ５ｉ−）１結合がないセラミック又はセラミック様コ
ーティングを生じる。
式ＲイＳｔ （ＯＲ） ａ−ｘの化合物を２つの異なっ
たタイプに分けることができる。第１のタイプは珪素が
水分解できる置換基以外の基で置換されている化合物、
すなわちＸは１〜２を含む。これらの化合物は残留Ｒ基
を含むセラミック又はセラミック様コーティングを形成
する。Ｘが２である化合物は、熱分解過程で生じる環状
構造物として一般に単独では用いられないが、これらの
化合物のいくつかは他のプレセラミック化合物と一緒に
共加水分解される。この第１のタイプの特定な化合物は
、モノメチルトリエトキシシラン、モノフェニルトリエ
トキシシラン、ジエチルジェトキシシラン、モノメチル
トリメトキシシラン、モノフェニルトリメトキシシラン
及びモノビニルトリメトキシシランを含む。
たタイプに分けることができる。第１のタイプは珪素が
水分解できる置換基以外の基で置換されている化合物、
すなわちＸは１〜２を含む。これらの化合物は残留Ｒ基
を含むセラミック又はセラミック様コーティングを形成
する。Ｘが２である化合物は、熱分解過程で生じる環状
構造物として一般に単独では用いられないが、これらの
化合物のいくつかは他のプレセラミック化合物と一緒に
共加水分解される。この第１のタイプの特定な化合物は
、モノメチルトリエトキシシラン、モノフェニルトリエ
トキシシラン、ジエチルジェトキシシラン、モノメチル
トリメトキシシラン、モノフェニルトリメトキシシラン
及びモノビニルトリメトキシシランを含む。
式ＲｘＳｉ（ＯＲ） ４− ｘの化合物である第２のタ
イプは、珪素が単独で水分解できる置換基と結合してい
る（ｘ＝Ｏ）。これらの化合物によって生じるコーティ
ングは残留有機基（Ｒ）を本質的に含まない。
イプは、珪素が単独で水分解できる置換基と結合してい
る（ｘ＝Ｏ）。これらの化合物によって生じるコーティ
ングは残留有機基（Ｒ）を本質的に含まない。
これらの化合物の例は、式Ｓｔ （ＯＲ） ａの有機オ
ルト珪酸塩を含むがこれらに限定されないｃ式中、Ｒは
好ましくはメチル、エチル、プロピル基のような炭素原
子１〜４のアルキル基、フェニル基のようなアリール基
、あるいはビニル、アリル基のような不飽和炭化水素基
を表す］。上記のタイプの特定な化合物は、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシ
シラン及びテトラブトキシシランを含む。
ルト珪酸塩を含むがこれらに限定されないｃ式中、Ｒは
好ましくはメチル、エチル、プロピル基のような炭素原
子１〜４のアルキル基、フェニル基のようなアリール基
、あるいはビニル、アリル基のような不飽和炭化水素基
を表す］。上記のタイプの特定な化合物は、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシ
シラン及びテトラブトキシシランを含む。
上記の群には含まれないが、等価に機能することができ
る別の材料は、式（ＲＯ） ３ｓｉＯｓｉ （ＯＲ）
ｚの縮合エステル、式（ＲＯ） 、Ｒ，５ｉＳｉＲ，（
ＯＲ）、のジシラン、炭素含有基が熱条件下で水分解で
きる５ｉＯＣのような化合物あるいは別の５ｉＯＲ源を
含む。
る別の材料は、式（ＲＯ） ３ｓｉＯｓｉ （ＯＲ）
ｚの縮合エステル、式（ＲＯ） 、Ｒ，５ｉＳｉＲ，（
ＯＲ）、のジシラン、炭素含有基が熱条件下で水分解で
きる５ｉＯＣのような化合物あるいは別の５ｉＯＲ源を
含む。
本発明で使う溶剤は、生じたセラミックコーティングの
性質が変わらないものであればセラミック材料を溶解す
る薬剤又は薬剤の混合物とすることができる。例えば、
これらの溶剤は上記の材料を低い固体濃度で溶解するに
十分な量である、エチル又はイソプロピルアルコールの
ようなアルコール、ベンゼン又はトルエンのような芳香
族炭化水素、ｎ−ペプタン又はドデカンのようなアルカ
ン、ケトン、エステル又はグリコールエーテルを含んで
よい。例えば、上記溶剤の十分な量で０．１〜３５ｗ
ｔ％温溶液することができる。
性質が変わらないものであればセラミック材料を溶解す
る薬剤又は薬剤の混合物とすることができる。例えば、
これらの溶剤は上記の材料を低い固体濃度で溶解するに
十分な量である、エチル又はイソプロピルアルコールの
ようなアルコール、ベンゼン又はトルエンのような芳香
族炭化水素、ｎ−ペプタン又はドデカンのようなアルカ
ン、ケトン、エステル又はグリコールエーテルを含んで
よい。例えば、上記溶剤の十分な量で０．１〜３５ｗ
ｔ％温溶液することができる。
Ｈ−レジンを用いた場合、セラ”ｓ ７り化の速度と程
度を増すのに役立つ白金又はロジウム触媒を少量加える
ことで、この溶液は触媒される。この溶液に溶解するこ
とができる白金又はロジウム化合物あるいは錯体であれ
ば使用できる。例えば、ダウコーニングコーポレーショ
ン（Ｄｏｗ ＣｏｒｎｉｎｇＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）
から提供される白金アセチルアセトネート又はロジウム
触媒ＲｈＣ１２３（ＣＴｏＣＨｚＣＨｚＣＨｚＳ） ３
のような有機白金ｍ放物はすべて本発明の範囲内である
。一般にこれらの触媒は、溶液中のレジン重量基準で白
金又はロジウム約１５〜２００ｐｐｍが溶液に加えられ
る。
度を増すのに役立つ白金又はロジウム触媒を少量加える
ことで、この溶液は触媒される。この溶液に溶解するこ
とができる白金又はロジウム化合物あるいは錯体であれ
ば使用できる。例えば、ダウコーニングコーポレーショ
ン（Ｄｏｗ ＣｏｒｎｉｎｇＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）
から提供される白金アセチルアセトネート又はロジウム
触媒ＲｈＣ１２３（ＣＴｏＣＨｚＣＨｚＣＨｚＳ） ３
のような有機白金ｍ放物はすべて本発明の範囲内である
。一般にこれらの触媒は、溶液中のレジン重量基準で白
金又はロジウム約１５〜２００ｐｐｍが溶液に加えられ
る。
プレセラミック材料及び溶剤を含む溶液を基板上に塗布
する。塗布の方法はスピンコーティング、浸漬コーティ
ング、吹付塗、又は流し塗とすることができるが、これ
らに限定されない。溶液中の溶剤を乾燥で蒸発してセラ
ミックコーティングを析出、させることができる。スピ
ンコーティングを用いる場合、このスピニングは溶剤を
蒸発させやすいので一般に追加の乾燥期間は不要である
ことに注目すべきである。
する。塗布の方法はスピンコーティング、浸漬コーティ
ング、吹付塗、又は流し塗とすることができるが、これ
らに限定されない。溶液中の溶剤を乾燥で蒸発してセラ
ミックコーティングを析出、させることができる。スピ
ンコーティングを用いる場合、このスピニングは溶剤を
蒸発させやすいので一般に追加の乾燥期間は不要である
ことに注目すべきである。
コーティングしたデバイスを不活性ガス雰囲気下で５０
０〜１０００℃、好ましくは６００〜８００°Ｃに加熱
してプレセラミックコーティングをセラミック化して気
密コーティングとする。熱対流炉又は輻射あるいはマイ
クロ波熱源を使うような加熱方法が一般に機能的である
。その上、加熱速度は一般に決定的ではないが、基板を
できるだけ迅速に加熱するのが最も実用的であり好まし
い。
０〜１０００℃、好ましくは６００〜８００°Ｃに加熱
してプレセラミックコーティングをセラミック化して気
密コーティングとする。熱対流炉又は輻射あるいはマイ
クロ波熱源を使うような加熱方法が一般に機能的である
。その上、加熱速度は一般に決定的ではないが、基板を
できるだけ迅速に加熱するのが最も実用的であり好まし
い。
アルゴン又はヘリウムのような不活性ガス雰囲気が上記
のセラミック化工程に利用できる。しかし、わずかな量
の酸素が金属の結合性に影響するので空気を排除するこ
とは本質的である。
のセラミック化工程に利用できる。しかし、わずかな量
の酸素が金属の結合性に影響するので空気を排除するこ
とは本質的である。
代表的なセラミック化手順において、コーティングした
基板を熱対流炉に据え、そして酸素を排除して不活性ガ
スを連続して流してよい。次いで炉内温度を所望のレベ
ル（例えば約６００°Ｃ）に上げて所望の時間（例えば
約０．５〜３時間）保持する。
基板を熱対流炉に据え、そして酸素を排除して不活性ガ
スを連続して流してよい。次いで炉内温度を所望のレベ
ル（例えば約６００°Ｃ）に上げて所望の時間（例えば
約０．５〜３時間）保持する。
上記の方法によって、薄い（２ミクロン未満）セラミッ
ク又はセラミック様プラナリアコーティングを基板上に
作る。このコーティングは種々の基板の不整な表面を平
滑にしすぐれた密着性を与える。その上、この基板に更
に付加的な保護を与えるために、上述したコーティング
の追加コーティング、珪素含有コーティング、珪素・炭
素含有コーティング、珪素・窒素含有コーティング、及
び（又は）珪素・窒素・炭素含有コーティングなどの別
なコーティングでこのコーティングを覆うことができる
。
ク又はセラミック様プラナリアコーティングを基板上に
作る。このコーティングは種々の基板の不整な表面を平
滑にしすぐれた密着性を与える。その上、この基板に更
に付加的な保護を与えるために、上述したコーティング
の追加コーティング、珪素含有コーティング、珪素・炭
素含有コーティング、珪素・窒素含有コーティング、及
び（又は）珪素・窒素・炭素含有コーティングなどの別
なコーティングでこのコーティングを覆うことができる
。
２層系では、２番目のパッシベーション層は、珪素含有
コーティング、珪素・炭素含有コーティング、珪素・窒
素含有コーティング、珪素・炭素窒素含有コーティング
又は最初に形成したコーティングの追加コーティングを
含むことができる。
コーティング、珪素・炭素含有コーティング、珪素・窒
素含有コーティング、珪素・炭素窒素含有コーティング
又は最初に形成したコーティングの追加コーティングを
含むことができる。
３層系では、２番目のパッシベーション層は珪素・炭素
含有コーティング、珪素・窒素含有コーティング、珪素
・炭素・窒素含有コーティング、又は最初に形成したコ
ーティングの追加コーティングを含むことができ、そし
て３番目のバリアコーティングは珪素コーティング、珪
素・炭素含有コーティング、珪素・窒素含有コーティン
グ及び珪素・炭素・窒素含有コーティングを含むことが
できる。
含有コーティング、珪素・窒素含有コーティング、珪素
・炭素・窒素含有コーティング、又は最初に形成したコ
ーティングの追加コーティングを含むことができ、そし
て３番目のバリアコーティングは珪素コーティング、珪
素・炭素含有コーティング、珪素・窒素含有コーティン
グ及び珪素・炭素・窒素含有コーティングを含むことが
できる。
パッシベーションコーティングは、以下の方法によって
おこなうことができる。
おこなうことができる。
（ｉ）最初のセラよツタ又はセラミック様層に、溶剤と
、そしてポリカルボシラン、ポリシラザン、オルガノポ
リシラン、シルセスキアザン、炭素置換のポリシラザン
そしてポリシラシクロブタシラザンのようなプレセラミ
ックポリマー先駆物質とを含んでなる溶液を塗布し、 （ｉｉ ）該溶液を蒸発してプレセラミックポリマー先
駆物質コーティングを該セラミック又はセラミック様コ
ーティング上に析出させ、そして（ｉｉｉ）アンモニア
又は不活性ガス雰囲気下で、プレセラミックポリマー先
駆物質コーティングを温度２００〜９００℃に加熱して
セラミック化する。
、そしてポリカルボシラン、ポリシラザン、オルガノポ
リシラン、シルセスキアザン、炭素置換のポリシラザン
そしてポリシラシクロブタシラザンのようなプレセラミ
ックポリマー先駆物質とを含んでなる溶液を塗布し、 （ｉｉ ）該溶液を蒸発してプレセラミックポリマー先
駆物質コーティングを該セラミック又はセラミック様コ
ーティング上に析出させ、そして（ｉｉｉ）アンモニア
又は不活性ガス雰囲気下で、プレセラミックポリマー先
駆物質コーティングを温度２００〜９００℃に加熱して
セラミック化する。
代わりに、パッシベーション及び（又は）バリアコーテ
ィングを次の方法でおこなうことができる。
ィングを次の方法でおこなうことができる。
珪素含有コーティングが、（ａ）シラン、ハロシラン、
ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、
不活性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、（ｂ）シラ
ン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、又は
これらの混合物の、不活性ガス雰囲気下におけるプラズ
マ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）シラン、ハロシラン
、・ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
の、不活性ガス雰囲気下における金属補助化学気相蒸着
、からなる群から選んだ方法であり、珪素・炭素コーテ
ィングが、（１）シラン、アルキルシラン、ハロシラン
、ハロジシラン、ハロポリシラン、又はこれらの混合物
の、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキルシランのも
とで不活性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、（２）
アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
シラン又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカ
ン又はアルキルシランの存在のもとで不活性ガス雰囲気
下におけるプラズマ励起化学気相蒸着、そして（３）シ
ラシクロブタン又はジシラシクロブタンの、不活性ガス
雰囲気下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からなる群
から選んだ方法であり、 珪素・窒素含有コーティングが、（Ａ）シラン、ハロシ
ラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合
物の、アンモニア雰囲気下における化学気相蒸着、（Ｂ
）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン
又はこれらの混合物の、アンモニア雰囲気下におけるプ
ラズマ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）プレセラミック
ポリマー先駆物質の、アンモニア又は不活性ガス雰囲気
下におけるセラ藁ツタ化からなる群から選んだ方法であ
り、 珪素・炭素・窒素含有コーティングが、（１）ヘキサメ
チルジシラザンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下
における化学気相蒸着、（ｉｉ）ヘキサメチルジシラザ
ンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下におけるプラ
ズマ励起化学気相蒸着、（ｉｉｉ ）シラン、アルキル
シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、
又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又は
アルキルシランの存在のもとでそして更にアンモニアの
存在下における化学気相蒸着、そして（１ｖ）シラン、
アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
シラン又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカ
ン又はアルキルシランの存在のもとでそして更にアンモ
ニアの存在下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からな
る群から選んだ方法である これらの方法を用いてパッシベーションコーティング又
は（及び）バリアコーティングをおこなうことができる
。
ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、
不活性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、（ｂ）シラ
ン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、又は
これらの混合物の、不活性ガス雰囲気下におけるプラズ
マ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）シラン、ハロシラン
、・ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
の、不活性ガス雰囲気下における金属補助化学気相蒸着
、からなる群から選んだ方法であり、珪素・炭素コーテ
ィングが、（１）シラン、アルキルシラン、ハロシラン
、ハロジシラン、ハロポリシラン、又はこれらの混合物
の、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキルシランのも
とで不活性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、（２）
アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
シラン又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカ
ン又はアルキルシランの存在のもとで不活性ガス雰囲気
下におけるプラズマ励起化学気相蒸着、そして（３）シ
ラシクロブタン又はジシラシクロブタンの、不活性ガス
雰囲気下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からなる群
から選んだ方法であり、 珪素・窒素含有コーティングが、（Ａ）シラン、ハロシ
ラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合
物の、アンモニア雰囲気下における化学気相蒸着、（Ｂ
）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン
又はこれらの混合物の、アンモニア雰囲気下におけるプ
ラズマ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）プレセラミック
ポリマー先駆物質の、アンモニア又は不活性ガス雰囲気
下におけるセラ藁ツタ化からなる群から選んだ方法であ
り、 珪素・炭素・窒素含有コーティングが、（１）ヘキサメ
チルジシラザンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下
における化学気相蒸着、（ｉｉ）ヘキサメチルジシラザ
ンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下におけるプラ
ズマ励起化学気相蒸着、（ｉｉｉ ）シラン、アルキル
シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン、
又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又は
アルキルシランの存在のもとでそして更にアンモニアの
存在下における化学気相蒸着、そして（１ｖ）シラン、
アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリ
シラン又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカ
ン又はアルキルシランの存在のもとでそして更にアンモ
ニアの存在下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からな
る群から選んだ方法である これらの方法を用いてパッシベーションコーティング又
は（及び）バリアコーティングをおこなうことができる
。
本発明で形成したコーティングは、欠陥が少ないので、
保護コーティング、耐絃性耐磨耗性コーティング、耐熱
防湿コーティング、誘電体層、そしてナトリウムや塩素
のようなイオン不純物に対する拡散バリアとして電子デ
バイスに有用である。
保護コーティング、耐絃性耐磨耗性コーティング、耐熱
防湿コーティング、誘電体層、そしてナトリウムや塩素
のようなイオン不純物に対する拡散バリアとして電子デ
バイスに有用である。
本発明を以下の例によって更に詳細に説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
米国特許第３，６１５，２７２号明細書にあるフリエ（
Ｆｒｙｅ）他の方法で作った水素シルセスキオキサンレ
ジンを、白金ペンタンジオナートとして白金６０ｐｐｍ
を含むｎ−へブタン溶液中で１０％ｖｔ％に稀釈した。
Ｆｒｙｅ）他の方法で作った水素シルセスキオキサンレ
ジンを、白金ペンタンジオナートとして白金６０ｐｐｍ
を含むｎ−へブタン溶液中で１０％ｖｔ％に稀釈した。
１′Ａインチ（３８ｍｍ ）正方形銅厚膜多層回路板に
この溶液を塗布し、次いで３０００ＰＰＭで３５秒間回
転させた。このデバイスをアルゴン雰囲気にある２イン
チ（５１ｍｍ）リンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｕｒｇ）炉に
据えて温度を６００℃に上げ１時間保持して、水素シル
セスキオキサンをセラミック化した。厚さ約２０００人
のコーティングができた。ＦＴＩＲ（フーリエ分光法）
スペクトルは本質的に５ｉ−Ｈ結合が無いことを示した
。
この溶液を塗布し、次いで３０００ＰＰＭで３５秒間回
転させた。このデバイスをアルゴン雰囲気にある２イン
チ（５１ｍｍ）リンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｕｒｇ）炉に
据えて温度を６００℃に上げ１時間保持して、水素シル
セスキオキサンをセラミック化した。厚さ約２０００人
のコーティングができた。ＦＴＩＲ（フーリエ分光法）
スペクトルは本質的に５ｉ−Ｈ結合が無いことを示した
。
（実施例２）
ここでは、実施例１のコーティングをした銅厚膜多層回
路板上に２番目のコーティングをおこなう。該コーティ
ングした回路板に、ｎ−へブタンに溶かして１０ｗｔ％
に稀釈したポリカルボシランの第２のプレセラミックポ
リマー溶液を塗布し、そして３０００ＲＰＭで３５秒間
回転した。次いでこのデバイスをアンモニア雰囲気にあ
る２インチ（５１ｍｍ）リンドバーグ炉に据え、温度を
６００℃に上げ１時間保持して、このコーティングした
基板をセラミック化した。厚さ約２３００人のセラミッ
クコーティングが析出した。
路板上に２番目のコーティングをおこなう。該コーティ
ングした回路板に、ｎ−へブタンに溶かして１０ｗｔ％
に稀釈したポリカルボシランの第２のプレセラミックポ
リマー溶液を塗布し、そして３０００ＲＰＭで３５秒間
回転した。次いでこのデバイスをアンモニア雰囲気にあ
る２インチ（５１ｍｍ）リンドバーグ炉に据え、温度を
６００℃に上げ１時間保持して、このコーティングした
基板をセラミック化した。厚さ約２３００人のセラミッ
クコーティングが析出した。
（実施例３）
アキュグラス（Ａｃｃｕｇｌａｓ） ３０５”、エタノ
ール中で１０ｗｔ％に稀釈したプレセラミックポリマー
含有ＭｅＳｉ（ＯＨ）、（ＯＥｔ）、を１′Ａインチ（
３８ｍｍ）正方形銅厚膜多層回路板に塗布し、そしてこ
の回路板を３００ＯＲＰＭで３５秒間回転させた。この
デバイスをアルゴン雰囲気にある２インチ（５１ｍｍ）
リンドバーグ炉に据え温度を７００℃に上げて１時間保
持し、このアキュグラスをセラミック化した。厚さ３２
９６人の緑色セラミックコーティングが析出した。
ール中で１０ｗｔ％に稀釈したプレセラミックポリマー
含有ＭｅＳｉ（ＯＨ）、（ＯＥｔ）、を１′Ａインチ（
３８ｍｍ）正方形銅厚膜多層回路板に塗布し、そしてこ
の回路板を３００ＯＲＰＭで３５秒間回転させた。この
デバイスをアルゴン雰囲気にある２インチ（５１ｍｍ）
リンドバーグ炉に据え温度を７００℃に上げて１時間保
持し、このアキュグラスをセラミック化した。厚さ３２
９６人の緑色セラミックコーティングが析出した。
ＦＴＩＲスペクトルはわずかなメチル基置換を示したが
、本質的にヒドロキシル基は無かった。
、本質的にヒドロキシル基は無かった。
（実施例４）
４．５ｇのＭｅＳｉ （０？Ｉｅ） ｓ、４．０ ｇの
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ） 、酢酸０．４ｇ及
び水２．５ｇを混合し、この溶液を６０〜７０°Ｃで３
０分間加熱してプレセラミック材料の溶液を調製した。
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ） 、酢酸０．４ｇ及
び水２．５ｇを混合し、この溶液を６０〜７０°Ｃで３
０分間加熱してプレセラミック材料の溶液を調製した。
１′７４インチ（３８ｍｍ）正方形銅厚膜多層回路板に
この溶液を塗布し、次いで３０００ＲＰＭで３５秒間回
転させた。次にこのデバイスをアルゴン雰囲気にある２
インチ（５１ｍｍ）リンドバーグ炉に据えて温度を７０
０℃に上げ１時間保持してプレセラミック材料をセラミ
ック化した。厚さ２６８２人のピンク・金色セラミック
コーティングが析出した。ＦＴＩＲスペクトルはわずか
なメチル基置換を示したが、本質的にヒドロキシル基は
無かった。
この溶液を塗布し、次いで３０００ＲＰＭで３５秒間回
転させた。次にこのデバイスをアルゴン雰囲気にある２
インチ（５１ｍｍ）リンドバーグ炉に据えて温度を７０
０℃に上げ１時間保持してプレセラミック材料をセラミ
ック化した。厚さ２６８２人のピンク・金色セラミック
コーティングが析出した。ＦＴＩＲスペクトルはわずか
なメチル基置換を示したが、本質的にヒドロキシル基は
無かった。
（実施例５）
５．０４ｃｃのＳｔ （ＯＥｔ） ａ、エタノール５．
０４ｃｃ、水９．９２ｃｃ及び５％８１ ２滴を混合し
、６０〜７０′Ｃで３０分間加熱し、そして固体骨が３
．３ｗｔ％となるようにこの溶液にエタノールを更に加
えて稀釈しプレセラミック材料を調製した。１＋Ａイン
チ（３８ｍｍ）正方形銅厚膜多層回路板にこの溶液を塗
布し、次いで３０００ＲＰＭで３５秒間回転させた。次
にこのデバイスをアルゴン雰囲気にある２インチ（５１
ｍｍ）リンドバーグ炉に据えて温度を７００°Ｃに上げ
１時間保持した。厚さ３５１３大の青・金色セラミック
コーティングが析出した。ＦＴＩＲスペクトルは本質的
にヒドロキシル基置換を示さなかった。
０４ｃｃ、水９．９２ｃｃ及び５％８１ ２滴を混合し
、６０〜７０′Ｃで３０分間加熱し、そして固体骨が３
．３ｗｔ％となるようにこの溶液にエタノールを更に加
えて稀釈しプレセラミック材料を調製した。１＋Ａイン
チ（３８ｍｍ）正方形銅厚膜多層回路板にこの溶液を塗
布し、次いで３０００ＲＰＭで３５秒間回転させた。次
にこのデバイスをアルゴン雰囲気にある２インチ（５１
ｍｍ）リンドバーグ炉に据えて温度を７００°Ｃに上げ
１時間保持した。厚さ３５１３大の青・金色セラミック
コーティングが析出した。ＦＴＩＲスペクトルは本質的
にヒドロキシル基置換を示さなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（Ａ）溶剤と、そして水素シルセスキオキサンレジ
ン及び加水分解した又は一部加水分解したＲ＿ｘＳｉ（
ＯＲ）＿４＿−＿ｘ〔式中、Ｒはアルキル、アリール及
び不飽和炭化水素基からなる群から独立に選んだ基；そ
してｘは０〜２を表す〕からなる群から選んだ、１つ又
はそれ以上のプレセラミック材料とを含んでなる溶液を
基板に塗布し、 （Ｂ）該溶剤を蒸発して該基板上にプレセラミックコー
ティングを析出させ、そして （Ｃ）該コーティングした基板を、不活性ガス雰囲気下
で温度約５００〜１０００℃に加熱することによって該
プレセラミックコーティングをセラミック化して、セラ
ミック又はセラミック様コーティングを該基板上に形成
する、 工程を含んでなるセラミック又はセラミック様コーティ
ングを基板上に形成する方法。 ２、該基板が電子デバイスである請求項１記載の方法。 ３、（ｉ）溶剤とプレセラミックポリマー先駆物質を含
んでなる第２の溶液を該セラミック又はセラミック様コ
ーティングに塗布し、 （ｉｉ）該溶剤を蒸発して、該セラミック又はセラミッ
ク様コーティング上にプレセラミックポリマー先駆物質
コーティングを析出させ、そして（ｉｉｉ）該プレセラ
ミックポリマー先駆物質コーティングを、アンモニア又
は不活性ガス雰囲気下で温度２００〜９００℃に加熱す
ることによってセラミック化して、該セラミック又はセ
ラミック様コーティング上にパッシベーションコーティ
ングを形成する、 工程を用いて該セラミック又はセラミック様コーティン
グ上に更にパッシベーションコーティングを加えること
を含んでなる、２層セラミック又はセラミック様コーテ
ィングを基板上に形成する請求項１記載の方法。 ４、（ｉ）珪素コーティング、（ｉｉ）珪素・炭素含有
コーティング、（ｉｉｉ）珪素・窒素含有コーティング
、及び（ｉｖ）珪素・炭素・窒素含有コーティングから
なる群から選んだ珪素含有パッシベーションコーティン
グのうち、 珪素コーティングが、（ａ）シラン、ハロシラン、ハロ
ジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、不活
性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、（ｂ）シラン、
ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれら
の混合物の、不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起
化学気相蒸着、そして（ｃ）シラン、ハロシラン、ハロ
ジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、不活
性雰囲気下における金属補助化学気相蒸着からなる群か
ら選んだ方法であり、 珪素・炭素含有コーティングが、（１）シラン、アルキ
ルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン
又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又は
アルキルシランの存在のもとで不活性ガス雰囲気下にお
ける化学気相蒸着、（２）アルキルシラン、ハロシラン
、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の
、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキルシランの存在
のもとで不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化学
気相蒸着、そして（３）シラシクロブタン又はジシラシ
クロブタンの不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起
化学気相蒸着からなる群から選んだ方法であり、 珪素・窒素含有コーティングが、（Ａ）シラン、ハロシ
ラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合
物の、アンモニア雰囲気下における化学気相蒸着、（Ｂ
）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン
又はこれらの混合物の、アンモニア雰囲気下におけるプ
ラズマ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）珪素と窒素を含
有するプレセラミックポリマー先駆物質を含んでなる第
２の溶液からの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下に
おけるセラミック化からなる群から選んだ析出方法であ
り、そして 珪素・炭素・窒素含有コーティングが、（ｉ）ヘキサメ
チルジシラザンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下
における化学気相蒸着、（ｉｉ）ヘキサメチルジシラザ
ンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下におけるプラ
ズマ励起化学気相蒸着、（ｉｉ）シラン、アルキルシラ
ン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこ
れらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキ
ルシランの存在のもとでそして更にアンモニア存在下に
おける化学気相蒸着、そして（ｉｖ）シラン、アルキル
シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又
はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はア
ルキルシランの存在のもとでそして更にアンモニア存在
下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からなる群から選
んだ析出方法である、 これらの方法を用いて該珪素含有パッシベーションコー
ティングを形成し、該セラミック又はセラミック様コー
ティング上に更に該珪素含有パッシベーションコーティ
ングを加えることを含んでなる、２層セラミック又はセ
ラミック様コーティングを該基板上に形成する請求項１
記載の方法。 ５、（ｉ）珪素・炭素含有コーティング、（ｉｉ）珪素
・窒素含有コーティング、そして（ｉｉｉ）珪素・炭素
・窒素含有コーティングからなる群から選んだ珪素含有
パッシベーションコーティングのうち、珪素・炭素コー
ティングが、（１）シラン、アルキルシラン、ハロシラ
ン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物
の、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキルシランの存
在のもとで不活性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、
（２）アルキルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハ
ロポリシラン又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６の
アルカン又はアルキルシランの存在のもとで不活性ガス
雰囲気下におけるプラズマ励起化学気相蒸着、そして（
３）シラシクロブタン又はジシラシクロブタンの、不活
性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化学気相蒸着から
なる群から選んだ方法であり、 珪素・窒素含有コーティングが、（Ａ）シラン、ハロシ
ラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合
物の、アンモニア雰囲気下における化学気相蒸着、（Ｂ
）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン
又はこれらの混合物の、アンモニア雰囲気下におけるプ
ラズマ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）珪素と窒素を含
有するプレセラミックポリマー先駆物質を含んでなる第
２の溶液からの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下に
おけるセラミック化からなる群から選んだ析出方法であ
り、 珪素・炭素・窒素含有コーティングが、（ｉ）ヘキサメ
チルジシラザンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下
における化学気相蒸着、（ｉｉ）ヘキサメチルジシラザ
ンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下におけるプラ
ズマ励起化学気相蒸着、（ｉｉ）シラン、アルキルシラ
ン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこ
れらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアルキ
ルシランの存在のもとでそして更にアンモニアの存在下
における化学気相蒸着、そして（ｖ）シラン、アルキル
シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又
はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はア
ルキルシランの存在のもとでそして更にアンモニア存在
下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からなる群から選
んだ析出方法である、 これらの方法を用いて珪素含有パッシベーションコーテ
ィングを形成し、該セラミック又はセラミック様コーテ
ィング上に該珪素含有パッシベーションコーティングを
加えることを含んでなり、そして更に （ｉ）珪素コーティング、（ｉｉ）珪素・炭素含有コー
ティング、（ｉｉｉ）珪素・窒素含有コーティング、そ
して（ｉｖ）珪素・炭素・窒素含有コーティングからな
る群から選んだ珪素含有バリアコーティングのうち、 珪素コーティングが、（ａ）シラン、ハロシラン、ハロ
ジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、不活
性ガス雰囲気下における化学気相蒸着、（ｂ）シラン、
ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれら
の混合物の、不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起
化学気相蒸着、そして（ｃ）シラン、ハロシラン、ハロ
ジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、不活
性ガス雰囲気下における金属補助化学気相蒸着からなる
群から選んだ方法であり、 珪素・炭素コーティングが、（１）シラン、アルキルシ
ラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又は
これらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアル
キルシランの存在のもとで不活性ガス雰囲気下における
化学気相蒸着、（２）アルキルシラン、ハロシラン、ハ
ロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合物の、炭
素原子１〜６のアルカン又はアルキルシランの存在のも
とで不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化学気相
蒸着、そして（３）シラシクロブタン又はジシラシクロ
ブタンの、不活性ガス雰囲気下におけるプラズマ励起化
学気相蒸着からなる群から選んだ方法であり、 珪素・窒素含有コーティングが、（Ａ）シラン、ハロシ
ラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又はこれらの混合
物の、アンモニア雰囲気下における化学気相蒸着、（Ｂ
）シラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン
又はこれらの混合物の、アンモニア雰囲気下におけるプ
ラズマ励起化学気相蒸着、そして（Ｃ）珪素と窒素を含
有するプレセラミックポリマー先駆物質を含んでなる第
３の溶液からの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下に
おけるセラミック化からなる群から選んだ析出方法であ
り、そして 珪素・炭素・窒素含有コーティングが、（ｉ）ヘキサメ
チルジシラザンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下
における化学気相蒸着、（ｉｉ）ヘキサメチルジシラザ
ンの、アンモニア又は不活性ガス雰囲気下におけるプラ
ズマ励起化学気相蒸着、（ｉｉｉ）シラン、アルキルシ
ラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラン又は
これらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又はアル
キルシランの存在のもとでそして更にアンモニアの存在
下における化学気相蒸着、そして（ｉｖ）シラン、アル
キルシラン、ハロシラン、ハロジシラン、ハロポリシラ
ン又はこれらの混合物の、炭素原子１〜６のアルカン又
はアルキルシランの存在のもとでそして更にアンモニア
の存在下におけるプラズマ励起化学気相蒸着からなる群
から選んだ析出方法である、 これらの方法を用いて該珪素含有バリアコーティングを
形成し、該パッシベーションコーティング上に更に該珪
素含有バリアコーティングを加えることを含んでなる、
多層セラミック又はセラミック様コーティングを該基板
上に形成する請求項１記載の方法。 ６、請求項１記載の方法で得られる製品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US42331789A | 1989-10-18 | 1989-10-18 | |
| US423317 | 1989-10-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183675A true JPH03183675A (ja) | 1991-08-09 |
| JP2977882B2 JP2977882B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=23678444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2276603A Expired - Fee Related JP2977882B2 (ja) | 1989-10-18 | 1990-10-17 | 不活性ガス雰囲気下の気密基板コーティング法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
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